JPH0676384A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
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- JPH0676384A JPH0676384A JP25420192A JP25420192A JPH0676384A JP H0676384 A JPH0676384 A JP H0676384A JP 25420192 A JP25420192 A JP 25420192A JP 25420192 A JP25420192 A JP 25420192A JP H0676384 A JPH0676384 A JP H0676384A
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- magneto
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- optical recording
- recording layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気ディスクの樹脂保護層と浮上式磁気ヘ
ッドとの接触や、これによるヘッドクラッシュ，樹脂保
護層の損傷を防止し、かつ基板への複屈折異常の発生を
防止する。 【構成】 基板１の外周端を基板半径方向に沿って０．
１〜０．５ｍｍ，基板１の外周端面方向に沿って０．１
〜０．６ｍｍ平面にカットした、テーパー部６を設け
る。テーパー部を曲面とする場合、テーパー部の形成領
域を基板半径方向に沿って０．１〜０．５ｍｍとし、基
板１の光磁気記録層形成面５との交角を２０〜７０度と
する。これらの条件を充すと、基板外周端部に生じる樹
脂保護層の隆起の高さは５μｍ以下となり、浮上式磁気
ヘッドと接触することが無くなる。またテーパー部の大
きさがこの範囲であれば、基板に複屈折異常等の弊害を
もたらすことが無い。
ッドとの接触や、これによるヘッドクラッシュ，樹脂保
護層の損傷を防止し、かつ基板への複屈折異常の発生を
防止する。 【構成】 基板１の外周端を基板半径方向に沿って０．
１〜０．５ｍｍ，基板１の外周端面方向に沿って０．１
〜０．６ｍｍ平面にカットした、テーパー部６を設け
る。テーパー部を曲面とする場合、テーパー部の形成領
域を基板半径方向に沿って０．１〜０．５ｍｍとし、基
板１の光磁気記録層形成面５との交角を２０〜７０度と
する。これらの条件を充すと、基板外周端部に生じる樹
脂保護層の隆起の高さは５μｍ以下となり、浮上式磁気
ヘッドと接触することが無くなる。またテーパー部の大
きさがこの範囲であれば、基板に複屈折異常等の弊害を
もたらすことが無い。
Description
【０００１】
【発明の利用分野】この発明は、磁界変調用の浮上式磁
気ヘッドを用いて記録を行う、光磁気ディスクに関す
る。
気ヘッドを用いて記録を行う、光磁気ディスクに関す
る。
【０００２】
【従来技術】ガラスや合成樹脂等の基板に、光磁気記録
層と樹脂保護層とを設けた光磁気ディスクは周知であ
る。このような光磁気ディスクの一例を、図５に示す。
図において、１はガラスや合成樹脂等の基板で、その一
方の主面に光磁気記録層２と樹脂保護層３とを積層す
る。樹脂保護層３は一般にスピンコート等で成膜する。
層と樹脂保護層とを設けた光磁気ディスクは周知であ
る。このような光磁気ディスクの一例を、図５に示す。
図において、１はガラスや合成樹脂等の基板で、その一
方の主面に光磁気記録層２と樹脂保護層３とを積層す
る。樹脂保護層３は一般にスピンコート等で成膜する。
【０００３】ここで発明者は、スピンコート時に樹脂材
料が基板１の外周部付近に溜り、隆起部０１が発生する
ことを見い出した。例えば図５の実線で示した基板のよ
うに、端面処理の無い角のある基板を用いると、隆起部
０１の高さｈは１０μｍ程度となり、浮上式磁気ヘッド
０２と接触してしまう。図５の破線のように端面を滑ら
