JPH0661831B2 - 熱変形温度の高い熱可塑性材料のツインシ―トフォ―ミングプロセスおよびそれによって製造される物品 - Google Patents
熱変形温度の高い熱可塑性材料のツインシ―トフォ―ミングプロセスおよびそれによって製造される物品Info
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Description
塑性材料をツインシ―ト成形(シ―トフォ―ミング)す
るための方法、およびそれによって製造される構造体に
係る。
界で公知である。たとえば、ドレ―ゼン(Dresen)らの米
国特許第4,428,306号を参照されたい。ツイン
シ―トフォ―ミングプロセスは、軽量化と増強のために
中空部を有する剛性の構造体を製造する際に有用であ
る。従来のツインシ―トフォ―ミングプロセスは、熱変
形温度の低い熱可塑性材料を使用している。このような
材料は、多くの品物の製造に適してはいるが、良好な耐
炎性を有する熱可塑性材料(これらの多くは熱変形温度
が高い)を使用する必要がある航空機のダクトなどのよ
うな用途には適していない。これら公知のツインシ―ト
フォ―ミングプロセスは融解温度の低い熱可塑性材料か
ら物品を製造するのには適しているが、通常これらの従
来法は単一の層からなる熱変形温度の高い熱可塑性材料
には適していない。それは、使用する金型がシ―ト間の
接合を達成するのに充分な高温に加熱されると熱くなり
過ぎるのでそのシ―トが所望の形状に固化することがで
きないからである。高温の接着ゾ―ンと低温の成形ゾ―
ンを使用する特別な金型を使用することはできるが、そ
のような特殊な金型を使用すると装置の価格が不必要に
高くなるし、接着ゾ―ン(通常、金型のクランプされる
周辺部)はシ―トの熱変形温度より充分に高い温度に維
持しなければならない。
ツインシ―ト成形された構造体を熱変形温度の高い熱可
塑性材料から製造する際に、金型の温度を高い熱変形温
度の材料の熱変形温度より低くして行なう方法を提供す
ることである。もうひとつの目的は、高い熱変形温度を
有するツインシ―ト成形された熱可塑性材料製の構造体
を提供することである。
料のツインシ―トフォ―ミングプロセスを包含する。本
発明のプロセスでは、高い熱変形温度の熱可塑性材料の
層と低い熱変形温度の熱可塑性材料の接合層とを有する
積層体を使用する。ツイン(2枚の)シ―ト間の接着を
促進するのに必要とされる金型温度は、前記の高い熱変
形温度の熱可塑性材料の熱変形温度より充分低くするこ
とができる。本発明で使用する金型は、特別に加熱され
た接着ゾ―ンを必要とせず、実質的に均一な温度を有す
ることができる。
―ゼン(Dresen)らの米国特許第4,428,306号
(ここで引用したことにより本明細書中に含まれている
ものとする)に記載されている。そのツインシ―ト熱成
形プロセスでは、各々のシ―トを真空成形し、シ―ト間
に圧力をかけることによって、該特許に記載されている
ようにしてこれらのシ―トを互いに溶着させる。
スでは、一対の高い熱変形温度(HHDT)の熱可塑性
シ―トをその熱変形温度より高い温度に予熱した上で、
HHDT材料の熱変形温度より低い温度を有する2つの
雌半金型の間に配し、シ―ト間に金属製のエア―チュ―
ブを配し、熱可塑性シ―トの周辺部付近で半金型を互い
に締め付け、金属製のエア―チュ―ブを介してシ―ト間
に高圧(好ましくは少なくとも50 psi)の空気を注入
し、場合により、シ―トの外部を真空に引いてその中央
でシ―トを押し広げると共にそれぞれの半金型の内面形
状に合致させ、そしてHHDT材料の熱変形温度より低
い温度までシ―トを冷却する。このプロセスで製造され
る物品は中空であり、さらにその後の製造ステップを経
た後に、ダクト形成を含めて数多くの目的に使用するこ
