JPH065935A - 超電導体装置 - Google Patents
超電導体装置Info
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- JPH065935A JPH065935A JP4156465A JP15646592A JPH065935A JP H065935 A JPH065935 A JP H065935A JP 4156465 A JP4156465 A JP 4156465A JP 15646592 A JP15646592 A JP 15646592A JP H065935 A JPH065935 A JP H065935A
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- temperature superconductor
- normal conductor
- superconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電荷の移動度や微細加工の限界に影響されずに
高速に動作させることができる、新しいトランジスタ構
造を提供する。 【構成】高温超電導体と常電導体と高温超電導体との三
層構造および高温超電導体と半導体と高温超電導体との
三層構造を用いて、バイポーラ・トランジスタ、接合型
電界効果トランジスタおよび絶縁ゲート型電界効果トラ
ンジスタを形成する。 【効果】ピコ秒以下の高速で動作するトランジスタを容
易に製作できる。
高速に動作させることができる、新しいトランジスタ構
造を提供する。 【構成】高温超電導体と常電導体と高温超電導体との三
層構造および高温超電導体と半導体と高温超電導体との
三層構造を用いて、バイポーラ・トランジスタ、接合型
電界効果トランジスタおよび絶縁ゲート型電界効果トラ
ンジスタを形成する。 【効果】ピコ秒以下の高速で動作するトランジスタを容
易に製作できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新しいトランジスタ構造
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、トランジスタは半導体を用いるの
が通例であった。
が通例であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】 しかし、上記従来技
術によると、半導体中の電荷の移動度から来る高速化の
物理的限界があり、ピコ秒以下の高速動作をするトラン
ジスタを製作するには、微細加工の限界と相まって、極
めて困難であるという課題があった。
術によると、半導体中の電荷の移動度から来る高速化の
物理的限界があり、ピコ秒以下の高速動作をするトラン
ジスタを製作するには、微細加工の限界と相まって、極
めて困難であるという課題があった。
【０００４】本発明は、かかる従来技術の課題を解決
し、電荷の移動度や微細加工の限界に影響されずに高速
に動作させることができる、新しいトランジスタ構造を
提供することを目的とする。
し、電荷の移動度や微細加工の限界に影響されずに高速
に動作させることができる、新しいトランジスタ構造を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するために、本発明は、超電導体装置に関
し、（１） 高温超電導体と常電導体と高温超電導体と
を三層構造と成し、各々エミッタとコレクタとベースと
して成るバイポーラ・トランジスタを形成する手段をと
ること、および、（２） 高温超電導体と常電導体と高
温超電導体とを三層構造と成し、前記常電導体表面にシ
ョットキ接合や拡散層接合あるいは合金層接合などの接
合層を形成してゲート領域となし、各々ソースとゲート
とドレインとして成る接合型電界効果トランジスタを形
成する手段をとること、および、（３） 高温超電導体
と常電導体と高温超電導体とを三層構造と成し、前記常
電導体表面に誘電体膜を介して電極を形成してゲート領
域となし、各々ソースとゲートとドレインとして成る絶
縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する手段をとる
