JP2000311381A

JP2000311381A - 光情報記録媒体

Info

Publication number: JP2000311381A
Application number: JP2000045449A
Authority: JP
Inventors: Hideharu Tajima; 秀春田島; Nobuyuki Takamori; 信之高森
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1999-02-24
Filing date: 2000-02-23
Publication date: 2000-11-07
Anticipated expiration: 2020-02-23
Also published as: JP3411537B2

Abstract

(57)【要約】【課題】温湿度変化に伴う変形（反り）を防止でき、
且つ、その製造が容易な光情報記録媒体を提供する。【解決手段】光情報記録媒体１０は、透明基板２０
と、透明基板２０上に形成され記録膜４２を含む薄膜層
４０と、薄膜層上４０に形成された薄膜保護膜５０と、
透明基板２０上に形成された基板保護膜３０を有してい
る。この光情報記録媒体１０の温度変化に起因する変形
の中立面は薄膜層４０内にある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、情報を記録又は
再生する光情報記録媒体に関し、特に、環境変化や経時
変化による反りを抑制できる光情報記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１は、光情報記録媒体の構成を示す断
面模式図である。図６は、その光情報記録媒体の平面図
（ａ）及び側面図（ｂ）である。

【０００３】この光情報記録媒体は、図１，６に示すよ
うに、ポリカーボネート等からなる円板状の基板２０上
に、スパッタ等により誘電体膜４１，４３（窒化シリコ
ン等）、記録膜４２（ＴｂＦｅＣｏ等）、反射膜４４
（Ａｌ等）等の薄膜からなる単層、または多層からなる
薄膜層４０が形成されている。また、この薄膜層４０上
に樹脂膜等による薄膜保護膜５０が、基板の光入射面上
には樹脂等からなる基板保護膜３０が形成されている。
これらのそれぞれの層及び膜の膜厚は、基板２０が約
１．２〔ｍｍ〕、スパッタ等で形成される単層あるいは
多層薄膜層４０の厚さは１０〜３００〔ｎｍ〕、薄膜保
護膜５０の厚さが１〜３０〔μｍ〕、基板保護膜３０の
厚さが１〜３０〔μｍ〕であり、全厚のほとんどがポリ
カーボネイト基板２０によって占められている。このた
め光情報記録媒体の剛性は、そのほとんどが、ポリカー
ボネート基板２０に依存しており、ポリカーボネート基
板２０が十分に厚いため、環境変化（温湿度変化）によ
る変形は非常に小さかった。このため、通常は、各層に
発生する応力や曲げモーメントのバランスはほとんどの
場合考慮されていなかった。

【０００４】しかしながら、光情報記録媒体において
は、更なる高密度記録再生が求められており、収差の発
生を抑制するために基板が薄型化する傾向（例１．２
〔ｍｍ〕厚→０．６〔ｍｍ〕厚）にある。この場合、当
然、光情報記録媒体の剛性は低下し、環境変化（温湿度
変化）によって光情報記録媒体を形成している各層に発
生する応力に起因する変形が大きくなり、情報の記録再
生が困難になるという問題が生じる。したがって、基板
が薄くなり剛性が低下した場合においても、対環境性能
の高い光情報記録媒体が求められている。

【０００５】光情報記録媒体の変形を抑制する手法とし
て、特開平４−１９５７４５号公報には基板の裏面（薄
膜層の形成されていない側の面）に反り防止用の誘電体
膜を設ける手法が提案されている。

【０００６】図７はこの光情報記録媒体の構成を示す断
面図である。なお、図７において図１と同一部分につい
ては同一符号を付している。図７に示すように、ここで
は、ポリカーボネート基板２０の光入射側に誘電体層６
０を設けて、透明基板２０の両側に位置する記録膜４２
と誘電体層６０との膨張率を同等とすることで、光情報
記録媒体を透明基板２０に対して対称構造として、これ
により光情報記録媒体の反りを防止できるようにしてい
る。