とができる。
ォ―ミングプロセスでは、(i)一対の高い熱変形温度
の熱可塑性層を、その熱変形温度より高い温度に予熱
し、好ましくは、450°Fより高い温度に予熱し、
(ii)一対の高い熱変形温度(HHDT)の熱可塑性層
を、HHDT材料の熱変形温度より低い温度を有する一
対の雌半金型間に配し(この際、一対の高い熱変形温度
の熱可塑性層は、その間に配置された低い熱変形温度
(LHDT)の熱可塑性材料の層をひとつ有してい
る)、(iii)半金型を互いに押し付けて層の周辺部の実
質的な部分をクランプし、(iv)HHDT材料層間に高
圧ガスを注入してHHDT層をその中央で離れさせて半
金型の形状に合致させ、(v)層をHHDT材料の熱変
形温度より低い温度まで冷却する。
は264ポンド/平方インチでの熱変形温度が低くとも
300°Fであり、ポリエ―テルイミド、ポリアミド‐
イミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエ―テルスル
ホン、ポリフェニルスルホン、ポリエ―テルエ―テルケ
トン、ポリエ―テルケトンケトン、ポリアリ―ルスルホ
ン、芳香族ポリアミド、ポリアリ―ルスルホン、ポリフ
ェニレンエ―テル/ポリスチレンブレンド、およびこれ
らの熱可塑性材料と他の熱可塑性材料とのブレンドなど
のような熱可塑性材料が包含される。
テルイミドである。
25重量%のコポリエステル‐カ―ボネ―ト、10重量
%のビスフェノ―ル‐Aポリカ―ボネ―ト、および20
重量%のシリコ―ン‐ポリエ―テルイミドを有するブレ
ンドも高い熱変形温度の材料として好ましい。
7,364号およびタケコシ(Takekoshi)の米国特許第
4,024,101号(両特許は引用したことにより本
明細書に含まれるものとする)に開示されている種類の
ポリエ―テルイミドが本発明で有用である。特に次式
(I)のポリマ―が有用である。
族残基であり、R′はニトロ置換された芳香族無水物と
反応させたジアミンの有機残基である二価の基であり、
nは約10、たとえば2から少なくとも5,000まで
の値を有する整数である。特に、Rはフェニレン、低級
アルキルフェニレン、ならびに次式(II)の基より成る
群の中から選択されるものであることができる。
の脂肪族基、炭素原子が4〜8個の環式脂肪族基、炭素
原子が7〜10個の芳香族‐脂肪族基、ならびに次式
(III)の基より成る群の中から選択されるものである。
炭素原子を2〜20個含有するアルキレン、および炭素
原子を4〜8個含有するシクロアルキレンより成る群の
中から選択されるものであることができる。
R′がフェニレンまたはアルキル置換フェニレン(ただ
し、各アルキルは炭素原子が1〜3個であり、アルキル
置換基の数は1〜3個である)であり、Rが次式(IV)
の基であるものである。
炭素原子1〜8個のアルキリデン、炭素原子4〜8個の
シクロアルキル、炭素原子4〜8個のシクロアルキリデ
ニル、または次式(V)の基である。
を有する繰返し単位を含む。
る特定のジアミノ化合物の有機部分R′の具体例として
は米国特許第3,787,364号(引用により本明細
書に含まれているものとする)の第3欄第10〜47行
にあるジアミンから誘導されるものが挙げられる。
クロアルキル、シクロアルキリデンなどの基中で使用さ
れる炭素原子の最大数は特に断わらない限り8個であ
る。
が264ポンド/平方インチで360°Fである。
331,799号および第4,728,697号(これ
ら特許はいずれも引用により本明細書に含まれるものと
する)に記載されている。ポリアミドイミドは二無水物
とカルボキシ無水物のアシルクロライドとの混合物をジ
アミンと反応させることによって製造することができる
し、あるいはポリアミンをカルボキシ無水物および二無
