JPH065592A - 磁性薄膜パターンの製造方法 - Google Patents
磁性薄膜パターンの製造方法Info
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- JPH065592A JPH065592A JP15782892A JP15782892A JPH065592A JP H065592 A JPH065592 A JP H065592A JP 15782892 A JP15782892 A JP 15782892A JP 15782892 A JP15782892 A JP 15782892A JP H065592 A JPH065592 A JP H065592A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上の可溶性薄膜上に形成された磁性薄膜
のリフトオフを確実に行う。 【構成】 基板上に可溶性薄膜パターンを形成する工程
と、その上に磁性薄膜を形成する工程と、その基板上の
磁性薄膜をリフトオフする面に対向する位置に磁力発生
体を設けた可溶性薄膜の溶解槽に前記基板を浸して可溶
性薄膜上の磁性薄膜をリフトオフする工程を含むことを
特徴としている。
のリフトオフを確実に行う。 【構成】 基板上に可溶性薄膜パターンを形成する工程
と、その上に磁性薄膜を形成する工程と、その基板上の
磁性薄膜をリフトオフする面に対向する位置に磁力発生
体を設けた可溶性薄膜の溶解槽に前記基板を浸して可溶
性薄膜上の磁性薄膜をリフトオフする工程を含むことを
特徴としている。
Description
【産業上の利用分野】本発明は基板上に所望の磁性薄膜
パターンを形成する磁性薄膜パターンの製造方法に関す
るものである。
パターンを形成する磁性薄膜パターンの製造方法に関す
るものである。
【０００１】
【従来の技術】従来、半導体基板等の基板上に電極、金
属配線パターン等の磁性薄膜を形成する場合の製造方法
としては例えば、特開昭６３−８６４２８号公報に開示
されるような方法が知られている。以下、図５を参照し
ながら基板上に所望の磁性薄膜パターンを形成する製造
方法について説明する。
属配線パターン等の磁性薄膜を形成する場合の製造方法
としては例えば、特開昭６３−８６４２８号公報に開示
されるような方法が知られている。以下、図５を参照し
ながら基板上に所望の磁性薄膜パターンを形成する製造
方法について説明する。
【０００２】図５はリフトオフ法によって半導体基板上
に所望の金属薄膜パターンを形成する方法についての説
明図である。図５（ａ）において、半導体基板１上に二
酸化シリコン絶縁膜３１を形成する。次に、前記半導体
基板１上に形成すべき金属薄膜パターンとは逆パータン
にフォトレジスト膜パターン２を形成する。図５（ｂ）
において、フォトレジスト膜２をマスクとして前記二酸
化シリコン絶縁膜３１をエッチングする。続いて図３
（ｃ）において、配線用の金属薄膜３を全面に蒸着等に
より形成する。最後に図３（ｄ）において、アセトン等
の有機溶剤を用いて前記フォトレジスト膜２を溶解除去
することにより、フォトレジスト膜２上の金属薄膜３を
除去して金属薄膜の配線パターンを得る。
に所望の金属薄膜パターンを形成する方法についての説
明図である。図５（ａ）において、半導体基板１上に二
酸化シリコン絶縁膜３１を形成する。次に、前記半導体
基板１上に形成すべき金属薄膜パターンとは逆パータン
にフォトレジスト膜パターン２を形成する。図５（ｂ）
において、フォトレジスト膜２をマスクとして前記二酸
化シリコン絶縁膜３１をエッチングする。続いて図３
（ｃ）において、配線用の金属薄膜３を全面に蒸着等に
より形成する。最後に図３（ｄ）において、アセトン等
の有機溶剤を用いて前記フォトレジスト膜２を溶解除去
することにより、フォトレジスト膜２上の金属薄膜３を
除去して金属薄膜の配線パターンを得る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法において、
フォトレジスト膜２を溶解除去する際には基板を溶剤の
入った溶解槽に浸している。基板１上のフォトレジスト
