JPH0668783A - 微小電界放出陰極装置 - Google Patents
微小電界放出陰極装置Info
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- JPH0668783A JPH0668783A JP22170892A JP22170892A JPH0668783A JP H0668783 A JPH0668783 A JP H0668783A JP 22170892 A JP22170892 A JP 22170892A JP 22170892 A JP22170892 A JP 22170892A JP H0668783 A JPH0668783 A JP H0668783A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体の微細加工技術を用いて作製される微小
電界放出陰極装置に関し、微小電界放出陰極装置におけ
る配線パターンの剥離を未然に防止することを目的とす
る。 【構成】基板上に形成した鋭く尖ったエミッタティップ
部から電界放出により電子ビームを取り出す微小電界放
出陰極装置において、引き出し電極などの配線パターン
部を、シリサイドあるいはシリサイドと絶縁膜との間に
シリコン層を入れるいわゆるポリサイドで構成する。
電界放出陰極装置に関し、微小電界放出陰極装置におけ
る配線パターンの剥離を未然に防止することを目的とす
る。 【構成】基板上に形成した鋭く尖ったエミッタティップ
部から電界放出により電子ビームを取り出す微小電界放
出陰極装置において、引き出し電極などの配線パターン
部を、シリサイドあるいはシリサイドと絶縁膜との間に
シリコン層を入れるいわゆるポリサイドで構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の微細加工技術
を用いて作製される微小電界放出陰極装置に関する。微
小電界放出陰極は、サイズがミクロンオーダーなので、
高密度の集積化が可能であり、電子源としての性能を考
えた場合、熱陰極に比べて高効率、高輝度などの利点を
有する。また、放出された電子は真空中を通過するの
で、固体素子より高速で移動できる。これらの特長をい
かして、高速演算素子、薄型の高輝度ディスプレーなど
への応用が期待できる。
を用いて作製される微小電界放出陰極装置に関する。微
小電界放出陰極は、サイズがミクロンオーダーなので、
高密度の集積化が可能であり、電子源としての性能を考
えた場合、熱陰極に比べて高効率、高輝度などの利点を
有する。また、放出された電子は真空中を通過するの
で、固体素子より高速で移動できる。これらの特長をい
かして、高速演算素子、薄型の高輝度ディスプレーなど
への応用が期待できる。
【０００２】
【従来の技術】図４に従来の微小電界放出陰極装置の断
面図を示す。Si基板１上に先端が尖った円錐状の陰極テ
ィップ( エミッタティップ）２が形成されており、この
エミッタティップ２を囲むように形成された絶縁層３の
上に、電子引き出し用のゲート電極（以下「引き出し電
極」と呼ぶ）４が形成されている。なお、エミッタティ
ップ２および絶縁層３と基板１との間に、カソード電極
５の層を設けてもよい。
面図を示す。Si基板１上に先端が尖った円錐状の陰極テ
ィップ( エミッタティップ）２が形成されており、この
エミッタティップ２を囲むように形成された絶縁層３の
上に、電子引き出し用のゲート電極（以下「引き出し電
極」と呼ぶ）４が形成されている。なお、エミッタティ
ップ２および絶縁層３と基板１との間に、カソード電極
５の層を設けてもよい。
【０００３】エミッタティップ２と引き出し電極４間に
電圧を印加すると、エミッタティップ２のコーン先端に
大きな電圧が加わり、電界放射が起きる。このような作
用を利用したマイクロ真空管は、半導体素子に比べ、電
子の移動度が大きく高速動作が可能であり、高温、放射
線損傷に強い。これらの特徴を生かし、マイクロウェー
ブ素子、超高速演算素子、耐放射線環境（宇宙、原子
炉）素子、耐高温環境素子、表示素子などへの応用が期
待できる。
電圧を印加すると、エミッタティップ２のコーン先端に
大きな電圧が加わり、電界放射が起きる。このような作
用を利用したマイクロ真空管は、半導体素子に比べ、電
子の移動度が大きく高速動作が可能であり、高温、放射
線損傷に強い。これらの特徴を生かし、マイクロウェー
ブ素子、超高速演算素子、耐放射線環境（宇宙、原子
炉）素子、耐高温環境素子、表示素子などへの応用が期
待できる。
【０００４】図５は図４に示すSpindt型の微小電界放出
