JPH0672010B2 - 結晶性アルミノシリケ−ト及びその製造方法 - Google Patents
結晶性アルミノシリケ−ト及びその製造方法Info
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- JPH0672010B2 JPH0672010B2 JP18888185A JP18888185A JPH0672010B2 JP H0672010 B2 JPH0672010 B2 JP H0672010B2 JP 18888185 A JP18888185 A JP 18888185A JP 18888185 A JP18888185 A JP 18888185A JP H0672010 B2 JPH0672010 B2 JP H0672010B2
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- crystalline aluminosilicate
- cesium
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はISI−７と称する結晶性アルミノシリケート及
びその製造方法に関し、詳しくは各種の化学反応の触
媒，触媒担体，吸着剤等として有効に利用できる新規な
構造の結晶性アルミノシリケート（ISI−７）およびそ
の効率のよい製造方法に関する。
びその製造方法に関し、詳しくは各種の化学反応の触
媒，触媒担体，吸着剤等として有効に利用できる新規な
構造の結晶性アルミノシリケート（ISI−７）およびそ
の効率のよい製造方法に関する。
従来からセシウムを含有するアルミノシリケートとして
は、EU−７（特開昭59-88310号公報）やCSZ−１（特開
昭57-7823号公報）などが知られている。また、天然に
存在するセシウム含有アルミノシリケートとしては、鉱
物ポルサイト(CsAlSi2O6),CsAlSiO4などがある。
は、EU−７（特開昭59-88310号公報）やCSZ−１（特開
昭57-7823号公報）などが知られている。また、天然に
存在するセシウム含有アルミノシリケートとしては、鉱
物ポルサイト(CsAlSi2O6),CsAlSiO4などがある。
本発明者らは、全く新たな組成および結晶構造を有する
セシウム含有のアルミノシリケートを開発すべく鋭意研
究を重ねた。
セシウム含有のアルミノシリケートを開発すべく鋭意研
究を重ねた。
その結果、ケイ素源，アルミニウム源，セシウム源を一
定割合で用いるとともに、テトラアルキルアンモニウム
塩やアミノアルコールを用いて水熱反応することによ
り、従来知られているものとは異なる構造のセシウム含
有ゼオライトが得られることを見出した。本発明はかか
る知見に基いて完成したものである。
定割合で用いるとともに、テトラアルキルアンモニウム
塩やアミノアルコールを用いて水熱反応することによ
り、従来知られているものとは異なる構造のセシウム含
有ゼオライトが得られることを見出した。本発明はかか
る知見に基いて完成したものである。
すなわち本発明は、焼成後のモル比で表わした組成が 一般式pCs2O・Al2O3・qSiO2 …（Ｉ） 〔式中、p,qはそれぞれ次の範囲から選ばれる実数であ
る。
る。
0.3≦ｐ≦3.0,q≧20〕 で表わされ、かつＸ線回折パターンが第１表に示される
結晶性アルミノシリケートを提供するものである。
結晶性アルミノシリケートを提供するものである。
さらに本発明は、（ａ）ケイ素源，（ｂ）アルミニウム
源，（ｃ）セシウム源，（ｄ）テトラアルキルアンモニ
ウム塩および（ｅ）一般式X1-C2H4-X2（式中、X1,X2は
それぞれOHあるいはNH2を示す。）で表わされる化合物
を含有し、かつ各成分のモル比が シリカ／アルミナ≧10 セシウム／シリカ＝0.01〜3.0 テトラアルキルアンモニウム塩／シリカ＝0.01〜１ X1-C2H4-X2／シリカ＝0.01〜100水酸イオン／シリカ＝
0.005〜0.5（但し、水酸イオンの量は添加した無機塩基
の量から無機酸の量を差引いた量である。） である水性混合物を、80〜300℃にて結晶性アルミノシ
リケートが生成するまで反応させることを特徴とする、
