JP3411237B2

JP3411237B2 - 固体電解コンデンサ用電極箔、その製造方法及び固体電解コンデンサ

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Publication number: JP3411237B2
Application number: JP16027699A
Authority: JP
Inventors: 雄司古田; 勝彦山崎; 厚坂井; 博小沼
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Showa Denko KK
Priority date: 1998-06-09
Filing date: 1999-06-07
Publication date: 2003-05-26
Anticipated expiration: 2019-06-07
Also published as: JP2000068159A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アルミニウム化成
箔からなり、その切り口部の耐電圧性及び耐熱性が改善
された固体電解コンデンサ用電極箔、その製造方法及び
この電極箔を用いた固体電解コンデンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】固体電解コンデンサには、アルミニウム
箔の表面に陽極酸化皮膜からなる誘電体層が形成された
電極箔が用いられている。一般にこの電極箔は、アルミ
ニウム箔を酸性電解液に浸漬し、このアルミニウム箔を
陽極とする陽極酸化法により表面を化成処理し、次いで
所定のサイズに切断して製造される。近年は特に電子機
器分野において低圧用電解コンデンサの小型化が進み、
面積当り高い静電容量が求められるので、低電圧用の前
記電極箔の製造に際しては従来より、図３に示すよう
に、アルミニウム箔の有効表面積を拡大するために例え
ば塩素イオンを含む電解液中で交流エッチングし、その
表面に例えば口径０．２μｍ程度の細孔２を多数形成す
る粗面化処理が行われ、その後にこれらの細孔内面を含
むアルミニウム箔の表面に０．０１μｍ〜０．１μｍ程
度の薄くて、高密度で均一なバリアー皮膜（陽極酸化皮
膜）３を形成する化成処理が行われている。得られた化
成箔には、アルミニウム地金からなる芯部１の両側表面
に多数の細孔２が形成され、この細孔により有効面積が
拡大された表面に、前記のバリアー皮膜３が誘電体層と
して形成されている。

【０００３】ここに得られた化成箔は、次にそれぞれの
低圧用小型固体電解コンデンサに求められる所定のサイ
ズに切断され、電極箔とされる。この際、前記電極箔の
切り口部５は、アルミニウム地金が露出しているのでこ
のまま固体電解コンデンサに組込むことはできず、絶縁
する必要がある。この切り口部５の絶縁化は普通、切断
後の化成箔を再度化成処理し（以下、「切り口化成」と
いう）、この切り口部５にバリアー皮膜を形成すること
により行われる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記の化成箔
の切断は通常ナイフエッジの剪断力により行われるの
で、切り口部５にはアルミニウムの地金が露出して尖塔
化した尖塔部６が形成される。この状態で切り口化成を
行い、切り口部５にバリアー皮膜を形成させると、電圧
負荷時にその尖塔形状から電流集中によって局部的に発
熱し、熱応力によってバリアー皮膜の破壊が起こる等、
固体電解コンデンサの耐電圧性や耐熱性を著しく低下さ
せるという問題が起こる。切り口部５における誘電体層
を強化する場合、例えば前記と同様な粗面化処理や高電
圧下の切り口化成を行うと、何れも、すでに化成箔の表
面に形成されているバリアー皮膜３を破壊する可能性が
ある。