かなＲで処理しても、（Ｒ部の両端と基板１の交角が０
度）、隆起部０１の高さは５μｍを越え、浮上式磁気ヘ
ッド０２と接触してしまう。磁気ヘッド０２とディスク
との接触は、ヘッドクラッシュや樹脂保護層３の損傷や
剥離をもたらす。一般に磁界変調用磁気ヘッド０２の浮
上量は５μｍ程度で、隆起部０１の高さを５μｍ以下に
する必要がある。
料が基板１の外周部付近に溜り、隆起部０１が発生する
ことを見い出した。例えば図５の実線で示した基板のよ
うに、端面処理の無い角のある基板を用いると、隆起部
０１の高さｈは１０μｍ程度となり、浮上式磁気ヘッド
０２と接触してしまう。図５の破線のように端面を滑ら
かなＲで処理しても、（Ｒ部の両端と基板１の交角が０
度）、隆起部０１の高さは５μｍを越え、浮上式磁気ヘ
ッド０２と接触してしまう。磁気ヘッド０２とディスク
との接触は、ヘッドクラッシュや樹脂保護層３の損傷や
剥離をもたらす。一般に磁界変調用磁気ヘッド０２の浮
上量は５μｍ程度で、隆起部０１の高さを５μｍ以下に
する必要がある。
【０００４】
【発明の課題】この発明の課題は、光磁気ディスクの樹
脂保護層の外周端に生じる隆起部の高さを浮上式磁気ヘ
ッドに接触しない高さとし、磁気ヘッドのクラッシュや
樹脂保護層の損傷を防止することにある。この発明の副
次的課題は、このことを基板の複屈折異常等の弊害無し
に実現することにある。
脂保護層の外周端に生じる隆起部の高さを浮上式磁気ヘ
ッドに接触しない高さとし、磁気ヘッドのクラッシュや
樹脂保護層の損傷を防止することにある。この発明の副
次的課題は、このことを基板の複屈折異常等の弊害無し
に実現することにある。
【０００５】
【発明の構成】この発明の光磁気ディスクは、基板の少
なくとも一方の主面上に、少なくとも光磁気記録層と樹
脂保護層とを順次積層した光磁気ディスクにおいて、該
基板の外周端部にテーパー部を設けるとともに、該テー
パー部の形成領域を光磁気記録層の形成面で前記基板の
半径方向に沿って、基板の外周端より０.１ｍｍ以上で
０.５ｍｍ以下とする。ここでテーパー部を平面状とす
る場合、基板の板厚方向に沿ってのテーパー部の深さは
０.１〜０.６ｍｍとする。一方テーパー部を例えば曲面
とする場合、テーパー部と前記基板の光磁気記録層形成
面との交角を２０〜７０度とする。
なくとも一方の主面上に、少なくとも光磁気記録層と樹
脂保護層とを順次積層した光磁気ディスクにおいて、該
基板の外周端部にテーパー部を設けるとともに、該テー
パー部の形成領域を光磁気記録層の形成面で前記基板の
半径方向に沿って、基板の外周端より０.１ｍｍ以上で
０.５ｍｍ以下とする。ここでテーパー部を平面状とす
る場合、基板の板厚方向に沿ってのテーパー部の深さは
０.１〜０.６ｍｍとする。一方テーパー部を例えば曲面
とする場合、テーパー部と前記基板の光磁気記録層形成
面との交角を２０〜７０度とする。
【０００６】ここに光磁気記録層自体の材質や形状、構
成は任意であり、公知技術に従い適宜のものを用いれば
良い。基板には例えば合成樹脂を用い、これ以外にガラ
ス基板も用い得る。樹脂保護層には紫外線硬化樹脂等を
用い、例えばスピンコートで成膜する。
成は任意であり、公知技術に従い適宜のものを用いれば
良い。基板には例えば合成樹脂を用い、これ以外にガラ
ス基板も用い得る。樹脂保護層には紫外線硬化樹脂等を
用い、例えばスピンコートで成膜する。
【０００７】
【発明の作用】この発明では基板の外周端部にテーパー
部を設け、スピンコート時に外周部に溜ろうとする樹脂
材料をテーパー部で吸収し、隆起の発生を抑える。テー
パー部の形成領域を、基板の光磁気記録層形成面で半径
方向に０.１ｍｍ以上とすると隆起部の高さを小さくす
ることができ、０.１ｍｍ未満では隆起部の高さは一般
に５μｍ超となる。次にテーパー部の形成領域が半径方
向に沿って０.５ｍｍを越えると、基板に複屈折異常等
が発生した。これは基板への歪の増加を示す。このこと
からテーパー部の半径方向に沿っての広さは０.１〜０.