焼成後のモル比で表わした組成が前記一般式（Ｉ）で表
わされ、かつＸ線回折パターンが第１表に示される結晶
性アルミノシリケートの製造方法をも提供するものであ
る。
源，（ｃ）セシウム源，（ｄ）テトラアルキルアンモニ
ウム塩および（ｅ）一般式X1-C2H4-X2（式中、X1,X2は
それぞれOHあるいはNH2を示す。）で表わされる化合物
を含有し、かつ各成分のモル比が シリカ／アルミナ≧10 セシウム／シリカ＝0.01〜3.0 テトラアルキルアンモニウム塩／シリカ＝0.01〜１ X1-C2H4-X2／シリカ＝0.01〜100水酸イオン／シリカ＝
0.005〜0.5（但し、水酸イオンの量は添加した無機塩基
の量から無機酸の量を差引いた量である。） である水性混合物を、80〜300℃にて結晶性アルミノシ
リケートが生成するまで反応させることを特徴とする、
焼成後のモル比で表わした組成が前記一般式（Ｉ）で表
わされ、かつＸ線回折パターンが第１表に示される結晶
性アルミノシリケートの製造方法をも提供するものであ
る。
なお、上記第１表の相対強度は、「非常に強い」を90〜
100％としたときに、50〜90％の範囲を「強い」,20〜50
％を「中程度」,0〜20％を「弱い」として定めた。
100％としたときに、50〜90％の範囲を「強い」,20〜50
％を「中程度」,0〜20％を「弱い」として定めた。
本発明の方法によれば、上述の（ａ）〜（ｅ）成分を所
定モル比で含有する水性混合物を水熱反応させることに
よって、目的とする結晶性アルミノシリケートが得ら
れ、この際の各成分の混合順序は特に制限はない。しか
し、好ましい順序の一例をあげれば、まず（ａ）ケイ素
源を含む水溶液と、（ｂ）アンモニウム源および（ｄ）
テトラアルキルアンモニウム塩を含む水溶液を、（ｃ）
セシウム源を含む水溶液中に滴下混合し、さらにこの混
合液に（ｅ）一般式X1-C2H4-X2で表わされる化合物を加
えて充分に混合し、この混合液を水熱反応させる方法を
あげることができる。
定モル比で含有する水性混合物を水熱反応させることに
よって、目的とする結晶性アルミノシリケートが得ら
れ、この際の各成分の混合順序は特に制限はない。しか
し、好ましい順序の一例をあげれば、まず（ａ）ケイ素
源を含む水溶液と、（ｂ）アンモニウム源および（ｄ）
テトラアルキルアンモニウム塩を含む水溶液を、（ｃ）
セシウム源を含む水溶液中に滴下混合し、さらにこの混
合液に（ｅ）一般式X1-C2H4-X2で表わされる化合物を加
えて充分に混合し、この混合液を水熱反応させる方法を
あげることができる。
ここで（ａ）ケイ素源としては、特に制限はなく、シリ
カ粉末，ケイ酸，コロイド状シリカ，溶解シリカなどを
任意に使用できる。この溶解シリカとしては、Na2Oまた
はK2Oを１モルに対してSiO2を１〜５モル含有する水ガ
ラスケイ酸塩，アルカリ金属ケイ酸塩などがあげられ
る。
カ粉末，ケイ酸，コロイド状シリカ，溶解シリカなどを
任意に使用できる。この溶解シリカとしては、Na2Oまた
はK2Oを１モルに対してSiO2を１〜５モル含有する水ガ
ラスケイ酸塩，アルカリ金属ケイ酸塩などがあげられ
る。
また、（ｂ）アルミニウム源としては、様々なものが使
用可能であるが、例えば硫酸アルミニウム，アルミン酸
ナトリウム，コロイド状アルミナ，アルミナなどがあげ
られる。
用可能であるが、例えば硫酸アルミニウム，アルミン酸
ナトリウム，コロイド状アルミナ，アルミナなどがあげ
られる。
本発明の方法では、水性混合物中のシリカ(SiO2)とアル
ミナ(Al2O3)の比は、シリカ／アルミナのモル比として1
0以上、好ましくは40以上である。
ミナ(Al2O3)の比は、シリカ／アルミナのモル比として1
0以上、好ましくは40以上である。
次に、（ｃ）セシウム源としては、各種のものがある
が、例えば水酸化セシウム，塩化セシウム，硫酸セシウ
ム，硝酸セシウム，炭酸セシウム，酸化セシウム，ヨウ
化セシウムなどがあげられる。
が、例えば水酸化セシウム，塩化セシウム，硫酸セシウ
ム，硝酸セシウム，炭酸セシウム，酸化セシウム，ヨウ
化セシウムなどがあげられる。
ここで水性混合物中のセシウムとシリカのモル比は、0.