膜２およびフォトレジスト膜２との密着性が良い金属薄
膜３の基板１からの剥離は基板１とフォトレジスト膜２
との間に溶剤を染み込ませ、フォトレジスト膜２の基板
１との接触面のフォトレジスト膜２を溶かすことによる
基板１とフォトレジスト膜２との分離によるものであ
る。ところが基板１上に形成されたフォトレジスト膜２
を溶剤に浸すだけでは溶剤がフォトレジスト膜２と基板
１との間に染み込みにくく、基板１上にフォトレジスト
膜２およびフォトレジスト膜２上の金属薄膜３が残る可
能性がある。そこで超音波等による振動を与えてフォト
レジスト膜２と基板１との間に溶剤を染み込みやすくし
ているがそれでも不十分な場合がある。そして基板１上
にフォトレジスト膜２およびフォトレジスト膜２上の金
属薄膜３が残ってしまった場合には、後工程で溶剤等に
フォトレジストが溶解し、半導体基板表面を汚染するば
かりでなく配線パターンの短絡を引き起こす等の問題を
生じ、良好な半導体製品が得られなくなる。また、いっ
たん剥離した金属薄膜３が溶剤中に浮遊し、基板１を溶
剤の入った溶解槽から引き出す際に半導体基板表面に付
着することで配線パターンの短絡等を引き起し、同じく
良好な半導体製品が得られないことがある。
フォトレジスト膜２を溶解除去する際には基板を溶剤の
入った溶解槽に浸している。基板１上のフォトレジスト
膜２およびフォトレジスト膜２との密着性が良い金属薄
膜３の基板１からの剥離は基板１とフォトレジスト膜２
との間に溶剤を染み込ませ、フォトレジスト膜２の基板
１との接触面のフォトレジスト膜２を溶かすことによる
基板１とフォトレジスト膜２との分離によるものであ
る。ところが基板１上に形成されたフォトレジスト膜２
を溶剤に浸すだけでは溶剤がフォトレジスト膜２と基板
１との間に染み込みにくく、基板１上にフォトレジスト
膜２およびフォトレジスト膜２上の金属薄膜３が残る可
能性がある。そこで超音波等による振動を与えてフォト
レジスト膜２と基板１との間に溶剤を染み込みやすくし
ているがそれでも不十分な場合がある。そして基板１上
にフォトレジスト膜２およびフォトレジスト膜２上の金
属薄膜３が残ってしまった場合には、後工程で溶剤等に
フォトレジストが溶解し、半導体基板表面を汚染するば
かりでなく配線パターンの短絡を引き起こす等の問題を
生じ、良好な半導体製品が得られなくなる。また、いっ
たん剥離した金属薄膜３が溶剤中に浮遊し、基板１を溶
剤の入った溶解槽から引き出す際に半導体基板表面に付
着することで配線パターンの短絡等を引き起し、同じく
良好な半導体製品が得られないことがある。
【０００４】本発明はこのような問題点に鑑みて案出さ
れたものであり、その目的とするところは、基板に金属
薄膜等の磁性薄膜が基板から離脱する方向に磁力を作用
させることにより、除去すべきフォトレジスト膜および
フォトレジスト膜上の磁性薄膜を基板より確実に除去
し、かつ収集することである。
れたものであり、その目的とするところは、基板に金属
薄膜等の磁性薄膜が基板から離脱する方向に磁力を作用
させることにより、除去すべきフォトレジスト膜および
フォトレジスト膜上の磁性薄膜を基板より確実に除去
し、かつ収集することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の磁性薄膜パターンの製造方法は、基板上に
可溶性薄膜パターンを形成する第１工程と、その上に磁
性薄膜を形成する第２工程と、その基板の該磁性薄膜が
形成された面に可溶性薄膜パターンおよび磁性薄膜が基
板から離脱する方向に磁力線を作用させ、可溶性薄膜を
溶解させる溶剤に前記基板を浸して可溶性薄膜を溶解さ
せることで可溶性薄膜上の磁性薄膜を除去する第３工程
とを含むことを特徴としている。
に、本発明の磁性薄膜パターンの製造方法は、基板上に
可溶性薄膜パターンを形成する第１工程と、その上に磁
性薄膜を形成する第２工程と、その基板の該磁性薄膜が
形成された面に可溶性薄膜パターンおよび磁性薄膜が基
板から離脱する方向に磁力線を作用させ、可溶性薄膜を
溶解させる溶剤に前記基板を浸して可溶性薄膜を溶解さ
せることで可溶性薄膜上の磁性薄膜を除去する第３工程