５ｍｍに限られる。
部を設け、スピンコート時に外周部に溜ろうとする樹脂
材料をテーパー部で吸収し、隆起の発生を抑える。テー
パー部の形成領域を、基板の光磁気記録層形成面で半径
方向に０.１ｍｍ以上とすると隆起部の高さを小さくす
ることができ、０.１ｍｍ未満では隆起部の高さは一般
に５μｍ超となる。次にテーパー部の形成領域が半径方
向に沿って０.５ｍｍを越えると、基板に複屈折異常等
が発生した。これは基板への歪の増加を示す。このこと
からテーパー部の半径方向に沿っての広さは０.１〜０.
５ｍｍに限られる。
【０００８】テーパー部を平面として、基板の端部を平
面でカットしたテーパー部の場合、基板の板厚方向に沿
ってのテーパー部の形成領域が重要で、この値を０.１
〜０.６ｍｍとすることにより、複屈折異常の発生や浮
上式磁気ヘッドとの接触を防止し得る。
面でカットしたテーパー部の場合、基板の板厚方向に沿
ってのテーパー部の形成領域が重要で、この値を０.１
〜０.６ｍｍとすることにより、複屈折異常の発生や浮
上式磁気ヘッドとの接触を防止し得る。
【０００９】テーパー部を曲面とする場合、光磁気記録
層形成面とテーパー部との交角が重要で、交角を２０度
以上７０度以下とすることにより、隆起部の高さを５μ
ｍ以下に抑制できる。例えば図５の破線で示した光磁気
記録層形成面と滑らかに接するＲ部（基板との交角０
度）では、基板の半径方向に沿ってのテーパー部の形成
領域を０.１〜０.５ｍｍの範囲としても、隆起部の高さ
は５μｍを越えてしまう。
層形成面とテーパー部との交角が重要で、交角を２０度
以上７０度以下とすることにより、隆起部の高さを５μ
ｍ以下に抑制できる。例えば図５の破線で示した光磁気
記録層形成面と滑らかに接するＲ部（基板との交角０
度）では、基板の半径方向に沿ってのテーパー部の形成
領域を０.１〜０.５ｍｍの範囲としても、隆起部の高さ
は５μｍを越えてしまう。
【００１０】このように隆起部の高さに影響する因子
は、第１に基板の光磁気記録層形成面の半径方向に沿っ
たテーパー部の形成幅であり、テーパー部が平面の場合
（Ｃ面）、第２に基板の板厚方向に沿ったテーパー部の
深さが重要である。またテーパー部が曲面の場合、第２
にテーパー部と光磁気記録層形成面との交角が重要であ
る。
は、第１に基板の光磁気記録層形成面の半径方向に沿っ
たテーパー部の形成幅であり、テーパー部が平面の場合
（Ｃ面）、第２に基板の板厚方向に沿ったテーパー部の
深さが重要である。またテーパー部が曲面の場合、第２
にテーパー部と光磁気記録層形成面との交角が重要であ
る。
【００１１】
【実施例１】図１に、実施例の光磁気ディスクを示す。
図において、１は基板で、例えばポリカーボネート基板
を用い、２は光磁気記録層で、例えばスパッタリングで
形成し、３は樹脂保護層で、スピンコーティングにより
成膜したものである。４は樹脂保護層３の外周端に生じ
る隆起部である。図２に、基板１の要部を示す。５は光
磁気記録層形成面で、６は基板１の外周端に設けたテー
パー部である。テーパー部６の光磁気記録層形成面５の
半径方向に沿った幅をＷ，基板１の端面方向に沿った深
さをＤとする。幅Ｗは０.１ｍｍ以上で０.５ｍｍ以下と
し、深さＤは０.１ｍｍ以上で０.６ｍｍ以下とする。
図において、１は基板で、例えばポリカーボネート基板
