JPH0661797A - ワンショットマルチバイブレータ - Google Patents

ワンショットマルチバイブレータ

Info

Publication number
JPH0661797A
JPH0661797A JP4136446A JP13644692A JPH0661797A JP H0661797 A JPH0661797 A JP H0661797A JP 4136446 A JP4136446 A JP 4136446A JP 13644692 A JP13644692 A JP 13644692A JP H0661797 A JPH0661797 A JP H0661797A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pulse
input terminal
output
flop
capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4136446A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2874453B2 (ja
Inventor
Tadahiko Miura
忠彦 三浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP4136446A priority Critical patent/JP2874453B2/ja
Publication of JPH0661797A publication Critical patent/JPH0661797A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2874453B2 publication Critical patent/JP2874453B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】ワンショットパルスのパルス幅精度を向上させ
たワンショットマルチバイブレータ。 【構成】パルス幅設定用の第1のワンショットマルチバ
イブレータ(コンデンサC2,NMOSトランジスタN
4,定電流源33,コンパレータ34,D型フリップフ
ロップ35からなる)と、出力用の第2のワンショット
マルチバイブレータ(コンデンサC3,NMOSトラン
ジスタN5,定電圧源39,コンパレータ40,D型フ
リップフロップ41からなる)を設ける。第1のワンシ
ョットバイブレータの出力パルス幅を、クロックCLK
入力毎にそのパルス幅と比較し、等しくなるように定電
流源9〜12を順次オンさせて、D型フリップフロップ
17〜20に記憶させる。5番目のクロック入力で、ワ
ンショットマルチバイブレータを切り換え、記憶した電
流でコンデンサC3を充電し、容量によって決るパルス
幅のワンショットパルスを出力端子58に出力する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はワンショットマルチバイ
ブレータに関し、特に出力パルス幅に高い精度を要求さ
れるワンショットマルチバイブレータに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のワンショットマルチバイブレータ
は、一例を図3に示すように、定電圧源47と、ベース
が定電圧源47に、エミッタが抵抗Rの一端に、コレク
タがPNPトランジスタQ1のコレクタに接続されたN
PNトランジスタQ2と、ベースがPNPトランジスタ
Q1のベースに、エミッタがPNPトランジスタQ1の
エミッタに接続されると共に電源線に接続されているP
NPトランジスタQ3と、一端がPNPトランジスタQ
3のコレクタに接続され他端が接地されたコンデンサC
1と、非反転入力端が定電圧源54に、反転入力端がP
NPトランジスタQ3のコレクタに、出力がD型フリッ
プフロップ56のリセット入力端に接続されたコンパレ
ータ55と、D型フリップフロップ56のQB出力端に
ゲートが接続され、ドレインがPNPトランジスタQ3
のコレクタに接続され、ソースが接地されたNMOSト
ランジスタN1と、トリガ信号TRGをD型フリップフ
ロップ56のクロック入力端に入力するためのトリガ入
力端子57と、ワンショットパルスをD型フリップフロ
ップ56のQ出力端から取り出すための出力端子58よ
り構成される。尚、D型フリップフロップ56のデータ
入力端はハイレベル(H)に固定されている。
【0003】以下に、同図を用いてワンショットマルチ
バイブレータの動作を説明する。ここではD型フリップ
フロップのクロック入力は立ち上がりエッジが有効であ
り、また既にリセット状態にあるものと仮定する。この
状態の時に、トリガ入力端子57に立ち上がりエッジの
信号が入力されると、D型フリップフロップ56の出力
が反転しQB出力はロウレベルとなるので、NMOSト
ランジスタN1はオフする。一方、定電圧源47の端子
電圧はNPNトランジスタQ2を介して抵抗Rに印加さ
