JPH0661463A - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents

固体撮像素子及びその製造方法

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JPH0661463A
JPH0661463A JP4233117A JP23311792A JPH0661463A JP H0661463 A JPH0661463 A JP H0661463A JP 4233117 A JP4233117 A JP 4233117A JP 23311792 A JP23311792 A JP 23311792A JP H0661463 A JPH0661463 A JP H0661463A
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JP
Japan
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film
light
opening
shielding film
antireflection film
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Application number
JP4233117A
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English (en)
Inventor
Hideji Abe
秀司 阿部
Ryuichi Shirota
竜一 代田
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Publication of JPH0661463A publication Critical patent/JPH0661463A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 遮光膜に反射防止膜を設けているにも拘ら
ず、反射防止膜を設けていない場合と同等のスミア特性
及び感度特性を実現する。 【構成】 遮光膜15上に反射防止膜27を積層させ、
反射防止膜27に開口32を形成した後、遮光膜15に
開口17を形成する。開口32は開口17よりも大きく
しているので、開口17を形成する時に、反射防止膜2
7、及び反射防止膜27と遮光膜15との界面をレジス
ト33で覆うことができ、遮光膜15のアフターコロー
ジョンを回避することができる。このため、反射防止膜
27によるオーバハング形状を防止することができ、表
面保護膜21によるレンズ効果を低減させることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、遮光膜に反射防止膜が
設けられている固体撮像素子及びその製造方法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】CCD等の固体撮像素子では、感光部で
のみ受光するために、電荷転送部等の感光部以外の部分
は遮光膜で覆われており、感光部では遮光膜に受光用の
開口が設けられている。そして、この遮光膜としては、
Al膜が一般的に用いられている。ところが、このAl
膜の表面で反射された光が撮像装置内で散乱されて再び
撮像素子内へ入射すると、フレアと称される疑似映像が
発生してしまう。
【0003】そこで、この様な現象を抑制するための第
1従来例として、Al膜の表面から離間した上方に黒色
のフィルタを張り合わせることが行われていた。しか
し、フィルタの張り合わせは、合わせ精度が良くないの
で、固体撮像素子を微細化することができなかった。
【0004】図2は、黒染色層をオンチップで形成し
て、この黒染色層の合わせ精度を第1従来例よりも改良
した第2従来例を示している。この第2従来例では、半
導体基板11の表面のゲート絶縁膜12上で垂直転送ゲ
ート13がパターニングされており、この垂直転送ゲー
ト13は絶縁膜14に覆われている。絶縁膜14上には
Al膜から成る遮光膜15が設けられており、垂直転送
ゲート13間の感光部16の遮光膜15に受光用の開口
17が形成されている。
【0005】遮光膜15はプラズマSiN膜等から成る
表面保護膜21に覆われており、この表面保護膜21上
に平坦化膜22が形成されている。平坦化膜22上には
上述の黒染色層23がパターニングされており、この黒
染色層23を覆っている平坦化膜24上にオンチップレ
ンズ25が形成されている。
【0006】ところが、平坦化膜22の膜厚が薄いと平
坦化が難しいので、平坦化膜22を所定以上の膜厚にす
る必要があり、黒染色層23を開口17からかなり高い
位置に形成する必要があった。このため、この第2従来
例では、黒染色層23の合わせ精度は良いが、オンチッ
プレンズ25で集められた光26に対して黒染色層23
が絞りとして作用し、受光光量が減少して、感度が低か
った。また、撮像装置のF値が小さいと、感度シェーデ
ィングが発生するので、固体撮像素子を更に微細化する
ことが困難であった。
【0007】図3は、感度の低下を防止するために縦方
向の微細化を進めた第3従来例を示している。この第3
従来例は、黒染色層23が用いられていない代わりに、
TiON膜等から成る反射防止膜27が遮光膜15の表
面に直接に形成されており、反射防止膜27と遮光膜1
5とをRIE等で同時にエッチングすることによって、
開口17が形成されている。この様な第3従来例では、
反射防止膜27が第2従来例の黒染色層23よりも下層
に設けられており、反射防止膜27が絞りとして作用す
ることはない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところが、開口17を