01〜3.0、好ましくは0.05〜1.0である。
01〜3.0、好ましくは0.05〜1.0である。
さらに本発明の方法では（ｄ）テトラアルキルアンモニ
ウム塩および（ｅ）一般式X1-C2H4-X2で表わされる化合
物を用いるが、これらは主として結晶化調整剤として作
用するものである。この（ｄ）テトラアルキルアンモニ
ウム塩としては、具体的には臭化テトラエチルアンモニ
ウム，臭化テトラメチルアンモニウム，臭化エチルトリ
メチルアンモニウム，臭化ベンジルトリエチルアンモニ
ウムなどがあげられる。この（ｄ）テトラアルキルアン
モニウム塩の使用量は、通常テトラアルキルアンモニウ
ム塩／シリカのモル比で0.01〜１、好ましくは0.05〜0.
3とすべきである。
ウム塩および（ｅ）一般式X1-C2H4-X2で表わされる化合
物を用いるが、これらは主として結晶化調整剤として作
用するものである。この（ｄ）テトラアルキルアンモニ
ウム塩としては、具体的には臭化テトラエチルアンモニ
ウム，臭化テトラメチルアンモニウム，臭化エチルトリ
メチルアンモニウム，臭化ベンジルトリエチルアンモニ
ウムなどがあげられる。この（ｄ）テトラアルキルアン
モニウム塩の使用量は、通常テトラアルキルアンモニウ
ム塩／シリカのモル比で0.01〜１、好ましくは0.05〜0.
3とすべきである。
また、（ｅ）一般式X1-C2H4-X2で表わされる化合物は生
成する結晶性アルミノシリケートの構成成分としては含
有されていないが、その製造過程において結晶構造を形
成する上で前述の（ｄ）テトラアルキルアンモニウム塩
とともに重要な役割を演ずる。この（ｅ）一般式X1-C2H
4-X2で表わされる化合物の具体例をあげれば、モノエタ
ノールアミン，エチレングリコール，エチレンジアミン
などがあげられる。この一般式X1-C2H4-X2で表わされる
化合物の使用量は、X1-C2H4-X2／シリカのモル比で0.01
〜100、好ましくは0.05〜10である。
成する結晶性アルミノシリケートの構成成分としては含
有されていないが、その製造過程において結晶構造を形
成する上で前述の（ｄ）テトラアルキルアンモニウム塩
とともに重要な役割を演ずる。この（ｅ）一般式X1-C2H
4-X2で表わされる化合物の具体例をあげれば、モノエタ
ノールアミン，エチレングリコール，エチレンジアミン
などがあげられる。この一般式X1-C2H4-X2で表わされる
化合物の使用量は、X1-C2H4-X2／シリカのモル比で0.01
〜100、好ましくは0.05〜10である。
本発明の方法は、これらの（ａ），（ｂ），（ｃ），
（ｄ）および（ｅ）の各成分を前述した割合で水に加え
て水性混合物として、これを反応させる。ここで反応系
である水性混合物中の水酸イオン／シリカのモル比は0.
005〜0.5、好ましくは0.01〜0.3とすべきである。な
お、ここで水酸イオンの量は、添加した無機塩基から無
機酸の量を差引いた量である。
（ｄ）および（ｅ）の各成分を前述した割合で水に加え
て水性混合物として、これを反応させる。ここで反応系
である水性混合物中の水酸イオン／シリカのモル比は0.