とを含むことを特徴としている。
【０００６】
【作 用】上記手段によれば、可溶性薄膜パターンが形
成された基板上に磁性薄膜が形成され、その基板を可溶
性薄膜溶解槽に浸し、可溶性薄膜を溶解する際に基板の
可溶性薄膜および磁性薄膜が形成された面に磁力線を磁
力が磁性薄膜が基板から離脱する方向に作用させる。磁
性薄膜はその磁力により基板から離脱しやすくなり、磁
性薄膜と可溶性薄膜との密着性が高いため可溶性薄膜に
も基板から離脱する力が作用する。すると溶剤が可溶性
薄膜と基板との間に染み込みやすくなり、染み込んだ溶
剤に可溶性薄膜が溶けて基板から可溶性薄膜とその上層
の磁性薄膜は離脱しやすくなる。また、基板から剥離し
た磁性薄膜は磁力が磁性薄膜が基板から離脱する方向に
作用する磁力線により速やかに基板から離れて磁力発生
源に収集される。
成された基板上に磁性薄膜が形成され、その基板を可溶
性薄膜溶解槽に浸し、可溶性薄膜を溶解する際に基板の
可溶性薄膜および磁性薄膜が形成された面に磁力線を磁
力が磁性薄膜が基板から離脱する方向に作用させる。磁
性薄膜はその磁力により基板から離脱しやすくなり、磁
性薄膜と可溶性薄膜との密着性が高いため可溶性薄膜に
も基板から離脱する力が作用する。すると溶剤が可溶性
薄膜と基板との間に染み込みやすくなり、染み込んだ溶
剤に可溶性薄膜が溶けて基板から可溶性薄膜とその上層
の磁性薄膜は離脱しやすくなる。また、基板から剥離し
た磁性薄膜は磁力が磁性薄膜が基板から離脱する方向に
作用する磁力線により速やかに基板から離れて磁力発生
源に収集される。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【０００８】図１は、本発明を半導体基板上に金属配線
パターンを形成する場合に適用した一連の製造工程を示
したものである。なお、図５と同一の部分については同
じ符号を付してある。
パターンを形成する場合に適用した一連の製造工程を示
したものである。なお、図５と同一の部分については同
じ符号を付してある。
【０００９】図１（ａ）、（ｂ）において、円盤形状の
シリコン基板１（以下半導体ウエーハとする）上に１．
５μｍの厚さでポジ型のフォトレジスト膜２を塗布し、
後述の半導体ウエーハ１上にＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−
鉄）の金属薄膜パターンを形成したい部分に紫外線等の
光を照射する。次に、シリコン基板１上にフォトレジス
ト膜パターンを形成すべく基板１を現像液に浸して光を
照射した部分のフォトレジスト膜２を現像液に溶解させ
ることで除去する。続いて図１（ｃ）において、フォト
レジスト膜パターンが形成された半導体ウエーハ１上の
全面にＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄膜３を蒸着法
により１００ｎｍの厚さに成膜する。次に図１（ｄ）に
おいて、基板１をフォトレジスト膜溶解用の溶剤に浸
し、フォトレジスト膜２を溶解させることでフォトレジ
スト上の不要なＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄膜３
を除去する。ここでフォトレジスト膜２の溶解に用いる
溶解槽は図２に示すように溶解槽４（石英ビーカー）の
底部に半導体ウエーハ１の面積とほぼ同じかそれよりも
大きい面積を有する永久磁石７が溶解槽４に接するよう
に設けられたものを使用する。この溶解槽４にフォトレ
ジスト膜２溶解用の溶剤であるアセトン−エタノール
１：１の混合溶液を入れ、前記Ｎｉ−Ｆｅ（ニッケル−
鉄）金属薄膜３が形成された半導体ウエーハ１を支持具
６によって支持し、Ｎｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄
膜３が形成された面が前記永久磁石７に平行に対面する
ように浸す。半導体ウエーハ１のＮｉ−Ｆｅ（ニッケル
−鉄）金属薄膜３が形成された面と前記永久磁石７との
間隔は永久磁石７の磁力が半導体ウエーハ１のＮｉ−Ｆ
ｅ（ニッケル−鉄）金属薄膜３が形成された面におよぶ
