JPH0660824B2 - 絶対位置検出装置 - Google Patents

絶対位置検出装置

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JPH0660824B2
JPH0660824B2 JP60177642A JP17764285A JPH0660824B2 JP H0660824 B2 JPH0660824 B2 JP H0660824B2 JP 60177642 A JP60177642 A JP 60177642A JP 17764285 A JP17764285 A JP 17764285A JP H0660824 B2 JPH0660824 B2 JP H0660824B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、位置検出装置に係り、特に、磁気センサを用
いた絶対位置検出に好適な絶対位置検出装置に関するも
のである。
〔発明の背景〕
さきに、発明者らは、磁気センサを用いた絶対位置検出
装置として、特開昭59−108193号（特願昭57−216899
号）公報記載のような磁気回転センサを開発した。
すなわち、これには、単位磁石を複数個配置して各トラ
ツク間の磁気干渉を解消したものが記載されている。
しかし、各ビット毎に磁気トラツクを必要としており、
分解能を上げれば、それに比例して、磁気トラツクの数
も増すため大形になるという、なお改善すべき点を有す
るものであつた。
〔発明の目的〕
本発明は、出力信号のビツト数より少ない磁気トラツク
を持つ、小形で分解能の高い絶対位置検出装置の提供
を、その目的とするものである。
〔発明の概要〕
本発明に係る絶対位置検出装置の構成は、被位置検出体
に担持された磁気記録媒体と、この磁気記録媒体に所要
長の磁気信号を記録した複数の磁気トラツクと、この複
数の磁気トラツクに近接対向して配置され、磁気信号の
磁界に感応して電気抵抗が変化する磁気抵抗素子とで、
その磁気抵抗素子の抵抗変化を電気信号に変換して被位
置検出体の絶対位置を検出するようにしたものにおい
て、上記磁気トラツクは、ＮとＳの間隙（波長）がλの
単位磁石を被位置検出体の移動方向へ所要数連続配置し
たものと、これと同長の無磁界部との組合せを磁気信号
とし、検出する絶対位置のビツト数より少ない数の磁気
トラツクとするとともに、各磁気トラツクに対向して 間隙で２個ずつの第１の磁気抵抗素子を配置し、最下位
磁気トラツクに対向する第２の磁気抵抗素子を、前記の
磁気信号長をＳＭＬ、磁気トラツクに対する増加ビツト
数をｍ、またｎを整数とするとき、 の間隙で、上記第１の磁気抵抗素子に対して２ｍ組を配
置し、これら複数の磁気抵抗素子の組合せから、磁気ト
ラツクの数より多いビツト数の電気信号を得るようにし
たものである。
さらに補足すると、次のとおりである。
本発明は、被検出体に担持された磁気記録媒体と、これ
に対向して配置した磁気抵抗素子からなる磁気センサと
を有し、磁気記録媒体を、出力信号のビツト数より少な
い磁気トラツクに分割して、磁気トラツクの下位トラツ
クに対向配置する磁気抵抗素子を電気的位相が異なるよ
うに複数個配置し、これら複数の磁気抵抗素子の組合せ
から、下位トラツクの磁気信号より下位ビツトの電気的
出力を得るようにしたものである。
〔発明の実施例〕
本発明に係る絶対位置検出装置の各実施例を、各図を参
照して説明する。
まず、回転体の絶対位置を検出する４ビツトの出力例に
係る一実施例を、第１図ないし第７図により説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る絶対位置検出装置の
