JPH0664902B2 - 分離マウントを有するデイスク・フアイル - Google Patents

分離マウントを有するデイスク・フアイル

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JPH0664902B2
JPH0664902B2 JP3060766A JP6076691A JPH0664902B2 JP H0664902 B2 JPH0664902 B2 JP H0664902B2 JP 3060766 A JP3060766 A JP 3060766A JP 6076691 A JP6076691 A JP 6076691A JP H0664902 B2 JPH0664902 B2 JP H0664902B2
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    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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    • G11B33/12Disposition of constructional parts in the apparatus, e.g. of power supply, of modules
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    • G11B33/02Cabinets; Cases; Stands; Disposition of apparatus therein or thereon
    • G11B33/08Insulation or absorption of undesired vibrations or sounds

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、デイスク・フアイル、
さらに具体的にはデイスク・フアイル内のヘツド−デイ
スク匡体のための分離マウントに関する。
【0002】
【従来の技術】コンピユータのデイスク・ドライブ等の
外的要因によつて変化しやすい電気装置は、フレーム内
に緩衝取り付けされることが知られている。この緩衝取
り付けは、堅い面上へのデバイスの落下等の突然の衝撃
による損傷の可能性を削減する。衝撃および他の高周波
数の振動のみならず、低い周波数の振動に対しても保護
する分離マウントを必要とするデバイスがある。これら
のマウントは、例えばデイスク・フアイルのアクチユエ
ータのアクセス動作に起因するような、内部で発生した
振動にも対処できなければならない。マウントの弾性的
な復元力に起因する取り付けられたデバイスの固有振動
周波数であるマウント周波数は、衝撃または分離のマウ
ントと関係が深い。一定の周波数および振幅の入力振動
によつて駆動されるデバイスにおいて、入力振動の振幅
に対する出力反応振動の振幅の比は、ゲイン(gain)と
呼ばれる。伝達関数と呼ばれる周波数を有するゲインの
一般的な変化は、このようなシステムにとつて周知であ
る。固有周波数(この場合はマウント周波数)よりもか
なり低い周波数における入力振動にとつて、このゲイン
は、概ね1である。即ち、系の挙動は、まるで取り付け
が単なる固定接続であるかのようである。そして、入力
周波数の駆動がマウント周波数と同程度になるにつれ
て、共振が起こり、ゲインが大きくなる。最終的には、
マウント周波数の共振を越えるとゲインが1以下へ減少
し、その後ゲインは、周波数の増加と共に減少し続け
る。衝撃または分離のマウントのデザインにおいて、異
なる周波数における振動を制御するために、マウント周
波数を調整することができる。一般的には、このような
マウントは運動を減少させる或る形態の減衰を含むの
で、マウント周波数の共振の高さ、幅、および正確な位
置に影響を及ぼすこともできる。
【0003】従来技術の緩衝マウントの一般的なタイプ
の1つが、PCT出願WO88/09551に記述され
ている。このデザインにおいて、ゴム製グロメツトが、
ヘツド−デイスク匡体の円筒形突起のまわりに(また
は、その代わりに、ヘツド−デイスク匡体内へ途中まで
ねじ込んだボルトのまわりに)配置される。そして、こ