れる。従って、抵抗Rにはオームの法則により定まる電
流が流れる。トランジスタQ2の電流増幅率hFEが充分
大きければ、抵抗Rを流れる電流とPNPトランジスタ
Q1のコレクタを流れる電流とは等しい。PNPトラン
ジスタQ1とPNPトランジスタQ3とはカレントミラ
ー回路をなしているので、ミラー比が1であればPNP
トランジスタQ1とPNPトランジスタQ3のそれぞれ
のコレクタに流れる電流は等しくなる。すなわち、抵抗
Rに流れる電流と等しい電流がNMOSトランジスタN
1がオフしている間コンデンサC1に流れ込み、コンデ
ンサC1の端子電圧を上昇させる。
【0004】コンパレータ55は、基準電圧源54とコ
ンデンサC1の端子電圧とを比較し、コンデンサC1の
端子電圧が基準電圧源54の電圧を上回ったとき出力を
ロウレベルにする。その結果、D型フリップフロップ5
6がリセットされ、NMOSトランジストN1が再度オ
ンしてコンデンサC1の電荷を放電することにより最初
の状態に戻る。
【0005】この時の、ワンショット幅T1 は次式で与
えられる。
【0006】 T1 =C・V2 /I=C・R(V2 /V1 )(sec)・・・・・ 但し、CはコンデンサC1の容量(F)、Rは抵抗Rの
抵抗値(Ω)、V1 は基準電圧源47の端子電圧
(V)、V2 は基準電圧源54の端子電圧(V)、Iは
コンデンサC1に流れ込む電流(A)を表わし、簡単の
ため、トランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧を0
としている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のワンシ
ョットマルチバイブレータでは、ワンショット幅はコン
デンサC1の容量値と抵抗Rの抵抗値との積に比例す
る。従って、コンデンサと抵抗の絶対精度が直接ワンシ
ョット幅の精度となる。しかし、ICを製造する際にお
いては、コンデンサや抵抗の絶対精度を向上させること
は困難である。このため、従来のワンショットマルチバ
イブレータでは、IC化した時のワンショット幅の精度
を向上させることが困難であった。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のワンショットマ
ルチバイブレータは、定電流源と、基準電圧入力端に与
えられる基準電圧と制御入力端の電圧とを比較するコン
パレータと、このコンパレータの出力信号をリセット入
力とするフリップフロップと、制御入力端に接続された
容量と、この容量に並列に設けられたスイッチング素子
とを備え、外部より入力されるクロックパルスによって
トリガされて、容量への充電電流に応じたパルス幅の第
1のパルス信号をフリップフロップのデータ出力端に出
力する第1のパルス発生回路と、基準電圧入力端に与え
られる基準電圧と制御入力端の電圧とを比較するコンパ
レータと、このコンパレータの出力信号をリセット入力
とするフリップフロップと、制御入力端に接続された容
量と、この容量に並列に設けられたスイッチング素子と
を備え、外部より入力されるトリガ信号によってトリガ
されて、容量への充電電流に応じたパルス幅の第2のパ
ルス信号を外部への出力信号としてフリップフロップの
データ出力端に出力する第2のパルス発生回路と、前記
定電流源の電流によって決まる前記第1のパルス信号の
パルス幅を前記クロックパルスのパルス幅と比較し、前
記第1のパルス信号のパルス幅に応じたデジタル信号の
組み合わせに変換し記憶するとともに、このデジタル信
号の組み合せに応じた値のアナログ電流を出力DするA
コンバータと、前記DAコンバータの前記アナログ電流
の出力端および前記定電流源の出力端を、前記DAコン
バータでの前記変換時には前記第1のパルス発生回路の
制御入力端に接続し、変換終了後には、前記DAコンバ
ータからの変換終了信号に応じて、前記第2のパルス発
生回路の制御入力端に切り換えて接続するスイッチング
手段とを備えることを特徴としている。
【0009】
【実施例】次に本発明の好適な実施例について図面を参
照して説明する。図1は、本発明の第1の実施例の回路
図である。同図において、定電流源9,10,11,1
2はそれぞれ、NMOSトランジスタN9,N10,N
11,N12を介してNMOSトランジスタN2および
N3に接続されている。本実施例においては、これらの
4つの定電流源の電流値の間には次のような関係が有る
ものと仮定する。
【0010】 I9 =2・I10=4・I11=8・I12・・・・・ NMOSトランジスタN9,N10,N11,N12の
ゲートは、それぞれD型フリップフロップ17,18,
19,20のQ出力に接続されている。
【0011】D型フリップフロップ17,18,19,
20はそれぞれ、クロック入力端がデコーダを構成して
いるNANDゲート21,22,23,24の出力端に
接続され、また、データ入力端がD型フリップフロップ
35のQ出力端に接続されている。T型フリップフロッ