範囲であり、かつフォトレジスト膜２の溶解によって剥
離したＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄膜３が前記半
導体ウエーハ１に再付着しない程度の距離とするのが望
ましく、本実施例では１０ｍｍとしている。この状態で
溶解槽に超音波をかけて半導体ウエーハ１上の不要なフ
ォトレジスト膜およびＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属
薄膜３を半導体ウエーハ１から除去する。このとき永久
磁石７による磁力がＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄
膜３がら半導体ウエーハ１から離れる方向に作用し、フ
ォトレジスト膜２とＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄
膜３とは密着性が高いため、フォトレジスト膜２にも半
導体ウエーハ１から離れる方向に力が作用する。この力
によりフォトレジスト膜２は半導体ウエーハ１から浮き
上がろうとするので半導体ウエーハ１とフォトレジスト
膜２との間に溶剤が染み込みやすくなる。すると染み込
んだ溶剤にフォトレジスト膜２が溶解し、フォトレジス
ト膜２とその上層のＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄
膜３は半導体ウエーハ１から容易に脱離する。ここで超
音波をかけるのは半導体ウエーハ１に振動を与えてフォ
トレジスト膜およびＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄
膜３が剥離し易くするためである。所定時間経過の後、
半導体ウエーハ１を溶解槽４より引き上げて次の工程、
例えば純水洗浄工程へ送る。
シリコン基板１（以下半導体ウエーハとする）上に１．
５μｍの厚さでポジ型のフォトレジスト膜２を塗布し、
後述の半導体ウエーハ１上にＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−
鉄）の金属薄膜パターンを形成したい部分に紫外線等の
光を照射する。次に、シリコン基板１上にフォトレジス
ト膜パターンを形成すべく基板１を現像液に浸して光を
照射した部分のフォトレジスト膜２を現像液に溶解させ
ることで除去する。続いて図１（ｃ）において、フォト
レジスト膜パターンが形成された半導体ウエーハ１上の
全面にＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄膜３を蒸着法
により１００ｎｍの厚さに成膜する。次に図１（ｄ）に
おいて、基板１をフォトレジスト膜溶解用の溶剤に浸
し、フォトレジスト膜２を溶解させることでフォトレジ
スト上の不要なＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄膜３
を除去する。ここでフォトレジスト膜２の溶解に用いる
溶解槽は図２に示すように溶解槽４（石英ビーカー）の
底部に半導体ウエーハ１の面積とほぼ同じかそれよりも
大きい面積を有する永久磁石７が溶解槽４に接するよう
に設けられたものを使用する。この溶解槽４にフォトレ
ジスト膜２溶解用の溶剤であるアセトン−エタノール
１：１の混合溶液を入れ、前記Ｎｉ−Ｆｅ（ニッケル−
鉄）金属薄膜３が形成された半導体ウエーハ１を支持具
６によって支持し、Ｎｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄
膜３が形成された面が前記永久磁石７に平行に対面する
ように浸す。半導体ウエーハ１のＮｉ−Ｆｅ（ニッケル
−鉄）金属薄膜３が形成された面と前記永久磁石７との
間隔は永久磁石７の磁力が半導体ウエーハ１のＮｉ−Ｆ
ｅ（ニッケル−鉄）金属薄膜３が形成された面におよぶ
範囲であり、かつフォトレジスト膜２の溶解によって剥
離したＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄膜３が前記半
導体ウエーハ１に再付着しない程度の距離とするのが望
