JPH0670244U - 電子回路装置 - Google Patents

電子回路装置

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JPH0670244U
JPH0670244U JP016018U JP1601893U JPH0670244U JP H0670244 U JPH0670244 U JP H0670244U JP 016018 U JP016018 U JP 016018U JP 1601893 U JP1601893 U JP 1601893U JP H0670244 U JPH0670244 U JP H0670244U
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都美 坪田
敏 羽鳥
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 電力変換回路を搭載した電子回路において、
プリント配線板間に接続線の位置決めを容易とし、封止
樹脂の注入を十分かつ高速になし得ることを目的とす
る。 【構成】 半導体チップS1〜S6による電力変換回路を
搭載した金属ベ−ス配線板1を下層に、又、駆動回路D
1〜D6、入力端子+−、出力端子UVWを搭載した絶縁
ベ−ス配線板2を上層とし、絶縁枠体3及び封止樹脂に
より構成し、1上の第1の接続線5及び第2の接続線6
を、2に設けた樹脂流通孔4周辺の第1の半田ランド7
−1、7−2に半田付けし、5−6間は封止樹脂の一部
で絶縁する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、電子回路装置、特に、金属ベ−ス配線板及び絶縁ベ−ス配線板に より構成した電子回路装置の構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、電力変換回路として、例えば、バイポ−ラトランジスタ、FET、I (2) GBT等のパワ−用半導体素子により構成されるインバ−タ回路、整流回路 等が知られている。又、電力変換回路には所定の動作をさせるための必要な 駆動回路や保護回路等が付設され、電子回路装置を構成する。その電子回路 装置の構成における各部品の実装及び配線は一般に、プリント配線板が用い られている。
【0003】 プリント配線板としては、ガラス・エポキシ銅張積層板、紙・フェノ−ル銅 張積層板などのような絶縁ベ−ス面に銅箔を形成した絶縁ベ−ス配線板や放 熱性の優れたアルミベ−ス銅張板などの金属ベ−ス配線板が広く実用化され ている。
【0004】 図1は、電力変換回路を例示する回路図であり、Aは電力変換部で、S1〜 S6の半導体チップ、+−の直流入力端子、U、V、Wの交流出力端子など から成り、Bは駆動回路部で、駆動回路D1〜D6や電源回路Cなどから成る。
【0005】 図1は、図示しない電池又は整流装置からの直流電源を直流入力端子+、− に接続し、3相ブリッジ接続された半導体スイッチ素子S1〜S6に駆動回路 Bから駆動信号を供給して、所望の周波数の交流出力に変換して、例えば、 電動機負荷に給電する周知の電力変換回路を構成する。又、過電流、過温度、 電圧低下等の保護回路が必要に応じて付設される。
【0006】 このような電力変換回路を具体的にアセンブリするには、前記せるプリント 配線板に配線パタ−ンを形成し、各構成部品を半田付けにより所定位置に実 装して電子回路装置を構成する手段がとられている。しかしながら、従来構 造では次に述べる種々の問題点がある。
【0007】
【考案が解決しようとする課題】
解決しようとする問題点は、一枚の絶縁ベ−ス配線板に電力変換回路及び駆 (3) 動回路等を搭載した場合、放熱設計がむつかしく、大型化する。又、プリン ト配線板を単に分割構成した場合、配線板間の配線接続において、接続線の スル−ホ−ルへの位置決めが厄介であり、又、配線板間の封止樹脂の充填が 不完全となりやすい。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本考案は複数個の半導体チップによる電力変換回路を搭載した金属ベ−ス配 線板と、電力変換回路の駆動回路、入力端子、及び出力端子を搭載した絶縁 ベ−ス配線板と、各配線板に搭載した構成物を包囲する絶縁枠体と、絶縁枠 体内の封止樹脂とから成り、絶縁ベ−ス配線板が上層、金属ベ−ス配線板が 下層となるように二層に形成し、金属ベ−ス配線板上には、半導体チップと 駆動回路とを接続する第1の接続線、及び半導体チップと入力端子又は出力 端子とを接続する第2の接続線のそれぞれを複数本設け、絶縁ベ−ス配線板 には、第1の接続線と第2の接続線の少なくとも一組を挿入する樹脂流通孔 を設け、樹脂流通孔周辺に第1の半田付けランドを形成し、樹脂流通孔内の 第1及び第2の接続線相互間を封止樹脂の一部により絶縁すると共に、第1 及び第2の接続線を第1の半田付けランドで半田接続したことを特徴とする 電子回路装置。 又、その電子回路装置の絶縁ベ−ス配線板周辺に第2の半田付けランドを形 成し、第1又は第2の接続線の一部を第2の半田付けランドに半田接続した ことを特徴とする構成、及び樹脂流通孔を封止樹脂の注入口としたことを特 徴とする構成である。それにより、配線板間の接続線の位置決めや封止樹脂 の注入が容易となるなど、小型で製造容易な電子回路装置を実現する。
【0009】
【実施例】
図2は、本考案の実施例を示す側面図である。又、図3は、図2の各プリン ト配線板の平面図で、(a)は金属ベ−ス配線板、(b)は絶縁ベ−ス配線 板を示す。1は金属ベ−ス配線板、2は絶縁ベ−ス配線板、3は1、2に搭 (4) 載した部品等の構成物を包囲する絶縁枠体、4は2に設けた樹脂流通孔、5 は半導体チップS1〜S6と駆動回路D1〜D6とをそれぞれ接続する第1の接 続線、6は半導体チップS1〜S6と入力端子+−又は出力端子UVWとをそ れぞれ接続する第2の接続線、7−1、7−2は樹脂流通孔4周辺に形成し た第1の半田付けランド、8は絶縁ベ−ス配線板2周辺に形成した第2の半 田付けランド、9は絶縁枠体3内に充填した封止樹脂、Cは駆動回路D1〜 D6の電源回路である。
【0010】 本考案構造は、電力処理容量の比較的大きい半導体チップS1〜S6から成る 電力変換回路等を搭載した金属ベ−ス配線板1を下層に、又駆動回路D1〜 D6、入力端子+−、出力端子UVW等を搭載した絶縁ベ−ス配線板2を上 層となるように二層構造とする。金属ベ−ス配線板1の下面は金属を露出さ せ、半導体チップの発熱を有効に放散させることができ、外部への導出の入、 出力端子や駆動回路等を上層の絶縁ベ−ス配線板に搭載して構成するので小 型で信頼性の高い構造を得る。
【0011】 又、第1の接続線5、及び第2の接続線6はそれぞれ、図3(a)の配線パ タ−ン上に半田付けされ、図3(b)の樹脂流通孔4周辺に形成した第1の 半田付けランド7−1に第1の接続線5の他端を、又他の第1の半田付けラ ンド7−2に第2の接続線6の他端を半田接続する。
【0012】 樹脂流通孔4には、少なくとも一組の第1の接続線5及び第2の接続線6が 挿入され、5、6間の間隔は注入した封止樹脂9で十分、絶縁するように形 成し、挿入する接続線の位置決めを容易にする例えば、接続線の線径の4倍 以上にする。
【0013】 又、樹脂流通孔4は、金属ベ−ス配線板1と絶縁ベ−ス配線板2の間に封止 樹脂9を一次注入するための注入ノズルの挿入に適する大きさとすることが (5) 好ましい。それにより、1、2間の一次注入及び2の上部の二次注入にわた る樹脂充填を完全に、かつ高速に処理できる。
【0014】 従来構造では、絶縁枠体と絶縁ベ−ス配線板との空隙から樹脂注入を行うこ とになるが、その空隙分だけ大型となる。本考案構造の図3の実施例では、 絶縁ベ−ス配線板2の周辺に第2の半田ランド8を設けて、第1、第2の接 続線5、6の一部を半田接続しているが、接続線が接する2の部分には凹部 を形成し、出来るだけ、絶縁枠体3と2の間隙を小ならしめ、外形が増加し ないように配慮している。
【0015】 本考案構造の実施例は、種々の変形をなし得るものであり、例えば、樹脂流 通孔、半田ランド、配線パタ−ン等の形状を変えること、保護回路、その他 の付属品の搭載、樹脂流通孔の第1の半田ランドのみによる接続線の接続等 の変形、付加、変換等の変更をしても本考案の要旨の範囲で本願権利に含ま れるものである。
【0016】
【考案の効果】
以上の説明のとおり、絶縁ベ−ス配線板に樹脂流通孔を設けることにより、 接続線の位置決め及び接続線間の絶縁を容易とし、又、封止樹脂の注入を十 分かつ高速になし得るので電力変換回路を搭載した電子回路装置を製造容易 かつ小型に構成でき、産業上の利用効果大なるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】電力変換回路を例示する回路図である。
【図2】本考案の実施例を示す側面図である。
【図3】図2の各プリント配線板の平面図であり、
(a)は金属ベ−ス配線板、(b (6) )は絶縁ベ−ス配線板である。
【符号の説明】
1 金属ベ−ス配線板 2 絶縁ベ−ス配線板 3 絶縁枠体 4 樹脂流通孔 5 第1の接続線 6 第2の接続線 7-1、7-2 第1の半田付けランド 8 第2の半田付けランド 9 封止樹脂 A 電力変換部 B 駆動回路部 C 電源回路 D1〜D6 駆動回路 S1〜S6 半導体チップ U、V、W 交流出力端子 +、− 直流入力端子