陰極装置の作製プロセスを示す断面図である。まず、工
程(1) において、Si基板１の上に、絶縁層３を形成する
ためのSiO2層3aをスパッタなどの手法で２μｍ厚程度積
層して熱酸化させ、その上に引き出し電極４を形成する
ためのMo層4aを蒸着などの手法で0.2 μｍ厚程度積層す
る。
陰極装置の作製プロセスを示す断面図である。まず、工
程(1) において、Si基板１の上に、絶縁層３を形成する
ためのSiO2層3aをスパッタなどの手法で２μｍ厚程度積
層して熱酸化させ、その上に引き出し電極４を形成する
ためのMo層4aを蒸着などの手法で0.2 μｍ厚程度積層す
る。
【０００５】そして、工程(2) で、ホトレジストを塗布
し硬化させてパターニングすることでマスク６を形成
し、工程（３）において、該マスク６の上から、ドライ
エッチング（ＲＩＥ）またはウェットエッチングによっ
て、SiO2層3aおよびMo層4aに円形の孔７を形成した後、
レジスト６をエッチングして除去する。
し硬化させてパターニングすることでマスク６を形成
し、工程（３）において、該マスク６の上から、ドライ
エッチング（ＲＩＥ）またはウェットエッチングによっ
て、SiO2層3aおよびMo層4aに円形の孔７を形成した後、
レジスト６をエッチングして除去する。
【０００６】次いで、工程(4) において、SiO2基板１を
回転させながら、斜めからアルミナなどを0.3 〜0.5 μ
ｍ厚ていど蒸着すると、図示のように、アルミナ層８
は、円形孔７の開口部の上で開口が次第に狭くなるよう
に、積層される。このアルミナ層８は、後でエッチング
して除去されるため、犠牲層とも呼ばれる。
回転させながら、斜めからアルミナなどを0.3 〜0.5 μ
ｍ厚ていど蒸着すると、図示のように、アルミナ層８
は、円形孔７の開口部の上で開口が次第に狭くなるよう
に、積層される。このアルミナ層８は、後でエッチング
して除去されるため、犠牲層とも呼ばれる。
【０００７】このように開口が次第に狭くなったアルミ
ナ層８をマスクにして、工程(5) において上からMoを1.
５〜2.０μｍ厚程度蒸着する。このMo層９を蒸着する際
に、円形孔７の底にも2aのようにMoが堆積していく。そ
して、最初は円形孔７中の堆積部2aの径が大きいが、Mo
がアルミナ層８の開口縁8a上に堆積するにつれて、Mo層
９の開口１０が次第に狭くなっていく。
ナ層８をマスクにして、工程(5) において上からMoを1.
５〜2.０μｍ厚程度蒸着する。このMo層９を蒸着する際
に、円形孔７の底にも2aのようにMoが堆積していく。そ
して、最初は円形孔７中の堆積部2aの径が大きいが、Mo
がアルミナ層８の開口縁8a上に堆積するにつれて、Mo層
９の開口１０が次第に狭くなっていく。
【０００８】Mo層９の堆積時に、このように開口１０が
次第に狭くなってくると、円形孔７中へのMo付着量が次
第に減少するため、図示のように円形孔７中の堆積部2a
が円錐状となり、最終的には図４に示すエミッタティッ
プ２が形成される。その後、アルミナ層８を酸でエッチ
ングして、リフトオフすると、工程(6) に示すように円
形孔７中にエミッタティップ２が形成された構成とな
り、図４の微小電界放出陰極装置が完成する。
次第に狭くなってくると、円形孔７中へのMo付着量が次
第に減少するため、図示のように円形孔７中の堆積部2a
が円錐状となり、最終的には図４に示すエミッタティッ
プ２が形成される。その後、アルミナ層８を酸でエッチ
ングして、リフトオフすると、工程(6) に示すように円
形孔７中にエミッタティップ２が形成された構成とな
り、図４の微小電界放出陰極装置が完成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように、Moの垂直
蒸着によって円形孔７中にエミッタティップ２を形成す
る際に、エミッタティップ２の高さを得るには、工程
(5) におけるMo層９を充分厚く蒸着しなければならな
い。そのため、Mo層９が厚くなるに伴ってMo層９に大き
な膜応力が発生し、この膜応力が、アルミナ層８を介し
て、引き出し電極４用のMo層4aに伝わる。この薄いMo層
4aに厚いMo層９から膜応力が加わると、薄いMo層4aが下
側のSiO2層3aから剥離することがある。
蒸着によって円形孔７中にエミッタティップ２を形成す
る際に、エミッタティップ２の高さを得るには、工程
(5) におけるMo層９を充分厚く蒸着しなければならな
い。そのため、Mo層９が厚くなるに伴ってMo層９に大き
な膜応力が発生し、この膜応力が、アルミナ層８を介し
て、引き出し電極４用のMo層4aに伝わる。この薄いMo層