を用い、２は光磁気記録層で、例えばスパッタリングで
形成し、３は樹脂保護層で、スピンコーティングにより
成膜したものである。４は樹脂保護層３の外周端に生じ
る隆起部である。図２に、基板１の要部を示す。５は光
磁気記録層形成面で、６は基板１の外周端に設けたテー
パー部である。テーパー部６の光磁気記録層形成面５の
半径方向に沿った幅をＷ，基板１の端面方向に沿った深
さをＤとする。幅Ｗは０.１ｍｍ以上で０.５ｍｍ以下と
し、深さＤは０.１ｍｍ以上で０.６ｍｍ以下とする。
【００１２】実施例では、光磁気記録層２を、イットリ
ウムサイアロンの第１誘電体層（約１００ｎｍ厚），Ｇ
ｄ−Ｄｙ−Ｆｅ系の光磁気記録層（約２０ｎｍ厚），イ
ットリウムサイアロンの第２誘電体層（約３０ｎｍ
厚），及びＡｌ反射層（約４０ｎｍ厚）を順次積層した
ものとした。また樹脂保護層３は、ウレタンアクリレー
ト系の紫外線硬化樹脂を、約１０μｍ厚に塗布形成した
ものとした。紫外線硬化樹脂の材質は任意で、例えばア
クリル系やウレタン系等も用い得る。また樹脂保護層３
にはＳｉＯ2等のフィラーを含有させ、適切な表面粗さ
を得られるようにしても良い。樹脂保護層３の膜厚は、
テーパー部６以外の場所で５〜１５μｍ程度が好まし
い。基板１の成形を行う際に、型を用いて図２のような
Ｃ面のテーパー部６を有する基板１を形成した。
ウムサイアロンの第１誘電体層（約１００ｎｍ厚），Ｇ
ｄ−Ｄｙ−Ｆｅ系の光磁気記録層（約２０ｎｍ厚），イ
ットリウムサイアロンの第２誘電体層（約３０ｎｍ
厚），及びＡｌ反射層（約４０ｎｍ厚）を順次積層した
ものとした。また樹脂保護層３は、ウレタンアクリレー
ト系の紫外線硬化樹脂を、約１０μｍ厚に塗布形成した
ものとした。紫外線硬化樹脂の材質は任意で、例えばア
クリル系やウレタン系等も用い得る。また樹脂保護層３
にはＳｉＯ2等のフィラーを含有させ、適切な表面粗さ
を得られるようにしても良い。樹脂保護層３の膜厚は、
テーパー部６以外の場所で５〜１５μｍ程度が好まし
い。基板１の成形を行う際に、型を用いて図２のような
Ｃ面のテーパー部６を有する基板１を形成した。
【００１３】テーパー部６の幅Ｗと深さＤの影響を調べ
るため、表１に示すように、Ｗが０.１ｍｍ，Ｄが０.１
ｍｍ（実施例１），Ｗが０.１ｍｍ，Ｄが０.５ｍｍ（同
２），Ｗが０.５ｍｍ，Ｄが０.１ｍｍ（同３），Ｗが
０.５ｍｍ，Ｄが０.５ｍｍ（同４）の、４種のテーパー
部６を設けた。これらのテーパー部６は、基板１の最外
周端部を平面状にカットしたものである。比較例とし
て、テーパー部を設けないもの（比較例１）の他に、Ｗ
が０.６ｍｍ，Ｄが０.７ｍｍ（比較例２），Ｗが０.０
８ｍｍ，Ｄが０.０８ｍｍ（同３）の平面から成るテー
パー部６を用いた。また、曲率Ｒが０.３ｍｍ（比較例
４），曲率Ｒが０.５ｍｍ（比較例５）の、曲面状のテ
ーパー部を設けた。比較例４，５のテーパー部は、テー
パー部の両端が、交角を０度とし、滑らかに光磁気記録
層形成面５と基板端面とに接するものである。
るため、表１に示すように、Ｗが０.１ｍｍ，Ｄが０.１
ｍｍ（実施例１），Ｗが０.１ｍｍ，Ｄが０.５ｍｍ（同
２），Ｗが０.５ｍｍ，Ｄが０.１ｍｍ（同３），Ｗが
０.５ｍｍ，Ｄが０.５ｍｍ（同４）の、４種のテーパー
部６を設けた。これらのテーパー部６は、基板１の最外