こと、および、（４） 高温超電導体と半導体と高温超
電導体とを三層構造と成し、各々エミッタとコレクタと
ベースとして成るバイポーラ・トランジスタを形成する
手段をとること、および、（５） 高温超電導体と半導
体と高温超電導体とを三層構造を成し、前記半導体表面
にショットキ接合や拡散層接合あるいは合金層接合など
の接合層を形成してゲート領域となし、各々ソースとゲ
ートとドレインとして成る接合型電界効果トランジスタ
を形成する手段をとること、および、（６） 高温超電
導体と半導体と高温超電導体とを三層構造を成し、前記
半導体表面に誘電体膜を介して電極を形成してゲート領
域となし、各々ソースとゲートとドレインとして成る絶
縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する手段をとる
こと、などの手段をとる。
目的を達成するために、本発明は、超電導体装置に関
し、（１） 高温超電導体と常電導体と高温超電導体と
を三層構造と成し、各々エミッタとコレクタとベースと
して成るバイポーラ・トランジスタを形成する手段をと
ること、および、（２） 高温超電導体と常電導体と高
温超電導体とを三層構造と成し、前記常電導体表面にシ
ョットキ接合や拡散層接合あるいは合金層接合などの接
合層を形成してゲート領域となし、各々ソースとゲート
とドレインとして成る接合型電界効果トランジスタを形
成する手段をとること、および、（３） 高温超電導体
と常電導体と高温超電導体とを三層構造と成し、前記常
電導体表面に誘電体膜を介して電極を形成してゲート領
域となし、各々ソースとゲートとドレインとして成る絶
縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する手段をとる
こと、および、（４） 高温超電導体と半導体と高温超
電導体とを三層構造と成し、各々エミッタとコレクタと
ベースとして成るバイポーラ・トランジスタを形成する
手段をとること、および、（５） 高温超電導体と半導
体と高温超電導体とを三層構造を成し、前記半導体表面
にショットキ接合や拡散層接合あるいは合金層接合など
の接合層を形成してゲート領域となし、各々ソースとゲ
ートとドレインとして成る接合型電界効果トランジスタ
を形成する手段をとること、および、（６） 高温超電
導体と半導体と高温超電導体とを三層構造を成し、前記
半導体表面に誘電体膜を介して電極を形成してゲート領
域となし、各々ソースとゲートとドレインとして成る絶
縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する手段をとる
こと、などの手段をとる。
【０００６】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳述する。
【０００７】図１は、本発明の超電導体装置としての原
理的なトランジスタの模式断面図である。すなわち、
（ａ）はＹ1Ｂａ2Ｃｕ3０7（以下ＹＢＣＯ）に代表され
る高温超電導体１０１および１０３に挟まれて、Ｐｒ1
Ｂａ2Ｃｕ3０7やＹＣＢＯの組成比率変化により得られ
る常電導体、あるいは金属や合金あるいは炭素などから
成る常電導体、あるいはＳｉ、ＧａＡｓなどの化合物半
導体、ＴｉＯ2などの酸化物半導体、ダイアモンド半導
体あるいはＹＢＣＯの組成比率変化などにより得られる
半導体などから成る、常電導体あるいは半導体１０２が
形成されて成り、前記高温超電導体１０１、１０３およ
び常電導体あるいは半導体１０２の表面には各々金や銀
などから成る電極１０４、１０６および１０５が形成さ
れて成るとともに、該電極１０４、１０５および１０６
からは引出し電極が各々エミッタＥ、ベースＢ、および
コレクタＣとしてバイポーラ・トランジスタを形成して
成る。なお、ベース領域である１０２の幅は１００ナノ
メータ以下である。
理的なトランジスタの模式断面図である。すなわち、
（ａ）はＹ1Ｂａ2Ｃｕ3０7（以下ＹＢＣＯ）に代表され
る高温超電導体１０１および１０３に挟まれて、Ｐｒ1
Ｂａ2Ｃｕ3０7やＹＣＢＯの組成比率変化により得られ
る常電導体、あるいは金属や合金あるいは炭素などから
成る常電導体、あるいはＳｉ、ＧａＡｓなどの化合物半