【０００７】また、特開平１０−６４１１９号公報に
は、薄膜保護膜を厚く塗布することにより、光ディスク
の温度上昇による反りを少なくすることが記載されてい
る。

【０００８】また、光情報記録媒体が湿度変化によって
反ることを問題として、図８に示すような、薄膜保護膜
５０，薄膜層４０，基板２０，基板保護膜３０を有する
光情報記録媒体において、基板２０と基板保護膜３０と
の間にＳｉＯ₂やＡｌＮからなる透湿防止膜７０を設け
たものが特開平４−３６４２４８号公報で提案されてい
る。なお、図８において図１と同一部分については同一
符号を付している。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
４−１９５７４５号公報に記載の手法（図７参照）で
は、基板の光入射側にスパッタ等により誘電体層を設け
る必要が有るため、生産において、基板に対して一方側
の面に薄膜層を形成した後、その基板を引っ繰り返して
反対側の面に誘電体層を形成する必要があり、工程が複
雑化するとともに生産設備の高価格化を齎し、コストア
ップに繋がるという問題がある。

【００１０】また、特開平１０−６４１１９号公報に記
載の手法では、薄膜保護膜の膜厚が厚くなりすぎ、製造
上難があるという問題がある。また、例えば、光情報記
録媒体が光磁気記録媒体であった場合、記録時に印加す
る磁界を高速で反転させるには磁界発生手段と薄膜層と
を近接することが望ましく、薄膜保護膜の膜厚が厚くな
ることは磁気特性の劣化を齎し、問題である。

【００１１】さらに、特開平４−３６４２４８号公報に
記載の手法（図８参照）でも、基板の光入射側にスパッ
タ等によりＳｉＯ₂やＡｌＮを設ける必要が有るため、
生産において、基板に対して一方側の面に薄膜層を形成
した後、その基板を引っ繰り返して反対側の面に誘電体
層を形成する必要があり、工程が複雑化するとともに生
産設備の高価格化を齎し、コストアップに繋がるという
問題がある。

【００１２】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであって、温湿度変化に伴う変形（反り）を防
止でき、且つ、その製造が容易な光情報記録媒体を提供
することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の光情報
記録媒体は、透明基板と、該透明基板上に形成され記録
膜または反射膜のいずれか一方を少なくとも含む薄膜層
と、該薄膜層上に形成された樹脂を主成分とする薄膜保
護膜と、を少なくとも有する光情報記録媒体において、
記録再生時の温度変化による膜厚方向の変形の中立面が
前記薄膜層近傍にあることを特徴とする。

【００１４】請求項２に記載の光情報記録媒体は、透明
基板と、該透明基板上に形成され記録膜または反射膜の
いずれか一方を少なくとも含む薄膜層と、該薄膜層上に
形成された樹脂を主成分とする薄膜保護膜と、を少なく
とも有する光情報記録媒体において、前記薄膜層近傍に
おいて、膜厚方向におけるその両側から受ける曲げモー
メントが、略等しいことを特徴とする。

【００１５】請求項３に記載の光情報記録媒体は、透明
基板と、該透明基板上に形成され記録膜または反射膜の
いずれか一方を少なくとも含む薄膜層と、該薄膜層上に
形成された樹脂を主成分とする薄膜保護膜と、を少なく
とも有する光情報記録媒体において、前記薄膜保護膜
は、そのヤング率及び線膨張係数の少なくとも一方が前
記透明基板よりも大きいことを特徴とする。

【００１６】請求項４に記載の光情報記録媒体は、請求
項１乃至請求項３のいずれかに記載の光情報記録媒体に
おいて、前記薄膜保護膜の膜厚が、２０μｍ以下である
ことを特徴とする。

【００１７】請求項５に記載の光情報記録媒体は、透明
基板と、該透明基板上に形成され記録膜または反射膜の
いずれか一方を少なくとも含む薄膜層と、該薄膜層上に
形成された樹脂を主成分とする薄膜保護膜と、前記透明
基板の光入射側に形成された樹脂を主成分とする基板保
護膜と、を少なくとも有する光情報記録媒体において、
前記薄膜保護膜の透湿度より前記基板保護膜の透湿度が
小さいことを特徴とする。

【００１８】請求項６に記載の光情報記録媒体は、請求
項５に記載の光情報記録媒体において、記録再生時の温
度変化による膜厚方向の変形の中立面が前記薄膜層近傍
にあり、且つ、前記薄膜保護膜の膜厚が、前記基板保護
膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする。