005〜0.5、好ましくは0.01〜0.3とすべきである。な
お、ここで水酸イオンの量は、添加した無機塩基から無
機酸の量を差引いた量である。
さらに、水性混合物を反応させるにあたっては、結晶性
アルミノシリケート（ISI−７）が生成するに必要な温
度および時間加熱すればよい。具体的には、反応温度80
〜300℃、好ましくは150〜250℃にて５時間〜30日間、
好ましくは１〜10日間、自己加圧下もしくは加圧下にお
いて反応させればよい。また、反応系は通常は攪拌下に
おき、雰囲気は必要により不活性ガスで置換してもよ
い。なお、pHは中性〜アルカリ性に調節しておくことが
好ましい。
アルミノシリケート（ISI−７）が生成するに必要な温
度および時間加熱すればよい。具体的には、反応温度80
〜300℃、好ましくは150〜250℃にて５時間〜30日間、
好ましくは１〜10日間、自己加圧下もしくは加圧下にお
いて反応させればよい。また、反応系は通常は攪拌下に
おき、雰囲気は必要により不活性ガスで置換してもよ
い。なお、pHは中性〜アルカリ性に調節しておくことが
好ましい。
上述の結晶化の反応は常に（ｄ）テトラアルキルアンモ
ニウム塩および（ｅ）一般式X1-C2H4-X2で表わされる化
合物の存在下で進行するものであって、これらの条件を
満たさない場合は、所望する構造の結晶性アルミノシリ
ケートを得ることができない。
ニウム塩および（ｅ）一般式X1-C2H4-X2で表わされる化
合物の存在下で進行するものであって、これらの条件を
満たさない場合は、所望する構造の結晶性アルミノシリ
ケートを得ることができない。
上記結晶化反応後、水洗し、80〜150℃程度で乾燥し、
さらに300〜1200℃にて焼成すれば、前記一般式（Ｉ）
で表わされる組成であり、かつＸ線回折パターンが第１
表で示される結晶性アルミノシリケート（ISI−７）が
得られる。なお、この結晶性アルミノシリケートのＸ線
回折パターンは焼成前後において基本的に変化がなく、
したがって乾燥後、焼成前の結晶性アルミノシリケート
のＸ線回折パターンも第１表に示されるものとなる。
さらに300〜1200℃にて焼成すれば、前記一般式（Ｉ）
で表わされる組成であり、かつＸ線回折パターンが第１
表で示される結晶性アルミノシリケート（ISI−７）が
得られる。なお、この結晶性アルミノシリケートのＸ線
回折パターンは焼成前後において基本的に変化がなく、
したがって乾燥後、焼成前の結晶性アルミノシリケート
のＸ線回折パターンも第１表に示されるものとなる。
このようにして得られる結晶性アルミノシリケート（IS
I−７）はセシウムを含む全く新たな結晶構造のアルミ
ノシリケートであり、固体酸触媒あるいは触媒担体とし
て様々な反応に有効に利用しうるものである。また、放
射性セシウムを原料として、これに本発明の方法を適用
すれば、放射性セシウムを取り込んだアルミノシリケー
トとなり、これは酸でも分解しにくいものであるので、
放射性セシウム廃棄物の処理として有効である。
I−７）はセシウムを含む全く新たな結晶構造のアルミ
ノシリケートであり、固体酸触媒あるいは触媒担体とし
て様々な反応に有効に利用しうるものである。また、放
射性セシウムを原料として、これに本発明の方法を適用
すれば、放射性セシウムを取り込んだアルミノシリケー
トとなり、これは酸でも分解しにくいものであるので、
放射性セシウム廃棄物の処理として有効である。
次に、本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。
実施例１ 硫酸アルミニウム（18水塩）7.32g、臭化テトラエチル
アンモニウム21.0gおよび水300mlを混合したものをＡ
液、コロイダルシリカ（SiO230重量％，水70重量％）20
0.0gおよび水100mlを混合したものをＢ液とし、水酸化
セシウム32.4gおよび水180mlを混合したものをＣ液と
し、モノエタノールアミン72mlをＤ液とした。
アンモニウム21.0gおよび水300mlを混合したものをＡ
液、コロイダルシリカ（SiO230重量％，水70重量％）20
0.0gおよび水100mlを混合したものをＢ液とし、水酸化
セシウム32.4gおよび水180mlを混合したものをＣ液と
し、モノエタノールアミン72mlをＤ液とした。
上記Ｃ液中にＡ液とＢ液を同時に徐々に滴下混合した
後、Ｄ液を加えて均質になるまで混合し、水性混合物を
得た。この水性混合物中の各成分の割合は、SiO2／Al2O
3＝90（モル比）、OH-／SiO2＝0.15（モル比）（但し、
OH-は添加した無機塩基の量から無機酸の量を差し引い
たもの。）、臭化テトラエチルアンモニウム／SiO2＝0.