導体、ＴｉＯ2などの酸化物半導体、ダイアモンド半導
体あるいはＹＢＣＯの組成比率変化などにより得られる
半導体などから成る、常電導体あるいは半導体１０２が
形成されて成り、前記高温超電導体１０１、１０３およ
び常電導体あるいは半導体１０２の表面には各々金や銀
などから成る電極１０４、１０６および１０５が形成さ
れて成るとともに、該電極１０４、１０５および１０６
からは引出し電極が各々エミッタＥ、ベースＢ、および
コレクタＣとしてバイポーラ・トランジスタを形成して
成る。なお、ベース領域である１０２の幅は１００ナノ
メータ以下である。
【０００８】（ｂ）は高温超電導体１１１および１１３
に挟まれて常電導体あるいは半導体１１２が形成されて
成り、該常電導体あるいは半導体１１２の表面には、ま
たは表面から、Ｐｔ膜等を形成したショットキ接合か、
エピタキシャル成長または不純物拡散または異種材料に
よる合金化などによる接合部１１７が形成されて成ると
ともに、前記高温超電導体１１１、１１３および接合部
１１７の表面には各々電極１１４、１１６および１１５
が形成されて成るとともに、該電極１１４、１１５、お
よび１１６からは引出し電極が各々ソースＳ、ゲート
Ｇ、およびドレインＤとして接合型電界効果トランジス
タを形成して成る。なお、ゲート領域である１１２の長
さは１００ナノメータ以下である。
に挟まれて常電導体あるいは半導体１１２が形成されて
成り、該常電導体あるいは半導体１１２の表面には、ま
たは表面から、Ｐｔ膜等を形成したショットキ接合か、
エピタキシャル成長または不純物拡散または異種材料に
よる合金化などによる接合部１１７が形成されて成ると
ともに、前記高温超電導体１１１、１１３および接合部
１１７の表面には各々電極１１４、１１６および１１５
が形成されて成るとともに、該電極１１４、１１５、お
よび１１６からは引出し電極が各々ソースＳ、ゲート
Ｇ、およびドレインＤとして接合型電界効果トランジス
タを形成して成る。なお、ゲート領域である１１２の長
さは１００ナノメータ以下である。
【０００９】（ｃ）は高温超電導体１２１および１２３
に挟まれて常電導体あるいは半導体１２２が形成されて
成り、該常電導体あるいは半導体１２２の表面にはＳｉ
Ｏ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜あるいはＹＢＣＯなどの組成比率を
変化させた誘電体膜１２７が形成されて成るとともに、
前記高温超電導体１２１、１２３および誘電体膜１２７
の表面には各々電極１２４、１２６および１２５が形成
されて成るとともに、該電極１２４、１２５、および１
２６からは引出し電極が各々ソースＳ、ゲートＧ、およ
びドレイ２Ｄとして絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
を形成して成る。なお、ゲート領域である１２２の長さ
は１００ナノメータ以下である。さらに、前記誘電体膜
１２７上のゲート電極１２５はＹＢＣＯなどから成る超
電導体膜であってもよく、その場合にはゲート電極１２
５からは別途引出し電極が金あるいは銀などの金属ある
いは合金で形成されることとなる。
に挟まれて常電導体あるいは半導体１２２が形成されて
成り、該常電導体あるいは半導体１２２の表面にはＳｉ
Ｏ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜あるいはＹＢＣＯなどの組成比率を
変化させた誘電体膜１２７が形成されて成るとともに、
前記高温超電導体１２１、１２３および誘電体膜１２７
の表面には各々電極１２４、１２６および１２５が形成
されて成るとともに、該電極１２４、１２５、および１
２６からは引出し電極が各々ソースＳ、ゲートＧ、およ
びドレイ２Ｄとして絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
を形成して成る。なお、ゲート領域である１２２の長さ
は１００ナノメータ以下である。さらに、前記誘電体膜
１２７上のゲート電極１２５はＹＢＣＯなどから成る超
電導体膜であってもよく、その場合にはゲート電極１２
５からは別途引出し電極が金あるいは銀などの金属ある
