JPH0241866Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0241866Y2 JPH0241866Y2 JP1981021252U JP2125281U JPH0241866Y2 JP H0241866 Y2 JPH0241866 Y2 JP H0241866Y2 JP 1981021252 U JP1981021252 U JP 1981021252U JP 2125281 U JP2125281 U JP 2125281U JP H0241866 Y2 JPH0241866 Y2 JP H0241866Y2
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- Japan
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- mother carrier
- package
- carrier
- connection lead
- mother
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体装置に関し、特に半導体パツケ
ージを搭載するマザーキヤリヤの新規な構造に関
する。
ージを搭載するマザーキヤリヤの新規な構造に関
する。
従来、半導体素子はパツケージ周囲から外部リ
ード端子を導出せしめてあり、これを回路基板
（プリント基板）に実装しているが、半導体素子
がIC，LSIあるいはマイクロコンピユータともな
れば多数のリード端子を有しているため、実装操
作は容易ではなく、且つ回路基板内の配線構造が
複雑となる。更には多数のリード端子を周囲から
導出せしめると半導体素子を収容するパツケージ
は大型となり、上記回路基板内の複雑化と相まつ
て回路基板の高密度化を阻害する欠点がある。そ
のため、予め半導体素子を装着せしめたマザーキ
ヤリヤを回路基板に実装する方式が採られてお
り、この場合には同じく高密度化する目的で、半
導体素子はリードレスパツケージに収容されたも
のを用いることが多く、そのためにマザーキヤリ
ヤはリードレスパツケージキヤリヤとも呼ばれて
いる。
ード端子を導出せしめてあり、これを回路基板
（プリント基板）に実装しているが、半導体素子
がIC，LSIあるいはマイクロコンピユータともな
れば多数のリード端子を有しているため、実装操
作は容易ではなく、且つ回路基板内の配線構造が
複雑となる。更には多数のリード端子を周囲から
導出せしめると半導体素子を収容するパツケージ
は大型となり、上記回路基板内の複雑化と相まつ
て回路基板の高密度化を阻害する欠点がある。そ
のため、予め半導体素子を装着せしめたマザーキ
ヤリヤを回路基板に実装する方式が採られてお
り、この場合には同じく高密度化する目的で、半
導体素子はリードレスパツケージに収容されたも
のを用いることが多く、そのためにマザーキヤリ
ヤはリードレスパツケージキヤリヤとも呼ばれて
いる。
従つて、マザーキヤリヤ内部では回路基板に好
都合な配線が設けられて、回路基板内での配線が
簡素化されるようにはかつてあるが、通常マザー
キヤリヤはセラミツク製又は積層された有機合成
樹脂製で、内部には当然多層配線構造が形成され
る。第１図はリードレスパツケージを搭載したマ
ザーキヤリヤの一実施例を断面図で示したもの
で、１はマザーキヤリヤ、２はマザーキヤリヤ１
のリード端子、３はマザーキヤリヤの内部配線、
４はリードレスパツケージ、５は半導体チツプ、
６はマザーキヤリヤ１とパツケージ４との接合部
である。
都合な配線が設けられて、回路基板内での配線が
簡素化されるようにはかつてあるが、通常マザー
キヤリヤはセラミツク製又は積層された有機合成
樹脂製で、内部には当然多層配線構造が形成され
る。第１図はリードレスパツケージを搭載したマ
ザーキヤリヤの一実施例を断面図で示したもの
で、１はマザーキヤリヤ、２はマザーキヤリヤ１
のリード端子、３はマザーキヤリヤの内部配線、
４はリードレスパツケージ、５は半導体チツプ、
６はマザーキヤリヤ１とパツケージ４との接合部
である。
ところが、この様な構造のマザーキヤリヤはセ
ラミツク製は勿論のこと、有機樹脂製でも多層配
線構造としなければならない。又、集積度が高く
なつた半導体素子は発熱量も多くなるが冷却する
ことが難しい。そのため、従来は第２図の実施例
に示す様に、放熱搭７をパツケージ４の上面に取
り付けて、強制空冷しているが、構造が複雑とな
る。
ラミツク製は勿論のこと、有機樹脂製でも多層配
線構造としなければならない。又、集積度が高く
なつた半導体素子は発熱量も多くなるが冷却する
ことが難しい。そのため、従来は第２図の実施例
に示す様に、放熱搭７をパツケージ４の上面に取
り付けて、強制空冷しているが、構造が複雑とな