形成するために、TiON膜から成る反射防止膜27と
Al膜から成る遮光膜15とをRIEで同時にエッチン
グすると、エッチングガス中の残留したClにTiON
膜、及びTiON膜とAl膜との界面が曝され、異種金
属の接触による電池効果のために所謂アフターコロージ
ョンが発生する。この結果、Al膜から成る遮光膜15
が腐食され、図3に示した様に、TiON膜から成る反
射防止膜27によって、感光部16にオーバハング形状
が形成される。
【0009】反射防止膜27によって感光部16にオー
バハング形状が形成されると、表面保護膜21によるレ
ンズ効果が増大する。このため、感光部16の周縁部に
入射した光26が垂直転送ゲート13側へ屈折されて、
スミアが増大する。なお、図2に示した様に開口17に
テーパ部17aを形成すると、表面保護膜21によるレ
ンズ効果が低減するので、上述のスミアは低減する。し
かし、TiON膜とAl膜との2層構造では、図2に示
したテーパ部17aと同様な形状を得る方法が現状では
存在していない。
【0010】また、図2に示した第2従来例の様なAl
膜のみの単層構造に比べて、TiON膜とAl膜との2
層構造では、これらの膜の残渣を残さない様にするため
のオーバエッチング量を多く必要とし、Al膜の下地で
ある絶縁膜14の膜減り量が多い。このため、絶縁膜1
4の膜厚を予め厚くしておく必要があり、このことによ
ってスミアが更に増大する。
【0011】上述の様な保護膜21によるレンズ効果と
絶縁膜14の膜厚が厚いこととによって、反射防止膜2
7を使用しない場合に比べて、スミアが5〜10dBも
増加する。つまり、以上の何れの従来例においても、黒
染色層23や反射防止膜27によってフレアの発生を防
止しつつ、反射防止膜27等を設けていない場合と同等
の感度特性及びスミア特性を実現することはできなかっ
た。
【0012】
【課題を解決するための手段】請求項1の固体撮像素子
は、受光用の相対的に小さな開口17を感光部16に有
している遮光膜15と、この遮光膜15上に積層されて
おり、前記相対的に小さな開口17を包含する相対的に
大きな開口32を有している反射防止膜27とを具備し
ている。
【0013】請求項2の固体撮像素子は、請求項1の固
体撮像素子において、前記相対的に小さな開口17のう
ちで前記遮光膜15の厚さ方向の少なくとも一部にテー
パ部17aが形成されている。
【0014】請求項3の固体撮像素子の製造方法は、遮
光膜15と反射防止膜27とを順次に全面に形成する工
程と、第1のマスク層31を前記反射防止膜27上に形
成し、この第1のマスク層31をマスクにして、相対的
に大きな開口32を感光部16の前記反射防止膜27に
形成する工程と、前記相対的に大きな開口27を形成し
た後に、第2のマスク層33を前記反射防止膜27及び
前記遮光膜15上に形成し、この第2のマスク層33を
マスクにして、前記相対的に大きな開口32に包含され
る受光用の相対的に小さな開口17を前記遮光膜15に
形成する工程とを有している。
【0015】請求項4の固体撮像素子の製造方法は、請
求項3の固体撮像素子の製造方法において、前記相対的
に小さな開口17を、少なくとも等方性エッチングと、
その後の異方性エッチングとで形成して、前記相対的に
小さな開口17のうちで前記遮光膜15の厚さ方向の少
なくとも一部にテーパ部17aを形成する。
【0016】
【作用】本発明による固体撮像素子及びその製造方法で
は、遮光膜15の受光用の開口17よりも反射防止膜2
7の開口32を大きくしているので、遮光膜15の受光
用の開口17をパターニングする際に、反射防止膜2
7、及び反射防止膜27と遮光膜15との界面をマスク
層33で覆うことができる。このため、所謂アフターコ
ロージョンによって遮光膜15が腐食されるのを回避す
ることができ、反射防止膜27によって感光部16にオ
ーバハング形状が形成されるのを防止することができ
る。
【0017】また、遮光膜15の受光用の開口17のう
ちで遮光膜15の厚さ方向の少なくとも一部にテーパ部
17aを形成すると、遮光膜15の受光用の開口17よ
りも反射防止膜27の開口32を大きくしていることと
相まって、反射防止膜27によって感光部16にオーバ
ハング形状が形成されるのを更に確実に防止することが
できる。
【0018】また、反射防止膜27の開口32と遮光膜
15の受光用の開口17とを別個の工程で形成している
ので、遮光膜15の残渣を残さない様にするためのオー
バエッチング量は反射防止膜27がない場合と同じ量で
よく、遮光膜15の下地絶縁膜14の膜減り量を反射防
止膜27がない場合と同じ量に保つことができる。この
ため、遮光膜15の下地絶縁膜14の膜厚を薄くするこ
とができる。
【0019】また、反射防止膜27は遮光膜15上に積
層されているので、遮光膜15から離間した上方に反射
防止膜27が設けられている場合の様に、反射防止膜2
7が絞りとして作用することがなく、反射防止膜27を
設けているために受光光量が減少することはない。
【0020】
【実施例】以下、CCD撮像素子に適用した本発明の一
実施例を、図1を参照しながら説明する。なお、図2、
3に示した第2及び第3従来例と対応する構成部分に
は、共通の符号を付してある。
【0021】本実施例でも、図1(a)に示す様に、A
l膜から成る遮光膜15を絶縁膜14上の全面に形成す
るまでは、上述の第2及び第3従来例を製造する場合と
実質的に同様の従来公知の工程を実行する。本実施例で
は、その後、膜厚が10〜数100nmのTiON膜か
ら成る反射防止膜27をスパッタ法で遮光膜15上の全
面に形成する。
【0022】そして、レジスト31を反射防止膜27上
に塗布し、感光部16上の開口31a等を有するパター
ンにレジスト31を加工する。但し、レジスト31の開