ましく、本実施例では１０ｍｍとしている。この状態で
溶解槽に超音波をかけて半導体ウエーハ１上の不要なフ
ォトレジスト膜およびＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属
薄膜３を半導体ウエーハ１から除去する。このとき永久
磁石７による磁力がＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄
膜３がら半導体ウエーハ１から離れる方向に作用し、フ
ォトレジスト膜２とＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄
膜３とは密着性が高いため、フォトレジスト膜２にも半
導体ウエーハ１から離れる方向に力が作用する。この力
によりフォトレジスト膜２は半導体ウエーハ１から浮き
上がろうとするので半導体ウエーハ１とフォトレジスト
膜２との間に溶剤が染み込みやすくなる。すると染み込
んだ溶剤にフォトレジスト膜２が溶解し、フォトレジス
ト膜２とその上層のＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄
膜３は半導体ウエーハ１から容易に脱離する。ここで超
音波をかけるのは半導体ウエーハ１に振動を与えてフォ
トレジスト膜およびＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄
膜３が剥離し易くするためである。所定時間経過の後、
半導体ウエーハ１を溶解槽４より引き上げて次の工程、
例えば純水洗浄工程へ送る。
【００１０】次に本発明の他の実施例について説明す
る。半導体ウエーハ１上にＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）
金属薄膜３を形成する工程までは先に説明した実施例の
工程と重複するのでその説明を省略する。図３の８は一
度に複数枚の半導体基板を収容し、支持できる周知のキ
ャリア治具である。このキャリア治具８には円盤状の複
数の半導体ウエーハ１が縦向きに平行に並び、半導体ウ
エーハの端部が係止するような仕切り材９が設けられて
いる。このキャリア治具８に複数の半導体ウエーハ１と
同形状でほぼ同程度の大きさの円盤状の永久磁石７と半
導体ウエーハ１を交互に、しかも永久磁石７と半導体ウ
エーハ１との間隔が１０ｍｍ程度になるように収容す
る。このとき半導体ウエーハ１のＮｉ−Ｆｅ（ニッケル
−鉄）金属薄膜３が形成された面は円盤状の永久磁石７
に対面している。このように半導体ウエーハ１と円盤状
の永久磁石７が収容されたキャリア治具８をフォトレジ
スト膜２溶解用の溶剤（アセトン−エタノール１：１の
混合溶液）の入った溶解槽４に所定時間溶解槽に超音波
をかけながら浸し、フォトレジスト膜２およびフォトレ
ジスト膜２上のＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄膜３
を半導体ウエーハ１から剥離させる。このときも前述し
たように円盤状の永久磁石７の磁力の作用によりフォト
レジスト膜２およびフォトレジスト膜２上のＮｉ−Ｆｅ
（ニッケル−鉄）金属薄膜３は半導体ウエーハ１から容
易に脱離する。この後キャリア治具８を溶解槽４より引
き上げて次工程に送る。
る。半導体ウエーハ１上にＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）
金属薄膜３を形成する工程までは先に説明した実施例の
工程と重複するのでその説明を省略する。図３の８は一
度に複数枚の半導体基板を収容し、支持できる周知のキ
ャリア治具である。このキャリア治具８には円盤状の複
数の半導体ウエーハ１が縦向きに平行に並び、半導体ウ
エーハの端部が係止するような仕切り材９が設けられて
いる。このキャリア治具８に複数の半導体ウエーハ１と
同形状でほぼ同程度の大きさの円盤状の永久磁石７と半
導体ウエーハ１を交互に、しかも永久磁石７と半導体ウ
エーハ１との間隔が１０ｍｍ程度になるように収容す
る。このとき半導体ウエーハ１のＮｉ−Ｆｅ（ニッケル