【０００５】そこで、切り口部を陽極酸化皮膜によら
ず、樹脂等で被覆絶縁する方法（例えば実公平６−１４
４６５号公報等）も提案されているが、これらの方法で
は樹脂層が電極箔の表面にも回り込んでコンデンサとし
ての静電容量を減少させるので小型化の要求に反するこ
ととなり、また工程が煩雑となるので製造コストも上昇
する。本発明は、上記の課題を解決するためになされた
ものであって、従ってその目的は、電極箔の有効面積を
減少させることなく、切り口部にのみ耐電圧性及び耐熱
性の皮膜を形成する安価な固体電解コンデンサ用電極箔
の製造方法、この製造方法により製造された固体電解コ
ンデンサ用電極箔、及びこの電極箔を用いた固体電解コ
ンデンサを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明は、アルミニウム箔の表面をエッチングして
粗面化した後に化成処理し、この粗面化した表面に誘電
体層としてバリアー皮膜を形成した化成箔を所定のサイ
ズに切断し、この切断された化成箔を化成処理してその
切り口部に、多孔質酸化皮膜であって厚さが前記バリア
ー皮膜の厚さの５倍〜１００倍の範囲内とされたポーラ
ス皮膜を形成する固体電解コンデンサ用電極箔の製造方
法を提供する。前記において、ポーラス皮膜を形成した
後に、更に化成処理してこのポーラス皮膜の基層に切り
口バリアー皮膜を形成することが好ましい。本発明はま
た、前記の何れかの製造方法により製造された固体電解
コンデンサ用電極箔、及びこの固体電解コンデンサ用電
極箔を用いて製造された固体電解コンデンサを提供す
る。以下、固体電解コンデンサ用電極箔を「電極箔」、
固体電解コンデンサを「コンデンサ」と称する。

【０００７】

【発明の実施の形態】次に本発明を好ましい実施の形態
により説明する。本電極箔の製造に際しては、先ず従来
と同様にしてアルミニウム箔をエッチングして粗面化す
る。この後に化成処理を行い、粗面化したアルミニウム
箔の表面に誘電体層としてバリアー皮膜を形成し化成箔
とし、得られた化成箔を、コンデンサの電極箔として要
求される所定のサイズに切断する。

【０００８】次に、この切断された化成箔を化成処理
（切り口化成）してその切り口部に、多孔質酸化皮膜で
あって厚さが前記バリアー皮膜の厚さの５倍〜１００倍
の範囲内とされたポーラス皮膜を形成する。より好まし
くは前記バリアー皮膜の厚さの２０倍〜１００倍の範囲
内とされたポーラス皮膜を形成する。

【０００９】本発明における前記の切り口化成は、切断
された化成箔を例えばリン酸、シュウ酸、硫酸等の酸を
含む電解液に浸漬し、そのアルミニウム地金からなる芯
部を陽極として定電流を印加することにより行うことが
できる。

【００１０】図１に示すように、ここに得られた本発明
の電極箔１０は、アルミニウム地金からなる芯部１の表
面に多数の細孔２が形成され、この細孔によって有効面
積が拡大された両側表面に、前記のバリアー皮膜３が誘
電体層として形成されている。そして、アルミニウムの
地金が露出した面を覆う酸化皮膜とこの酸化皮膜から中
心部に孔を持ち柱列状に成長した酸化アルミニウムから
なるポーラス皮膜１１が、切り口部５の上に形成され、
このポーラス皮膜１１が厚く切り口部５を覆っている。
このポーラス皮膜１１の厚さｔp は、前記バリアー皮膜
３の厚さｔb の５倍〜１００倍、好ましくは２０倍〜１
００倍の範囲内とされている。

【００１１】前記の切り口化成処理を施すことによっ
て、本電極箔１０の切り口部５から図３に示した尖塔部
６の一部が消失し、切り口部の尖塔形状が緩和されるこ
とがわかった。これは、本発明における切り口化成の際
に、切り口部５にポーラス皮膜１１が形成されるに先立
って尖塔部の少なくとも一部が酸性電解液に溶解するた
めと考えられる。

【００１２】このポーラス皮膜１１は、化成箔のアルミ
ニウム芯部１を陽極とする通電により形成されるので、
通電条件を適当に選択すれば、化成箔の有効表面に形成
されたバリアー皮膜３に損傷を与えることなく、切り口
部５のアルミニウム地金が露出した部分にのみ選択的に
形成することができる。従ってポーラス皮膜１１が形成
されても、本電極箔１０のコンデンサとしての有効面積
が減少したり絶縁性が低下したりすることはない。

【００１３】本電極箔１０においては、切り口部５の尖
塔形状が緩和され、さらに、切り口部５に形成されるポ
ーラス皮膜１１が通常のバリアー皮膜に比べ十分に厚
く、かつこれら皮膜の上に形成される固体電解質層及び
導電層に対して緩衝性を有する。そのため、本電極箔１
０は絶縁性が高いばかりでなく機械的応力や熱的応力に
対する耐性も高く、切り口部５に起因するコンデンサの
耐電圧性や耐熱性の低下を防止することができる。