水物と反応させることによって製造してもよい。
っている。
る。R″は芳香族残基を含んでいるのが好ましい。ポリ
イミドはポリマ―産業でよく知られている。適したポリ
イミドはベルダ―ル(Berdahl)の米国特許第4,74
6,720号およびヒ―ス(Heath)らの米国特許第3,
847,867号(これらの特許は両方とも引用により
本明細書中に含まれているものとする)に開示されてい
る。
ルホンとの縮合反応で得られる。二価フェノ―ルはビス
フェノ―ルAが好ましく、ジハロスルホンはジクロロフ
ェニルスルホンが好ましい。ポリフェニルスルホンは二
価フェノ―ルとジハロ芳香族スルホンとの反応から誘導
される。ポリエ―テルスルホンもまたポリマ―業界で周
知である。適したポリスルホンにはポリフェニレンスル
ホンが包含される。
ルケトンケトンは公知の熱可塑性材料であり、264ポ
ンド/平方インチ(PSI)の荷重下で約300°Fの
熱変形温度を示す。ポリエ―テルエ―テルケトンは米国
特許第4,673,450号および第4,629,20
0号(これらは両方とも引用により本明細書中に含まれ
るものとする)に記載されている。ポリエ―テルケトン
ケトンは日本特許第62/044425号に開示されて
いる。
0重量%のポリエ―テルイミド、約40重量%のポリエ
ステルカ―ボネ―ト、および約10重量%のオルガノポ
リシロキサンカ―ボネ―トを有するブレンドである。こ
れは、パタ―ソン(Patterson)らの米国特許第4,73
5,999号およびボ―ン(Vaughn)の米国特許第3,1
89,662号(いずれも引用により本明細書に含まれ
るものとする)に開示されている。
族ジカルボン酸から誘導される。特定の芳香族ポリアミ
ドはトルエンジアミンとテレフタル酸および/またはイ
ソフタル酸との反応生成物から誘導することができる。
有する構造単位を複数個含んでいる。
してハロゲン、第一級か第二級の低級アルキル(すなわ
ち、炭素原子を7個まで含有するアルキル)、フェニ
ル、ハロアルキル、アミノ‐アルキル、炭化水素オキ
シ、またはハロ炭化水素オキシ(ただし、少なくとも2
個の炭素原子がハロゲン原子と酸素原子とを隔ててい
る)であり、Q2 は各々独立して水素、ハロゲン、第一
級か第二級の低級アルキル、フェニル、ハロアルキル、
炭化水素オキシまたはQ1 に対して定義したハロ炭化水
素オキシである。適切な第一級の低級アルキル基の例は
メチル、エチル、n‐プロピル、n‐ブチル、イソブチ
ル、n‐アミル、イソアミル、2‐メチルブチル、n‐
ヘキシル、2,3‐ジメチルブチル、2‐、3‐もしく
は4‐メチルペンチルおよび対応するヘプチル基であ
る。第二級の低級アルキル基の例はイソプロピル、se
c‐ブチルおよび3‐ペンチルである。アルキル基はい
ずれも分枝より直鎖が好ましい。Q1 がいずれもアルキ
ルかフェニル、特にC1-4 アルキルであり、Q2 がいず
れも水素であることが最も多い。適切なポリフェニレン
エ―テルは数多くの特許に開示されている。
ンエ―テルが両方とも包含される。適切なホモポリマ―
は、たとえば2,6‐ジメチル‐1,4‐フェニレンエ
―テル単位を含有するものである。適切なコポリマ―と
しては、2,6‐ジメチル‐1,4‐フェニレンエ―テ
ル単位を(たとえば)2,3,6‐トリメチル‐1,4
‐フェニレンエ―テル単位と組合せて含有するランダム
コポリマ―がある。多くの適切なランダムコポリマ―な
らびにホモポリマ―が特許文献に開示されている。使用
するポリフェニレンエ―テルはポリスチレンとのブレン
ドの形態であるのが好ましい。
HDT材料は熱変形温度が264ポンド/平方インチで
高くとも約280°Fであるのが好ましく、特定のHH
DT材料に接着しなければならない。以下に挙げるLH
DT材料はある特定のHHDT材料に対してはメルト接