【００１９】なお、請求項１において、変形の中立面と
は、後述する式（１）〜（５）において、反り角θが略
０となるときに、ｙの値により表される面を示してい
る。

【００２０】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本実施の
形態の光情報記録媒体について説明するが、まず、本発
明の原理を説明する。

【００２１】原理従来の技術の項で説明したように、特開平４−１９５７
４５号公報（図７参照）に記載の光情報記録媒体では、
透明基板２０に対して対称になるよう層を構成すること
で、光情報記録媒体の反りを抑制していた。

【００２２】これに対して、本発明者は、例えば、図１
の断面模式図に示すような薄膜保護膜５０，薄膜層４
０，透明基板２０，基板保護膜３０を有する光情報記録
媒体において、（ａ）薄膜層４０を温度変化による変形
の中心とすること，すなわち、薄膜層に対して対称に構
成することで反りが抑制できる点、及び、（ｂ）反りの
抑制に併せて薄膜保護膜５０の膜厚を薄くできる点を見
出した。以下、さらに詳しく説明する。

【００２３】図１に示すように、一般に、光情報記録媒
体は、ポリカーボネート等の透明基板２０上にスパッタ
等により誘電体膜４１，４３（窒化シリコン等）、記録
膜４２（ＴｂＦｅＣｏ等）、反射膜４４（Ａｌ等）等の
薄膜からなる単層又は多層の薄膜層４０を有し、その薄
膜層４０上に樹脂を主成分とする薄膜保護膜５０が形成
されているとともに、その透明基板２０の反対の面上に
透明基板２０を保護するために樹脂を主成分とする基板
保護膜３０が形成されている。

【００２４】このように光情報記録媒体は通常多層で構
成されており、このため、各層の物性値である線膨張係
数の相違等に起因して、温度変化時に各層に発生する応
力が異なる結果となる。具体的には、一般に、ポリカー
ボネートからなる透明基板２０、及び、基板保護膜３
０，薄膜保護膜５０の線膨張係数は薄膜層４０のそれに
比較して大きく、薄膜層４０の基板の半径方向への膨張
はその他の各層に比較して非常に小さくなる。また、透
明基板２０の厚さは基板保護膜３０及び薄膜保護膜５０
の厚さに比較して非常に大きく、薄膜層４０の各薄膜の
ヤング率が他の層に比較して非常に大きくなる。このた
め、温度変化が生じると、薄膜層４０の膨張が小さいの
比して、透明基板２０の膨張が大きくなり、結果的に、
光情報記録媒体１０は半径方向に垂直で且つ膜厚方向に
おいて薄膜保護膜５０側に向かう反りが生じ易くなる。
図２はその反りを説明する模式図であり、（ａ）は平面
図，（ｂ）は側面図である。

【００２５】本実施の形態ではこの反りを防止するため
に、薄膜層４０上に形成される薄膜保護膜５０の線膨張
係数、ヤング率、及び膜厚を調整することで、薄膜層４
０に対して、透明基板２０による曲げモーメントと逆向
きの曲げモーメント与え、そして、薄膜層４０内に含ま
れ、膜面と平行な面を変形の中立面とすることで、温度
変化による変形（図２に示すような反り）を抑制する。

【００２６】上記のような薄膜保護膜５０の線膨張係
数、ヤング率、及び膜厚の設定は、次のような近似計算
によって行える。

【００２７】光情報記録媒体１０には、温度変化時に半
径方向に働く応力（軸力）と円周方向に働く応力と膜厚
方向に働く応力が発生するが、光情報記録媒体１０は、
円板状であるため、円周方向に働く応力は円周内で均一
になり、膜厚方向の力も各層内では一様に働くため、変
形には寄与しないと仮定できるため、光情報記録媒体１
０の変形すなわち反り（図２参照）は、その断面部に相
当する多層はりにおける反りに置換できる。図３はその
多層はりを示す図である。なお、図３ではｎ層はりを示
しているが、このｎは光情報記録媒体の層数であり、図
１の光情報記録媒体の場合にはｎ＝７である。