いは合金で形成されることとなる。
【００１０】図２は本発明の一実施例を示す超電導体装
置の断面図である。すなわち、単結晶ＳｒＴｉＯ3また
はＳｉウエーハなどまたはＳｉウエーハなどの表面にＰ
ｔ膜を形成した基板２００表面に、分子線エピタキシャ
ル法あるいはスパッタ蒸着法あるいはＣＶＤ法などで形
成した単結晶ＹＢＣＯ膜などから成る１００ナノメータ
厚さ程度の超電導体２０１の膜を図形状にホト・エッチ
された表面に、Ｐｒ1Ｂａ2Ｃｕ3０7やＹＢＣＯの組成比
率変化により得られる常電導体、あるいは金属や合金あ
るいは炭素などから成る常電導体、あるいはＳｉ、Ｇａ
Ａｓなどの化合物半導体、ＴｉＯ2などの酸化物半導
体、ダイアモンド半導体あるいはＹＢＣＯの組成比率変
化などにより得られる半導体などから成る、常電導体あ
るいは半導体２０２が分子線エピタキシャル法あるいは
スパッタ蒸着法あるいはＣＶＤ法などで４０ナノメータ
厚さ程度形成されて成り、該常電導体あるいは半導体２
０２の膜を図形状にホト・エッチされた表面に分子線エ
ピタキシャル法あるいはスパッタ蒸着法あるいはＣＶＤ
法などで形成した単結晶ＹＢＣＯ膜などから成る１００
ナノメータ厚さ程度の超電導体２０３の膜を形成し、該
超電導体２０３の膜を図形状にホト・エッチング後、Ｓ
ｉＯ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜あるいはＹＢＣＯなどの組成比率
を変化させた絶縁体膜２０７が分子線エピタキシャル法
あるいはスパッタ蒸着法あるいはＣＶＤ法などで全面に
形成されて成るとともに、該絶縁体膜２０７にコンタク
ト孔をホト・エッチングで形成後、分子線エピタキシャ
ル法あるいはスパッタ蒸着法あるいはＣＶＤ法などで金
や銀あるいはＹＣＢＯなどの超電導体から成る５００ナ
ノメータ厚さ程度の電極膜を形成し、該電極膜をホト・
エッチングして各々コレクタＣ、ベースＢおよびエミッ
タＥの電極２０４、２０５および ２０６を形成して成
るバイポーラ・トランジスタである。
置の断面図である。すなわち、単結晶ＳｒＴｉＯ3また
はＳｉウエーハなどまたはＳｉウエーハなどの表面にＰ
ｔ膜を形成した基板２００表面に、分子線エピタキシャ
ル法あるいはスパッタ蒸着法あるいはＣＶＤ法などで形
成した単結晶ＹＢＣＯ膜などから成る１００ナノメータ
厚さ程度の超電導体２０１の膜を図形状にホト・エッチ
された表面に、Ｐｒ1Ｂａ2Ｃｕ3０7やＹＢＣＯの組成比
率変化により得られる常電導体、あるいは金属や合金あ
るいは炭素などから成る常電導体、あるいはＳｉ、Ｇａ
Ａｓなどの化合物半導体、ＴｉＯ2などの酸化物半導
体、ダイアモンド半導体あるいはＹＢＣＯの組成比率変
化などにより得られる半導体などから成る、常電導体あ
るいは半導体２０２が分子線エピタキシャル法あるいは
スパッタ蒸着法あるいはＣＶＤ法などで４０ナノメータ
厚さ程度形成されて成り、該常電導体あるいは半導体２
０２の膜を図形状にホト・エッチされた表面に分子線エ
ピタキシャル法あるいはスパッタ蒸着法あるいはＣＶＤ
法などで形成した単結晶ＹＢＣＯ膜などから成る１００
ナノメータ厚さ程度の超電導体２０３の膜を形成し、該
超電導体２０３の膜を図形状にホト・エッチング後、Ｓ
ｉＯ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜あるいはＹＢＣＯなどの組成比率
を変化させた絶縁体膜２０７が分子線エピタキシャル法
あるいはスパッタ蒸着法あるいはＣＶＤ法などで全面に
形成されて成るとともに、該絶縁体膜２０７にコンタク
ト孔をホト・エッチングで形成後、分子線エピタキシャ
ル法あるいはスパッタ蒸着法あるいはＣＶＤ法などで金
や銀あるいはＹＣＢＯなどの超電導体から成る５００ナ
ノメータ厚さ程度の電極膜を形成し、該電極膜をホト・
エッチングして各々コレクタＣ、ベースＢおよびエミッ
タＥの電極２０４、２０５および ２０６を形成して成
るバイポーラ・トランジスタである。
【００１１】なお、ＹＢＣＯなどの高温超電導体はイオ
ン打ち込み法や不純物拡散法などにより組成比率を変化
させたり結晶性を変えることにより、半導体や絶縁体あ
るいは誘電体に変化させることができる便利な材料であ
