JPH0661759A

JPH0661759A - 高周波半導体装置

Info

Publication number: JPH0661759A
Application number: JP20888292A
Authority: JP
Inventors: Seiichi Tsuji; 聖一辻; Masaki Kono; 正基河野
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1992-08-05
Filing date: 1992-08-05
Publication date: 1994-03-04

Abstract

(57)【要約】【目的】幅広の電界効果トランジスタの中央部と両端
部に供給されるマイクロ波電力の位相を揃える。【構成】金属製容器50内に電界効果トランジスタ52が
設けられている。このトランジスタ52では、複数のゲー
トパッドが一方の端部から他方の端部に向かって一列に
配列されている。一対の短辺とこれらと直角な一対の長
辺とを有する矩形状部76を整合回路74が有し、この矩形
状部76の一方の長辺がトランジスタ52の上記各パッドの
配列位置の近傍において一方の端部から他方の端部にま
で位置し、これら矩形状部76に上記各パッドがそれぞれ
金ワイヤー80を介して接続されている。この整合回路74
では、矩形状部76の長辺の中央部付近からマイクロ波信
号が入力される。矩形状部74の両端部の近傍に、その短
辺方向にほぼ平行にスリット100 、102 を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高周波半導体装置に関
し、特に金属製容器内に、電界効果トランジスタと、こ
のトランジスタの入出力インピーダンスを外部の信号源
及び負荷と整合させるための整合回路とを有する内部整
合型のものに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、上記のような高周波半導体装置と
しては、例えば図１２に示すようなものがある。この高
周波半導体装置は、金属製容器１０を有し、その内部中
央に電界効果トランジスタ１２が配置されている。この
トランジスタ１２は、図示していないが、内部にゲート
フィンガーと、ソースと、ドレインとからなる単位トラ
ンジスタを複数有しており、何個かの単位トランジスタ
に１つのゲートパッド、ソースパッド、ドレインパッド
が設けられている。そして、これら各ゲートパッドは、
同図における左端側の下部から上部に沿って配置され、
ドレインパッドは、右端側の下部から上部に沿って配置
されている。また、各ソースパッドは金属製容器１０に
接続されている。

【０００３】ゲートパッド側には、誘電体基板１４上に
形成した入力側整合回路１６が設けられており、この入
力側整合回路１６は、金ワイヤー１８を介して各ゲート
パッドに接続されている。また、この入力側整合回路１
６は金ワイヤー２０を介して金属製容器１０に設けた入
力端子２２に接続されている。従って、入力端子２２か
ら入力された高周波電力は、入力側整合回路１６によっ
て各ゲートフィンガーの合成インピーダンスに等しいイ
ンピーダンスに変換されて、トランジスタ１２の各ゲー
トパッドに供給される。

【０００４】トランジスタ１２のドレインパッド側に
は、誘電体基板２４上に形成した出力側整合回路２６が
設けられ、この出力側整合回路２６は、金ワイヤー２８
を介してドレインパッドに接続されている。この出力側
整合回路２６は、金ワイヤー３０を介して金属製容器１
０に設けた出力端子３２に接続されている。従って、各
ドレインパッドから取り出された高周波電力は、出力側
整合回路２６によって所望のインピーダンス、例えば５
０Ωに変換され、出力端子３２に供給される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】近年、高周波半導体装
置の高出力化が図られており、電界効果トランジスタ１
２内に設けられる単位トランジスタの数が増加してい
る。その結果、各単位トランジスタのゲートの幅を合計
したトータルゲート幅が大きくなっており、入力インピ
ーダンスは低くなり、また電界効果トランジスタ１２の
幅（図１２における上端部から下端部までの長さ）が大
きくなっている。これに伴い、入力側及び出力側整合回
路１６、２６の幅（図１２における上端部から下端部ま
での長さ）も大きくなっている。そのため、例えば入力
側整合回路１６の中央部から両端部に向かって高周波電
力が伝送されていく間に、位相が遅れ、単位トランジス
タのうち中央に位置するものに入力された高周波電力の
位相よりも両端部の近傍にある単位トランジスタに入力
される高周波電力の位相が遅れ、トランジスタ１２内で
均一に高周波電力が増幅されないという問題点があっ
た。