4aに厚いMo層９から膜応力が加わると、薄いMo層4aが下
側のSiO2層3aから剥離することがある。
【００１０】図６は引き出し電極４の上に、SiO2などか
らなる絶縁層11、制御電極12、絶縁層13および制御電極
14の順に積層して、多極真空管を形成したものである
が、このようにMoから成る引き出し電極４の上に、多数
の層を積層する工程においても、層数が増えるに伴って
膜応力が増大し、電極４、１２ないし１４が絶縁層３、
１１ないし１３から剥離することがある。
らなる絶縁層11、制御電極12、絶縁層13および制御電極
14の順に積層して、多極真空管を形成したものである
が、このようにMoから成る引き出し電極４の上に、多数
の層を積層する工程においても、層数が増えるに伴って
膜応力が増大し、電極４、１２ないし１４が絶縁層３、
１１ないし１３から剥離することがある。
【００１１】図７は、SiO2などの絶縁基板15の面上にお
いて、平面状にエミッタティップ２や、該エミッタティ
ップ２と接続するカソード電極５、引き出し電極４を形
成して、微小電界放出陰極装置を実現したものである。
このような平面構成においても、引き出し電極４などの
配線部がMoで形成されていると、下側のSiO2基板15との
間の密着力が弱いために、剥離を来すことがある。
いて、平面状にエミッタティップ２や、該エミッタティ
ップ２と接続するカソード電極５、引き出し電極４を形
成して、微小電界放出陰極装置を実現したものである。
このような平面構成においても、引き出し電極４などの
配線部がMoで形成されていると、下側のSiO2基板15との
間の密着力が弱いために、剥離を来すことがある。
【００１２】このような剥離は、次のようなことが要因
になっていると考えられる。微小電界放出陰極の配線材
料には、半導体分野での配線材料に要求されるのと同様
に、低抵抗率、密着性、エレクトロマイグレーションし
にくいこと、酸化しにくいこと、などが要求されるが、
特に密着性は作製上重要である。
になっていると考えられる。微小電界放出陰極の配線材
料には、半導体分野での配線材料に要求されるのと同様
に、低抵抗率、密着性、エレクトロマイグレーションし
にくいこと、酸化しにくいこと、などが要求されるが、
特に密着性は作製上重要である。
【００１３】図５でも説明したように、微小電界放出陰
極の絶縁層３、引き出し電極４、犠牲層８、エミッタテ
ィップ材料層９の膜厚は、典型的な値でそれぞれ0.５〜
1.０μｍ、０.2〜0.５μｍ、0.２〜0.５μｍ、１〜２μ
ｍ程度であり、一つの層の膜厚はＦＥＴなどの半導体素
子より厚いため、膜応力は非常に大きくなる。
極の絶縁層３、引き出し電極４、犠牲層８、エミッタテ
ィップ材料層９の膜厚は、典型的な値でそれぞれ0.５〜
1.０μｍ、０.2〜0.５μｍ、0.２〜0.５μｍ、１〜２μ
ｍ程度であり、一つの層の膜厚はＦＥＴなどの半導体素
子より厚いため、膜応力は非常に大きくなる。
【００１４】ところが、前記のように従来の配線材料
は、高温中で使用される微小電界放出陰極の耐熱性を重
視するあまり、MoやNbなどのように絶縁膜との密着性の
さほど良くない高融点金属が用いられてきたため、エミ
ッタティップ形成のための垂直蒸着時に、引き出し電極
を形成するための膜4aが絶縁層3aから剥離しやすいとい
った問題が生じた。
は、高温中で使用される微小電界放出陰極の耐熱性を重
視するあまり、MoやNbなどのように絶縁膜との密着性の
さほど良くない高融点金属が用いられてきたため、エミ
ッタティップ形成のための垂直蒸着時に、引き出し電極
を形成するための膜4aが絶縁層3aから剥離しやすいとい
った問題が生じた。
【００１５】本発明の技術的課題は、このような問題に
着目し、微小電界放出陰極装置における配線パターンの
剥離を未然に防止することにある。
着目し、微小電界放出陰極装置における配線パターンの
剥離を未然に防止することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】図１は本発明による微小
電界放出陰極装置の基本原理を説明する断面図である。
図において、１は基板、２はエミッタティップ、４は絶
縁層３上の引き出し電極であり、基板１上に形成した鋭
く尖ったエミッタティップ２からの電界放出により電子
ビームを取り出す構成になっている。
電界放出陰極装置の基本原理を説明する断面図である。
図において、１は基板、２はエミッタティップ、４は絶
縁層３上の引き出し電極であり、基板１上に形成した鋭
く尖ったエミッタティップ２からの電界放出により電子