プ25,26,27は、クロック入力端子5からAND
ゲート29を介して印加されるクロックをカウントする
カウンタを構成しており、T型フリップフロップ25,
26のQおよびQB出力は、NANDゲート21,2
2,23,24の入力端に加えられてデコードされる。
T型フリップフロップ27は、Q出力がNMOSトラン
ジスタN3のゲートに、QB出力がNMOSトランジス
タN2のゲートに接続される。QB出力端は、同時にA
NDゲート29および28の入力端にも接続されてい
る。
【0012】NMOSトランジスタN2の他の一端は、
コンデンサC2,NMOSトランジスタN4およびコン
パレータ34の反転入力端に接続される。コンデンサC
2,NMOSトランジスタN4の他端は接地されてい
る。コンパレータ34の非反転入力端には基準電圧源3
3が、また出力端にはD型フリップフロップ35のリセ
ット入力端が接続されている。D型フリップフロップ3
5のクロック入力端はクロック入力端子5に接続され、
またQB出力端はNMOSトランジスタN4のゲートに
接続されている。
【0013】NMOSトランジスタN3の他の一端はコ
ンデンサC3,NMOSトランジスタN5およびコンパ
レータ40の反転入力端に接続される。コンデンサC
3,NMOSトランジスタN5の他端は接地されてい
る。コンパレータ40の非反転入力端には基準電圧源3
9が、また出力端にはD型フリップフロップ41のリセ
ット入力端が接続されている。D型フリップフロップ4
1のクロック入力端はトリガ入力端子47に接続され、
またQB出力端はNMOSトランジスタ38のゲートに
接続されている。
【0014】以下に、本実施例の動作を図1を用いて説
明する。尚、T型フリップフロップ25,26,27は
それぞれ、クロック入力の立ち下りエッジで動作するも
のとする。又、初期状態として、リセット入力端子42
にリセット信号RESが入力され、回路が既にリセット
状態にあるものとする。コンデンサC2,NMOSトラ
ンジスタN4,基準電圧源33,コンパレータ34,D
型フリップフロップ35より構成される第1のワンショ
ットマルチバイブレータに、リセット後まず1番目のク
ロックCLKがクロック入力端子を介して印加される
と、クロックCLKの立ち上りエッジでD型フリップフ
ロップ35の出力が反転しQB出力はロウレベルとな
り、NMOSトランジスタN4がオフする。この間、定
電流源8の電流I8 がNMOSトランジスタN2を介し
てコンデンサC2に流れ込みコンデンサC2の端子電圧
を上昇させる。
【0015】コンパレータ34は、基準電圧源33とコ
ンデンサC2の端子電圧とを比較し、コンデンサC2の
端子電圧が基準電圧源33の電圧を上回ったとき出力を
ロウレベルにする。その結果、D型フリップフロップ3
5がリセットされ、NMOSトランジスタN4が再度オ
ンしコンデンサC2の電荷を放電することにより最初の
状態に戻る。従って、D型フリップフロップ35のQ出
力は次式のようにコンデンサC2とNMOSトランジス
タN4を介して流れ込む電流によって定まる時間T2
けハイとなる。
【0016】 T2 =C2 ・V3 /I(sec)・・・・ 但しC2 はコンデンサC2の容量(F)、V3 は基準電
圧源33の端子電圧(V)、IはコンデンサC2に流れ
込む電流(A)を表す。
【0017】一方、T型フリップフロップ25,26の
Q出力はロウ、QB出力はハイであり、ANDゲート2
8を介してクロックCLKが印加されると、クロックが
ハイの期間NANDゲート21の出力がロウとなる。ク
ロックCLKがハイからロウに変化すると、NANDゲ
ート21の出力はロウからハイに変化し、そのときのD
型フリップフロップ35のQ出力の状態がD型フリップ
フロップ17に読み込まれる。
【0018】ここでD型フリップフロップ35のQ出力
の状態がハイであるということは、クロックCLKがハ
イである期間よりワンショットの出力幅T2 の方が長い
ことを意味する。この場合、D型フリップフロップ17
にハイが読み込まれることで、NMOSトランジスタN
9がオンし、コンデンサC2に流れ込む電流が増加し、
ワンショットの出力幅T2 が短くなる。逆に、D型フリ
ップフロップ35のQ出力の状態がロウであるというこ
とは、クロックCLKがハイである期間よりワンショッ
トの出力幅T2 の方が短いことを意味する。この場合、
D型フリップフロップ17にロウが読み込まれること
で、NMOSトランジスタN9はオフのままである。
【0019】次に、2番目のクロックCLKが印加され
ると、1番目のクロックCLK入力の時と同様にしてD
型フリップフロップ35のQ出力が一定時間だけハイと
なる。一方、T型フリップフロップ25のQ出力はハ
イ、QB出力はロウであり、D型フリップフロップ26
のQ出力はロウ、QB出力はハイである。従って、AN
Dゲート28を介してクロックCLKが印加されると、
今度はNANDゲート22の出力がロウとなる。そのた
め、クロックCLKがハイからロウに変化するとD型フ