周端部を平面状にカットしたものである。比較例とし
て、テーパー部を設けないもの（比較例１）の他に、Ｗ
が０.６ｍｍ，Ｄが０.７ｍｍ（比較例２），Ｗが０.０
８ｍｍ，Ｄが０.０８ｍｍ（同３）の平面から成るテー
パー部６を用いた。また、曲率Ｒが０.３ｍｍ（比較例
４），曲率Ｒが０.５ｍｍ（比較例５）の、曲面状のテ
ーパー部を設けた。比較例４，５のテーパー部は、テー
パー部の両端が、交角を０度とし、滑らかに光磁気記録
層形成面５と基板端面とに接するものである。
【００１４】これらの試料について、スピンコートで樹
脂保護層３を成膜し、（スピンコート時の回転数２００
ｒｐｍ、樹脂保護層３の膜厚１０μｍ）、硬化後の隆起
部４の高さを測定した。。またこれらの試料を用いて、
浮上式磁気ヘッド０２により浮上テストを行った。テス
ト条件は、ディスク回転数３０００ｒｐｍ，ヘッド荷重
４ｇｆ，ヘッド浮上量５μｍである。なお樹脂保護層３
の隆起部４は、半径ｒが４３ｍｍ（３.５インチ光磁気
ディスク）の基板１の場合、ｒ＝４１〜４３ｍｍの範囲
に生じることから、ｒ＝４０ｍｍでの樹脂保護層３の厚
さと、ｒ＝４１〜４３ｍｍでの樹脂保護層３の厚さの最
大値との差を隆起部４の高さｈとした。結果を表１に示
す
脂保護層３を成膜し、（スピンコート時の回転数２００
ｒｐｍ、樹脂保護層３の膜厚１０μｍ）、硬化後の隆起
部４の高さを測定した。。またこれらの試料を用いて、
浮上式磁気ヘッド０２により浮上テストを行った。テス
ト条件は、ディスク回転数３０００ｒｐｍ，ヘッド荷重
４ｇｆ，ヘッド浮上量５μｍである。なお樹脂保護層３
の隆起部４は、半径ｒが４３ｍｍ（３.５インチ光磁気
ディスク）の基板１の場合、ｒ＝４１〜４３ｍｍの範囲
に生じることから、ｒ＝４０ｍｍでの樹脂保護層３の厚
さと、ｒ＝４１〜４３ｍｍでの樹脂保護層３の厚さの最
大値との差を隆起部４の高さｈとした。結果を表１に示
す
【００１５】
【表１】 Ｗ Ｄ 隆起部４の ヘッドと 半径方向 板厚 高さ（μｍ） の接触 実施例１ ０.１ ０.１ ４.８ 無 ２ ０.１ ０.５ ３.１ 無 ３ ０.５ ０.１ ４.０ 無 ４ ０.５ ０.５ ２.５ 無 比較例１ ０ ０ ７.０ 有 ２ ０.６ ０.７ ３.０ 無 ３ ０.０８ ０.０８ ５.６ 有 ４ ０.３Ｒ ６.０ 有 ５ ０.５Ｒ ５.４ 有 ＊ ＷやＤはｍｍ単位で示す， ＊ 比較例２では基板外周部に成形時複屈折異常が発生
した。
した。
【００１６】図５の従来例の基板（比較例１）では、隆
起部４の突起高さは７μｍで５μｍを越え、浮上テスト
で磁気ヘッドとディスクが接触した。端面形状をＲ面と
した比較例４及び５でも隆起部４の高さは５μｍを越
え、テーパー部６の大きさだけでなく基板１との交角θ
が重要なことが明らかになった。
起部４の突起高さは７μｍで５μｍを越え、浮上テスト
で磁気ヘッドとディスクが接触した。端面形状をＲ面と
した比較例４及び５でも隆起部４の高さは５μｍを越
え、テーパー部６の大きさだけでなく基板１との交角θ
が重要なことが明らかになった。
【００１７】一方平面状のテーパー部６を設けたもので
は、幅Ｗや深さＤが小さい比較例３で隆起部４の高さが
５μｍを越えた。これはテーパー形成領域が小さすぎる
ことによると考えられ、幅Ｗや深さＤは少なくとも０.