1（モル比）、モノエタノールアミン／SiO2＝1.2（モル
比）、セシウム／SiO2＝0.22（モル比）であった。
後、Ｄ液を加えて均質になるまで混合し、水性混合物を
得た。この水性混合物中の各成分の割合は、SiO2／Al2O
3＝90（モル比）、OH-／SiO2＝0.15（モル比）（但し、
OH-は添加した無機塩基の量から無機酸の量を差し引い
たもの。）、臭化テトラエチルアンモニウム／SiO2＝0.
1（モル比）、モノエタノールアミン／SiO2＝1.2（モル
比）、セシウム／SiO2＝0.22（モル比）であった。
上記水性混合物を１容のオートクレーブに移し、攪拌
しながら190℃，自己圧力下で４日間水熱反応を行なっ
た。反応後、反応混合物を冷却し、生成物を1.5lの水で
５回洗浄した。次いで濾過して固形分を分離し、120℃
で15時間乾燥し、純度100％の結晶性アルミノシリケー
ト（ISI−７）を57.0g得た。このもののＸ線回折パター
ンを第１図に示す。また、このものを750℃で６時間焼
成した後の組成は、1.4Cs2O・Al2O3・78.1SiO2であっ
た。
しながら190℃，自己圧力下で４日間水熱反応を行なっ
た。反応後、反応混合物を冷却し、生成物を1.5lの水で
５回洗浄した。次いで濾過して固形分を分離し、120℃
で15時間乾燥し、純度100％の結晶性アルミノシリケー
ト（ISI−７）を57.0g得た。このもののＸ線回折パター
ンを第１図に示す。また、このものを750℃で６時間焼
成した後の組成は、1.4Cs2O・Al2O3・78.1SiO2であっ
た。
実施例２ 実施例１において、Ａ液中の硫酸アルミニウム（18水
塩）を3.33gとしたことおよびＣ液中の水酸化セシウム
を27.0gとしたこと以外は、実施例１と同様の操作を行
ない、結晶性アルミノシリケート（ISI−7,純度100％）
を58.2gを得た。焼成後の組成は、1.2Cs2O・Al2O3・175
SiO2であった。
塩）を3.33gとしたことおよびＣ液中の水酸化セシウム
を27.0gとしたこと以外は、実施例１と同様の操作を行
ない、結晶性アルミノシリケート（ISI−7,純度100％）
を58.2gを得た。焼成後の組成は、1.2Cs2O・Al2O3・175
SiO2であった。
実施例３ 実施例１において、Ｄ液としてモノエタノールアミンを
360ml用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行な
い、結晶性アルミノシリケート（ISI−7,純度100％）を
59.5g得た。焼成後の組成は1.3Cs2O・Al2O3・72.2SiO2
であった。
360ml用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行な
い、結晶性アルミノシリケート（ISI−7,純度100％）を
59.5g得た。焼成後の組成は1.3Cs2O・Al2O3・72.2SiO2
であった。
実施例４ 実施例１において、水熱反応を220℃，自己圧力下で４
日間行なったこと以外は、実施例１と同様の操作を行な
い、結晶性アルミノシリケート（ISI−7,純度100％）を
55.8g得た。焼成後の組成は1.2Cs2O・Al2O3・73.0SiO2
であった。
日間行なったこと以外は、実施例１と同様の操作を行な
い、結晶性アルミノシリケート（ISI−7,純度100％）を
55.8g得た。焼成後の組成は1.2Cs2O・Al2O3・73.0SiO2
であった。
比較例１ 実施例１において、Ａ液に臭化テトラエチルアンモニウ
ムを加えなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を
行なった。その結果、得られた生成物は非晶質を含むEU
−７ゼオライトであった。
ムを加えなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を
行なった。その結果、得られた生成物は非晶質を含むEU
−７ゼオライトであった。
比較例２ 実施例１において、Ｄ液（モノエタノールアミン）を用
いなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行なっ
た。その結果、得られた生成物は非晶質を含むZSM−５
ゼオライトであった。
いなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行なっ
た。その結果、得られた生成物は非晶質を含むZSM−５
ゼオライトであった。
第１図は実施例１で得られた結晶性アルミノシリケート
（ISI−７）のＸ線回折パターンを示す。ここでθはブ
ラッグ角を示す。なお、この際に用いたＸ線の波長は1.