【００１４】本発明の更に好ましい実施形態において
は、図２に電極箔１５として示すように、切り口部５に
ポーラス皮膜１１を形成した後に、更に化成処理してポ
ーラス皮膜１１の基層にバリアー皮膜（切り口バリアー
皮膜）１２を形成する。この化成処理は、例えばポーラ
ス皮膜１１が形成された前記の電極箔１０を、アジピン
酸、ホウ酸、リン酸等の酸を含む電解液に浸漬し、アル
ミニウム芯部１を陽極として定電流を印加することによ
り行うことができる。この陽極酸化に際して、電解液は
ポーラス皮膜１１の柱列の孔１３に浸透し、ポーラス皮
膜１１の基層に切り口バリアー皮膜１２を形成する。形
成された切り口バリアー皮膜１２は、実質的にバリアー
皮膜３と同等の耐電圧性を示す。

【００１５】得られた電極箔１５は、切り口部５が先ず
高密度で均一な切り口バリアー皮膜１２で、次いでその
外側が厚みの厚い緩衝性のポーラス皮膜１１で二重に覆
われているので、膜の保護性が強化され、耐電圧性と耐
熱性が共に著しく向上する。この膜の保護性の強化は、
電解液を用いない固体電解コンデンサにあっては、バリ
アー皮膜の自己補修があまり期待できないところから特
に重要である。

【００１６】前記の本電極箔１０又は本電極箔１５を用
いて製造された本コンデンサは、製造工程が簡単な陽極
酸化の繰り返しのみによって切り口部５の尖塔形状が緩
和され、厚くて緩衝性の高いポーラス皮膜１１と更に好
ましくはその基層に高密度で均一で高強度の切り口バリ
アー皮膜１２が形成される。その結果、本コンデンサは
安価に製造できて、しかも耐電圧性、耐熱性及び耐衝撃
性に優れ、静電容量を減少させないので小型化の要求に
も対応できるものとなる。

【００１７】本発明の電極箔は、固体電解コンデンサに
適用できるが、固体電解質を形成させるには公知の方法
に従って実施できる。好ましくは、導電性重合体が適し
ており、化学重合法、電解重合法の重合法が利用でき
る。より好ましくは、化学重合法において、重合体のモ
ノマー溶液、酸化剤溶液への浸漬で重合体を形成させる
場合の熱的応力、機械的応力に対する耐性が高くなるこ
とである。

【００１８】また、ドーパントとしては、ドーピング能
がある化合物なら如何なるものでも良く、例えば有機ス
ルホン酸、無機スルホン酸、有機カルボン酸及びこれら
の塩を使用できる。特に優れたコンデンサ性能を引き出
すことができる化合物として、分子内に一つ以上のスル
ホン酸基とキノン構造を有する化合物、複素環式スルホ
ン酸、アントラセンモノスルホン酸及びこれらの塩を用
いても良い。

【００１９】以下、本発明を更に詳しく説明する。本電
極箔を製造するに際しては先ずアルミニウム箔を粗面化
する。この粗面化の方法は公知であって、特に小型の低
圧用固体電解コンデンサに用いられる電極箔にあって
は、例えば幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍのアルミニウ
ム箔ロールを塩酸、塩化アルミニウム等の塩素イオンを
含む電解液中で交流エッチングする。これにより、例え
ば深さ約３５μｍ、平均口径約０．２μｍ程度の細孔が
箔の両面全面に形成され、これによって箔の有効面積は
約１００倍に拡大される。

【００２０】次に、この粗面化されたアルミニウム箔
を、常法に従い、例えばアジピン酸、ホウ酸、リン酸等
の比較的穏和な酸性電解液を用いて化成処理し、拡大さ
れた表面に例えば厚さ約０．０３μｍのバリアー皮膜２
を形成する。得られた化成箔は、電極箔として所定のサ
イズに切断される。