【０００６】この問題点を解決するために、例えば特開
平１−２０６７１０号公報では、図１３に示すように、
電界効果トランジスタ３４の両側に誘電体基板３６、３
８を設け、これら基板３６、３８上に電界効果トランジ
スタ３４の図における上下方向の長さよりも長い高周波
線路４０、４２を設け、入力側の高周波線路４０は、そ
の下端部がトランジスタ３４の下端部よりも下方に位置
するように、出力側の高周波線路４２は、その上端部が
トランジスタ３４の上端部よりも上方に位置するように
配置している。そして、入力側高周波線路４０の下端部
より高周波電力を供給し、出力側高周波線路４２の上端
部から高周波電力を取り出すようにしている。

【０００７】このようにすれば、トランジスタ３４の下
端部に入力された高周波電力は、さして位相が遅れてい
ないが、増幅された後、出力側高周波線路４２の上端部
に到達するまでに位相が遅れる。また、トランジスタ３
４の上端部に入力された高周波電力は、ここに到達する
までに入力側高周波線路４０を伝送されている間に位相
が遅れているが、増幅された後、出力側高周波線路４０
の上端部に伝送されるまで殆ど位相の遅れは生じない。
従って、出力側高周波線路４０の上端部にそれぞれ伝送
されてきた各高周波電力の位相は、ほぼ揃うことにな
る。

【０００８】しかし、このように２つの高周波線路４
０、４２を使用する場合、別途、入力側及び出力側にそ
れぞれインピーダンス整合用回路が必要になり、構成が
複雑になるという新たな問題が発生する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
め、本第１の発明では、複数の入力または出力パッドが
一方の端部から他方の端部に向かって一列に配列されて
いる高周波用電界効果トランジスタと、一対の短辺とこ
れらと直角な一対の長辺とを有する矩形状部を有し、こ
の矩形状部の一方の長辺が上記トランジスタの上記各パ
ッドの配列位置の近傍において上記一方の端部から他方
の端部にまで位置し、これら矩形状部に上記各パッドが
それぞれ接続され、上記長辺の中央部付近から信号の入
出力が行われる整合回路とを、具備し、この整合回路
は、上記矩形状部の両端部の近傍において、その短辺方
向にほぼ平行なスリットを有している。

【００１０】また、第２の発明では、金属製容器と、こ
の容器内に設けられており、複数の入力または出力パッ
ドが一方の端部から他方の端部に向かって一列に配列さ
れている高周波用電界効果トランジスタと、基板上に一
対の短辺とこれらと直角な一対の長辺とを有する矩形状
部を有し、この矩形状部の一方の長辺が上記トランジス
タの上記各パッドの配列位置の近傍において上記一方の
端部から他方の端部にまで位置し、これら矩形状部に上
記各パッドがそれぞれ接続され、上記長辺の中央部付近
から信号の入出力が行われる整合回路と、上記矩形状部
の両端部近傍と上記金属製容器との間に電気的に接続さ
れているコンデンサとを、具備している。

【００１１】また、第３の発明では、金属製容器と、こ
の容器内に設けられており、複数のゲートパッドが一方
の端部から他方の端部に向かって一列に配列されると共
に、これらの近傍にソースパッドをそれぞれ有している
高周波用電界効果トランジスタと、基板上に一対の短辺
とこれらと直角な一対の長辺とを有する矩形状部を有
し、この矩形状部の一方の長辺が上記トランジスタの上
記各ゲートパッドの配列位置の近傍において上記一方の
端部から他方の端部にまで位置し、これら矩形状部に上
記各ゲートパッドがそれぞれ接続され、上記長辺の中央
部付近から高周波信号が入力される入力側整合回路と、
上記各ソースパッドのうち両端部の近傍にあるものの上
面に設けた誘電体と、この誘電体の上面に設けられ隣接
するゲートパッドにそれぞれ接続されているパッドと
を、具備している。

