JPH0669216A - パワートランジスタ - Google Patents
パワートランジスタInfo
- Publication number
- JPH0669216A JPH0669216A JP22124892A JP22124892A JPH0669216A JP H0669216 A JPH0669216 A JP H0669216A JP 22124892 A JP22124892 A JP 22124892A JP 22124892 A JP22124892 A JP 22124892A JP H0669216 A JPH0669216 A JP H0669216A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- region
- area
- side bonding
- power transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 エミッタ領域の一部が不活性化することによ
る注入キャリアの残留を防止してスイッチング特性の向
上をはかる。 【構成】 エミッタ側ボンディング領域をエミッタ領域
以外の部分に形成する。 【効果】 エミッタ領域とベースコンタクト領域の間に
局部的に離れた部分ができるのを回避できる。
る注入キャリアの残留を防止してスイッチング特性の向
上をはかる。 【構成】 エミッタ側ボンディング領域をエミッタ領域
以外の部分に形成する。 【効果】 エミッタ領域とベースコンタクト領域の間に
局部的に離れた部分ができるのを回避できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パワートランジスタ、
さらには高速スイッチング特性を要求されるパワートラ
ンジスタに適用して有効な技術に関するものであって、
たとえば高性能水平偏向用プレーナ・トランジスタに利
用して有効な技術に関するものである。
さらには高速スイッチング特性を要求されるパワートラ
ンジスタに適用して有効な技術に関するものであって、
たとえば高性能水平偏向用プレーナ・トランジスタに利
用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の水平偏向用パワートランジ
スタの概略構成を示したものであって、１はシリコン半
導体基板、１１はコレクタ領域（Ｃ）、１２はコレクタ
領域１１内に拡散形成されたベース領域（Ｂ）、１３は
ベース領域１２内に拡散形成されたエミッタ領域
（Ｅ）、２２はベース領域１２上に形成されたベースコ
ンタクト部、２３はエミッタ領域１３上に形成されたエ
ミッタコンタクト部、３３はエミッタ側ボンディング領
域、４１は酸化膜、４２はパシベーション膜である。
スタの概略構成を示したものであって、１はシリコン半
導体基板、１１はコレクタ領域（Ｃ）、１２はコレクタ
領域１１内に拡散形成されたベース領域（Ｂ）、１３は
ベース領域１２内に拡散形成されたエミッタ領域
（Ｅ）、２２はベース領域１２上に形成されたベースコ
ンタクト部、２３はエミッタ領域１３上に形成されたエ
ミッタコンタクト部、３３はエミッタ側ボンディング領
域、４１は酸化膜、４２はパシベーション膜である。
【０００３】ベースコンタクト部２２は、エミッタ側ボ
ンディング領域３３以外の部分にて、エミッタコンタク
ト部２３と互いに櫛状に入り組んで形成されている。
ンディング領域３３以外の部分にて、エミッタコンタク
ト部２３と互いに櫛状に入り組んで形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た技術には、次のような問題のあることが本発明者らに
よってあきらかとされた。
た技術には、次のような問題のあることが本発明者らに
よってあきらかとされた。
【０００５】すなわち、上述した従来のパワートランジ
スタでは、エミッタ側ボンディング領域３３の下のエミ
ッタ領域部分１３１がベースコンタクト部２２から局部
的に離れていることにより、その部分１３１が不活性に
なり、これによりベースからの注入キャリアが残留しや
すくなってトランジスタのスイッチング特性に影響し、
とくにオフ時のスイッチング波形が悪くなるという問題
が生じる。
スタでは、エミッタ側ボンディング領域３３の下のエミ
ッタ領域部分１３１がベースコンタクト部２２から局部
的に離れていることにより、その部分１３１が不活性に
なり、これによりベースからの注入キャリアが残留しや
すくなってトランジスタのスイッチング特性に影響し、
とくにオフ時のスイッチング波形が悪くなるという問題
が生じる。
【０００６】本発明の目的は、エミッタ領域の一部が不
活性化することによる注入キャリアの残留を防止してス
イッチング特性の向上をはかる、という技術を提供する
ことにある。
活性化することによる注入キャリアの残留を防止してス
イッチング特性の向上をはかる、という技術を提供する
ことにある。
【０００７】本発明の前記ならびにそのほかの目的と特
徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかにな
るであろう。
徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかにな
るであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【０００９】すなわち、エミッタ側ボンディング領域を
エミッタ領域以外の部分に形成する、というものであ
る。
エミッタ領域以外の部分に形成する、というものであ
る。
【００１０】
【作用】上述した手段によれば、エミッタ領域とベース
コンタクト領域の間に局部的に離れた部分ができるのを
回避することができる。
コンタクト領域の間に局部的に離れた部分ができるのを
回避することができる。
【００１１】これにより、エミッタ領域の一部が不活性
化することによる注入キャリアの残留を防止してスイッ
チング特性の向上をはかる、という目的が達成される。
化することによる注入キャリアの残留を防止してスイッ
チング特性の向上をはかる、という目的が達成される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１３】なお、図において、同一符号は同一あるい
は相当部分を示すものとする。
は相当部分を示すものとする。
【００１４】図１は本発明の技術が適用されたパワート
ランジスタの一実施例を示す。
ランジスタの一実施例を示す。
【００１５】同図に示したパワートランジスタは水平偏
向用パワートランジスタとして構成されたものであっ
て、１はシリコン半導体基板、１１はコレクタ領域
（Ｃ）、１２はコレクタ領域１１内に拡散形成されたベ
ース領域（Ｂ）、１３はベース領域１２内に拡散形成さ
れたエミッタ領域（Ｅ）、２２はベース領域１２上に形
成されたベースコンタクト部、２３はエミッタ領域１３
上に形成されたエミッタコンタクト部、３３はエミッタ
側ボンディング領域、４１は酸化膜、４２はパシベーシ
ョン膜である。
向用パワートランジスタとして構成されたものであっ
て、１はシリコン半導体基板、１１はコレクタ領域
（Ｃ）、１２はコレクタ領域１１内に拡散形成されたベ