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数個の半導体チップによる電力変換回
    路を搭載した金属ベ−ス配線板と、電力変換回路の駆動
    回路、入力端子、及び出力端子を搭載した絶縁ベ−ス配
    線板と、各配線板に搭載した構成物を包囲する絶縁枠体
    と、絶縁枠体内の封止樹脂とから成り、絶縁ベ−ス配線
    板が上層、金属ベ−ス配線板が下層となるように二層に
    形成し、金属ベ−ス配線板上には、半導体チップと駆動
    回路とを接続する第1の接続線、及び半導体チップと入
    力端子又は出力端子とを接続する第2の接続線のそれぞ
    れを複数本設け、絶縁ベ−ス配線板には、第1の接続線
    と第2の接続線の少なくとも一組を挿入する樹脂流通孔
    を設け、樹脂流通孔周辺に第1の半田付けランドを形成
    し樹脂流通孔内の第1及び第2の接続線相互間を封止樹
    脂の一部により絶縁すると共に、第1及び第2の接続線
    を第1の半田付けランドで半田接続したことを特徴とす
    る電子回路装置。
  2. 【請求項2】 絶縁ベ−ス配線板間周辺に第2の半田付
    けランドを形成し、第1又は第2の接続線の一部を第2
    の半田付けランドに半田接続したことを特徴とする請求
    項1の電子回路装置。
  3. 【請求項3】 樹脂流通孔を封止樹脂の注入口としたこ
    とを特徴とする請求項1又は請求項2の電子回路装置。
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JP2013021371A (ja) * 2012-10-29 2013-01-31 Okutekku:Kk 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2018125494A (ja) * 2017-02-03 2018-08-09 三菱電機株式会社 半導体装置及び電力変換装置

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