り、前記あるいは後記の基板や半導体や、絶縁体あるい
は誘電体をもＹＢＣＯの変性体で構成することも可能で
ありＹＢＣＯなどの高温超電導体の単結晶ウエーハを基
板に用いれば、トランジスタのエミッタ領域やベース領
域およびコレクタ領域、あるいはソース領域やゲート領
域あるいはドレイン領域、あるいは誘電体膜や絶縁膜あ
るいは電極膜までもイオン打ち込み法とホトエッチング
法などのＳｉ半導体に多用している技術を駆使すること
により、基板内に形成することが可能であるとともに、
膜形成技術を付加することにより三次元集積回路も容易
に製作することができる。
ン打ち込み法や不純物拡散法などにより組成比率を変化
させたり結晶性を変えることにより、半導体や絶縁体あ
るいは誘電体に変化させることができる便利な材料であ
り、前記あるいは後記の基板や半導体や、絶縁体あるい
は誘電体をもＹＢＣＯの変性体で構成することも可能で
ありＹＢＣＯなどの高温超電導体の単結晶ウエーハを基
板に用いれば、トランジスタのエミッタ領域やベース領
域およびコレクタ領域、あるいはソース領域やゲート領
域あるいはドレイン領域、あるいは誘電体膜や絶縁膜あ
るいは電極膜までもイオン打ち込み法とホトエッチング
法などのＳｉ半導体に多用している技術を駆使すること
により、基板内に形成することが可能であるとともに、
膜形成技術を付加することにより三次元集積回路も容易
に製作することができる。
【００１２】さらに、本発明のベース領域あるいはゲー
ト領域を構成する常電導体あるいは半導体から成る領域
は、丁度マイクロブリッジ型ジョセフソン接合部をトラ
ンジスタのベース領域あるいはゲート領域としての作用
をさせることを基本としており、該ベース領域あるいは
ゲート領域への電荷のしみだし効果を利用して、該電荷
を電流または電圧で制御してスイッチ作用や増幅作用を
させるものであり、ベースやゲート領域を通過する電荷
の速度は移動度の概念を考える必要はなく、殆ど光の速
度と同じ速度で伝幡およびスイッチさせることができる
とともに、ベース幅やゲート長は比較的大きくしても良
く、微細加工の限界内で加工できるため装置の製作も容
易となる。
ト領域を構成する常電導体あるいは半導体から成る領域
は、丁度マイクロブリッジ型ジョセフソン接合部をトラ
ンジスタのベース領域あるいはゲート領域としての作用
をさせることを基本としており、該ベース領域あるいは
ゲート領域への電荷のしみだし効果を利用して、該電荷
を電流または電圧で制御してスイッチ作用や増幅作用を
させるものであり、ベースやゲート領域を通過する電荷
の速度は移動度の概念を考える必要はなく、殆ど光の速
度と同じ速度で伝幡およびスイッチさせることができる
とともに、ベース幅やゲート長は比較的大きくしても良
く、微細加工の限界内で加工できるため装置の製作も容
易となる。
【００１３】図３は本発明の他の実施例を示す超電導体
装置の断面図である。すなわち、基板３００の表面には
１００ナノメータ厚さ程度の超電導体３０１および３０
３が形成され、該超電導体３０１および３０３の１００
ナノメータ程度のギャップを埋める形で常電導体あるい
は半導体３０２が形成され、該常電導体あるいは半導体
３０２表面には１００ナノメータ厚さ程度の接合部３０
７の膜が形成され、全面に１００ナノメータ厚さ程度の
絶縁膜３０８を被覆後該絶縁膜３０８にコンタクト孔を
開けた後、ソースＳ、ゲートＧおよびドレインＤの各々
の５００ナノメータ厚さ程度の電極３０４、３０５およ
び３０６を形成して成る接合型電界効果トランジスタで
ある。
装置の断面図である。すなわち、基板３００の表面には
１００ナノメータ厚さ程度の超電導体３０１および３０
３が形成され、該超電導体３０１および３０３の１００
ナノメータ程度のギャップを埋める形で常電導体あるい
は半導体３０２が形成され、該常電導体あるいは半導体
３０２表面には１００ナノメータ厚さ程度の接合部３０
７の膜が形成され、全面に１００ナノメータ厚さ程度の
絶縁膜３０８を被覆後該絶縁膜３０８にコンタクト孔を
開けた後、ソースＳ、ゲートＧおよびドレインＤの各々
の５００ナノメータ厚さ程度の電極３０４、３０５およ
び３０６を形成して成る接合型電界効果トランジスタで
ある。
【００１４】図４は本発明のその他の実施例を示す超電