【００２８】この多層はりにおける温度変化時の反り角
度θは各層の軸力Ｐ_i（ｉ＝１，２，…，ｎ）と曲げモ
ーメントＭ_iの釣り合いから導かれる式（１）〜（５）
によって表わすことができる。

【００２９】

【数１】

【００３０】なお、式（１）〜（５）における各記号
は、 α_i：ｉ層の線膨張係数Ｅ_i：ｉ層のヤング
率ｔ_i：ｉ層の厚さＰ_i：ｉ層における
軸力Ｍ_i：ｉ層における曲げモーメントＲ_i：曲率半径Ｉ_i：ｉ層の断面２次モーメントｂ：はりの幅（単
位長とする）Ｔ：変化温度Ｌ：はりの長さｙ：ｎ層はりの中立面位置 θ：最大変位部における長さ４ｍｍでの反り角度を示し
ている。また、各層の厚さは曲率半径に比較してはるか
に小さいため、各層（ｉ＝１，２，…，ｎ）における曲
率半径は同一（Ｒ₁＝Ｒ₂＝Ｒ₃＝…＝Ｒ）とする。ま
た、変化温度Ｔは光情報記録媒体の使用温度環境（一般
に−１５℃〜８０℃）内における変化温度である。

【００３１】そして、この式（１）〜（５）においてｙ
を薄膜層４０内に設定したときにθが小さくなるよう
に、すなわち曲率半径Ｒが大きくなるように各層（特に
薄膜保護膜５０（薄膜層４０については光情報記録媒体
の特性により予め決められているとが多い））の厚さ，
線膨張係数α，ヤング率Ｅを決定すれば、温度変化に伴
う図２の反りを抑制できる光情報記録媒体を得ることが
できる。

【００３２】ところで、光情報記録媒体において薄膜保
護膜５０の膜厚が厚くなると、それをスピンコートで形
成することが難しくなる。また、光情報記録媒体が光磁
気記録媒体の場合には薄膜保護膜５０の膜厚が厚くなる
と、磁気ヘッドと薄膜層４０との距離が離れることにな
り、磁気特性上好ましくない。これらのことから薄膜保
護膜５０の膜厚は３０μｍ以下、更に良くは２０μｍ以
下に設定することが望ましい。したがって、薄膜保護膜
５０としては、上記膜厚条件（３０μｍ以下（望ましく
は２０μｍ以下））を満たすとともに、上記式（１）〜
（５）においてθを小さくできる線膨張係数α，ヤング
率Ｅの材料を選定することが必要である。式（１）〜
（５）によれば、線膨張係数α，ヤング率Ｅの少なくと
も一方が大きければ、膜厚が小さくてもθを小さくする
ことが可能である。

【００３３】以上説明したように、本実施の形態の光情
報記録媒体では薄膜層４０内に温度変化時における変形
の中立面がくるように各層（特に薄膜保護膜５０）を設
定するため、反りの発生を抑制できる。また、光情報記
録媒体を構成している各層の中で変形速度の最も遅い薄
膜層４０の変形がごく小さくなり、実際の温度変化時に
問題となる変位のオーバーシュートも小さなものにな
る。さらに、透明基板２０の光入射側には樹脂を主成分
とする基板保護膜３０のみを形成すればよいため、スピ
ンコート等により簡単に製造でき、製造工程を簡略化で
きる。

【００３４】なお、上記説明では、光情報記録媒体を構
成する全ての層の材料特性を用いて、温度変化による変
形の中立面が薄膜層４０の内部に存在するように、各層
（特に薄膜保護膜５０）の設定を行うことについて述べ
たが、一般に、光情報記録媒体における薄膜層４０を構
成する各層は非常に薄いものであるため、薄膜層４０を
１つの層と見なして、薄膜層４０に対してその両側（一
方側が透明基板２０及び基板保護膜３０、他方側が薄膜
保護膜５０）が温度変化により与える曲げモーメントが
略打ち消し合うように、各層（特に薄膜保護膜５０）を
設定しても良い。この場合でも、薄膜層４０の温度変化
による反りを略無くすことができる。このとき、薄膜保
護膜５０の膜厚を小さくする（３０μｍ以下（望ましく
は２０μｍ以下））には、透明基板２０の厚さが大きい
ことを鑑みると、薄膜保護膜５０の線膨張係数α，ヤン
グ率Ｅの少なくとも一方は、透明基板２０よりも大きい
ものである必要がある。