１ｍｍ以上が必要である。一方幅Ｗを０.６ｍｍ，深さ
Ｄを０.７ｍｍとした比較例では、基板１の成形時に基
板の最外周部に複屈折異常が発生した。これは大きなテ
ーパー部６を設けることによる基板１の歪の増加を意味
する。これに対し、本発明の実施例１〜４は良好な結果
が得られている。以上のことから、テーパー部６を半径
方向の幅Ｗを０.１ｍｍ〜０.５ｍｍ、板厚方向の深さＤ
を０.１ｍｍ〜０.６ｍｍの平面から成るテーパーにする
ことで、ヘッド０２がディスクに接触せず安定に浮上さ
せることができ、かつ基板１に複屈折異常等の弊害をも
たらさないことが分かる。なお表１の結果以外に、樹脂
保護層３の膜厚を８μｍと１２μｍに変え他は同一の条
件で評価した試料を作成したが、いずれもテーパー部６
の幅Ｗを０.１ｍｍ〜０.５ｍｍ、深さＤを０.１ｍｍ〜
０.６ｍｍの平面テーパー部６とすれば、複屈折異常を
もたらさずに、ヘッド０２をディスクに接触させずに安
定に浮上させられることが分かった。
は、幅Ｗや深さＤが小さい比較例３で隆起部４の高さが
５μｍを越えた。これはテーパー形成領域が小さすぎる
ことによると考えられ、幅Ｗや深さＤは少なくとも０.
１ｍｍ以上が必要である。一方幅Ｗを０.６ｍｍ，深さ
Ｄを０.７ｍｍとした比較例では、基板１の成形時に基
板の最外周部に複屈折異常が発生した。これは大きなテ
ーパー部６を設けることによる基板１の歪の増加を意味
する。これに対し、本発明の実施例１〜４は良好な結果
が得られている。以上のことから、テーパー部６を半径
方向の幅Ｗを０.１ｍｍ〜０.５ｍｍ、板厚方向の深さＤ
を０.１ｍｍ〜０.６ｍｍの平面から成るテーパーにする
ことで、ヘッド０２がディスクに接触せず安定に浮上さ
せることができ、かつ基板１に複屈折異常等の弊害をも
たらさないことが分かる。なお表１の結果以外に、樹脂
保護層３の膜厚を８μｍと１２μｍに変え他は同一の条
件で評価した試料を作成したが、いずれもテーパー部６
の幅Ｗを０.１ｍｍ〜０.５ｍｍ、深さＤを０.１ｍｍ〜
０.６ｍｍの平面テーパー部６とすれば、複屈折異常を
もたらさずに、ヘッド０２をディスクに接触させずに安
定に浮上させられることが分かった。
【００１８】
【実施例２】図３，図４に示すように、曲面から成るテ
ーパー部１６，２６を設けた基板１を作製した。テーパ
ー部１６，２６と光磁気記録層形成面５との交点での交
角をθ、交点でのテーパー部１６，２６への接線をＬと
する。図３のテーパー部１６は、基板１の端面を平面で
カットしたＣ面ではなく、幅Ｗと深さＤをいずれも０.
３ｍｍとし、基板１に対して外に凸となるＲ面のテーパ
ー部１６を設けたものである。テーパー部１６と光磁気
記録層形成面５との交角θを変えたサンプルを、表２に
示す通りに作製した。また図４のテーパー部２６は、基
板１の端面形状を基板１に対して内に凸となるＲ面とし
て、テーパーを設けたものである。幅Ｗと深さＤはいず
れも０.３ｍｍとした。テーパー部２６と光磁気記録層
形成面５との交角θを変えたサンプルを、表３に示す通
りに作製した。
ーパー部１６，２６を設けた基板１を作製した。テーパ
ー部１６，２６と光磁気記録層形成面５との交点での交
角をθ、交点でのテーパー部１６，２６への接線をＬと
する。図３のテーパー部１６は、基板１の端面を平面で
カットしたＣ面ではなく、幅Ｗと深さＤをいずれも０.