口31aは、後に遮光膜15に形成する受光用の開口1
7よりも大きくする。
【0023】次に、レジスト31をマスクにして反射防
止膜27のみをプラズマエッチングして、図1(b)に
示す様に、レジスト31の開口31aに対応する開口3
2等を反射防止膜27に形成する。この時、CF4 系の
プラズマを用いれば、Al膜から成る遮光膜15のエッ
チング及び腐食を回避することができる。
【0024】その後、レジスト31を剥離してから再び
レジスト33を塗布し、後に遮光膜15に形成する受光
用の開口17に対応する開口33a等を有するパターン
にレジスト33を加工する。従って、少なくとも開口3
3aは、開口31aよりも小さく且つ開口31aに包含
される様にする。
【0025】次に、レジスト33をマスクにして遮光膜
15の一部をまずウエットエッチングして、図1(c)
に示す様に、遮光膜15にテーパ部17aを形成する。
その後、更にレジスト33をマスクにして遮光膜15の
残部をRIEで異方性エッチングして、反射防止膜27
の開口32よりも小さく且つ開口32に包含されている
受光用の開口17を遮光膜15に形成する。この状態で
は、開口32の端縁は開口17の端縁から0.5μm程
度後退している。
【0026】なお、テーパ部17aは必ずしも形成する
必要がないので、その場合は、ウエットエッチングを行
わずに、RIEによる異方性エッチングのみを行う。そ
の後、図3に示した第3従来例を製造する場合と実質的
に同様の従来公知の工程を実行し、オンチップレンズ2
5の形成までを行って、本実施例のCCD撮像素子を完
成させる。
【0027】
【発明の効果】本発明による固体撮像素子及びその製造
方法では、反射防止膜によって感光部にオーバハング形
状が形成されるのを防止することができるので、反射防
止膜上に形成する表面保護膜によるレンズ効果が著しく
低減している。しかも、遮光膜の下地絶縁膜の膜厚を薄
くすることができる。従って、感光部から垂直転送ゲー
ト下へ洩れる光量が少なく、反射防止膜を設けているに
も拘らず、反射防止膜を設けていない場合と同等のスミ
ア特性を実現することができる。
【0028】また、反射防止膜を設けているために受光
光量が減少することはないので、反射防止膜を設けてい
ない場合と同等の感度特性を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を工程順に示す側断面図であ
る。
【図2】本発明の第2従来例の側断面図である。
【図3】本発明の第3従来例の側断面図である。
【符号の説明】
15 遮光膜 16 感光部 17 開口 17a テーパ部 27 反射防止膜 31 レジスト 32 開口 33 レジスト

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 受光用の相対的に小さな開口を感光部に
    有している遮光膜と、 この遮光膜上に積層されており、前記相対的に小さな開
    口を包含する相対的に大きな開口を有している反射防止
    膜とを具備する固体撮像素子。
  2. 【請求項2】 前記相対的に小さな開口のうちで前記遮
    光膜の厚さ方向の少なくとも一部にテーパ部が形成され
    ている請求項1記載の固体撮像素子。
  3. 【請求項3】 遮光膜と反射防止膜とを順次に全面に形
    成する工程と、 第1のマスク層を前記反射防止膜上に形成し、この第1
    のマスク層をマスクにして、相対的に大きな開口を感光
    部の前記反射防止膜に形成する工程と、 前記相対的に大きな開口を形成した後に、第2のマスク
    層を前記反射防止膜及び前記遮光膜上に形成し、この第
    2のマスク層をマスクにして、前記相対的に大きな開口
    に包含される受光用の相対的に小さな開口を前記遮光膜
    に形成する工程とを有する固体撮像素子の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記相対的に小さな開口を、少なくとも
    等方性エッチングと、その後の異方性エッチングとで形
    成して、前記相対的に小さな開口のうちで前記遮光膜の
    厚さ方向の少なくとも一部にテーパ部を形成する請求項
    3記載の固体撮像素子の製造方法。
JP4233117A 1992-08-07 1992-08-07 固体撮像素子及びその製造方法 Pending JPH0661463A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7852392B2 (en) 1998-10-28 2010-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Image pick-up apparatus and image pick-up system, and method for manufacturing image pick-up apparatus
CN105580138A (zh) * 2014-08-29 2016-05-11 索尼公司 固态成像装置和电子设备

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7852392B2 (en) 1998-10-28 2010-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Image pick-up apparatus and image pick-up system, and method for manufacturing image pick-up apparatus
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