着層として適さないかもしれないが、別のHHDT材料
層に対してはメルト接着層として使用できるかもしれな
い。融解温度が低い適切な材料としては、ポリカ―ボネ
―ト、ポリエステルカ―ボネ―ト、脂肪族ポリアミド、
ポリエチレンテレフタレ―トやポリブチレンテレフタレ
―トを始めとするポリエステル、ポリエチレンなどのよ
うなポリオレフィン、シリコ―ン‐ポリイミド、ならび
にこれらと他の熱可塑性樹脂とのブレンド、たとえば芳
香族ポリカ―ボネ―ト/ポリブチレンテレフタレ―トブ
レンドがある。
オレフィンベ―スのコポリマ―としては、低密度ポリエ
チレン、高密度ポリエチレン、線状低密度ポリエチレ
ン、アイソタクチックポリプロピレン、ポリ(1‐ブテ
ン)、ポリ(4‐メチル‐1‐ペンテン)、プロピレン
‐エチレンコポリマ―などがある。別のオレフィンコポ
リマ―としては、1種以上のα‐オレフィン(特にエチ
レン)と、たとえば酢酸ビニル、アクリル酸およびアル
キルアクリル酸ならびにこれらのエステル誘導体(たと
えば、エチレン‐アクリル酸、アクリル酸エチル、メタ
クリル酸、メタクリル酸メチルなど)を始めとする共重
合性モノマ―とのコポリマ―がある。また、全部または
一部が金属イオンで中和されていてもよいアイオノマ―
樹脂も適している。
は、次式(IX)の構造単位を含むのが普通である。
する二価で脂肪族、脂環式または芳香族の基である。式
(IX)の単位は通常少なくとも約30個存在し、少なく
とも50個存在するのが好ましい。このような線状ポリ
エステルは、ジヒドロキシ化合物とジカルボン酸または
その機能性誘導体(たとえば、無水物、酸塩化物または
低級アルキルエステル、特にメチルエステルがあり、エ
ステルが好ましい)との公知の反応によって製造される
のが典型的である。
環式または芳香族の基でよく、本発明の目的からみて脂
環式基が脂肪族基と等価であることは当業者間で公知で
ある。これらは、エチレングリコ―ル、1,4‐ブタン
ジオ―ル(これらは両方とも好ましい)、プロピレング
リコ―ル、1,3‐プロパンジオ―ル、1,6‐ヘキサ
ンジオ―ル、1,1‐デカンジオ―ル、1,4‐シクロ
ヘキサンジメタノ―ル、2‐ブテン‐1,4‐ジオ―
ル、レゾルシノ―ル、ヒドロキノンおよびビスフェノ―
ルAなどのようなジヒドロキシ化合物から誘導されるも
のでよい。また、ジヒドロキシ化合物の反応性を実質的
に変化させることのない置換基(たとえば、アルコキ
シ、ハロ、ニトリル)またはヘテロ原子(たとえば、酸
素またはイオウ)を含有する基でもよい。
ン酸、イソフタル酸およびテレフタル酸、または類似の
置換酸およびヘテロ原子含有酸などのような酸から誘導
されるものでよい。通常は約6〜10個の炭素原子を含
有している。
多い。R1 が脂肪族、特に飽和の脂肪族であり、R2 が
芳香族であるのが好ましい。これらポリエステルはポリ
(アルキレンテレフタレ―ト)が望ましく、特にポリ
(エチレンテレフタレ―ト)またはポリ(1,4‐ブチ
レンテレフタレ―ト)[以後本明細書中ではそれぞれ単
に「ポリエチレンテレフタレ―ト」または「ポリブチレ
ンテレフタレ―ト」ということがある]、とりわけ後者
が最も望ましい。このようなポリエステルは米国特許第
2,465,319号、第2,720,502号、第
2,727,881号、第2,822,348号、第
3,047,539号、第3,671,487号、第
3,953,394号、第4,128,526号に例示
されているように業界で公知である。ポリエステルは、
ゲルパ―ミエ―ションクロマトグラフィ―、または60
重量%のフェノ―ルと40重量%の1,1,2,2‐テ
トラクロロエタンの混合物中30℃での固有粘度(I
V)によって決定される数平均分子量が約10,000
〜70,000の範囲であるのが好ましい。