【００１２】また、第４の発明では、金属製容器と、こ
の容器内に設けられており、複数のゲートパッドが一方
の端部から他方の端部に向かって一列に配列されると共
に、これらの近傍にソースパッドをそれぞれ有している
高周波用電界効果トランジスタと、基板上に一対の短辺
とこれらと直角な一対の長辺とを有する矩形状部を有
し、この矩形状部の一方の長辺が上記トランジスタの上
記各ゲートパッドの配列位置の近傍において上記一方の
端部から他方の端部にまで位置し、これら矩形状部に上
記各ゲートパッドがそれぞれ接続され、上記長辺の中央
部付近から高周波信号が入力される入力側整合回路と、
上記各ゲートパッドのうち両端部の近傍にあるものの面
積を中央部にあるものよりも大きくしてある。

【００１３】

【作用】第１の発明では、整合回路の矩形状部の両端部
近傍にスリットを形成することによって、矩形状部の両
端の近傍に容量を形成している。また、第２の発明によ
れば、矩形状部の両端部と金属容器との間にコンデンサ
を設けている。また、第３の発明では、金属製容器に接
続されているソースパッドのうち両端部近傍にあるもの
の上に誘電体を設け、その上にパッドを設け、これをゲ
ートパッドに接続しているので、ゲートパッドと金属製
容器との間にコンデンサが形成されている。また、第４
の発明では、両端部近傍にあるゲートパッドの面積を広
くしているので、これらゲートパッドと金属製容器との
間にコンデンサが形成されている。このようにコンデン
サを設けているので、トランジスタの両端部近傍の高周
波電力と中央部の高周波電力との間には、位相の遅れは
生じない。

【００１４】

【実施例】第１の実施例を図１乃至図３に示す。この実
施例は、金属製容器５０を有し、図２に示すように、そ
の中央部の隆起した部分５１にマイクロ波用の電界効果
トランジスタ５２を有している。

【００１５】このトランジスタ５２は、図３に拡大して
示すように平行に配置された多数のゲートフィンガー５
４を有している。これらゲートフィンガー５４は、図１
における上下方向（以下、幅方向と称する。）に対して
垂直にそれぞれ配置されている。各ゲートフィンガー５
４の両側にはドレイン５６と、ソース５８とが設けられ
ており、１つのゲートフィンガー５４と１つのドレイン
５６と１つのソース５８とで単位電界効果トランジスタ
が構成されている。従って、このトランジスタ５２内に
は、多数の単位電界効果トランジスタが構成されてい
る。

【００１６】各ゲートフィンガー５４は、線路６０を介
して互いに接続されており、この線路６０には、所定間
隔ごとにゲートパッド６２が幅方向に沿って形成されて
いる。従って、複数の単位トランジスタのゲートフィン
ガー５４が１つのゲートパッド６２に接続されている。
また各ドレイン５６は、線路６０とは反対側に、これと
ほぼ平行に設けられた線路６４に接続されており、この
線路６４にも所定間隔ごとに幅方向に沿ってドレインパ
ッド６６が設けられている。従って、複数の単位トラン
ジスタのドレインが１つのドレインパッド６６に接続さ
れている。また、各ソース５８は、ゲートパッド６２と
同じ側に、各ゲートパッド６２間に位置するように設け
たソースパッド６８にそれぞれ金ワイヤー７０を介して
接続されている。従って、複数の単位トランジスタのソ
ースが１つのソースパッド６８に接続されている。これ
らソースパッド６８は、図示していないが、バイアホー
ルを介して金属容器５０の隆起部分５１に電気的に接続
されている。

【００１７】トランジスタ５２におけるゲートパッド６
２が設けられている側には、図１に示すように誘電体基
板７２が設けられ、この誘電体基板７２には、入力側整
合回路７４が形成されている。この入力側整合回路７４
は、２つの矩形状部７６、７８からなり、矩形状部７６
は、その１対の長辺のうち一方が、トランジスタ５２の
幅方向に沿って配置されている。この矩形状部の他方の
長辺の中央部に、矩形状部７８の短辺が結合され、両者
によってＴ字状をなしている。

【００１８】そして、矩形状部７６に、金ワイヤー８０
を介して各ゲートパッド６２がそれぞれ接続されてい
る。また、矩形状部７８の図１における左端部の近傍の
金属容器５０上には、図２に示すように絶縁物８２を介
して入力端子８４が形成されており、この入力端子８４
に金ワイヤー８６を介して矩形状部７８が接続されてい
る。