る。
本考案はかような従来の欠点を解決し、構造が
簡単なマザーキヤリヤを提供することを目的と
し、接続リードと、該接続リードの外側端部と内
側端部の間にモールド成形により設けられた枠状
のマザーキヤリアと、該マザーキヤリア内壁に囲
まれた前記接続リードの内側端部に電気的に接続
されたリードレス半導体パツケージを有し、且つ
前記枠状のマザーキヤリア内壁とリードレス半導
体パツケージとの間に冷却用の風が流通する。半
導体装置を提案するものである。以下、図面を参
照して説明する。
簡単なマザーキヤリヤを提供することを目的と
し、接続リードと、該接続リードの外側端部と内
側端部の間にモールド成形により設けられた枠状
のマザーキヤリアと、該マザーキヤリア内壁に囲
まれた前記接続リードの内側端部に電気的に接続
されたリードレス半導体パツケージを有し、且つ
前記枠状のマザーキヤリア内壁とリードレス半導
体パツケージとの間に冷却用の風が流通する。半
導体装置を提案するものである。以下、図面を参
照して説明する。
第３図は本考案によるマザーキヤリヤの一実施
例の平面図、第４図は第３図のAA′断面を示して
おり、接続リード１０は有機樹脂１１で中央部が
固定され、接続リードの内側端子１２と外側のリ
ード端子１３が露出された構造である。この様な
構造は公知の半導体装置のモールド封止法によつ
て容易に形成することができる。即ち銅合金材料
等をエツチング法又は打抜き法によつてリードフ
レームに形成し、モールド金型にエポキシ樹脂な
どの有機樹脂材料を加熱注入し、加圧整形して、
固化させた後、機械加工して余分のタイバーを切
断する。次いで折り曲げ型で外部リード端子を整
形することによつて、本考案にかかるマザーキヤ
リヤが完成される。図において、点線はリードレ
スパツケージ４を示し、該パツケージは接続リー
ドの内側端で保持されており、接合部１４でマザ
ーキヤリヤとパツケージとが接続され、接合方法
は半田付けの他に熱圧着、溶液などが用いられ
る。
例の平面図、第４図は第３図のAA′断面を示して
おり、接続リード１０は有機樹脂１１で中央部が
固定され、接続リードの内側端子１２と外側のリ
ード端子１３が露出された構造である。この様な
構造は公知の半導体装置のモールド封止法によつ
て容易に形成することができる。即ち銅合金材料
等をエツチング法又は打抜き法によつてリードフ
レームに形成し、モールド金型にエポキシ樹脂な
どの有機樹脂材料を加熱注入し、加圧整形して、
固化させた後、機械加工して余分のタイバーを切
断する。次いで折り曲げ型で外部リード端子を整
形することによつて、本考案にかかるマザーキヤ
リヤが完成される。図において、点線はリードレ
スパツケージ４を示し、該パツケージは接続リー
ドの内側端で保持されており、接合部１４でマザ
ーキヤリヤとパツケージとが接続され、接合方法
は半田付けの他に熱圧着、溶液などが用いられ
る。
この様な構造とすると、接続リードは銅材など
の良導電体を用いることができるので、従来のキ
ヤリヤより低抵抗の配線がえられて、回路特性の
向上に役立ち、且つ接続リードは上記のようにエ
ツチングで蝕刻して形成し、又打抜型で形成すれ
ば、如何なる複雑な形状にも形成することが可能
であるから、従来の多層構造としたセラミツク製
や積層有機樹脂製のマザーキヤリヤと同等の配線
あるいはそれ以上の配線構造を内蔵せしめること
ができる。
の良導電体を用いることができるので、従来のキ
ヤリヤより低抵抗の配線がえられて、回路特性の
向上に役立ち、且つ接続リードは上記のようにエ
ツチングで蝕刻して形成し、又打抜型で形成すれ
ば、如何なる複雑な形状にも形成することが可能
であるから、従来の多層構造としたセラミツク製
や積層有機樹脂製のマザーキヤリヤと同等の配線
あるいはそれ以上の配線構造を内蔵せしめること
ができる。
更には、リードレスパツケージ４の接合部１４
は裏側を空とすることができるため、放熱搭を設
ける必要なく強制空冷ができるので、集積度が高
くて、発熱量も多い半導体装置に好適であると共
に、そのまゝ裏面より半導体素子の特性をプロー
ビングによつて、検知しうる利点もある。
は裏側を空とすることができるため、放熱搭を設
ける必要なく強制空冷ができるので、集積度が高
くて、発熱量も多い半導体装置に好適であると共
に、そのまゝ裏面より半導体素子の特性をプロー
ビングによつて、検知しうる利点もある。
又、本考案のマザーキヤリヤはモールド整形で
あるから、マザーキヤリヤそのものを所望の形状
に容易に形成することができて、回路基板上の実
装密度向上に貢献する効果があるものでもある。
あるから、マザーキヤリヤそのものを所望の形状
に容易に形成することができて、回路基板上の実
装密度向上に貢献する効果があるものでもある。
そして、勿論所期通りに構造が簡単なマザーキ