肪族ジカルボン酸および/またはモノアミノ‐モノカル
ボン酸との反応で得られる。適切なポリアミドは次式
(X)の式で表わされる繰返し単位を有する。
ある。適切な脂肪族ポリアミドは、ガルッチ(Gallucci)
らの米国特許第4,749,754号およびサイバ―ト
(Sybert)の米国特許第4,732,937号(これらの
特許はいずれも引用により本明細書中に含まれるものと
する)に記載されている。
の米国特許第4,690,997号(引用により本明細
書中に含まれているものとする)に記載されている。
体はポリカ―ボネ―ト製のフィルムまたはシ―トであ
る。適切なポリカ―ボネ―トは、二価フェノ―ルをホス
ゲン、ハロホルメ―トまたはカ―ボネ―トエステルなど
のようなカ―ボネ―ト前駆体と反応させることによって
製造できる。通常これらは、次式(XI)の繰返し構造単
位を有している。
ルに由来する二価の芳香族基である。これらの芳香族カ
―ボネ―トポリマ―は固有粘度が0.30〜1.0dl/
g(25℃のメチレンクロライド中で測定)の範囲であ
るのが好ましい。二価フェノ―ルという用語は、2個の
ヒドロキシ基を含有し、その各々が芳香核の炭素原子に
結合している単核か多核の芳香族化合物を意味してい
る。典型的な二価フェノ―ルには、2,2‐ビス‐(4
‐ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2‐ビス‐
(3,5‐ジメチル‐4‐ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、4,4′‐ジヒドロキシ‐ジフェニルエ―テル、ビ
ス(2‐ヒドロキシフェニル)メタン、これらの混合物
などが包含される。本発明で使用するのに好ましい芳香
族カ―ボネ―トポリマ―は2,2‐ビス(4‐ヒドロキ
シフェニル)プロパン、すなわちビスフェノ―ル‐Aか
ら誘導されるホモポリマ―である。
合を促進し、特に本発明のツインシ―トフォ―ミングプ
ロセスを容易にする。
スで使用する積層体は、高い熱変形温度の熱可塑性材料
層と、低い熱変形温度の熱可塑性材料層とを有してい
る。適した積層体としてはハ―ト・ジュニア(Hirt, J
r.)らの米国特許第4,737,414号(引用により
本明細書に含まれているものとする)に記載されている
ものがある。この特許には、ポリエ―テルイミド層と、
ポリカ―ボネ―ト樹脂、ポリエステルカ―ボネ―ト樹脂
およびポリエステル樹脂より成る群の中から選択された
層とを有する積層体が開示されている。
れる。すなわち、通常の方法で押出された別々の層を積
層したり、あるいはダイヘッドを通して共押出して複数
の層をダイ内で積層したりする。共射出成形も使用する
ことができる。各層の厚みは広範囲に変化させることが
でき、多層複合体の個々の用途に依存する。一般に、低
温材料層には50ミル以下の厚みを使用することがで
き、3〜20ミルが好ましく、10ミルが最も好まし
い。高温材料層の厚みは、通常100ミル以下を使用す
ることができ、30〜90ミルが好ましく、60ミルが
最も好ましい。積層体は全体の厚みが70〜80ミルで
あるのが最も好ましい。
品を製造するには、高い熱変形温度の熱可塑性材料の第
一の層、高い熱変形温度の熱可塑性材料の第二の層、お
よび、高い熱変形温度の熱可塑性材料の第一層と第二層
との間に配置された低い熱変形温度の材料層からなる層
を作製すればよい。これには、高い熱変形温度の材料の
単層シ―トと高い熱変形温度の材料層および低い熱変形
温度の材料層とを有する積層体とを使用する。あるい
は、好ましくは、そのような積層体を一対使用したり、
または高い熱変形温度の材料の単層シ―ト一対と低い熱
変形温度の材料のフィルムとを使用したりする。いずれ