ビームを取り出す構成になっている。
【００１７】請求項１の発明は、このような微小電界放
出陰極装置において、引き出し電極４などの配線パター
ン部を、シリサイドあるいはシリサイドと絶縁膜との間
にシリコン層を入れるいわゆるポリサイドで構成したも
のである。
出陰極装置において、引き出し電極４などの配線パター
ン部を、シリサイドあるいはシリサイドと絶縁膜との間
にシリコン層を入れるいわゆるポリサイドで構成したも
のである。
【００１８】請求項２の発明は、前記のシリサイドとし
て、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、ニオ
ブシリサイド、タングステンシリサイド、チタンシリサ
イド、クロムシリサイド、白金シリサイド、パラディウ
ムシリサイド、バナジウムシリサイド、ジルコニウムシ
リサイドの中のいずれかを用いる構成である。
て、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、ニオ
ブシリサイド、タングステンシリサイド、チタンシリサ
イド、クロムシリサイド、白金シリサイド、パラディウ
ムシリサイド、バナジウムシリサイド、ジルコニウムシ
リサイドの中のいずれかを用いる構成である。
【００１９】
【作用】請求項１の発明は、微小電界放出陰極における
配線パターン部を、シリサイドあるいはシリサイドと絶
縁膜との間にシリコン層を入れるいわゆるポリサイドで
構成したものである。シリサイドやポリサイドは、SiO2
などの絶縁膜との密着力に優れている。
配線パターン部を、シリサイドあるいはシリサイドと絶
縁膜との間にシリコン層を入れるいわゆるポリサイドで
構成したものである。シリサイドやポリサイドは、SiO2
などの絶縁膜との密着力に優れている。
【００２０】シリサイドやポリサイドは、ＭＯＳトラン
ジスターのゲートとして実用化されているが、一般に知
られるシリサイドとしては、モリブデンシリサイド、タ
ンタルシリサイド、タングステンシリサイド、チタンシ
リサイド、クロムシリサイド、白金シリサイド、パラデ
ィウムシリサイド、バナジウムシリサイド、ジルコニウ
ムシリサイドなどがある。請求項２は、これらのシリサ
イド中のいずれかで配線パターンを構成するものであ
る。
ジスターのゲートとして実用化されているが、一般に知
られるシリサイドとしては、モリブデンシリサイド、タ
ンタルシリサイド、タングステンシリサイド、チタンシ
リサイド、クロムシリサイド、白金シリサイド、パラデ
ィウムシリサイド、バナジウムシリサイド、ジルコニウ
ムシリサイドなどがある。請求項２は、これらのシリサ
イド中のいずれかで配線パターンを構成するものであ
る。
【００２１】シリサイドの特長として、絶縁膜との密着
性に優れるため、膜の剥離が起きにくくなる。トランジ
スターを作製する場合は、一般に１枚のウエハーから沢
山のチップを取りだすため、ウエハーの一部分に剥離が
起きても、歩留りが多少下がるだけで済む。
性に優れるため、膜の剥離が起きにくくなる。トランジ
スターを作製する場合は、一般に１枚のウエハーから沢
山のチップを取りだすため、ウエハーの一部分に剥離が
起きても、歩留りが多少下がるだけで済む。
【００２２】しかし、微小電界放出陰極を用いて大画面
のディスプレーを作製する場合、基板の一部でも剥離が
起きると歩留りは０になってしまう。したがって、密着
性の良い配線材料によって剥離を防ぐことは、微小電界
放出陰極を用いた大画面ディスプレーの製造歩留りを飛
躍的に向上させ、製造コストを低減するには効果的であ
る。他にも、シリサイドは抵抗率が10〜数百Ω・cm程度
と一般の金属並みに低く、融点も2000℃以上と高いた
め、大きな電流密度を流せる等の特長がある。
のディスプレーを作製する場合、基板の一部でも剥離が
起きると歩留りは０になってしまう。したがって、密着
性の良い配線材料によって剥離を防ぐことは、微小電界
放出陰極を用いた大画面ディスプレーの製造歩留りを飛
躍的に向上させ、製造コストを低減するには効果的であ
る。他にも、シリサイドは抵抗率が10〜数百Ω・cm程度
と一般の金属並みに低く、融点も2000℃以上と高いた
め、大きな電流密度を流せる等の特長がある。
【００２３】また、シリサイドと絶縁膜との間にシリコ
ン層を挿入した、いわゆるポリサイド（polycide）を配
線パターンに用いた場合、シリサイドに比べて更に電圧
の耐圧向上や、シリコンにリンをドープさせてアルカリ
金属イオンのゲッタリング効果を実現できる。その結
果、絶縁膜のリーク電流や絶縁膜の絶縁破壊による素子
破壊などを改善できる。