リップフロップ35のQ出力の状態がD型フリップフロ
ップ18に読み込まれる。
【0020】クロックCLKがハイである期間よりワン
ショットの出力幅の方が長い場合、D型フリップフロッ
プ18にハイが読み込まれ、NMOSトランジスタN1
0がオンし、コンデンサC2に流れ込む電流が増加す
る。しかし、定電流源10の電流I10が定電流源9の電
流I9 の半分であるので、ワンショットの出力幅が短く
なる度合は1番目のクロックCLKのときの半分にな
る。逆に、クロックCLKがハイである期間よりワンシ
ョットの出力幅の方が短いときは、D型フリップフロッ
プ18にロウが読み込まれるので、NMOSトランジス
タN10はオフのままである。
【0021】以下、同様にして3番目のクロック、4番
目のクロックとワンショット幅が変化していき、最終的
に、クロックCLKがハイである期間Tと予想されるワ
ンショットの出力幅のうち短い場合Ta 、長い場合Tb
は次のような関係になる。
【0022】Ta <T<Tb ・・・・・ 但し、Ta =C2 ・V3 /(i+I12)、Tb =C2
3 /i、iは4番目のクロックが印加されたときにコ
ンデンサC2に流れ込む電流、I12は定電流源12の電
流である。iの最大値は(I9 +I10+I11)であるの
で、式より、 i=I8 +I9 +I10+I11=I8 +14・I12 従って、クロックCLKがハイである期間に対するワン
ショットの出力幅の誤差eは、
【0023】
【0024】よって、Tと(C2 ・V3 /I)は誤差e
の範囲で一致する。
【0025】次に、5番目のクロックが印加されると、
D型フリップフロップ27のQ出力がロウになりQB出
力がハイになるので、ANDゲート29,28にはロウ
が入力され、NANDゲート21,22,23,24お
よびT型フリップフロップ25,26,27にはクロッ
クCLKが印加されなくなり、以後動作しなくなる。ま
た、NMOSトランジスタN2はオフになり、NMOS
トランジスタN3はオンする。
【0026】このため、これまでNMOSトランジスタ
N2を介して流れていた電流が、5番目のクロック以
降、NMOSトランジスタN3を介してながれるように
なり、コンデンサC3,NMOSトランジスタN5,基
準電圧源39,コンパレータ40,D型フリップフロッ
プ41より構成される第2のワンショットマルチバイブ
レータが動作する。このワンショットマルチバイブレー
タのワンショット幅T3は、 T3 =C3 ・V4 /I=C3 ・V4 /(C2 ・V3 /T)・・・・・ 但し、C3 はコンデンサC3の容量値(F)、V4 は基
準電圧源39の端子電圧(V)である。
【0027】式より、C2 とC3 、およびV3 とV4
の相対比がとれていれば、式の結果から式も誤差e
の範囲で成り立ち、従来のワンショットマルチバイブレ
ータに比べ高い精度が得られる。
【0028】次に、本発明の第2の実施例の回路図を図
2に示す。本実施例においては、NMOSトランジスタ
N4,基準電圧源33,コンパレータ34,D型フリッ
プフロップ35を、第1の実施例における第1のワンシ
ョットマルチバイブレータと第2のワンショットマルチ
バイブレータとで共通とし、NMOSトランジスタN
2,N3によってコンデンサC2,C3を切り換えてい
る。図2において、リセット後、5番目のクロックが入
力されるまではT型フリップフロップ27のQB出力が
ハイなので、NMOSトランジスタN2がオンしコンデ
ンサC2が選択される。この間、コンデンサC2に合わ
せてNMOSトランジスタN2を流れる電流が変化す
る。5番目のクロック以降は、D型フリップフロップ2
7のQ出力がハイとなりNMOSトランジスタN3がオ
ンするので、コンデンサC3が選択され通常の動作とな
る。本実施例においては、第1のワンショットマルチバ
イブレータと第2のワンショットマルチバイブレータと
を共通としているので、素子数を減らすことが出来ると
いう利点を有する。
【0029】尚、以上の2つの実施例ではクロックCL
Kのカウンタを2ビットとしたが、ビット数をさらに増
やせば、ビット数に比例してワンショットパルス幅の精
度を向上させることができる。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、パルス
幅設定用の第1のワンショットマルチバイブレータと、
出力用の第2のワンショットマルチバイブレータとを設
け、第1のワンショットマルチバイブレータを、その出
力幅が外部より入力される基準周波数信号のパルス幅と
一致するようにDAコンバータを用いて制御し、これに
必要な充電電流値を記憶させ、ワンショットパルスを外
部に出力する時は、この記憶された電流を用いて出力用
の第2のワンショットマルチバイブレータを動作させる
ので、出力ワンショットパルスのパルス幅を精度良く決
定できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の回路図である。
【図2】本発明の第2の実施例の回路図である。