【００２１】次に、切断された化成箔に切り口化成処理
を施す。本発明においては、この切り口化成を、アルミ
ニウム地金が露出した面に厚さがバリアー皮膜３の５倍
〜１００倍、好ましくは２０倍〜１００倍の範囲内とな
るようにポーラス皮膜１１が形成される条件で行う。ポ
ーラス皮膜１１を形成する化成条件は特に限定されるも
のではないが、例えば、リン酸、シュウ酸、硫酸等の少
なくとも１種を含む電解液を用い、その電解液濃度が
０．１重量％〜３０重量％、温度が０℃〜８０℃、電流
密度が０．１ｍＡ／ｃｍ²〜１０００ｍＡ／ｃｍ²、化成
時間が１００分以内の条件で化成箔の芯部１を陽極とし
て定電流化成を行う。更に好ましくは、電解液濃度が１
重量％〜２０重量％、温度が２０℃〜５０℃、電流密度
が１ｍＡ／ｃｍ²〜４００ｍＡ／ｃｍ²、化成時間が６０
分以内の範囲内で条件を選定する。これにより厚さが
０．５μｍ〜数μｍ程度のポーラス皮膜１１が形成され
る。

【００２２】前記の化成条件は工業的方法として好適な
ものではあるが、電解液の種類、電解液濃度、温度、電
流密度、化成時間等の諸条件は、前記化成箔表面にすで
に形成されているバリアー皮膜３を破壊又は劣化させな
い限り、任意に選定することができる。

【００２３】形成するポーラス皮膜１１の厚さは、化成
箔の表面に形成されたバリアー皮膜３の５倍〜１００倍
の範囲内とされる。５倍未満の薄い皮膜ではポーラス皮
膜を形成する効果が期待できない。膜厚が１００倍を越
える場合は、効果が更に向上することはなく、逆に、化
成箔のバリアー皮膜を破壊又は劣化させずに厚い皮膜を
形成する条件の設定が困難になるので工業的に不利とな
る。特にポーラス皮膜１１の膜厚は、バリアー皮膜３の
２０倍〜１００倍の範囲内となるように選定すると、得
られた電極箔の耐電圧性と耐熱性とが共に著しく向上す
る。

【００２４】ポーラス皮膜は、従来からも特に中〜高圧
用アルミニウム電解コンデンサにおけるアルミニウム箔
の有効表面に耐高圧性のバリアー皮膜を形成する目的で
中間的に用いられている（例えば特開平１−１８４９１
２号公報、特公平３−６５０１０号公報等）。しかしこ
れらは何れも電解液型のコンデンサであり、しかも形成
されたポーラス皮膜の孔１３（図２）のほとんどが酸化
物で充填され、ポーラス皮膜としては存在しないので緩
衝性等が期待できず、この点で、ポーラス皮膜がそのま
ま存在して緩衝効果を現す本願発明の電極箔は、従来の
ものと大幅に異なっている。

【００２５】本発明の請求項２の発明によれば、前記の
ポーラス皮膜１１を形成した後の切り口部５に、更に化
成処理してポーラス皮膜の基層に切り口バリアー皮膜１
２を形成する。この化成処理の条件は特に限定されるも
のではないが、例えばアジピン酸、ホウ酸、リン酸等の
少なくとも１種を含む電解液を用い、その電解液濃度が
０．０５重量％〜２０重量％、温度が０℃〜９０℃、電
流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ²〜２０００ｍＡ／ｃｍ²、化
成時間が６０分以内の条件で化成箔の芯部１を陽極とし
て定電流化成を行う。更に好ましくは前記電解液濃度が
０．１重量％〜１５重量％、温度が２０℃〜７０℃、電
流密度が１ｍＡ／ｃｍ²〜１２００ｍＡ／ｃｍ²、化成時
間が３０分以内の範囲内で条件を選定する。

【００２６】前記の化成条件は工業的方法として好適な
ものではあるが、要は前記電極箔の有効表面に形成され
たバリアー皮膜３と同等以上の耐電圧性を持つバリアー
皮膜１２が切り口部５に形成されればよいのであるか
ら、電解液の種類、電解液濃度、温度、電流密度、化成
時間等の諸条件は、前記化成箔表面にすでに形成されて
いるバリアー皮膜３を破壊又は劣化させない限り、任意
に選定することができる。