【００３５】実施例次に、上記原理に基づき形成した光情報記録媒体の実施
例について説明する。なお、本実施例は、薄膜層４０が
窒化アルミニウム１層のみからなると仮定している。こ
れは、薄膜層４０の変形は一般に窒化アルミニウム等の
誘電体層が主にその原因となる場合が多いからである。
また、本実施例では基板保護膜３０が無い例を示してい
る。基板保護膜３０が存在する場合にはそれをも考慮し
て各層（特に薄膜保護膜５０）の設定を行う必要があ
る。

【００３６】実施例１として、ポリカーボネイト基板
（透明基板２０）上に、窒化アルミニウム薄膜層（薄膜
層４０）と式（１）〜（５）を用いて設計された条件の
紫外線（ＵＶ）硬化樹脂１（薄膜保護膜５０）が形成さ
れた媒体を形成した。また、比較例１として、ポリカー
ボネイト基板上に、窒化アルミニウム薄膜層と従来の紫
外線（ＵＶ）硬化樹脂２（薄膜保護膜）が形成された光
情報記録媒体を形成した。表１，２にそれぞれ実施例
１，比較例１の構成を示す。

【００３７】

【表１】

【００３８】

【表２】

【００３９】表１，２から分かるように、両者の違い
は、主にＵＶ硬化樹脂（薄膜保護膜５０）の線膨張係数
であり、実施例１の方が線膨張係数が大きいものを使用
している。なお、透明基板２０としては、両者とも内径
φ１５ｍｍ，外径１２０ｍｍのものを使用している。

【００４０】実施例１と比較例１の媒体に対して２５℃
→５５℃に上昇する温度変化（上記のＴ＝３０℃）を与
えて、そのときの外周部（ｒ＝５６ｍｍ）での反り角θ
の変化量の経時変化を測定した。なお、反り角そのもの
でなく反り角の変化量を測定した理由は、常温状態にお
いて、媒体は独自の反り角を持っているため、温度変化
による変形を示すには不適格であるためである。

【００４１】図４はその結果を示す図である。実施例１
の媒体の反り角の変化量は、最大値及び定常状態値のい
ずれも比較例１の媒体よりも小さく、変形を抑制してい
ることが分かる。また、この図から、実施例１によれ
ば、２０μｍ以下の膜厚であっても、温度が変化により
一時的にも大きな反りが生じることがないことが分か
る。さらに、図４には、上記式（１）〜（５）を用いて
予想した反り角θの変化量を併記しているが、上記式
（１）〜（５）による近似が実測値に非常に近く、その
近似は実際に適合していることが分かる。

【００４２】次に、ヤング率の大きなＵＶ硬化樹脂３を
使用した媒体（実施例２）について説明する。この実施
例２の媒体は実施例１の媒体とＵＶ硬化樹脂の特性が異
なっているものである。表３に実施例２の構成を示す。

【００４３】

【表３】

【００４４】この実施例２の媒体について、上記式
（１）〜（５）を用いて反り角θの変化量を予想する
と、その値は５．１８〔ｍｒａｄ〕であり、上述の比較
例１に比して大幅に温度変化に起因する反りが減少して
いることが分かる。

【００４５】以上のように、本実施の形態の光情報記録
媒体によれば、温度変化により一時的にも大きな反りが
生じることを抑制できるため、記録再生時の温度上昇に
よても再生不良等の問題が生じることを抑えることがで
きる。また、薄膜保護膜５０の膜厚を薄くすることがで
きる。

【００４６】（実施の形態２）本実施の形態では、湿度
変化による変形を防止できる光情報記録媒体について説
明する。

【００４７】原理上述した図１に記載の光情報記録媒体１０は、透明基板
２０としてポリカーボネート等からなる基板を用いてい
るため、周辺が高湿となったとき、透明基板２０が吸湿
により膨張する。そして、これにより光情報記録媒体１
０に変形が生じる。特に、基板保護膜３０の透湿度が薄
膜保護膜５０の透湿度に比較して大きい場合は、基板２
０の変形速度が薄膜保護膜５０の変形速度より大きくな
るため、実際の湿度変化時に大きな変位のオーバーシュ
ートが起き実用上において大きな問題となっていた。