３ｍｍとし、基板１に対して外に凸となるＲ面のテーパ
ー部１６を設けたものである。テーパー部１６と光磁気
記録層形成面５との交角θを変えたサンプルを、表２に
示す通りに作製した。また図４のテーパー部２６は、基
板１の端面形状を基板１に対して内に凸となるＲ面とし
て、テーパーを設けたものである。幅Ｗと深さＤはいず
れも０.３ｍｍとした。テーパー部２６と光磁気記録層
形成面５との交角θを変えたサンプルを、表３に示す通
りに作製した。
【００１９】これらの基板を用いて実施例１と同様にし
て各光磁気ディスクを作製し、表１と同様の評価を行っ
た。結果をそれぞれ表２，３に示す。
て各光磁気ディスクを作製し、表１と同様の評価を行っ
た。結果をそれぞれ表２，３に示す。
【００２０】
【表２】 Ｌ 隆起部４ ヘッド 交角θ の高さ（μｍ） との接触 光磁気ディスク１ １５度 ６.７ 有 ２ ２３度 ４.８ 無 ３ ３５度 ４.０ 無 ４ ４３度 ３.２ 無
【００２１】
【表３】 Ｌ 隆起部４ ヘッド 交角θ の高さ（μｍ） との接触 光磁気ディスク５ ５０度 ３.１ 無 ６ ６０度 ３.９ 無 ７ ６８度 ４.７ 無 ８ ７５度 ６.５ 有
【００２２】図３のテーパー部１６で、θが１５度のサ
ンプル１は隆起部４の高さが５μｍを越え、ヘッド０２
との接触が生じた。しかしθを２３度〜４３度としたサ
ンプル２〜４では、良好な結果が得られた。これらのこ
とから交角θを２０度以上としたＲ面が必要なことが分
かった。同様にして図４のテーパー部２６の結果から、
交角θを７０度以下としたＲ面が必要なことが分かっ
た。これらの結果を総合すると、光磁気記録層形成面５
と端面のテーパー部１６，２６の交角θは、２０度以上
７０度以下となる。次に発明者は、テーパー部１６，２
６の幅Ｗや深さＤを共に０.５ｍｍとしたサンプル、共
に０.１ｍｍとしたサンプルを作成し、表２，表３と同
様の評価を行ったが、いずれも交角θを２０度以上で７
０度以下とすることにより、ヘッド０２との接触を防止
することができた。なおテーパー部１６，２６の幅Ｗが
０.５ｍｍを越えると、基板１の外周端に複屈折異常が
生じることは表１の結果から明らかである。
ンプル１は隆起部４の高さが５μｍを越え、ヘッド０２
との接触が生じた。しかしθを２３度〜４３度としたサ
ンプル２〜４では、良好な結果が得られた。これらのこ
とから交角θを２０度以上としたＲ面が必要なことが分
かった。同様にして図４のテーパー部２６の結果から、
交角θを７０度以下としたＲ面が必要なことが分かっ
た。これらの結果を総合すると、光磁気記録層形成面５
と端面のテーパー部１６，２６の交角θは、２０度以上
７０度以下となる。次に発明者は、テーパー部１６，２
６の幅Ｗや深さＤを共に０.５ｍｍとしたサンプル、共
に０.１ｍｍとしたサンプルを作成し、表２，表３と同
様の評価を行ったが、いずれも交角θを２０度以上で７
０度以下とすることにより、ヘッド０２との接触を防止
することができた。なおテーパー部１６，２６の幅Ｗが
０.５ｍｍを越えると、基板１の外周端に複屈折異常が
生じることは表１の結果から明らかである。
【００２３】この実施例では、テーパー部１６，２６の
Ｒ面の形状を外に凸，内に凸等の特定の形状としたが、
これに限定されるものでなく、テーパー部１６，２６の
幅Ｗが０.１ｍｍ以上０.５ｍｍ以下で、光磁気記録層形
成面５との交角θが２０度以上７０度以下であれば良
い。
Ｒ面の形状を外に凸，内に凸等の特定の形状としたが、
これに限定されるものでなく、テーパー部１６，２６の
幅Ｗが０.１ｍｍ以上０.５ｍｍ以下で、光磁気記録層形
成面５との交角θが２０度以上７０度以下であれば良
い。
【００２４】
【発明の効果】この発明では、基板の外周端部に特定の
形状のテーパー部を設けることで、浮上式磁気ヘッドと
光磁気ディスクの接触を防止し、ヘッドクラッシュや樹
脂保護層の損傷を防止する。またこの発明では同時に、
基板外周端付近での複屈折異常等の弊害を防止する。
形状のテーパー部を設けることで、浮上式磁気ヘッドと
光磁気ディスクの接触を防止し、ヘッドクラッシュや樹
脂保護層の損傷を防止する。またこの発明では同時に、
基板外周端付近での複屈折異常等の弊害を防止する。
【図１】 実施例の光磁気ディスクの要部断面図
【図２】 実施例に用いた基板の要部断面図
【図３】 第２の実施例に用いた基板の要部断面図
【図４】 変形例の基板の要部断面図
【図５】 従来例の光磁気ディスクの要部断面図 １ 基板 ２ 光磁気記録層 ３ 樹脂保護層 ４ 隆起部 ５ 光磁気記録層形成面 ６ テーパー部 １６ テーパー部 ２６ テーパー部 ０２ フライングヘッド
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の少なくとも一方の主面上に、少な
くとも光磁気記録層と樹脂保護層とを順次積層した光磁
気ディスクにおいて、 該基板の外周端部に平面状のテーパー部を設けるととも
に、該テーパー部の形成領域を光磁気記録層の形成面で
前記基板の半径方向に沿って、基板の外周端より０.１
ｍｍ以上で０.５ｍｍ以下とし、かつ前記基板の板厚方
向に沿って０.１ｍｍ以上で０.６ｍｍ以下としたことを
特徴とする、光磁気ディスク。 - 【請求項２】 基板の少なくとも一方の主面上に、少な
くとも光磁気記録層と樹脂保護層とを順次積層した光磁
気ディスクにおいて、 該基板の外周端部にテーパー部を設けるとともに、該テ
ーパー部の形成領域を光磁気記録層の形成面で前記基板
の半径方向に沿って、基板の外周端より０.１ｍｍ以上
で０.５ｍｍ以下とし、かつ前記テーパー部と前記基板
の光磁気記録層形成面との交角を２０度以上で７０度以
下としたことを特徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25420192A JP3307689B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25420192A JP3307689B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 光磁気ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0676384A true JPH0676384A (ja) | 1994-03-18 |