【００２７】前記の何れかの化成処理の前後に、必要な
ら、例えば耐水性の向上のためのリン酸浸漬処理、皮膜
強化のための熱処理又は沸騰水への浸漬処理等を行なう
ことができる。またこれらの付帯的な処理や前記の何れ
かのバリアー皮膜化成処理、ポーラス皮膜化成処理は、
それぞれ単独に又は組合せて繰り返し行うこともでき
る。また、前記の各説明は低圧用固体電解コンデンサを
対象としたが、本発明が中〜高圧用の固体電解コンデン
サにも適用できることはいうまでもない。

【００２８】

【実施例】（実施例１）交流エッチングにより粗面化し
たアルミニウム箔をアジピン酸アンモニウム水溶液中、
電圧３２Ｖで化成処理し、得られた低圧コンデンサ用化
成箔を３×７ｍｍのサイズに切断した。この化成箔片の
一方の短辺部を電極バーに溶接し、溶接部の反対の端か
ら５ｍｍのところの箔全周を絶縁性樹脂で０．６ｍｍの
幅でマスキングを実施した。そして、そのマスキング下
の３辺を下記条件で化成処理し、ポーラス皮膜を形成し
た。電解液；シュウ酸７．５重量％水溶液温度；３５℃ 電圧；３２Ｖ電流密度；電流密度１８０ｍＡ／ｃｍ² 化成時間；１３分

【００２９】次いで３５０℃で３０分の熱処理を行った
後に、下記条件で化成処理し、ポーラス皮膜の基層に切
り口バリアー皮膜を形成した。電解液；アジピン酸１０重量％水溶液温度；４５℃ 電圧；３２Ｖ電流密度；電流密度１８０ｍＡ／ｃｍ² 化成時間；１０分

【００３０】水洗、乾燥後、得られた電極箔の表面に、
３，４−エチレンジオキシチオフエンのイソプロピルア
ルコール溶液１ｍｏｌ／ｌに浸漬後、２分間放置し、次
いで、酸化剤（過硫酸アンモニウム；１．８ｍｏｌ／
ｌ）とドーパント（４−モルホリンプロパンスルホン酸
ナトリウム；０．０６ｍｏｌ／ｌ）の混合水溶液に浸漬
し、４５℃、５分間放置する。この工程を２５回繰り返
し、水洗し、導電性重合体層を形成し、その上にカーボ
ンペースト、銀ぺ一ストを順次積層して導電層を形成し
た。次にこの箔片を電極バーから分離し、銀ペースト塗
布部で４枚積層し陰極部とし、リ一ドフレームに接着
し、反対側の導電性重合体を形成しない部分をリードフ
レームに溶接し陽極部とした。そして、コンデンサ素子
全体をエポキシ樹脂で封止して１０５℃、２０Ｖで３時
間エージングを実施し、コンデンサを製造した。

【００３１】（実施例２）実施例１のポーラス皮膜化成
処理における化成時間１３分の代わりに、化成時間を１
０分とした以外は、実施例１と同様にして実施例２のコ
ンデンサを製造した。

【００３２】（実施例３）実施例１のポーラス皮膜化成
処理における化成時間１３分の代わりに、化成時間を７
分とした以外は、実施例１と同様にして実施例３のコン
デンサを製造した。

【００３３】（実施例４）実施例１のポーラス皮膜化成
処理における化成時間１３分の代わりに、化成時間を４
分とした以外は、実施例１と同様にして実施例４のコン
デンサを製造した。

【００３４】（実施例５）実施例１のポーラス皮膜化成
処理における化成時間１３分の代わりに、化成時間を２
分とした以外は、実施例１と同様にして実施例５のコン
デンサを製造した。

【００３５】（実施例６）交流エッチングにより粗面化
したアルミニウム箔をアジピン酸アンモニウム水溶液
中、電圧２３Ｖで化成処理し、かつ前記のポーラス皮膜
化成処理において化成時間を９分とした以外は、実施例
１と同様にして実施例６のコンデンサを製造した。