ン層を挿入した、いわゆるポリサイド（polycide）を配
線パターンに用いた場合、シリサイドに比べて更に電圧
の耐圧向上や、シリコンにリンをドープさせてアルカリ
金属イオンのゲッタリング効果を実現できる。その結
果、絶縁膜のリーク電流や絶縁膜の絶縁破壊による素子
破壊などを改善できる。
【００２４】
【実施例】次に本発明による微小電界放出陰極装置が実
際上どのように具体化されるかを実施例で説明する。図
１はSpindt型の微小電界放出陰極になっているが、本発
明は、微小電界放出陰極装置であれば、図６のような多
極管構造のものや図７のような平面構造のエミッタティ
ップを有する素子における配線パターンにも適用でき
る。
際上どのように具体化されるかを実施例で説明する。図
１はSpindt型の微小電界放出陰極になっているが、本発
明は、微小電界放出陰極装置であれば、図６のような多
極管構造のものや図７のような平面構造のエミッタティ
ップを有する素子における配線パターンにも適用でき
る。
【００２５】また、請求項２に示すように、配線パター
ンとしては、各種のシリサイドが絶縁層との密着性の点
で優れているが、シリサイドと絶縁膜との間にシリコン
層を入れるポリサイド構造は、絶縁耐圧の上でも極めて
有効である。
ンとしては、各種のシリサイドが絶縁層との密着性の点
で優れているが、シリサイドと絶縁膜との間にシリコン
層を入れるポリサイド構造は、絶縁耐圧の上でも極めて
有効である。
【００２６】図２は図４に示すSpindt型の微小電界放出
陰極にポリサイド構造を実施した例を示す断面図であ
る。4sはシリサイドからなる引き出し電極、３はSiO2等
からなる絶縁層であり、両者の間にSi層16が挟まれてい
る。
陰極にポリサイド構造を実施した例を示す断面図であ
る。4sはシリサイドからなる引き出し電極、３はSiO2等
からなる絶縁層であり、両者の間にSi層16が挟まれてい
る。
【００２７】図３は、Si層16の絶縁耐圧特性を示す図で
あり、横軸がSi層16の膜厚、縦軸が絶縁耐圧である。こ
の図からも明らかなように、Si層16の膜厚が５00〜６00
Å以上になると、絶縁耐圧が急激に向上する。
あり、横軸がSi層16の膜厚、縦軸が絶縁耐圧である。こ
の図からも明らかなように、Si層16の膜厚が５00〜６00
Å以上になると、絶縁耐圧が急激に向上する。
【００２８】したがって、絶縁層３上に５00〜６00Å以
上のSi層16を蒸着などによって積層し、その上にシリサ
イドからなる引き出し電極4sを蒸着して積層すると、引
き出し電極4sの剥離の問題が解消される上に、引き出し
電極4sとカソード電極５間の絶縁耐圧が格段と向上す
る。特に、微小電界放出陰極の場合は、真空中で使用さ
れるため、絶縁耐圧向上の効果は大きい。
上のSi層16を蒸着などによって積層し、その上にシリサ
イドからなる引き出し電極4sを蒸着して積層すると、引
き出し電極4sの剥離の問題が解消される上に、引き出し
電極4sとカソード電極５間の絶縁耐圧が格段と向上す
る。特に、微小電界放出陰極の場合は、真空中で使用さ
れるため、絶縁耐圧向上の効果は大きい。
【００２９】また、Si層16中にリン（Ｐ）をドープさせ
ると、電圧印加状態において、ＰとNaなどのアルカリ金
属イオンが反応してトラップされ、絶縁膜のリーク電流
や絶縁破壊が抑制される。なお、ＰドープSi層を形成す
るには、絶縁層３の上にＰの入ったSiをＣＶＤやスパッ
タなどの手法で成膜し、その上にシリサイドを蒸着して
引き出し電極などの配線パターンとする。
ると、電圧印加状態において、ＰとNaなどのアルカリ金
属イオンが反応してトラップされ、絶縁膜のリーク電流
や絶縁破壊が抑制される。なお、ＰドープSi層を形成す
るには、絶縁層３の上にＰの入ったSiをＣＶＤやスパッ
タなどの手法で成膜し、その上にシリサイドを蒸着して
引き出し電極などの配線パターンとする。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、微小電界
放出陰極装置における引き出し電極などの配線パターン
を、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、ニオ
ブシリサイド、タングステンシリサイド、チタンシリサ
イド、クロムシリサイド、白金シリサイド、パラディウ
ムシリサイド、バナジウムシリサイド、ジルコニウムシ
リサイドシリサイドなどのシリサイドで構成しているた
め、絶縁層との間の密着力が向上し、製作段階あるいは
完成後に絶縁層から剥離するといった問題が解消され
る。
放出陰極装置における引き出し電極などの配線パターン