略示全体構成図、第２図は、その磁気ドラムと磁気セン
サとの展開図、第３図は、その動作説明用抵抗変化の波
形図、第４図は、その磁気抵抗素子の接続図、第５図
は、その動作説明用波形図、第６図は、その波形整形回
路、第７図は、その出力波形図である。
第１図で、１は、被位置検出体に係る回転体、２はシヤ
フト、３は、磁気センサ５ａを支持する支持板である。
４ａは、磁気記録媒体を表面に有する磁気ドラムであ
る。
この磁気ドラム４ａの表面の磁気記録媒体は、第１図図
示のものを第２図に展開して示すように、３つの磁気ト
ラツクＭ２，Ｍ３，Ｍ４に分割されており、各磁気トラ
ツクには、Ｎ，Ｓの長さ（ＮとＳの間隙）がλの単位磁
石を、図示のように配置するようにしたものである。
すなわち、磁気トラツクＭ２には、２個連続して単位磁
石を配置し、その２個分と同長の無磁界部を介して、く
り返し配置する。また、磁気トラツクＭ３には、４個連
続して単位磁石を配置し、４個分の無磁界部を介してく
り返し配置する。さらに、磁気トラツクＭ４には、前記
の磁気トラツクＭ３に対して、図示のように位相をずら
して、４個連続の単位磁石を配置するものである。
しかして、この各々の磁気トラツクＭ２，Ｍ３，Ｍ４に
配置した単位磁石の連続と同長の無磁界部との組合せで
あるＳＭ２，ＳＭ３，ＳＭ４を各磁気トラツクの磁気信
号と呼ぶことにし、各磁気トラツクのＳＭ２，ＳＭ３，
ＳＭ４を電気角で２πとし、ここでは、後述するＳＭＬ
は、ＳＭ２である。
これに対向配置した磁気センサ５ａの展開図は、第２図
に示すようであり、まず、磁気トラツクＭ４に対向して
第１の磁気抵抗素子に係る、磁気抵抗素子Ｒ41，Ｒ
42を、単位磁石のピツチλに対して、ほぼ 間隙で配置する。
同様に、磁気トラツクＭ３に対向して、同上に係る電気
抵抗素子Ｒ31，Ｒ32を、また磁気トラツクＭ２に対向し
て、同上に係る磁気抵抗素子Ｒ21，Ｒ22を、 間隙で一直線に配置する。
そして、前記磁気トラツクＭ２に対向して、さらに別途
の、第２の磁気抵抗素子に係る磁気抵抗素子Ｒ11〜Ｒ14
を配置するものである。
これらの磁気抵抗素子Ｒ11とＲ12及びＲ13とＲ14の間隙
は、単位磁石のピツチλに対して で配置し、さらに、磁気抵抗素子Ｒ11とＲ21及びＲ21と
Ｒ13との間隙は、それぞれ（３／８）ＳＭLで配置す
る。ＳＭLは４λに等しく、また電気的位相角の２πに
相当するので、この（３／８）ＳＭLを波長数で表すと
３／２λとなり、また、電気的位相角で表すと３／４π
となる。
このように磁気センサ５ａは、１０個の磁気抵抗素子
と、図示の、磁界に感応しない向きに配置した１０個の
固定抵抗Ｒｆで構成するものである。
上記の磁気抵抗素子らは、強磁性体を絶縁基板に蒸着，
スパツタリング等によつて、１チツプ上に作成される。
磁気抵抗素子は、磁界により抵抗が変化するもので、材
料により、抵抗値が下がるものと、上がるものとがあ
る。
ここでは、磁界により抵抗が下がるパーマロイを磁気抵
抗素子に使用した場合について説明する。この磁気抵抗
素子は、磁界の方向に関係なく磁界の大きさに比例して
抵抗が生ずるものである。
しかして、上述の磁気ドラム４ａが回転すると、磁気ト
ラツクの磁気信号により、磁気センサ５ａ内の各磁気抵
抗素子Ｒ11〜Ｒ42は、第３図に示すように抵抗が変化す
る。
たとえば、磁気抵抗素子Ｒ11の抵抗変化は、磁気トラツ
クＭ２に対向しており、その磁気トラツクＭ２の磁気信
号によつて変化するので、第２図に示す始めの単位磁石
ＳＮにより１つの谷ができ、連続した次の単位磁石ＮＳ