【００３６】（実施例７）実施例６のポーラス皮膜化成
処理における化成時間９分の代わりに、化成時間を７分
とした以外は、実施例６と同様にして実施例７のコンデ
ンサを製造した。

【００３７】（実施例８）実施例６のポーラス皮膜化成
処理における化成時間９分の代わりに、化成時間を４分
とした以外は、実施例６と同様にして実施例８のコンデ
ンサを製造した。

【００３８】（実施例９）実施例６のポーラス皮膜化成
処理における化成時間９分の代わりに、化成時間を２分
とした以外は、実施例６と同様にして実施例９のコンデ
ンサを製造した。

【００３９】（実施例１０）実施例６のポーラス皮膜化
成処理における化成時間９分の代わりに、化成時間を１
分とした以外は、実施例６と同様にして実施例１０のコ
ンデンサを製造した。

【００４０】（実施例１１）実施例１のドーパントにお
ける４−モルホリンプロパンスルホン酸ナトリウムの代
わりに、アントラキノン−２−スルホン酸ナトリウムを
用いた以外は、実施例１と同様にして実施例１１のコン
デンサを製造した。

【００４１】（実施例１２）実施例１の３，４−エチレ
ンジオキシチオフエンの代わりに、Ｎ−メチルピロール
を用い、ドーパントにおける４−モルホリンプロパンス
ルホン酸ナトリウムの代わりに１−ナフタレンスルホン
酸ナトリウムを用いた以外は、実施例１と同様にして実
施例１２コンデンサを製造した。

【００４２】（実施例１３）実施例１の３，４−エチレ
ンジオキシチオフエンの代わりに、イソチアナフテンを
用い、酸化剤（過硫酸アンモニウム；１．８ｍｏｌ／
ｌ）とドーパント（４−モルホリンプロパンスルホン酸
ナトリウム；０．０６ｍｏｌ／ｌ）の混合水溶液の代わ
りに、酸化剤（２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベ
ンゾキノン；１．８ｍｏｌ／ｌ）のジオキサン溶液とド
ーパント（アントラセン−１−スルホン酸ナトリウム；
０．０６ｍｏｌ／ｌ）の水溶液の混合液を用いた以外
は、実施例１と同様にして実施例１３のコンデンサを製
造した。

【００４３】（実施例１４）交流エッチングにより粗面
化したアルミニウム箔をアジピン酸アンモニウム水溶液
中、電圧２３Ｖで化成処理し、かつ前記のポーラス皮膜
化成処理において化成時間を９分とした以外は、実施例
１１と同様にして実施例１４のコンデンサを製造した。

【００４４】（実施例１５）交流エッチングにより粗面
化したアルミニウム箔をアジピン酸アンモニウム水溶液
中、電圧２３Ｖで化成処理し、かつ前記のポーラス皮膜
化成処理において化成時間を９分とした以外は、実施例
１２と同様にして実施例１５のコンデンサを製造した。

【００４５】（実施例１６）交流エッチングにより粗面
化したアルミニウム箔をアジピン酸アンモニウム水溶液
中、電圧２３Ｖで化成処理し、かつ前記のポーラス皮膜
化成処理において化成時間を９分とした以外は、実施例
１３と同様にして実施例１６のコンデンサを製造した。

【００４６】（比較例１）実施例１のポーラス皮膜化成
処理を省略した以外は、実施例１と同様にして比較例１
のコンデンサを製造した。

【００４７】（比較例２）実施例１のポーラス皮膜化成
処理における化成時間１３分の代わりに、化成時間を２
０秒とした以外は、実施例１と同様にして比較例２のコ
ンデンサを製造した。

【００４８】（比較例３）実施例１のポーラス皮膜化成
処理における化成時間１３分の代わりに、化成時間を２
０分とした以外は、実施例１と同様にして比較例３のコ
ンデンサを製造した。