導体装置の断面図である。すなわち、基板４００の表面
には１００ナノメータ厚さ程度の常電導体あるいは半導
体４０２が形成された後、１００ナノメータ厚さ程度の
超電導体４０１および４０３が前記常電導体あるいは半
導体４０２の表面に１００ナノメータ程度のギャップを
設けて形成され、該常電導体あるいは半導体４０２の表
面には１０ナノメータ厚さ程度の誘電体膜４０７が形成
され、該誘電体膜４０７の表面にはゲートＧとしての３
００〜５００ナノメータ厚さ程度の電極４０５とソース
ＳおよびドレインＤの３００〜５００ナノメータ厚さ程
度の電極４０４および４０６が １００ナノメータ厚さ
程度の絶縁膜４０８を介し、該絶縁膜４０８に開けられ
たコンタクト孔を通して形成されて成る絶縁ゲート型ト
ランジスタである。
導体装置の断面図である。すなわち、基板４００の表面
には１００ナノメータ厚さ程度の常電導体あるいは半導
体４０２が形成された後、１００ナノメータ厚さ程度の
超電導体４０１および４０３が前記常電導体あるいは半
導体４０２の表面に１００ナノメータ程度のギャップを
設けて形成され、該常電導体あるいは半導体４０２の表
面には１０ナノメータ厚さ程度の誘電体膜４０７が形成
され、該誘電体膜４０７の表面にはゲートＧとしての３
００〜５００ナノメータ厚さ程度の電極４０５とソース
ＳおよびドレインＤの３００〜５００ナノメータ厚さ程
度の電極４０４および４０６が １００ナノメータ厚さ
程度の絶縁膜４０８を介し、該絶縁膜４０８に開けられ
たコンタクト孔を通して形成されて成る絶縁ゲート型ト
ランジスタである。
【００１５】なお、電極４０４、４０５および４０６な
どをＹＢＣＯなどの超電導体膜で形成すると、配線抵抗
が殆ど零となり本発明によるトランジスタの一層の高速
化に役立つ。このことは、絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタのみならずバイポーラ・トランジスタや接合型電
界効果トランジスタの配線抵抗の低減による高速化とし
ても役立つことである。
どをＹＢＣＯなどの超電導体膜で形成すると、配線抵抗
が殆ど零となり本発明によるトランジスタの一層の高速
化に役立つ。このことは、絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタのみならずバイポーラ・トランジスタや接合型電
界効果トランジスタの配線抵抗の低減による高速化とし
ても役立つことである。
【００１６】
【発明の効果】本発明によりピコ秒以下の高速で動作す
るトランジスタを容易に製作することができる効果があ
る。
るトランジスタを容易に製作することができる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の超電導体装置としての原理的なトラ
ンジスタの模式断面図である。
ンジスタの模式断面図である。
【図２】 本発明の一実施例を示す超電導体装置の断面
図である。
図である。
【図３】 本発明の他の実施例を示す超電導体装置の断
面図である。
面図である。
【図４】 本発明のその他の実施例を示す超電導体装置
の断面図である。
の断面図である。
２００、３００、４００・・・基板 １０１、１０３、１１１、１１３、１２１、１２３、２
０１、２０３、３０１、３０３、４０１、４０３・・・
超電導体 １０２、１１２、１２２、２０２、３０２、４０２・・
・常電導体あるいは半導体 １０４、１０５、１０６、１１４、１１５、１１６、１
２４、１２５、１２６、２０４、２０５、２０６、３０
４、３０５、３０６、４０４、４０５、４０６・・・電
極 １１７、３０７・・・接合部 １２７、４０７・・・誘電体膜 ２０７、３０８、４０８・・・絶縁体膜 Ｅ・・・エミッタ Ｂ・・・ベース Ｃ・・・コレクタ Ｓ・・・ソース Ｇ・・・ゲート Ｄ・・・ドレイン
０１、２０３、３０１、３０３、４０１、４０３・・・
超電導体 １０２、１１２、１２２、２０２、３０２、４０２・・
・常電導体あるいは半導体 １０４、１０５、１０６、１１４、１１５、１１６、１
２４、１２５、１２６、２０４、２０５、２０６、３０
４、３０５、３０６、４０４、４０５、４０６・・・電