により、もう１つの谷ができるので、２つの連続した谷
が発生する。
また、磁気抵抗素子Ｒ12，Ｒ13，Ｒ14，Ｒ21，Ｒ22にお
いても、それぞれ、配置に応じて、位相がずれただけ
で、その波形は同じようになる。
磁気抵抗素子Ｒ31，Ｒ32も、磁気トラツクＭ３の磁気信
号に応じて、谷が４つ連続して生ずる、図示のような波
形となる。さらに、磁気抵抗素子Ｒ41，Ｒ42は、同様に
磁気トラツクＭ４の磁気信号に応じて抵抗変化が生じて
いるものである。
しかして、これらの磁気抵抗素子Ｒ11〜Ｒ42は、第４図
に示すように、固定抵抗Ｒｆと抵抗ブリツジを構成して
いる。
このため、第４図の左端の、磁気抵抗素子のブリツジの
出力（以下、ブリツジの出力という。）ｅ11は、第５図
に示すｅ11のような波形が得られる。同様に、各ブリツ
ジの出力ｅ12，ｅ２，ｅ３，ｅ４は、各々第５図のよう
な波形となる。
この出力を、第６図に示すような電圧比較器ＣＯＭ11，
ＣＯＭ12，ＣＯＭ２，ＣＯＭ３，ＣＯＭ４に入力する
と、電圧比較器の、磁気センサの波形整形信号に係る各
出力Ｅ11，Ｅ12，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４は、第７図に示すよ
うな方形波出力となつて得られる。
さらに、出力Ｅ11とＥ12とを、第６図に示すように排他
的ＯＲ回路ＥＯＲを通すと、出力Ｅ１が得られるもので
ある。
以上のようにして得られた出力Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４
は、４ビツトの絶対位置検出出力である。
この出力のビット数は４であり、磁気トラック数は３で
あるから、上記実施例においては磁気トラック数より１
ビット分多い絶対位置検出出力が得られたことになる。
なお、このアブソリュート方式における絶対位置検出出
力は、第７図に示すように上位ビットＥ2〜Ｅ4波形の立
ち上がり、立ち下がり部の各位置が最下位ビットＥ1波
形の立ち上がりと立ち下がり部の丁度中間の位置にくる
ように構成される。
このような効果は、最下位磁気トラックＭ2上に第１に
磁気抵抗素子であるＲ21、Ｒ22の他に、第２の磁気抵抗
素子であるλ／２間隔配列の磁気抵抗素子Ｒ11、Ｒ12と
同Ｒ13、Ｒ14、すなわち２つの第２の磁気抵抗素子を、
第１の磁気抵抗素子に対して（３／８）ＳＭLの間隔で
配置することにより得られたものである。
また、上記の関係は一般的に、この磁気トラック数に対
する増加ビット数をｍとして、２ｍ個の第２の磁気抵抗
素子を、ｎを整数として（１＋２ｍ）ＳＭL／（８ｍ）
の間隔で最下位磁気トラック上に配列することにより得
られ。上記実施例は、ｎ＝１、ｍ＝１の場合に該当す
る。また、上記の関係は以下に述べる本発明の各実施例
においても同様に成立する。
この例では、グレーコードの４ビツトを使用した例であ
るが、磁気記録媒体に記録する磁気信号で、他のコード
を得ることも可能である。
以上のように、上位３ビツト分の磁気トラツクで、それ
よりも多い４ビツトの絶対位置を得ることが可能であ
る。
したがつて、磁気ドラムの小形化及び、低慣性化ができ
るので、高精度なサーボシステムを構成することができ
るものである。
なお、上記実施例において、固定抵抗Ｒｆを磁気センサ
に設けるようにしたものであるが、これは磁気センサ外
に別途に収納するように構成してもよいものである。
以上、４ビツトの例として、ブリツジの抵抗に固定抵抗
を使用した例を示したが、次に磁気抵抗素子のみでブリ
ツジを構成することにより、検出信号の増大と、出力波