【図3】従来のワンショットマルチバイブレータの一例
の回路図である。
【符号の説明】
5 クロック入力端子 8,9,10,11,12 定電流源 17,18,19,20,35,41,56 D型フ
リップフロップ 21,22,23,24 NANDゲート 25,26,27 T型フリップフロップ 28,29 ANDゲート 33,39 基準電圧源 34,40,55 コンパレータ 42 リセット入力端子 47,54 定電圧源 57 トリガ入力端子 58 出力端子

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 定電流源と、 基準電圧入力端に与えられる基準電圧と制御入力端の電
    圧とを比較するコンパレータと、このコンパレータの出
    力信号をリセット入力とするフリップフロップと、制御
    入力端に接続された容量と、この容量に並列に設けられ
    たスイッチング素子とを備え、外部より入力されるクロ
    ックパルスによってトリガされて、容量への充電電流に
    応じたパルス幅の第1のパルス信号をフリップフロップ
    のデータ出力端に出力する第1のパルス発生回路と、 基準電圧入力端に与えられる基準電圧と制御入力端の電
    圧とを比較するコンパレータと、このコンパレータの出
    力信号をリセット入力とするフリップフロップと、制御
    入力端に接続された容量と、この容量に並列に設けられ
    たスイッチング素子とを備え、外部より入力されるトリ
    ガ信号によってトリガされて、容量への充電電流に応じ
    たパルス幅の第2のパルス信号を外部への出力信号とし
    てフリップフロップのデータ出力端に出力する第2のパ
    ルス発生回路と、 前記定電流源の電流によって決まる前記第1のパルス信
    号のパルス幅を前記クロックパルスのパルス幅と比較
    し、前記第1のパルス信号のパルス幅に応じたデジタル
    信号の組み合わせに変換し記憶するとともに、このデジ
    タル信号の組み合せに応じた値のアナログ電流を出力す
    るDAコンバータと、 前記DAコンバータの前記アナログ電流の出力端および
    前記定電流源の出力端を、前記DAコンバータでの前記
    変換時には前記第1のパルス発生回路の制御入力端に接
    続し、変換終了後には、前記DAコンバータからの変換
    終了信号に応じて、前記第2のパルス発生回路の制御入
    力端に切り換えて接続するスイッチング手段とを備える
    ことを特徴とするワンショットマルチバイブレータ。
  2. 【請求項2】 定電流源と、 基準電圧入力端に与えられる基準電圧と制御入力端の電
    圧とを比較するコンパレータと、このコンパレータの出
    力信号をリセット入力とするフリップフロップと、第1
    のスイッチング素子を介して前記制御入力端に接続され
    た第1の容量と、第2のスイッチング素子を介して前記
    制御入力端に接続された第2の容量と、制御入力端に接
    続されたスイッチング素子とを備え、容量への充電電流
    に応じたパルス幅のパルス信号をフリップフロップのデ
    ータ出力端に出力するパルス発生回路と、 前記定電流源の電流によって決まる前記パルス信号のパ
    ルス幅を外部からのクロックパルスのパルス幅と比較
    し、前記パルス信号のパルス幅に応じたデジタル信号の
    組み合わせに変換し記憶するとともに、このデジタル信
    号の組み合せに応じた値のアナログ電流を前記パルス発
    生回路の前記制御入力端に接続された電流出力端に出力
    するDAコンバータと、 前記DAコンバータでの前記変換時には、パルス発生回
    路の前記第1のスイッチング素子を導通させるととも
    に、前記クロックパルスの入力端子を前記パルス発生回
    路のフリップフロップのクロック入力端に接続し、変換
    終了後には、前記パルス発生回路の前記第2のスイッチ
    ング素子を導通させるとともに、外部からのトリガ信号
    の入力端子を前記パルス発生回路のフリップフロップの
    クロック入力端に切り換えて接続するスイッチング手段
    とを含むことを特徴とするワンショットマルチバイブレ
    ータ。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2記載のワンショ
    ットマルチバイブレータにおいて、 前記DAコンバータは、前記クロックパルスの入力パル
    ス数をカウントするカウンタと、 前記カウンタの出力信号をデコードするデコーダと、 前記デコーダの各ビット毎の出力信号をそれぞれのクロ
    ック入力とし前記第1のパルス発生回路が出力する第1
    のパルス信号または前記パルス発生回路が出力するパル
    ス信号をデータ入力とするD型フリップフロップと、 少なくとも一つ以上の定電流源と、この定電流源と前記
    アナログ電流出力端との間に設けられ導通状態が前記D