ヤリヤがえられて、電子回路の低廉化に大きく寄
与することは言うまでもない。
ヤリヤがえられて、電子回路の低廉化に大きく寄
与することは言うまでもない。
第１図及び第２図は従来のマザーキヤリヤの断
面図で、第３図は本考案によるマザーキヤリヤの
一実施例の平面図、第４図はその断面図である。
図中、１０は接続リード、１１は有機樹脂、１２
は接続リードの内側端子、１３は接続リードの外
側リード端子、１４は接合部を示す。
面図で、第３図は本考案によるマザーキヤリヤの
一実施例の平面図、第４図はその断面図である。
図中、１０は接続リード、１１は有機樹脂、１２
は接続リードの内側端子、１３は接続リードの外
側リード端子、１４は接合部を示す。
Claims (1)
- 接続リードと、該接続リードの外側端部と内側
端部の間にモールド成形により設けられた枠状の
マザーキヤリアと、該マザーキヤリア内壁に囲ま
れた前記接続リードの内側端部に電気的に接続さ
れたリードレス半導体パツケージとを有し、且つ
前記枠状のマザーキヤリア内壁とリードレス半導
体パツケージとの間に冷却用の風が流通する空隙
を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981021252U JPH0241866Y2 (ja) | 1981-02-17 | 1981-02-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981021252U JPH0241866Y2 (ja) | 1981-02-17 | 1981-02-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57134853U JPS57134853U (ja) | 1982-08-23 |
| JPH0241866Y2 true JPH0241866Y2 (ja) | 1990-11-08 |
Family
ID=29819133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981021252U Expired JPH0241866Y2 (ja) | 1981-02-17 | 1981-02-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0241866Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5257144B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2013-08-07 | 豊田合成株式会社 | 発光装置、及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5268369A (en) * | 1975-12-05 | 1977-06-07 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS53105969A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Hitachi Ltd | Manufacture of connection structure and wiring for semiconductor device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5318264Y2 (ja) * | 1972-05-26 | 1978-05-16 | ||
| JPS50135062U (ja) * | 1974-04-23 | 1975-11-07 |
-
1981
- 1981-02-17 JP JP1981021252U patent/JPH0241866Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5268369A (en) * | 1975-12-05 | 1977-06-07 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS53105969A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Hitachi Ltd | Manufacture of connection structure and wiring for semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57134853U (ja) | 1982-08-23 |
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