形の安定化とを図つた他の実施例につき、同じく４ビツ
トの例で、第８図ないし第１０図により説明する。
ここで、第８図は、本発明の他の実施例に係る絶対位置
検出装置における磁気ドラムと磁気センサとの展開図、
第９図は、その磁気抵抗素子の接続図、第１０図は、そ
の動作説明用波形図である。
そして、本実施例に係る絶対位置検出装置というのは、
さきの第１図における磁気ドラム４ａ，磁気センサ５ａ
を、それぞれ、磁気ドラム４ａ−１，磁気センサ５ａ−
１としたものである。すなわち、第８図は、第１図に示
した磁気ドラム４ａと磁気センサ５ａの展開図に相当す
る同態様のものである。
しかして、磁気ドラム４ａ−１の表面の磁気記録媒体
は、図示のように、６つの磁気トラツクに分割してお
り、磁気トラツクＭ21，Ｍ31，Ｍ41は、さきの第２図と
全く同じように単位磁石を配置してあるものである。
そして、磁気トラツクＭ22，Ｍ32，Ｍ42は、それぞれ磁
気トラツクＭ21，Ｍ31，Ｍ41と対称的に、単位磁石の配
置してある所は、無磁界部としており、単位磁石のない
無磁界部には単位磁石を配置しているものである。
また、磁気センサ５ａ−１は、第２図と同様に、第１，
第２磁気抵抗素子であるＲ111，Ｒ121，Ｒ211，Ｒ221，
Ｒ131，Ｒ141を、磁気トラツク21に対向し、Ｒ112，Ｒ
122，Ｒ212，Ｒ222，Ｒ132，Ｒ142は、磁気トラツクＭ
22に対向して配置してある。
さらに、磁気トラツクＭ31，Ｍ32，Ｍ41，Ｍ42には、そ
れぞれ、第１磁気抵抗素子である磁気抵抗素子Ｒ311と
Ｒ321，Ｒ312とＲ322，Ｒ411とＲ421，Ｒ412とＲ
422を、それぞれ配置してある。
各磁気抵抗素子の間隙は、さきの第２図の関係と全く同
様に配置したものである。
しかして、これらの磁気抵抗素子は、第９図に示すごと
き抵抗ブリツジを構成するように配線する。
ここで、磁気ドラム４ａ−１が回転すると、さきの実例
と全く同じように、各磁気抵抗素子の抵抗変化が生ず
る。
すなわち、磁気抵抗素子Ｒ111，Ｒ112，Ｒ121，Ｒ122の
抵抗変化は、第１０図に示すような抵抗変化を得るよう
になる。
したがつて、ブリツジの出力の１端ｅ111とｅ112には、
図示のような出力が得られるので、ブリツジの出力ｅ11
には、図示のような、上下対称の、安定した出力が得ら
れるものである。
これをさきの第６図に示した回路に入力すると、磁気セ
ンサの波形整形信号に係る出力Ｅ11を得ることができる
ものである。
この出力Ｅ11は、第７図のＥ11と全く同じである。
このようにして、他の出力も、第７図と同様に４ビツト
の絶対位置検出出力を得るものである。
このように、第１０図に示すブリツジの出力ｅ11は、第
５図の同じ出力ｅ11に比べて、出力の振幅が倍となり、
波形も、上下対称で、電気比較器ＣＯＭ11で波形整数す
る場合でも安定しており、精度の向上も図れる効果があ
る。
以上、磁気トラツク３ビツト分で、４ビツト出力を得る
方法に係る各実施例のものについて説明した。
次に、磁気トラツク３ビツト分で５ビツトの出力を得る
実施例について、第１１図ないし第１４図により説明す
る。
ここで、第１１図は、本発明の実施例に係る絶対位置検
出装置における磁気ドラムと磁気センサとの展開図、第
１２図は、その磁気抵抗素子の接続図、第１３図は、そ
の波形整形回路、第１４図は、その出力波形図である。
そして、本実施例に係る絶対位置検出装置というのは、
さきの第１図における磁気ドラム４ａ，磁気センサ５ａ
を、それぞれ、磁気ドラム４ａ−２，磁気センサ５ａ−
２としたものである。すなわち、第１１図は、第１図に