の場合も、高い熱変形温度の材料層間の接合を達成する
ためには、ツインシ―トフォ―ミングプロセスの間、低
い熱変形温度の材料層が高い熱変形温度の材料層の間に
位置しなければならない。この接合は、高い熱変形温度
の材料層の周辺部で生じるのが好ましい。
明の好ましいツインシ―ト熱成形装置10は2個の半金
型、好ましくは図1と図2に示したような雌の半金型1
2、14をもっている。図示した金型の形状は一例であ
り、他の金型形状も本発明のプロセスに適している。た
とえば、金型形状は、最終部品の断面積が円形または卵
形となるようなものとすることができる。上側の半金型
12は可動であり、図3と図4に示してあるように下側
の半金型14から離れている開いた位置から、図5と図
6に示してあるように下側の半金型14と近接している
閉じた位置まで移動することができる。上側の半金型1
2は、この上側半金型の外周辺部を形成する矩形の水平
外側リム16をもっている。内側セクション18はリム
16から上方かつ内方に向かって傾斜していて上側の内
側水平金型領域20に達している。半金型12、14は
鋳造アルミニウムから作成したものが好ましい。領域2
0には、熱成形の間半金型12から空気が抜けていける
ように複数の穴22がドリルで開けてある。穴22を介
して真空に引くのが好ましい。リム16には半円筒形チ
ャンネル24があり、リム16の外縁26からリム16
の内縁28まで延びている。下側の半金型14は上側の
半金型12と類似の形状のものが好ましい。下側の半金
型14は、この下側半金型14の周辺部を形成する水平
の外側矩形リム30をもっている。リム30の上側部分
には半円筒形のチャンネル32があり、リム外縁34か
らリム30の内側リム端36まで延びている。このチャ
ンネル32は、半金型12と14が互いに噛合ったとき
前記チャンネル24と平行になる。内側セクション38
は下方かつ内方に向かって傾斜していて下側の水平矩形
金型領域40に達している。この金型領域40には、熱
成形の間半金型14から空気が抜けていけるように複数
の穴42がドリルで開けてある。穴42を介して真空に
引くのが好ましい。熱成形の間使用する高圧ガスの導入
管44は、中空カラ―48により管44を垂直な支えロ
ッド46に取付けることによって、(i)このロッド4
6の長手方向の軸に沿った垂直運動と(ii)同じ軸の回
りでの回転運動ができるように支えることができる。こ
の導入管はアルミニウムなどのような金属で作成したも
のが好ましい。熱成形の間、チャンネル24と32が、
半金型12と14により形成される内部キャビティ―5
0の中まで延びる管44の回りをクランプする。また熱
成形の間、高圧ガス(空気が適している)が空気源52
からホ―ス54を通って管44へ、そして上側シ―ト5
6と下側シ―ト58との間のキャビティ―50中へと通
じ入れられる。これらのシ―ト56、58は両方共図7
に示した積層体59のような積層体であるのが好まし
い。図7の積層体59は、高い熱変形温度の熱可塑性材
料からなる層60と、低い熱変形温度の熱可塑性材料か
らなる層62とをもっている。本発明のプロセスでは、
これらのシ―トを、HHDT材料の熱変形温度より高い
温度に加熱するが、好ましくはHHDT材料の融解温度
より50°F低い温度以下で加熱する。本発明のプロセ
スで積層体を使用する場合、熱成形の間の積層体の温度
はLHDT材料の融解温度を越えてもよい。何故なら、
このLHDT材料は表面張力によってHHDT材料の表
面上に保たれるからである。その後、これらのシ―ト
を、開いた装置10の半金型12と14の間に入れて管
44をシ―ト間に挿入し、金型を閉じて管44をチャン
ネル24と32の間にクランプすると共にシ―ト56と
58をその周辺部でリム16と30の間に固定する。H