のグロメツトは支持フレーム内に保持され、ヘツド−デ
イスク匡体に緩衝マウントを与える。一般的には、支持
フレームにヘツド−デイスク匡体を接続する。このよう
な緩衝マウントは、3つまたは4つある。この方法のわ
ずかな変更が、米国特許第4812932号に開示され
ている。ここでは、変位と共に顕著に変化するばね定数
を有するグロメツトが配置される。米国特許第4683
520号は、やはりグロメツトを使用する緩衝マウント
を開示しているが、フレームによつて直接グロメツトを
保持せず、片側支持されているフレームの延長部にそれ
を取り付ける。不特定の電気装置に対する多少異なるマ
ウント・システムがカナダ特許第788873号に開示
されている。これは、装置の支持構造体として、減衰層
を含む層物質のパネルを使用する。弾性のグロメツト
は、パネルをフレームに、そして装置をパネルに取り付
けるために用いられる。パネルの使用によつて、マウン
トの分離特性が向上する。従来技術の緩衝マウントは、
小型化並びに徹底して低く比較的温度変化に敏感でない
マウント周波数を達成していない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】非常に低いマウント周
波数を伴う小型分離マウントを有するヘツド−デイスク
匡体を含んでなる磁気デイスク・フアイルを提供するこ
とである。本発明の別の目的は、高周波数の振動に対す
る良好な保護を提供することである。本発明の別の目的
は、比較的温度変化に敏感でないマウントの特性を提供
することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、フレームと、
デイスク積層組立体およびアクチユエータを含むヘツド
−デイスク匡体と、前記フレーム内で前記ヘツド−デイ
スク匡体を支持する複数の分離マウントとを含む磁気デ
イスク・フアイルであつて、前記分離マウントのそれぞ
れが拘束された層フレクシヤを含んでいることを特徴と
する磁気デイスク・フアイルを提供する。拘束された層
フレクシヤとは、2層のスチールの間に1層の粘弾性ゴ
ムをはさんだ構造のフレクシヤを意味し、その使用によ
つて、デイスク・フアイル内のヘツド−デイスク匡体
に、非常に低いマウント周波数を伴う小型分離マウント
を提供する。この低いマウント周波数は、高周波数に対
する良好な保護を提供する。これらの周波数は、例え
ば、アクチユエータの動作によつて内部で発生し、また
外部でも発生する。さらに、このマウントの特性は、比
較的温度変化に敏感でない。アクチユエータがリニア・
アクチユエータである場合には、アクチユエータのアク
セス方向と平行方向に拘束された層フレクシヤが最も弾
性的であることが好ましい。交差ループのサーボ系によ
つて制御されたアクチユエータに対しては、ヘツド−デ
イスク匡体のアクセス方向におけるマウント周波数は十
分に低く、交差ループのサーボ系の帯域幅の外の周波数
における振動は、分離マウントによつて弱められること
が好ましい。アクセス方向に直角の面において必要な振
動空間を削減するようにマウント周波数を非常に高くす
ることができる。拘束された層フレクシヤは、特にリニ
ア・アクチユエータを有するデイスク・フアイルにおい
て有効であるが、回転アクチユエータを有するデイスク
・フアイルにおいて採用されるべきでない理由はない。
別のマウントの方向づけの場合は、たぶん1以上のタイ
プのマウントが望ましい。好ましくは、フレクシヤは平
坦な延長された形を有し、各端において、リベツトによ
つてフレームに取り付けられる。フレクシヤの好ましい
構造体は、2層のスチールの間にはさまれた1層の粘弾
性のゴムからなるが、他の物質を用いることもできる。
好ましくは、フレクシヤはHの横棒の中に穴を有するH
型フレームを有する。前記H型フレームは、他にHの上
と下にも横棒を有し、各横棒は、フレームにフレクシヤ
を取り付けるリベツトを調節するための内側へ向いたタ
ブを有する。これは効果的にフレクシヤの長さを延長す
るので、より低いマウント周波数を得ることができる。
しかし、例えばデイスク型のダイアフラムのような別の
形のフレクシヤも使用することができる。分離マウント
がさらにフレクシヤのHの中央の横棒における穴の内に
位置付けられる弾性のグロメツトを含むことも好まし