示した磁気ドラム４ａと磁気センサ５ａの展開図に相当
する同態様のものである。
しかして、磁気ドラム４ａ−２の表面の磁気記録媒体
は、図示のように、３つの磁気トラツクＭ４〜Ｍ２に分
割しており、さきの第２図の磁気トラツクＭ４〜Ｍ２と
同じ配置に磁気信号を記録してある。
そして、磁気センサ５ａ−２には、さの固定抵抗Ｒｆを
配置せず、別個の収納体に配置するようにし、上記の各
磁気トラツクに対向した磁気抵抗素子は、図示のごと
く、磁気抵抗素子Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13，Ｒ14，Ｒ21，
Ｒ22，Ｒ31，Ｒ32，Ｒ41，Ｒ42は、さきの第２図の
Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13，Ｒ14，Ｒ21，Ｒ22，Ｒ31，Ｒ32，Ｒ
41，Ｒ42に対応しており、全く同じ配置である。また、
抵抗変化及びブリツジ構成も全く同じ対応であり、ブリ
ツジ出力及び出力Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４も、第７図の
出力Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４に全く同じ対応をしてい
る。
しかし、磁気抵抗素子Ｒ01，Ｒ02，Ｒ03，Ｒ04，Ｒ05，
Ｒ06，Ｒ07，Ｒ08が、全く新しい配置の第２磁気抵抗素
子である。
すなわち、磁気抵抗素子Ｒ01とＲ02及び、Ｒ03とＲ04，
Ｒ05とＲ06，Ｒ07とＲ08は、それぞれ、単位磁石のピツ
チλに対して に配置してあり、磁気抵抗素子Ｒ01，Ｒ03，Ｒ05，Ｒ07
は、同Ｒ21に対して、それぞれ 離れて配置してある。
また、各磁気抵抗素子は、第１２図のように、磁気セン
サ５ａ−２の外部に設けた固定抵抗Ｒｆと抵抗ブリツジ
を構成するようにしている。
この構成は、磁気抵抗素子Ｒ11〜Ｒ42については、第４
図の同Ｒ11〜Ｒ42と全く同じ対応をしている。
以上により、磁気ドラム４ａ−２が回転すると、各磁気
抵抗素子は、磁気信号のより、さきの実施例と同様に、
抵抗が変化する。
したがつて、第１２図の抵抗ブリツジに係るブリツジの
出力ｅ01〜ｅ04の電圧は、第１４図のｅ01〜ｅ04のよう
になる。
このブリツジ出力電圧を、第１３図のような回路に入力
すると、波形整形された出力電圧に係る出力Ｅ01〜Ｅ04
は、第１４図のようになる。
さらに、出力電圧に係る出力Ｅ01とＥ02及び、Ｅ03とＥ
04を、各々排他的ＯＲ回路ＥＯＲ01，ＥＯＲ02を通す
と、出力Ｅ05及びＥ06の波形のものが得られる。
これを、さらに、排他的ＯＲ回路ＥＯＲ03を通すと、出
力Ｅ０が得られる。
ここで、ブリツジの出力ｅ11，ｅ12，ｅ２，ｅ３，ｅ４
は、それぞれ、第５図と全く同じであり、回路処理をし
た出力Ｅ１〜Ｅ４の出力も第７図と全く同じになるた
め、出力Ｅ０〜Ｅ４の出力は、５ビツトのグレーコード
で、絶対位置に対応した出力、すなわち絶対位置検出出
力となる。
これにより、３ビツトに対応した３つの磁気トラツク
で、５ビツトの出力を得ることができるので、磁気ドラ
ムの小形化，低慣性化に寄与する効果が大きいものであ
る。
なお、上記において、固定抵抗を磁気センサに配置する
ことを妨げないものである。
以上、最下位磁気トラツクの磁気信号ＳＭ２を、単位磁
石２個の連続と、同長の無着磁部とで構成した各実施例
について説明したが、さらに他の実施例として、単位磁
石４個の連続と、同長の無着磁部とで磁気信号ＳＭ２を