【００４８】本実施の形態では、基板保護膜３０の透湿
度を薄膜保護膜５０の透湿度に比較して小さくして、こ
のオーバーシュートを抑制しすることにより、実用時に
おける問題を解決する。

【００４９】実施例実施例３として上述の実施例１に記載の媒体にＵＶ硬化
樹脂４からなる基板保護膜３０を付加した媒体を形成し
た。また、比較のため、比較例２として、上述の実施例
１に記載の媒体にＵＶ硬化樹脂５からなる基板保護膜３
０を付加した媒体を形成した。この実施例３，比較例２
における各ＵＶ硬化樹脂の透湿度について表４に示す。

【００５０】

【表４】

【００５１】この実施例３，比較例２の媒体に対して、
湿度変化（周囲湿度を５０％→９０％に変化）を与え
て、各媒体の外周部（ｒ＝５６ｍｍ）における反り角θ
の変化量の経時変化を測定した。

【００５２】図５はその結果を示す図である。実施例３
の反り角の変化量の最大値（オーバーシュート時に発
生）は比較例２のそれに比較して非常に小さなものとな
り、湿度変化による変形が抑制されていることがわか
る。

【００５３】このように本実施の形態の光情報記録媒体
によれば、湿度が変化しても一時的にも大きな反りが生
じることがなく、記録再生時に再生不良等の問題が生じ
ることを抑制できる。

【００５４】なお、本実施の形態の光情報記録媒体にお
いても、実施の形態１に記載のように薄膜層４０内に温
度変化による変形の中立面を有するように、また、薄膜
層４０に対してその両側（一方側が透明基板２０及び基
板保護膜３０、他方側が薄膜保護膜５０）が温度変化に
より与える曲げモーメントが略打ち消し合うように、薄
膜保護膜５０及び基板保護膜３０の設定を行えば、本実
施の形態における湿度変化に起因する変形の防止のみな
らず、温度変化に起因する変形をも防止することができ
る。

【００５５】上記のように変形の中立面を薄膜層４０内
に設ける場合には、一般に光ビームの入射側となる基板
保護膜３０の膜厚は、薄膜保護膜５０の膜厚より薄い方
が良いため、それを満たすような線膨張係数等を有する
保護膜材料を選択することが望ましい。

【００５６】なお、以上の実施の形態では変形の中立面
が薄膜層内に位置するように媒体を構成したが、薄膜層
近傍にあっても良い。勿論、薄膜層内にあることが変形
量を減少させる上で望ましい。

【００５７】以上の実施の形態１、実施の形態２におい
て説明した本発明の原理は、実施例１〜３より薄いポリ
カーボネイト基板等を用いた場合においても成り立つ。
その具体例について、以下に説明する。

【００５８】実施例4として、板厚０．５ｍｍの透明基
板を用い、下記表５に示す構成の媒体を形成した。

【００５９】

【表５】

【００６０】この実施例４の媒体の温度変化時、及び湿
度変化時における反り角θの変化量を測定した。図９、
１０はその結果を示す図である。なお、透明基板の大き
さは、内径φ７ｍｍ、外径φ５０ｍｍである。

【００６１】図９は、雰囲気を温度２５℃湿度５０％か
ら温度７０℃湿度３０％に変化させたときの媒体の外周
部における反り角θの変化量を示している。この結果で
は、基板厚がより薄い（実施例４では０．５ｍｍ）場合
においても、温度変化時における反りの変化量は３ｍｒ
ａｄ程度であった。従来の手法により表５の条件の薄い
透明基板を用いた場合、反りの変化量が１０ｍｒａｄは
るかに超えていたため、本発明により反りの変化を大幅
に抑制できることがわかる。

【００６２】また、図１０は雰囲気を温度２５℃湿度６
０％から温度２５℃湿度９０％に湿度を変化させたとき
の媒体の外周部における反り角θの変化量を示してい
る。この結果より、基板厚がより薄い（実施例４では
０．５ｍｍ）場合においても、湿度変化時における反り
の変化量が非常に小さいことが分かった。