ース領域（Ｂ）、１３はベース領域１２内に拡散形成さ
れたエミッタ領域（Ｅ）、２２はベース領域１２上に形
成されたベースコンタクト部、２３はエミッタ領域１３
上に形成されたエミッタコンタクト部、３３はエミッタ
側ボンディング領域、４１は酸化膜、４２はパシベーシ
ョン膜である。
【００１６】ここで、エミッタ領域１３はエミッタ側ボ
ンディング領域３３の下の部分３３１だけが削り取られ
たように形成されている。これにより、エミッタ側ボン
ディング領域３３がエミッタ領域１３以外のところの酸
化膜４１上に形成されているとともに、ベースコンタク
ト部２２とエミッタコンタクト部２３とが局部的に離れ
ることなく全体にわたって互いに櫛状に入り組まされて
いる。
ンディング領域３３の下の部分３３１だけが削り取られ
たように形成されている。これにより、エミッタ側ボン
ディング領域３３がエミッタ領域１３以外のところの酸
化膜４１上に形成されているとともに、ベースコンタク
ト部２２とエミッタコンタクト部２３とが局部的に離れ
ることなく全体にわたって互いに櫛状に入り組まされて
いる。
【００１７】次に、動作について説明する。
【００１８】図１に示したパワートランジスタでは、エ
ミッタ側ボンディング領域３３がエミッタ領域１２以外
の部分に形成されていることにより、エミッタ領域１３
とベースコンタクト領域２２との間に局部的に離れた部
分ができるのを回避している。
ミッタ側ボンディング領域３３がエミッタ領域１２以外
の部分に形成されていることにより、エミッタ領域１３
とベースコンタクト領域２２との間に局部的に離れた部
分ができるのを回避している。
【００１９】これにより、エミッタ領域１２の一部が不
活性化することによる注入キャリアの残留が防止されて
スイッチング特性が向上させられる。とくに、オフ時の
スイッチング波形が改善される。
活性化することによる注入キャリアの残留が防止されて
スイッチング特性が向上させられる。とくに、オフ時の
スイッチング波形が改善される。
【００２０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例にもとづき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例にもとづき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００２１】以上の説明では主として、本発明者によっ
てなされた発明をその背景となった利用分野である水平
偏向用のパワートランジスタに適用した場合について説
明したが、それに限定されるものではなく、たとえば通
信用の高周波パワートランジスタにも適用できる。
てなされた発明をその背景となった利用分野である水平
偏向用のパワートランジスタに適用した場合について説
明したが、それに限定されるものではなく、たとえば通
信用の高周波パワートランジスタにも適用できる。
【００２２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
【００２３】すなわち、エミッタ領域の一部が不活性化
することによる注入キャリアの残留を防止してスイッチ
ング特性の向上をはかることができる、という効果が得
られる。
することによる注入キャリアの残留を防止してスイッチ
ング特性の向上をはかることができる、という効果が得
られる。
【図１】本発明の技術が適用されたパワートランジスタ
の第１の実施例を示す平面図
の第１の実施例を示す平面図
【図２】図１におけるＡ−Ａ線に沿った断面図
【図３】従来のパワートランジスタの構成例を示す平面
図
図
【図４】図３におけるＡ−Ａ線に沿った断面図
１ シリコン半導体基板 １１ コレクタ領域（Ｃ） １２ ベース領域（Ｂ） １３ エミッタ領域（Ｅ） ２２ ベースコンタクト部 ２３ エミッタコンタクト部 ３３ エミッタ側ボンディング領域 ４１ 酸化膜 ４２ パシベーション膜
Claims (2)
- 【請求項１】 エミッタ側ボンディング領域をエミッタ
領域以外の部分に形成したことを特徴とするパワートラ
ンジスタ。 - 【請求項２】 エミッタ側ボンディング領域をエミッタ
領域以外のところの酸化膜上に形成するとともに、ベー
スコンタクト部とエミッタコンタクト部とを局部的に離
すことなく全体にわたって互いに櫛状に入り組ませて形
成したことを特徴とするパワートランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22124892A JPH0669216A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | パワートランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22124892A JPH0669216A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | パワートランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669216A true JPH0669216A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16763796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22124892A Pending JPH0669216A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | パワートランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669216A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102656670A (zh) * | 2009-12-21 | 2012-09-05 | Nxp股份有限公司 | 具有多层接触的半导体器件 |
-
1992
- 1992-08-20 JP JP22124892A patent/JPH0669216A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102656670A (zh) * | 2009-12-21 | 2012-09-05 | Nxp股份有限公司 | 具有多层接触的半导体器件 |
| US9331186B2 (en) | 2009-12-21 | 2016-05-03 | Nxp B.V. | Semiconductor device with multilayer contact and method of manufacturing the same |
| US9466688B2 (en) | 2009-12-21 | 2016-10-11 | Nxp B.V. | Semiconductor device with multilayer contact and method of manufacturing the same |
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