構成したものについて説明する。なお、４ビツトの例に
係るものである。
ここで、第１５図は、本発明のさらに他の実施例に係る
絶対位置検出位置における磁気ドラムと磁気センサとの
展開図、第１６図は、その出力波形図である。
そして、他の実施例と同様に、本実施例に係る絶対位置
検出装置というのは、さきの第１図における磁気ドラム
４ａ，磁気センサ５ａを、それぞれ、磁気ドラム４ａ−
３，磁気センサ５ａ−３としたものである。すなわち、
第１５図は、第１図に示した磁気ドラム４ａと磁気セン
サ５ａの展開図に相当する同態様のものである。
しかして、磁気ドラム４ａ−３の表面の磁気記録媒体
は、図示のように、３つの磁気トラツクＭ２，Ｍ３，Ｍ
４に分割しており、磁気トラツクＭ２には、ビツチλの
単位磁石４個を連続し、これと同長の４λ分の長さの無
磁界部を介して、さらに４個の単位磁石を配置するよう
にしたものである。
また、磁気トラツクＭ３，Ｍ４には、図示のように、８
個の単位磁石を連続し、これと同長の８λ分の長さの無
磁界部を介して、さらに８個の単位磁石を配置するよう
にしたものである。
そして、磁気センサ５ａ−３には、上記の磁気トラツク
に対し、第２図に示したと同様に、図示のような間隔
で、各磁気抵抗素子と、磁界に影響されない固定抵抗Ｒ
ｆを配置するようにしたものである。
このような配置にして、各磁気抵抗素子を、さきの第４
図のように構成すると、そのブリツジから得られるブリ
ツジの出力ｅ11，ｅ12，ｅ２は、それぞれ、第１６図に
示すようになる。
これを、さきの第６図の回路で処理すれば、第７図のよ
うな出力Ｅ11，Ｅ12，Ｅ２が得られるものである。
さきの第５図と、この第１６図との波形を比較すると、
第１６図に示す方が、リツプルが少なく、波形端部でシ
ヤープであり、精度向上に効果がある。また、ブリツジ
の出力ｅ３，ｅ４の波形も、第５図に比べると、同じ効
果が得られるものである。
以上に述べた各実施例の基本を整理すると、次のような
要約構成のものと同効のものに属するものである。
すなわち、各磁気トラツクは、ピツチλの単位磁石の複
数個と、これと同長の無磁界部とによつて磁気信号を構
成し、各磁気トラツクに対向する磁気センサ内の第１の
磁気抵抗素子は、各々 の間隙で２個ずつ配置するとともに、最下位磁気トラツ
クに対向する第２の磁気抵抗素子は、第１の磁気抵抗素
子に対して、磁気トラツクの磁気信号長をＳＭＬとし、
増加ビツト数をｍ、またｎを整数とすると、 の間隔で２ｍ組配置する構成としたものである。
しかして、以上の実施例は、被位置検出体を回転体に係
るものとして、回転センサを例に説明してきたが、直線
運動に係るものの絶対位置検出も、同じ原理に係るもの
で可能であり、第２図などに示したものを、そのまま直
線運動に係るものとしても使用可能なものである。
〔発明の効果〕
本発明によるときは、出力信号のビツト数より少ない磁
気トラツクを持つ、小形で分解能の高い絶対位置検出装
置を提供することができるものであつて、実用的効果に
すぐれた発明ということができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例に係る絶対位置検出装置の
略示全体構成図、第２図は、その磁気ドラムと磁気セン
サとの展開図、第３図は、その動作説明用抵抗変化の波
形図、第４図は、その磁気抵抗素子の接続図、第５図
は、その動作説明用波形図、第６図は、その波形整形回
路、第７図は、その出力波形図、第８図は、本発明の他
の実施例に係る絶対位置検出装置における磁気ドラムと
磁気センサとの展開図、第９図は、その磁気抵抗素子の