【００１９】トランジスタ５２におけるドレインパッド
６２が設けられている側にも、図１に示すように誘電体
基板８８が設けられており、この基板８８上には、Ｔ字
状の出力側整合回路９０が設けられている。この整合回
路９０のトランジスタ５２と隣接している部分は、金ワ
イヤー９２を介してトランジスタ５２の各ドレインパッ
ド６６に接続されており、この整合回路９０の金属容器
５０に最も接近している部分は、金属容器５０上に絶縁
物９４を介して設けた出力端子９６に金ワイヤー９８を
介して接続されている。

【００２０】入力側整合回路７４の矩形状部７６の両端
部近傍には、それぞれトランジスタ５２とは反対側の長
辺からトランジスタ５２側に向かうスリット１００、１
０２が、この矩形状部７４の短辺に平行に設けられてい
る。また、この矩形状部７４のトランジスタ５２側の長
辺の中央部から反対側の長辺に向かってスリット１０４
が設けられている。このスリット１００、１０２は、ス
リット１０４を通る線を対称軸として対称に配置されて
いる。これらスリット１００、１０２を設けたことによ
って、これらスリット１００、１０２と各短辺との間に
ある部分と、金属容器５０との間に容量が形成され、結
果として、トランジスタ５２の両端部の近傍にある各ゲ
ートフィンガーと金属容器５０との間に容量が接続され
たことになる。なお、誘電体基板７２、７８の容器５０
の接触面には、全域にわたって金属箔１０１、１０３が
形成されている。

【００２１】入力端子８４からのマイクロ波電力は、矩
形状部７８を伝送され、スリット１０４によって２分さ
れて、矩形状部７６の両短辺側に向かってそれぞれ伝送
されながら、各金ワイヤー８０を介して各ゲートフィン
ガー５４に供給される。スリット１００、１０２を設け
ていないと、短辺側に向かって伝送される間に、マイク
ロ波電力の位相が遅れるが、上記容量を設けているの
で、位相の遅れが生じず、各ゲートフィンガー５４に供
給されるマイクロ波電力は、位相がほぼ揃ったものとな
る。

【００２２】ちなみに、トランジスタ５２に、１つのゲ
ートフィンガー５４のゲート幅７５μｍ、トータルゲー
ト幅１０．５ｍｍ、ゲートフィンガー長０．５μｍで、
全幅が２．５ｍｍで、８ＧＨｚ乃至１４ＧＨｚのマイク
ロ波電力を増幅するものを使用した場合のスリット１０
０、１０２、１０４の形成位置、長さ、幅を図１に示
す。尚、単位は全てｍｍである。この場合、誘電体基板
７２には、比誘電率３７．９、厚さが２．０ｍｍのもの
を使用し、誘電体基板７２の上面と金属製容器５０の底
面との距離は２．０ｍｍである。

【００２３】図４及び図５に第２の実施例を示す。第１
の実施例では、入力側整合回路７４にスリット１００、
１０２、１０４を形成して、容量成分を構成したが、こ
の実施例では、マイクロコンデンサによって容量成分を
構成している。なお、第１の実施例と同等部分には同一
符号の末尾に符号ａを付して、その説明を省略する。

【００２４】この実施例では、入力側整合回路７４ａの
矩形状部７６ａの両端部近傍に、それぞれ図５に示すよ
うに誘電体１０６、１０６が設けられ、その上面に電極
１０８、１０８が形成されている。そして、これら電極
１０８、１０８が設けられている位置の近傍の誘電体基
板７２ａには、グランドパッド１１０が形成されてお
り、これらグランド電極１１０、１１０は、バイアホー
ル１１２、１１２を介して金属製容器５０ａに接続され
ている。そして、グランドパッド１１０、１１０に、電
極１０８、１０８が金ワイヤー１１４、１１４を介して
接続されている。