| JP3307689B2 JP3307689B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=17261661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25420192A Expired - Fee Related JP3307689B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3307689B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003017267A1 (fr) * | 2001-08-21 | 2003-02-27 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| WO2003021590A1 (fr) * | 2001-08-28 | 2003-03-13 | Tdk Corporation | Dispositif d'estampage destine a la realisation d'un support d'enregistrement optique, procede permettant la formation d'une zone d'enregistrement d'informations et d'une couche de transmission de lumiere, et support d'enregistrement optique |
| US7083502B2 (en) | 2002-10-10 | 2006-08-01 | Maxtor Corporation | Method for simultaneous two-disk texturing |
| US7083376B2 (en) | 2002-10-10 | 2006-08-01 | Maxtor Corporation | Automated merge nest for pairs of magnetic storage disks |
| US7180709B2 (en) * | 2002-05-09 | 2007-02-20 | Maxtor Corporation | Information-storage media with dissimilar outer diameter and/or inner diameter chamfer designs on two sides |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP25420192A patent/JP3307689B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003017267A1 (fr) * | 2001-08-21 | 2003-02-27 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| US7233565B2 (en) | 2001-08-21 | 2007-06-19 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| WO2003021590A1 (fr) * | 2001-08-28 | 2003-03-13 | Tdk Corporation | Dispositif d'estampage destine a la realisation d'un support d'enregistrement optique, procede permettant la formation d'une zone d'enregistrement d'informations et d'une couche de transmission de lumiere, et support d'enregistrement optique |
| US7161893B2 (en) | 2001-08-28 | 2007-01-09 | Tdk Corporation | Stamper for fabrication of optical recording medium, method of forming information recording area and light transmissive layer, and optical recording medium |
| US7180709B2 (en) * | 2002-05-09 | 2007-02-20 | Maxtor Corporation | Information-storage media with dissimilar outer diameter and/or inner diameter chamfer designs on two sides |
| US7083502B2 (en) | 2002-10-10 | 2006-08-01 | Maxtor Corporation | Method for simultaneous two-disk texturing |
| US7083376B2 (en) | 2002-10-10 | 2006-08-01 | Maxtor Corporation | Automated merge nest for pairs of magnetic storage disks |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3307689B2 (ja) | 2002-07-24 |
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