【００４９】得られた各コンデンサについて、ポーラス
皮膜の膜厚（走査電子顕微鏡観察により測定した）、バ
リアー皮膜に対するポーラス皮膜の膜厚倍率、耐電圧不
良率、及びリフロー不良率を測定した。ここで、耐電圧
不良率は、２０個のコンデンサについて、８５℃におい
て、定格の１．２５倍の電圧をかけ充電時間３０秒、放
電時間３０秒のサイクルを１０００回繰り返した後、漏
れ電流が０．０４ＣＶ［ＣＶは、公称静電容量Ｃ（μ
Ｆ）と定格電圧Ｖ（ｖ）との積］以上となったものを不
良とし、（不良個数／試験個数）で表した。またリフロ
ー不良率は、３０個のコンデンサについて、リフロー炉
を用い２３０℃で３０秒間処理した後、漏れ電流が０．
０４ＣＶ以上となったものを不良とし、（不良個数／試
験個数）で表した。試験結果を表１に示す。

【００５０】

【表１】

【００５１】表１において、実施例１〜実施例５、実施
例１１〜実施例１３、及び比較例１〜比較例３は何れも
箔表面のバリアー皮膜化成電圧が３２Ｖであり、実施例
６〜実施例１０、及び実施例１４〜実施例１６は何れも
箔表面のバリアー皮膜化成電圧が２３Ｖの低圧用化成箔
を用いたコンデンサであるが、ポーラス皮膜の膜厚倍率
がバリアー皮膜の５倍〜１００倍の範囲内にある実施例
１〜実施例１６は、何れもポーラス皮膜を有しない比較
例１及び膜厚倍率が５倍未満の比較例２に比べ、優れた
耐電圧不良率及びリフロー不良率を示した。特に膜厚倍
率が２０倍〜１００倍の範囲内である実施例１〜実施例
４、及び実施例６〜実施例１６にあっては、耐電圧不良
率及びリフロー不良率が何れもゼロであり、比較例１及
び比較例２に比べ顕著な効果が認められた。比較例３は
長時間のポーラス皮膜化成処理を行ったもので、膜厚倍
率が１００倍を越えている。この比較例３は性能面では
実施例との差が認められないが、この皮膜形成条件はコ
ストが性能に見合うものではないので、工業的に採用で
きない。

【００５２】

【発明の効果】本発明の固体電解コンデンサ用電極箔
は、その切り口部に、この電極箔の表面に形成されたバ
リアー皮膜の厚さの５倍〜１００倍の範囲内の厚さのポ
ーラス皮膜が形成されているので、簡単で安価な製造方
法により、電極箔の有効面積を減少させることなく、電
極箔の耐電圧性及び耐熱性が著しく改善された固体電解
コンデンサを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す断面図

【図２】本発明の他の一実施例を示す断面図

【図３】切断された化成箔を示す断面図

【符号の説明】

１…芯部２…細孔３…バリアー皮膜５…切り口部６…尖塔部１０…電極箔１１…ポーラス皮膜１２…切り口バリアー皮膜１３…（ポーラス皮膜の）孔１５…電極箔ｔb …バリアー皮膜厚さｔp …ポーラス皮膜厚さ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小沼博千葉県市原市八幡海岸通５ー１昭和電工株式会社ＨＤ工場内 (56)参考文献特開平３−250723（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01G 9/04 301 H01G 9/04 307 H01G 9/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】アルミニウム箔の表面をエッチングして
粗面化した後に化成処理し、この粗面化した表面に誘電
体層としてバリアー皮膜を形成した化成箔を所定のサイ
ズに切断し、この切断された化成箔を化成処理してその
切り口部に、多孔質酸化皮膜であって厚さが前記バリア
ー皮膜の厚さの５倍〜１００倍の範囲内とされたポーラ
ス皮膜を形成することを特徴とする固体電解コンデンサ
用電極箔の製造方法。
【請求項２】前記のポーラス皮膜を形成した後に、更
に化成処理してこのポーラス皮膜の基層に切り口バリア
ー皮膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の固
体電解コンデンサ用電極箔の製造方法。
【請求項３】請求項１又は請求項２に記載の製造方法
により製造されたことを特徴とする固体電解コンデンサ
用電極箔。
【請求項４】請求項３に記載の固体電解コンデンサ用
電極箔を用いて製造されたことを特徴とする固体電解コ
ンデンサ。