【００２５】従って、矩形状部７６ａの両端部近傍の部
分と、誘電体１０６、１０６と、電極１０８、１０８、
金ワイヤー１１４、１１４、グランドパッド１１０、１
１０によってマイクロコンデンサが構成されている。こ
の容量成分の値は、例えば０．１乃至１ｐＦとなるよう
に誘電体１０６の比誘電率、その厚み、電極１０８の大
きさが決定されている。例えば、容量を０．１５ｐＦと
する場合、比誘電率が３７．９、厚さを０．２ｍｍ、電
極１０８、１０８を１辺の長さが０．３ｍｍの正方形と
すればよい。

【００２６】図６及び図７に第３の実施例を示す。第２
の実施例では、マイクロコンデンサを矩形状部７６ａ上
に設けたが、第３の実施例では、誘電体基板７２ｂ上に
形成してある。なお第１の実施例と同等部分には同一符
号の末尾に符号ｂを付して、その説明を省略する。

【００２７】この実施例では、矩形状部７６ｂの両端部
近傍の誘電体基板７２ｂ上にマイクロコンデンサ１１
６、１１６が設けられており、これの上面側の電極１１
８、１１８は金ワイヤー１２０を介して矩形状部７６ｂ
の両端部の近傍に接続されている。また、このマイクロ
コンデンサ１１６の下部電極１２２は、図７に示すよう
にバイアホール１２４を介して金属製容器５０ｂに接続
されている。このマイクロコンデンサ１１６の容量は、
例えば０．３乃至１ｐＦに選択されている。

【００２８】第２及び第３の実施例では、矩形状部７６
ａ、７６ｂの両端部近傍と金属製容器５０ａ、５０ｂと
の間に容量成分が設けられているので、これら矩形状部
７６ａ、７６ｂの両端部近傍からトランジスタ５２ａ、
５２ｂに供給されるマイクロ波電力は、矩形状部７６
ａ、７６ｂの中央部から供給されるマイクロ波電力と位
相が揃っている。

【００２９】第４の実施例を図８及び図９に示す。上記
の各実施例では、容量成分を入力側整合回路に関連した
設けたが、この実施例では、トランジスタ５２ｃのゲー
トに関連して設けている。なお、第１の実施例と同等部
分には、同一符号の末尾に符号ｃを付して、その説明を
省略する。

【００３０】トランジスタ５２ｃの各ソースパッド６８
ｃは、図９に示すようにバイアホール１３０を介して、
このトランジスタ５２の下面に形成されている導電部１
３２に接続され、この導電部１３２は金属製容器５０ｃ
に接触している。なお、符号１３４で示すのは、絶縁部
である。

【００３１】これらソースパッド６８ｃのうち、トラン
ジスタ５２ｃの両端部の近傍にあるもののうち、例えば
全ソースパッド６８ｃの約２０％に相当するものの上面
に、誘電体１３６が配置されており、その上面には矩形
のパッド１３８が形成されている。これらパッド１３８
は、短い結合部１４０を介して隣接しているゲートパッ
ド６２ｃにそれぞれ接続されている。なお、誘電体１３
６には、比誘電率が３７．９で、その厚さが０．００８
ｍｍのものを使用し、パッド１３８には、その面積が
０．００３６ｍｍ²のものを使用した。このようにソー
スパッド６８ｃと誘電体１３６とパッド１３８とによっ
て、約１５ｐＦの容量を形成している。

【００３２】このようにソースパッド６８ｃ上に容量を
形成し、隣接しているゲートパッド６２ｃに結合部１４
０を介して接続しているので、上記の各実施例と同様
に、トランジスタ５２ｃのうち、両端部にある単位トラ
ンジスタのゲートフィンガーに供給されるマイクロ波電
力の位相は、中央部の単位トランジスタのゲートフィン
ガーに供給されるマイクロ波電力の位相とほぼ揃う上
に、結合部１４０の長さが短いので、不要な容量やイン
ダクタンスが発生しない。

【００３３】第５の実施例を図１０及び図１１に示す。
第４の実施例では、ソースパッド６８ｃ上に容量を構成
したが、この実施例では、トランジスタ５２の中央部に
あるゲートパッド６２ｄ１から両端部にあるゲートパッ
ド６２ｄｎに向かうに従って、ゲートパッドの面積を大
きく形成し、両端部近傍にあるゲートパッド程、金属製
容器５０ｄとの間に大きな容量を構成するようにしたも
のである。第１の実施例の構成要素と同等部分には同一
符号の末尾にｄを付して、その説明を省略する。