5418Åである。
（ISI−７）のＸ線回折パターンを示す。ここでθはブ
ラッグ角を示す。なお、この際に用いたＸ線の波長は1.
5418Åである。
Claims (4)
- 【請求項１】焼成後のモル比で表わした組成が 一般式pCs2O・Al2O3・qSiO2 〔式中、p,qはそれぞれ次の範囲から選ばれる実数であ
る。 0.3≦ｐ≦3.0,q≧20〕 で表わされ、かつＸ線回折パターンが、格子面間隔ｄ（Å） 相対強度 11.26±0.2 弱い 9.09±0.2 弱い 8.04±0.15 弱い 7.06±0.15 弱い 5.64±0.15 弱い 4.79±0.15 弱い 4.53±0.15 弱い 4.30±0.1 弱い 格子面間隔ｄ（Å） 相対強度 4.12±0.1 弱い 3.94±0.1 強い 3.73±0.1 中程度 3.66±0.1 非常に強い 3.54±0.07 中程度 3.42±0.07 弱い 3.19±0.07 中程度 2.99±0.07 弱い 2.85±0.07 弱い 2.72±0.05 弱い 2.67±0.05 弱い 2.51±0.05 弱い 2.41±0.05 弱い で表わされることを特徴とする結晶性アルミノシリケー
ト。 - 【請求項２】（ａ）ケイ素源，（ｂ）アルミニウム源，
（ｃ）セシウム源，（ｄ）テトラアルキルアンモニウム
塩および（ｅ）一般式X1-C2H4-X2（式中、X1,X2はそれ
ぞれOHあるいはNH2を示す。）で表わされる化合物を含
有し、かつ各成分のモル比が シリカ／アルミナ≧10 セシウム／シリカ＝0.01〜3.0 テトラアルキルアンモニウム塩／シリカ＝0.01〜１ X1-C2H4-X2／シリカ＝0.01〜100水酸イオン／シリカ＝
0.005〜0.5（但し、水酸イオンの量は添加した無機塩基
の量から無機酸の量を差引いた量である。） である水性混合物を、80〜300℃にて結晶性アルミノシ
リケートが生成するまで反応させることを特徴とする、
焼成後のモル比で表わした組成が 一般式pCs2O・Al2O3・qSiO2 〔式中、p,qはそれぞれ次の範囲から選ばれる実数であ
る。 0.3≦ｐ≦3.0,q≧20〕 で表わされ、かつＸ線回折パターンが、格子面間隔ｄ（Å） 相対強度 11.26±0.2 弱い 9.09±0.2 弱い 8.04±0.15 弱い 7.06±0.15 弱い 5.64±0.15 弱い 4.79±0.15 弱い 4.53±0.15 弱い 4.30±0.1 弱い 4.12±0.1 弱い 3.94±0.1 強い 3.73±0.1 中程度 3.66±0.1 非常に強い 3.54±0.07 中程度 3.42±0.07 弱い 3.19±0.07 中程度 2.99±0.07 弱い 2.85±0.07 弱い 2.72±0.05 弱い 2.67±0.05 弱い 格子面間隔ｄ（Å） 相対強度 2.51±0.05 弱い 2.41±0.05 弱い で表わされる結晶性アルミノシリケートの製造方法。 - 【請求項３】（ｄ）テトラアルキルアンモニウム塩が臭
化テトラエチルアンモニウムである特許請求の範囲第２
項記載の方法。 - 【請求項４】（ｅ）一般式X1-C2H4-X2で表わされる化合
物がモノエタノールアミンである特許請求の範囲第２項
記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18888185A JPH0672010B2 (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 結晶性アルミノシリケ−ト及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18888185A JPH0672010B2 (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 結晶性アルミノシリケ−ト及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6252122A JPS6252122A (ja) | 1987-03-06 |
| JPH0672010B2 true JPH0672010B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=16231512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18888185A Expired - Lifetime JPH0672010B2 (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 結晶性アルミノシリケ−ト及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0672010B2 (ja) |
-
1985
- 1985-08-28 JP JP18888185A patent/JPH0672010B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6252122A (ja) | 1987-03-06 |
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