【００６３】

【発明の効果】本発明では、光情報記録媒体を温度変化
による変形時の中立面が磁性膜等の薄膜層近傍（望まし
くは薄膜層内）にあるように構成することにより、温度
変化時における変形量を小さくして、記録再生の信頼性
を高めることができる。

【００６４】また、上記光情報記録媒体において、透明
基板よりもヤング率，線膨張係数の少なくとも一方が大
きな薄膜保護膜を設けることにより、薄膜保護膜の膜厚
を薄くできる。これにより製造が容易になると共に、光
磁気記録媒体の場合、その磁気特性を向上することがで
きる。

【００６５】また、光情報記録媒体において薄膜保護膜
の透湿度より小さい透湿度を有する基板保護膜を設ける
ことにより、湿度変化時における変形量が小さくなり、
記録再生の信頼性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光情報記録媒体の構成を示す断面模式図であ
る。

【図２】光情報記録媒体の反りを説明する図である。

【図３】多層はりを説明する図である。

【図４】温度変化時における反り角の変化量の時間依存
性を示す図である。

【図５】湿度変化時における反り角の変化量の時間依存
性を示す図である。

【図６】光情報記録媒体の構成を示す平面図，側面図で
ある。

【図７】従来の光情報記録媒体の一例を示す断面模式図
である。

【図８】従来の光情報記録媒体の他の例を示す断面模式
図である。

【図９】板厚０．５ｍｍの光記録媒体の温度・湿度を変
化させたときの反り角の変化量の時間依存性を示す図で
ある。

【図１０】板厚０．５ｍｍの光記録媒体の湿度変化時に
おける反り角の変化量の時間依存性を示す図である。

【符号の説明】

１０光情報記録媒体２０透明基板３０基板保護膜４０薄膜層４１第１誘電体膜４２記録膜４３第２誘電体膜４４反射膜５０薄膜保護膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板と、該透明基板上に形成され記
録膜または反射膜のいずれか一方を少なくとも含む薄膜
層と、該薄膜層上に形成された樹脂を主成分とする薄膜
保護膜と、を少なくとも有する光情報記録媒体におい
て、記録再生時の温度変化による膜厚方向の変形の中立面が
前記薄膜層近傍にあることを特徴とする光情報記録媒
体。
【請求項２】透明基板と、該透明基板上に形成され記
録膜または反射膜のいずれか一方を少なくとも含む薄膜
層と、該薄膜層上に形成された樹脂を主成分とする薄膜
保護膜と、を少なくとも有する光情報記録媒体におい
て、前記薄膜層近傍において、膜厚方向におけるその両側か
ら受ける曲げモーメントが、略等しいことを特徴とする
光情報記録媒体。
【請求項３】透明基板と、該透明基板上に形成され記
録膜または反射膜のいずれか一方を少なくとも含む薄膜
層と、該薄膜層上に形成された樹脂を主成分とする薄膜
保護膜と、を少なくとも有する光情報記録媒体におい
て、前記薄膜保護膜は、そのヤング率及び線膨張係数の少な
くとも一方が前記透明基板よりも大きいことを特徴とす
る光情報記録媒体。
【請求項４】請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
の光情報記録媒体において、前記薄膜保護膜の膜厚が、２０μｍ以下であることを特
徴とする光情報記録媒体。
【請求項５】透明基板と、該透明基板上に形成され記
録膜または反射膜のいずれか一方を少なくとも含む薄膜
層と、該薄膜層上に形成された樹脂を主成分とする薄膜
保護膜と、前記透明基板の光入射側に形成された樹脂を
主成分とする基板保護膜と、を少なくとも有する光情報
記録媒体において、前記薄膜保護膜の透湿度より前記基板保護膜の透湿度が
小さいことを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項６】請求項５に記載の光情報記録媒体におい
て、記録再生時の温度変化による膜厚方向の変形の中立面が
前記薄膜層近傍にあり、且つ、前記薄膜保護膜の膜厚
が、前記基板保護膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする
光情報記録媒体。