【００３４】各ゲートパッド６２ｄ１乃至６２ｄｎの下
方には、図１１に示すように絶縁部１４２が形成されて
おり、その下方には金属製容器５０ｄと接触している導
電部１４４が形成されている。この導電部１４４の間に
バイアホール１４６が形成されており、これによって導
電部１４４にソースパッド６８ｄが接続されている。

【００３５】絶縁部１４４は、その比誘電率が１２であ
り、その厚さが０．０５ｍｍのものであり、ゲートパッ
ド６２ｄ１乃至６２ｄｎは、その厚さが３０００オング
ストローム乃至７０００オングストロームであり、その
面積は、ゲートパッド６２ｄ１で０．００３６ｍｍ²で
あり、ゲートパッド６２ｄｎで０．０１ｍｍ²である。
従って、ゲートパッド６２ｄ１と金属製容器５０ｄとの
間で形成される容量は０．０５ｐＦであり，ゲートパッ
ド６２ｄｎと金属製容器５０ｄとの間で形成される容量
は、０．１４ｐＦであり、ゲートパッド６２ｄ１からゲ
ートパッド６２ｄｎに向かうに従って、金属製容器５０
ｄとの間に形成される容量は徐々に大きくなっている。

【００３６】このようにゲートパッドの面積を異ならせ
ることによって、トランジスタ５２ｄの両端の近傍にあ
るゲートフィンガー程、大きな容量のコンデンサが金属
製容器５０ｄとの間に設けられているので、トランジス
タ５２の両端付近にあるゲートフィンガーに供給される
マイクロ波電力と、中央部付近にあるゲートフィンガー
に供給されるマイクロ波電力とでの、位相のずれは殆ど
ない。

【００３７】上記の各実施例では、トランジスタの各ゲ
ートフィンガーに供給されるマイクロ波の位相を補正す
る場合について説明したが、出力側整合回路に、第１の
実施例と同様にスリットを形成したり、第２または第３
の実施例と同様にマイクロコンデンサを出力側整合回路
の両端部近傍と金属製容器との間に設けたり、第５の実
施例と同様にドレインパッドの面積を、トランジスタの
中央部から両端部に向かう程、大きくしたりして、トラ
ンジスタのうち両端部近傍にある単位トランジスタのド
レイン側に、容量を設けて、トランジスタの両端部にあ
る単位トランジスタのドレインからのマイクロ波出力の
位相を調整してもよい。無論、トランジスタの両端部に
ある単位トランジスタのゲートフィンガーに供給される
マイクロ波入力の位相を調整した上で、トランジスタの
両端部にある単位トランジスタのドレインからのマイク
ロ波出力の位相も調整してもよい。

【００３８】また、上記の各実施例では、金属製容器内
に１つのトランジスタを設けたが、金属製容器内に複数
個のトランジスタを設けてもよい。この場合、入力端子
から供給されたマイクロ波電力は、各分配器を用いて、
各トランジスタの入力側に設けられている入力側整合回
路に供給され、各トランジスタの出力側に設けられた出
力側整合回路からの出力は、合成回路を介して合成され
る。

【００３９】

【発明の効果】以上のように、本発明による高周波半導
体装置によれば、入力パッドや出力パッドが一列に配列
され、これらパッドに沿って整合回路の一部が設けら
れ、この整合回路の一部の中央から信号の入出力が行わ
れる高周波半導体装置において、この整合回路の一部の
両端部の近傍に容量成分を設けているので、中央部と両
端部近傍の高周波信号の位相を揃えることができる。し
かも、この位相の補正とトランジスタとのインピーダン
ス整合とを同時に行うことができるので、別途に整合回
路を設ける必要がない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による高周波半導体装置の第１の実施例
の平面図である。