い。ヘツド−デイスク匡体は、グロメツトを貫通するボ
ルトによつて支持され、グロメツトはフレクシヤとフレ
ームの間にあるフランジを含むので、ヘツド−デイスク
匡体の極端な変位の際に、フレクシヤとフレームが接触
するのを防ぐ。一般的には、各分離マウントにおけるグ
ロメツトは、ゴムで作られる。グロメツトは、衝撃に対
して(特にアクセス方向に垂直の面において)より耐久
性のあるマウントを作り、アクセス方向の極端な動作の
際に座屈を防ぐ衝撃吸収体としても作用する。
【0006】
【実施例】図1は、コンピユータのデイスク・ドライブ
のヘツド−デイスク匡体1を示す。ヘツド−デイスク匡
体1は、4つの分離マウント3によつてフレーム2の内
側に支持されている。ヘツド−デイスク匡体1の中身
は、簡略化されて図2に示されているが、回転可能なデ
ータ記憶デイスク13、デイスク13へおよびデイスク
13からデータを転送するための読み取り/書き込みヘ
ツド14、そしてデイスク13を横切つてヘツド14を
動かすためのアクチユエータ機構15を含んでいる。サ
ーボ制御系は、デイスク13上に正確にヘツド14を位
置付けるために用いられる。デイスク13は、図示され
ていないイン−ハブ(in-hub)・モータによつて軸12
の回りを回転する。図1および図2のアクチユエータ
は、リニア・アクチユエータである。即ち、読み取り/
書き込みヘツド14は、デイスク13の半径を直線的に
内および外に動かされる。この動作の方向は、アクセス
方向と呼ばれ、矢印Aで示される。図3および図4は、
図1の分離マウント3をより詳細に示す。フレーム2の
一部であるブラケツト25は、その中に3つの穴を有す
る。上および下の穴は、拘束された層フレクシヤ23を
ブラケツト25に取り付けるためのリベツト28に使用
される。この拘束された層フレクシヤ23は、ブラケツ
ト25に対して平行であり、ブラケツト25の中央の穴
31と一致する穴30を有する。ゴム製グロメツトまた
はブツシユ24は、穴30に配設される。このブツシユ
24は、2つのフランジ41、43およびそれらの間の
みぞ42を有するくぼんだ円筒形である。穴30の内側
の縁は、みぞ42の中に受け入れられる。2つの金属ブ
ツシユ22および26は、両側からゴム製グロメツト2
4に挿入される。各金属ブツシユ22、26は、グロメ
ツト24内へのブツシユ22、26の完全な挿入を止め
るフランジを有する。その結果、2つのブツシユ22、
26の端の間にグロメツト24の内側のわずかなすき間
ができる。金属ブツシユ22、26は、主として組み立
てのために、および取り付けを強化するためにある。ボ
ルト27は、ゴム製および金属のブツシユ22、24、
26を通つてヘツド−デイスク組立匡体鋳造の中の口径
21内まで貫通している。
【0007】図5のカーブAは、外部振動がトラツクを
追う間にヘツド位置合わせのエラーを誘発しない条件で
の、マウント周波数における許容可能なゲインを示す。
アクチユエータを制御するために使用する交差ループの
サーボ系は、約50Hzの折点周波数を有する積分器を
含む。これは、効果的に交差ループのサーボ系の帯域幅
全体を制限し、この周波数以下で振動の許容量が急に増
加する理由を説明する。初めに、ヘツド−デイスク匡体
を取り付けるために比較的堅いゴム製のグロメツトを使
用し、マウント周波数100Hz以上を印加した。しか
しながら、サーボ系の帯域幅の外でかつマウント周波数
(一般的には50〜100Hzの範囲)以下の周波数を
有する外部振動は、マウントによつて弱められず、な
お、サーボ系の使用を続けなければならないので、これ
らのマウントの性能を有するトラツクは、満足できるも
のではないことがわかつた。さらに、堅いゴム製のグロ
メツトによる取り付けは、ある温度において、また高い
温度においても不十分な減衰しか得られず、ねじれの共
振がデイスクの回転速度に非常に近いために、スピンド
ル・モータのサーボ制御系には問題となつた。カーブA
のより広い許容領域を動くことによつて、外部振動に対
するこのような感応性を削減するように、サーボ系の帯
域幅よりも小さいマウント周波数を伴うグロメツト取り
付けを試みた。約40Hzのマウント周波数および伝達
関数を伴うゴム製グロメツト取り付けは、カーブBに示
されるようであつた。これらは、カーブAの外部振動に
対する要求を満足することができたが、深刻な問題が残