を、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、ニオ
ブシリサイド、タングステンシリサイド、チタンシリサ
イド、クロムシリサイド、白金シリサイド、パラディウ
ムシリサイド、バナジウムシリサイド、ジルコニウムシ
リサイドシリサイドなどのシリサイドで構成しているた
め、絶縁層との間の密着力が向上し、製作段階あるいは
完成後に絶縁層から剥離するといった問題が解消され
る。
【００３１】また、シリサイドからなる配線パターンと
絶縁層との間に、シリコン層を入れてポリサイド構造と
することにより、配線パターンの剥離を防止できるほ
か、真空中で使用することと相まって絶縁耐圧が格段と
向上する。
絶縁層との間に、シリコン層を入れてポリサイド構造と
することにより、配線パターンの剥離を防止できるほ
か、真空中で使用することと相まって絶縁耐圧が格段と
向上する。
【図１】本発明による微小電界放出陰極装置の基本原理
を説明する断面図である。
を説明する断面図である。
【図２】本発明によるポリサイド構造を実施した微小電
界放出陰極装置の断面図である。
界放出陰極装置の断面図である。
【図３】Si層の絶縁耐圧特性を示す図である。
【図４】従来の微小電界放出陰極装置の断面図である。
【図５】図４に示すSpindt型の微小電界放出陰極装置の
作製プロセスを示す断面図である。
作製プロセスを示す断面図である。
【図６】多極真空管構造の微小電界放出陰極装置の断面
図である。
図である。
【図７】平面構造の微小電界放出陰極装置の斜視図であ
る。
る。
１ Siなどの基板 ２ 陰極ティップ( エミッタティップ） 2a 円形孔中の堆積部 ３ 絶縁層 3a SiO2層 ４ 引き出し電極 4a Mo層 4s シリサイドからなる引き出し電極 ５ カソード電極 ６ マスク ７ 円形の孔 ８ アルミナ層（犠牲層） 8a 開口縁 ９ Mo層（エミッタティップ材料層） 10 Mo層の開口 11、13 絶縁層 12、14 制御電極 15 絶縁基板 16 Si層
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に形成した鋭く尖ったエミッタテ
ィップ部から電界放出により電子ビームを取り出す微小
電界放出陰極装置において、 引き出し電極などの配線パターン部を、シリサイドある
いはシリサイドと絶縁膜との間にシリコン層を入れるい
わゆるポリサイドで構成してなることを特徴とする微小
電界放出陰極装置。 - 【請求項２】 前記のシリサイドとして、モリブデンシ
リサイド、タンタルシリサイド、ニオブシリサイド、タ
ングステンシリサイド、チタンシリサイド、クロムシリ
サイド、白金シリサイド、パラディウムシリサイド、バ
ナジウムシリサイド、ジルコニウムシリサイドの中のい
ずれかを用いることを特徴とする請求項１記載の微小電
界放出陰極装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22170892A JPH0668783A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 微小電界放出陰極装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22170892A JPH0668783A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 微小電界放出陰極装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0668783A true JPH0668783A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16771031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22170892A Pending JPH0668783A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 微小電界放出陰極装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0668783A (ja) |
-
1992
- 1992-08-20 JP JP22170892A patent/JPH0668783A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010612 |