HDT材料の熱変形温度より低い温度におけるシ―ト間
の溶融積層をより促進するために、半金型をLHDT材
料の融解温度より高い温度にしてもよい。半金型の温度
はHHDT材料の熱変形温度より低いのが好ましい。
たような積層体であってもよい。そのような積層体はH
HDT材料層60とLHDT材料層62とをもっている
が、これらの層は互いに積層されて直接接触接着されて
いる。
セスにより得られる構造体64は中空かつ剛性であり、
HHDT材料の上側シェル66とHHDT材料の下側シ
ェル68とをもっている。これらの上側シェルと下側シ
ェルはLHDT熱可塑性材料によって互いに接着されて
いる。
であって本発明の範囲を限定する意味はまったくない。
る。 b)ポリカ―ボネ―ト層はビスフェノ―ルAをホスゲンと
反応させて作成されたポリカ―ボネ―トであり、熱変形
温度は270°Fであった。 c)使用したポリエ―テルイミドはHDTが360°Fの
ポリエ―テルイミドであった。 d)PBTはポリブチレンテレフタレ―トである。
る。
る。
ら見た概略断面図である。
ているツインシ―ト成形装置を横から見た概略断面図で
あり、2つの積層体間にはガス導入管が挿入されてい
る。
るツインシ―ト成形装置を横から見た概略断面図であ
る。
て積層体をそれぞれの半金型の形状に合致させた後のツ
インシ―ト成形装置と積層体を横から見た概略断面図で
ある。
図である。
性構造体の側面断面図である。
型、14 下側の雌の半金型、16、30 周辺部の水
平矩形リム、44 高圧ガス導入管、50 金型内部キ
ャビティ―、56 上側シ―ト、58 下側シ―ト、5
9 本発明の積層体、60 高い熱変形温度の熱可塑性
材料からなる層、62 低い熱変形温度の熱可塑性材料
からなる層、64 本発明のプロセスにより得られる構
造体、66HHDT材料の上側シェル、68 HHDT
材料の下側シェル。
Claims (4)
- 【請求項1】 熱変形温度の高い材料をツインシ―ト熱
成形するための方法であって、熱変形温度が最低でも3
00°Fである熱可塑性材料の第一層、熱変形温度が最
低でも300°Fである熱可塑性材料の第二層、および
熱変形温度が最高でも280°Fである熱可塑性材料の
第三層を使用し、 a)前記第一層および第二層を450°Fより高い温度
に加熱し、 b)前記熱可塑性材料の第一層、前記熱可塑性材料の第
二層、および前記熱可塑性材料の第三層を、前記第三層
が前記第一層と第二層の間に配置されるようにして、3
00°Fより低い温度のふたつの半金型の間に配し、 c)第一層、第二層および第三層間の接着領域を形成す
るために前記層の一部分に対して前記半金型をプレス
し、 d)前記第一層と第二層との間で、前記第一層および第
二層の一部分を押し広げてそれぞれの半金型の形状に合
致させるのに充分な圧力差を作り出し、 e)前記層を冷却して剛性で中空の構造体を形成させる
ことからなる方法。 - 【請求項2】 a)熱変形温度が最低でも300°Fで
ある熱可塑性材料からなる第一の外側シェル層、 b)熱変形温度が最低でも300°Fである熱可塑性材
料からなる第二の外側シェル層、および c)熱変形温度が最高でも280°Fである熱可塑性材
料からなる第三の層 からなっており、前記第三の層が前記第一の層と第二の
層との間に配置されていて前記層間を接着している、熱
成形された中空のツインシ―ト構造体。 - 【請求項3】 前記第一の層と第二の層が外側の層であ
る、請求項2記載の構造体。 - 【請求項4】 さらに、熱変形温度が280°Fより低
い熱可塑性材料からなり、前記第一の層と第三の層との
間に配置されていて前記層間を接着している第四の層を
含んでいる、請求項2記載の構造体。
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