接続図、第１０図は、その動作説明用波形図、第１１図
は、本発明の別の実施例に係る絶対位置検出装置におけ
る磁気ドラムと磁気センサとの展開図、第１２図は、そ
の磁気抵抗素子の接続図、第１３図は、その波形整形回
路、第１４図は、その出力波形図、第１５図は、本発明
のさらに他の実施例に係る絶対位置検出装置における磁
気ドラムと磁気センサとの展開図、第１６図は、その出
力波形図である。 １……回転体、２……シヤフト、３……支持板、４ａ，
４ａ−１，４ａ−２，４ａ−３……磁気ドラム、５ａ，
５ａ−１，５ａ−２，５ａ−３……磁気センサ、Ｍ２，
Ｍ３，Ｍ４，Ｍ21，Ｍ22，Ｍ31，Ｍ32，Ｍ41，Ｍ42……
磁気トラツク、Ｒ01〜Ｒ08，Ｒ11〜Ｒ14，Ｒ21，Ｒ22，
Ｒ31，Ｒ32，Ｒ41，Ｒ42，Ｒ111，Ｒ112，Ｒ121，
Ｒ122，Ｒ131，Ｒ132，Ｒ211，Ｒ212，Ｒ221，Ｒ222，
Ｒ311，Ｒ312，Ｒ321，Ｒ322，Ｒ411，Ｒ412，Ｒ421，
Ｒ422……磁気抵抗素子、Ｒｆ……固定抵抗、ｅ111，ｅ
112……ブリツジの出力の一端、ｅ01〜ｅ04，ｅ11，ｅ
12，ｅ２〜ｅ４……磁気抵抗素子のブリツジの出力、Ｃ
ＯＭ01〜ＣＯＭ04，ＣＯＭ11，ＣＯＭ12，ＣＯＭ２〜Ｃ
ＯＭ４……電圧比較器、ＥＯＲ，ＥＯＲ01〜ＥＯＲ03，
ＥＯＲ１……排他的ＯＲ回路、Ｅ０〜Ｅ４……絶対位置
検出出力、Ｅ11，Ｅ12，Ｅ01，Ｅ02，Ｅ03，Ｅ04……磁
気センサの波形整形信号に係る出力、Ｅ05，Ｅ06……磁
気センサの波形整形信号の合成信号に係る出力。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】被位置検出体に担持された磁気記録媒体
    と、この磁気記録媒体にＮとＳの間隔（波長）がλの単
    位磁石を被位置検出体の移動方向へ所要数連続配置した
    ものとこれと同長の無磁界部との１対を磁気信号ＳＭと
    して、この磁気信号ＳＭを繰り返し連続して磁気記録媒
    体の移動方向に記録した複数の磁気トラックを設け、さ
    らに各磁気トラック毎にλ／２間隔で近接対向配置した
    １対の磁気抵抗素子を第１の磁気抵抗素子として各磁気
    トラックの磁界変化を電気信号に変換するようにした絶
    対位置検出装置において、 磁気信号ＳＭの長さ（波長数）が最短の磁気トラックを
    最下位磁気トラックとし、その磁気信号ＳＭの長さをＳ
    ＭLとして、最下位磁気トラック上に上記第１の磁気抵
    抗素子の他に、λ／２間隔で配列した１対の磁気抵抗素
    子よりなる第２の磁気抵抗素子を、ｍ，ｎを整数とし
    て、（１＋２ｎ）ＳＭL／（８ｍ）の間隔で２ｍ組を配
    列するようにして、上記磁気トラック数に較べて検出す
    る絶対位置のビット数をｍビット増加したことを特徴と
    する絶対位置検出装置。
  2. 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載のものにおい
    て、最下位磁気トラックの磁気信号ＳＭの電気的位相角
    を２πとして、第１の磁気抵抗素子に対して、±（π／
    ８）、または（π／２±π／８）、または（π±π／
    ８）、または（３π／２±π／８）の間隔で４組の磁気
    抵抗素子を最下位電磁トラック上に配置して、磁気トラ
    ックの数より２ビット多い電気信号を得るようにしたこ
    とを特徴とする絶対位置検出装置。
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