つた。マウントが堅いために、必要な減衰を得ることし
かできなかつたので、マウント周波数はデイスク・ドラ
イブの動作温度範囲で著しく変化した。さらに、グロメ
ツトは下側の剛性(即ち、アクセス方向に垂直)を有
し、この面において有効な空間以上の振動空間を必要と
した。別の問題は、マウントの低い回転周波数であり、
それは、デイスク・ドライブ・モータの帯域幅が低いた
めに生じるのであつた。結局、シーク(seek)動作中は
ヘツド−デイスク匡体の鋳造体は、アクチユエータの動
作に反応して動くことがわかつた。
【0008】ゴム製グロメツトの取り付けでは、前記の
問題を全て解決することはできないが、図3および図4
のフレクシヤの分離マウントによつて、うまく解決でき
る。このマウントのアクセス方向の伝達関数は、図5に
おけるカーブCであり、外部振動に対する要求を容易に
満足することがわかつた。20Hz付近のフレクシヤ・
マウントの低いマウント周波数は、サーボ系がアクチユ
エータのシーク動作に反応したヘツド−デイスク匡体の
動きを補うことができることも意味する。拘束された層
フレクシヤ23は、粘弾性のゴムの介在層を有する2層
のスチールからなる。中央のゴム層はどんな振動のエネ
ルギーをも取り除く減衰体として作用する。各フレクシ
ヤ23は、上と下を支持フレームのブラケツト25にリ
ベツトで留められる。低いマウント周波数を得るため
に、フレクシヤ23は、きちんとした形に延長される。
実際は、フレクシヤを背中合わせに折り積ねることによ
つて、効果的な延長を人為的に増加させ、マウント周波
数も低いままとする。マウント周波数は、かなり高い
が、アクセス方向に直角であり、回転振動に対しては、
振動空間の必要な大きさを削減させ、デイスク・ドライ
ブ・モータに伴う問題を回避する。ゴム製グロメツト2
4は、主に脆弱性に対して有効であり、アクセス方向に
垂直の動作に対していくらか順応性も与えるので、本質
的には緩衝マウントとしての機能を果たす。それらは、
フレクシヤ23の座屈負荷を増加させ、確実にこの座屈
負荷に達成しないようにする。グロメツト24は、フレ
クシヤ23の曲がりすぎを防ぎ、支持ブラケツト25と
の強い接触にも非常に役立つ。その代わりフランジ43
は衝撃吸収体として作用するので、もしフレクシヤ23
が、図4においてもつと右に与えられれば、フランジ4
3は、フレクシヤ23とブラケツト25の間にはさま
れ、剛性は増加するが、脆弱性の問題を含まず、フレク
シヤ23はブラケツト25と直接接触することになる。
【0009】
【発明の効果】本発明は、非常に低いマウント周波数を
伴う分離マウントを有するヘツド−デイスク匡体を含ん
でなる磁気デイスク・フアイルを提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に従うデイスク・フアイルの分解図であ
る。
【図2】本発明に従うヘツド−デイスク匡体の分解図で
ある。
【図3】本発明に従う分離マウントの1つの詳細な分解
図である。
【図4】本発明に従う分離マウントの詳細な断面図であ
る。
【図5】本発明に従う分離マウントのゲインおよび従来
技術の分離マウントのゲインについて、周波数に対する
最大ゲインを比較した図である。
【符号の説明】
1 ヘツド−デイスク匡体 2 フレーム 3 分離マウント 13 デイスク積層組立体 15 アクチユエータ 23 拘束された層フレクシヤ 24 グロメツト 27 ボルト 28 リベツト 30 穴 43 フランジ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 グラハム・ニゲル・デユー イギリス国ハンプシヤー州ウインチエスタ ー、エクバート・ロード32番地 (72)発明者 ミツシエル・ロバート・ハチイツト イギリス国ハンプシヤー州イーストレイ、 チヤンドラース・フオード、ウエストウツ ド・ガーデンズ31番地 (72)発明者 ミツシエル・ウイリアム・ホール イギリス国ミドルセクス州ハンプトン、ジ ヨンソンズ・ドイラブ9番地 (72)発明者 ミツシエル・ジヨージ・テイラー イギリス国ハンプシヤー州ヘツジ・エン ド、”ウエイツリー・コテツジ・グラナ ダ・ロード25番地 (56)参考文献 特開 平2−137181(JP,A) 特開 昭63−16479(JP,A)