極 １１７、３０７・・・接合部 １２７、４０７・・・誘電体膜 ２０７、３０８、４０８・・・絶縁体膜 Ｅ・・・エミッタ Ｂ・・・ベース Ｃ・・・コレクタ Ｓ・・・ソース Ｇ・・・ゲート Ｄ・・・ドレイン
Claims (6)
- 【請求項１】 高温超電導体と常電導体と高温超電導体
とが三層構造を成し、各々エミッタとコレクタとベース
から成るバイポーラ・トランジスタを形成して成ること
を特徴とする超電導体装置。 - 【請求項２】 高温超電導体と常電導体と高温超電導体
とが三層構造を成し、前記常電導体表面にはショットキ
接合や拡散層接合あるいは合金層接合などの接合層が形
成されてゲート領域となし、各々ソースとゲートとドレ
インから成る接合型電界効果トランジスタを形成して成
ることを特徴とする超電導体装置。 - 【請求項３】 高温超電導体と常電導体と高温超電導体
とが三層構造を成し、前記常電導体表面には誘電体膜を
介して電極が形成されてゲート領域となし、各々ソース
とゲートとドレインから成る絶縁ゲート型電界効果トラ
ンジスタを形成して成ることを特徴とする超電導体装
置。 - 【請求項４】 高温超電導体と半導体と高温超電導体と
が三層構造を成し、各々エミッタとコレクタとベースか
ら成るバイポーラ・トランジスタを形成して成ることを
特徴とする超電導体装置。 - 【請求項５】 高温超電導体と半導体と高温超電導体と
が三層構造を成し、前記半導体表面にはショットキ接合
や拡散層接合あるいは合金層接合などの接合層が形成さ
れてゲート領域となし、各々ソースとゲートとドレイン
から成る接合型電界効果トランジスタを形成して成るこ
とを特徴とする超電導体装置。 - 【請求項６】 高温超電導体と半導体と高温超電導体と
が三層構造を成し、前記半導体表面には誘電体膜を介し
て電極が形成されてゲート領域となし、各々ソースとゲ
ートとドレインから成る絶縁ゲート型電界効果トランジ
スタを形成して成ることを特徴とする超電導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4156465A JPH065935A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 超電導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4156465A JPH065935A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 超電導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065935A true JPH065935A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15628347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4156465A Pending JPH065935A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 超電導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065935A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7689573B2 (en) | 2002-12-11 | 2010-03-30 | Hitachi, Ltd. | Prefetch appliance server |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP4156465A patent/JPH065935A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7689573B2 (en) | 2002-12-11 | 2010-03-30 | Hitachi, Ltd. | Prefetch appliance server |
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