【図２】図１の２−２線に沿う断面図である。

【図３】第１の実施例の一部の拡大平面図である。

【図４】第２の実施例の平面図である。

【図５】図４の５−５線に沿う断面図である。

【図６】第３の実施例の平面図である。

【図７】図６の７−７線に沿う断面図である。

【図８】第４の実施例の部分省略平面図である。

【図９】図８の９−９線に沿う拡大断面図である。

【図１０】第５の実施例の部分省略平面図である。

【図１１】図１０の１１−１１線に沿う断面図である。

【図１２】従来の高周波半導体装置の１例の平面図であ
る。

【図１３】従来の高周波半導体装置の他の例の平面図で
ある。

【符号の説明】

５０５０ａ５０ｂ５０ｃ５０ｄ金属製容器５２５２ａ５２ｂ５２ｃ５２ｄトランジスタ６２６２ｃ６２ｄ１６２ｄｎゲートパッド６４６４ｃ６４ｄソースパッド６８ドレインパッド７４７４ａ７４ｂ入力側整合回路７６７６ａ７６ｂ矩形状部１００１０２スリット１０６マイクロコンデンサ１４０結合部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属製容器と、この容器内に設けられて
おり、複数の入力または出力パッドが一方の端部から他
方の端部に向かって一列に配列されている高周波用電界
効果トランジスタと、一対の短辺とこれらと直角な一対
の長辺とを有する矩形状部を有し、この矩形状部の一方
の長辺が上記トランジスタの上記各パッドの配列位置の
近傍において上記一方の端部から他方の端部にまで位置
し、これら矩形状部に上記各パッドがそれぞれ接続さ
れ、上記長辺の中央部付近から信号の入出力が行われる
整合回路とを、具備し、この整合回路は、上記矩形状部
の両端部の近傍において、その短辺方向にほぼ平行なス
リットを有している高周波半導体装置。
【請求項２】金属製容器と、この容器内に設けられて
おり、複数の入力または出力パッドが一方の端部から他
方の端部に向かって一列に配列されている高周波用電界
効果トランジスタと、基板上に一対の短辺とこれらと直
角な一対の長辺とを有する矩形状部を有し、この矩形状
部の一方の長辺が上記トランジスタの上記各パッドの配
列位置の近傍において上記一方の端部から他方の端部に
まで位置し、これら矩形状部に上記各パッドがそれぞれ
接続され、上記長辺の中央部付近から信号の入出力が行
われる整合回路と、上記矩形状部の両端部近傍と上記金
属製容器との間に電気的に接続されているコンデンサと
を、具備する高周波半導体装置。
【請求項３】金属製容器と、この容器内に設けられて
おり、複数のゲートパッドが一方の端部から他方の端部
に向かって一列に配列されると共に、これらの近傍にソ
ースパッドをそれぞれ有している高周波用電界効果トラ
ンジスタと、基板上に一対の短辺とこれらと直角な一対
の長辺とを有する矩形状部を有し、この矩形状部の一方
の長辺が上記トランジスタの上記各ゲートパッドの配列
位置の近傍において上記一方の端部から他方の端部にま
で位置し、これら矩形状部に上記各ゲートパッドがそれ
ぞれ接続され、上記長辺の中央部付近から高周波信号が
入力される整合回路と、上記各ソースパッドのうち両端
部の近傍にあるものの上面に設けた誘電体と、この誘電
体の上面に設けられ隣接するゲートパッドにそれぞれ接
続されているパッドとを、具備する高周波半導体装置。
【請求項４】金属製容器と、この容器内に設けられて
おり、複数のゲートパッドが一方の端部から他方の端部
に向かって一列に配列されると共に、これらの近傍にソ
ースパッドをそれぞれ有している高周波用電界効果トラ
ンジスタと、基板上に一対の短辺とこれらと直角な一対
の長辺とを有する矩形状部を有し、この矩形状部の一方
の長辺が上記トランジスタの上記各ゲートパッドの配列
位置の近傍において上記一方の端部から他方の端部にま
で位置し、これら矩形状部に上記各ゲートパッドがそれ
ぞれ接続され、上記長辺の中央部付近から高周波信号が
入力される入力側整合回路と、上記各ゲートパッドのう
ち両端部の近傍にあるものの面積を中央部にあるものよ
りも大きくした高周波半導体装置。