JPH0665983B2 - 有機高分子湿度センサ - Google Patents

有機高分子湿度センサ

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JPH0665983B2
JPH0665983B2 JP20163584A JP20163584A JPH0665983B2 JP H0665983 B2 JPH0665983 B2 JP H0665983B2 JP 20163584 A JP20163584 A JP 20163584A JP 20163584 A JP20163584 A JP 20163584A JP H0665983 B2 JPH0665983 B2 JP H0665983B2
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JP
Japan
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humidity sensor
organic polymer
protective film
polymer humidity
comb
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宮吉 亀田
照夫 角田
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はルームエアコンその他の家電品に使う有機高分
子湿度センサに関するものである。
〔発明の背景〕 従来の湿度センサは特開昭50−20781号に記載のように
湿度センサは、ガラス基板上に塩素原子を有する有機重
合体とポリアミド樹脂を反応させた感湿樹脂を塗布し、
その上に保護膜を被覆することにより、ほこりや亜硫酸
ガスなどを含む汚染雰囲気による影響が著るしく軽減さ
れるとしている。しかしセンサの長期安定性やクラック
発生云々については何等ふれていない。
〔発明の目的〕
本発明の目的は湿度センサの感湿部に発生するクラック
を防止するために、通常の保護膜塗布作業によれば基板
上部端面では膜厚が薄くなりがちであるものを、作業条
件を適正に定めることにより、より膜厚を厚くしてその
緩衝作用によりクラックの発生を防止するものである。
〔発明の概要〕
すなわち、従来はシリコン樹脂保護膜が基板に均一な厚
さになるよう樹脂液浸漬後、流動性が残っているうちに
基板を逆さにする等して全体に広げるようにしていた。
しかしこれでは端面部が薄くなるので、これを改めるた
めまず上部端面を下にして、この状態で半乾燥しその後
向きを変えて本格的に加熱硬化させるようにして端面も
十分樹脂が被うようにした。
〔発明の実施例〕
以下本発明の実施例を第1図〜第4図に基いて説明す
る。1は湿度センサ本体であるが、セラミック基板2に
金と鉛ガラスから成る電極を焼成した上に感湿膜5を塗
布しさらにシリコン樹脂の保護膜6を形成して完成す
る。保護膜のシリコン樹脂は付加型二液タイプを使用
し、等量ずつ混合した後、直ちに浸漬塗布するようにす
る。
通常の作業においてはシリコン樹脂を浸漬塗布したセン
サ本体1は乾燥用治具7のゴムマグネット8の部分にリ
ードを吸引固定し、逆さの状態で室温で約15分間放置す
る。次にこれを起こして110℃で2時間乾燥する。今回
の端部の膜厚を厚くするための改良法では、逆さでの室
温放置を1時間に延長し、ある程度硬化が進んだ後、反
転して110℃で2時間の本乾燥に入るようにする。
〔発明の効果〕
本発明によれば逆さ状態での自然放置の時間を延ばした
ことにより、従来のものの保護膜が端部で薄くなる傾向
にあったものが、十分厚く塗布することが可能となっ
た。この結果、先端部の吸湿速度が遅くなり、感湿膜の
伸びが小さくなって従来センサの先端部に多く発生した
クラックは、本発明によって大幅に減少し、センサの信
頼性向上に寄与する効果が大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は湿度センサの正面図、第2図は第1図の側断面
図、第3図は本発明によって作製した湿度センサの側面
図である。第4図は保護膜乾燥用治具の外観図である。 1……湿度センサ本体、2……セラミック基板、3……
くし形電極、4……リード線、5……感湿膜、6……保
護膜、7……乾燥用治具、8……ゴムマグネット。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】セラミック基板に形成したくし形電極の上
    面に有機高分子から成る感湿膜とその上にシリコン樹脂
    の保護膜とで被った湿度センサにおいて、基板上部端面
    とその近傍の保護膜を厚くしたことを特徴とする有機高
    分子湿度センサ。
  2. 【請求項2】前記保護膜をシリコン樹脂に浸漬し、基板
    上端部を下にして常温放置により半乾燥し、反転して加
    熱乾燥することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の有機高分子湿度センサ。
JP20163584A 1984-09-28 1984-09-28 有機高分子湿度センサ Expired - Lifetime JPH0665983B2 (ja)

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JPS6180038A JPS6180038A (ja) 1986-04-23
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JP2535983B2 (ja) * 1987-12-04 1996-09-18 エヌオーケー株式会社 窒素酸化物検出素子
KR100633655B1 (ko) 1999-12-22 2006-10-11 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 센서 소자 및 그 제조 방법

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