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】フレーム2と、デイスク積層組立体13お
    よびアクチユエータ15を含むヘツド−デイスク匡体1
    と、前記フレーム2内に前記ヘツド−デイスク匡体1を
    支持する複数の分離マウントであつて、それぞれが拘束
    された層フレクシヤ23を含む分離マウント3とを含ん
    でなる磁気デイスク・フアイル。
  2. 【請求項2】前記アクチユエータ15がリニア・アクチ
    ユエータであり、前記フレクシヤ23が該リニア・アク
    チユエータのアクセス方向と平行方向に最も弾力的であ
    る請求項1記載の磁気デイスク・フアイル。
  3. 【請求項3】前記アクチユエータ15が交差ループのサ
    ーボ系によつて制御され、前記ヘツド−デイスク匡体1
    のアクセス方向のマウント周波数が十分に低く、前記交
    差ループのサーボ系の帯域幅より外の周波数における振
    動が前記分離マウント3によつて弱められる請求項2記
    載の磁気デイスク・フアイル。
  4. 【請求項4】前記フレクシヤ23が、平坦な延長された
    形を有する請求項1ないし3記載の磁気デイスク・フア
    イル。
  5. 【請求項5】前記フレクシヤ23が、前記延長された形
    の各端においてリベツト28によつて前記フレーム2に
    取り付けられる請求項4記載の磁気デイスク・フアイ
    ル。
  6. 【請求項6】前記拘束された層フレクシヤ23のそれぞ
    れが、2層のスチールの間にはさまれた1層の粘弾性の
    ゴムを含んでなる請求項1ないし6に記載の磁気デイス
    ク・フアイル。
  7. 【請求項7】前記分離マウント3が、さらに前記フレク
    シヤ23内の穴30に位置する弾性のグロメツト24を
    含み、前記ヘツド−デイスク匡体1が前記グロメツト2
    4を貫通するボルト27によつて支持される請求項1な
    いし7記載の磁気デイスク・フアイル。
  8. 【請求項8】前記弾性のグロメツト24が前記フレクシ
    ヤ23および前記フレーム2の間にあるフランジ43を
    含む請求項7記載の磁気デイスク・フアイル。
  9. 【請求項9】前記フレクシヤ23はH型フレームを有
    し、前記グロメツト24の前記穴30は該H型フレーム
    のHの横棒内に位置し、該H型フレームは他にHの上お
    よび下にも横棒を有し、各横棒が前記フレームに取り付
    けるための内側に向いたタブを有する請求項8記載の磁
    気デイスク・フアイル。
  10. 【請求項10】前記ヘツド−デイスク匡体1が4つの前
    記分離マウント3によつて前記フレーム2に支持される
    請求項1ないし8記載の磁気デイスク・フアイル。
JP3060766A 1990-02-15 1991-02-12 分離マウントを有するデイスク・フアイル Expired - Lifetime JPH0664902B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9003470.3 1990-02-15
GB9003470A GB2241370A (en) 1990-02-15 1990-02-15 Disk file with isolation mount

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Publication Number Publication Date
JPH04216389A JPH04216389A (ja) 1992-08-06
JPH0664902B2 true JPH0664902B2 (ja) 1994-08-22

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ID=10671071

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3060766A Expired - Lifetime JPH0664902B2 (ja) 1990-02-15 1991-02-12 分離マウントを有するデイスク・フアイル

Country Status (6)

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US (1) US5124855A (ja)
EP (1) EP0442641B1 (ja)
JP (1) JPH0664902B2 (ja)
KR (1) KR950002399B1 (ja)
DE (1) DE69106403T2 (ja)
GB (1) GB2241370A (ja)

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