    型フリップフロップのデータ出力によって制御されるス
    イッチング素子とを備えた定電流源回路とを含み、 前記カウンタの最終ビットの出力信号によって前記スイ
    ッチング手段を動作させることを特徴とするワンショッ
    トマルチバイブレータ。
JP4136446A 1992-05-28 1992-05-28 ワンショットマルチバイブレータ Expired - Lifetime JP2874453B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4136446A JP2874453B2 (ja) 1992-05-28 1992-05-28 ワンショットマルチバイブレータ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4136446A JP2874453B2 (ja) 1992-05-28 1992-05-28 ワンショットマルチバイブレータ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0661797A true JPH0661797A (ja) 1994-03-04
JP2874453B2 JP2874453B2 (ja) 1999-03-24

Family

ID=15175308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4136446A Expired - Lifetime JP2874453B2 (ja) 1992-05-28 1992-05-28 ワンショットマルチバイブレータ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2874453B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110518661A (zh) * 2019-08-26 2019-11-29 广东易百珑智能科技有限公司 电脉冲合并装置及其合并方法
CN112367064A (zh) * 2020-11-13 2021-02-12 杭州瑞声检测科技有限公司 超声高压脉冲同步触发输出电路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110518661A (zh) * 2019-08-26 2019-11-29 广东易百珑智能科技有限公司 电脉冲合并装置及其合并方法
CN112367064A (zh) * 2020-11-13 2021-02-12 杭州瑞声检测科技有限公司 超声高压脉冲同步触发输出电路
CN112367064B (zh) * 2020-11-13 2024-05-03 杭州申昊科技股份有限公司 超声高压脉冲同步触发输出电路

Also Published As

Publication number Publication date
JP2874453B2 (ja) 1999-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6466076B2 (en) Variable delay circuit having a ramp voltage generating unit
JPS63302620A (ja) 出力回路
US4611136A (en) Signal delay generating circuit
US7084698B2 (en) Band-gap reference circuit
JP2874453B2 (ja) ワンショットマルチバイブレータ
JPH0255968B2 (ja)
JP3082336B2 (ja) Ecl−cmosレベル変換回路
JPH04259986A (ja) 半導体記憶装置
JP3198748B2 (ja) 静電容量検出回路
JPH06224701A (ja) シュミットトリガ回路
KR910004855Y1 (ko) 지연 회로
JPH044285Y2 (ja)
JPH0722950A (ja) Ad変換回路
JPH0145250B2 (ja)
JP2603355B2 (ja) 集積回路装置
JPH01126013A (ja) デューティー・サイクル変換回路
JPH0416017A (ja) パルス・ストレッチャー回路
JPH07321288A (ja) 半導体集積回路、並びにそれを用いたレギュレータ及び温度計
JPH09135157A (ja) パワーオンリセット回路
JP3052819B2 (ja) 電圧電流変換回路
JPH01243623A (ja) 信号レベル変換器
JPS59151520A (ja) 単安定マルチバイブレ−タ
JPS6229311A (ja) シユミツト回路
JPS6340915Y2 (ja)
JPS58195319A (ja) パワ−オンリセツト回路

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19981215