−鉄）金属薄膜３が形成された面は円盤状の永久磁石７
に対面している。このように半導体ウエーハ１と円盤状
の永久磁石７が収容されたキャリア治具８をフォトレジ
スト膜２溶解用の溶剤（アセトン−エタノール１：１の
混合溶液）の入った溶解槽４に所定時間溶解槽に超音波
をかけながら浸し、フォトレジスト膜２およびフォトレ
ジスト膜２上のＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄膜３
を半導体ウエーハ１から剥離させる。このときも前述し
たように円盤状の永久磁石７の磁力の作用によりフォト
レジスト膜２およびフォトレジスト膜２上のＮｉ−Ｆｅ
（ニッケル−鉄）金属薄膜３は半導体ウエーハ１から容
易に脱離する。この後キャリア治具８を溶解槽４より引
き上げて次工程に送る。
【００１１】図４は半導体ウエーハ１上の不要なフォト
レジスト膜２およびフォトレジスト膜２上のＮｉ−Ｆｅ
（ニッケル−鉄）金属薄膜３除去する際、同一条件のも
とで永久磁石７がある場合と無い場合とで半導体ウエー
ハ１を前記溶剤５より引き上げたあとに半導体ウエーハ
１上の単位面積あたりに存在する平均ダスト数を示して
いる。ここで平均ダスト数は半導体ウエーハ上に本来存
在すべきでない部分に存在しているＮｉ−Ｆｅ（ニッケ
ル−鉄）金属薄膜３やフォトレジスト膜２であり、フォ
トレジスト膜２およびＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属
薄膜３の除去の際剥離せずに残ってしまったもの、剥離
したＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄膜３が半導体ウ
エーハ１に再付着したものの両方を含む。図４から明ら
かなように永久磁石７が無い場合に比べ永久磁石７があ
る場合は平均ダスト数が１／１０に減っており、永久磁
石７の効果が大きいことが言える。
レジスト膜２およびフォトレジスト膜２上のＮｉ−Ｆｅ
（ニッケル−鉄）金属薄膜３除去する際、同一条件のも
とで永久磁石７がある場合と無い場合とで半導体ウエー
ハ１を前記溶剤５より引き上げたあとに半導体ウエーハ
１上の単位面積あたりに存在する平均ダスト数を示して
いる。ここで平均ダスト数は半導体ウエーハ上に本来存
在すべきでない部分に存在しているＮｉ−Ｆｅ（ニッケ
ル−鉄）金属薄膜３やフォトレジスト膜２であり、フォ
トレジスト膜２およびＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属
薄膜３の除去の際剥離せずに残ってしまったもの、剥離
したＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）金属薄膜３が半導体ウ
エーハ１に再付着したものの両方を含む。図４から明ら
かなように永久磁石７が無い場合に比べ永久磁石７があ
る場合は平均ダスト数が１／１０に減っており、永久磁
石７の効果が大きいことが言える。
【００１２】本実施例によれば、フォトレジスト膜溶解
中に半導体ウエーハ１から剥離したＮｉ−Ｆｅ（ニッケ
ル−鉄）金属薄膜３の剥離膜は永久磁石７に速やかに捕
獲され溶剤５中に拡散することがなく、したがって半導
体ウエーハを溶剤中から引き上げる際に金属剥離膜が半
導体ウエーハに再付着するのを防止できる。さらに溶解
槽４内のメインテナンスが容易になるという効果が期待
できる。
中に半導体ウエーハ１から剥離したＮｉ−Ｆｅ（ニッケ
ル−鉄）金属薄膜３の剥離膜は永久磁石７に速やかに捕
獲され溶剤５中に拡散することがなく、したがって半導
体ウエーハを溶剤中から引き上げる際に金属剥離膜が半
導体ウエーハに再付着するのを防止できる。さらに溶解
槽４内のメインテナンスが容易になるという効果が期待
できる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
磁性薄膜パターンの製造方法において、可溶性薄膜の溶
解時に磁性薄膜が形成された基板の面に対面した位置に
配置された磁力発生体の磁力が、可溶性薄膜上の磁性薄
膜に基板から磁性薄膜が離脱する方向に作用するので、
磁性薄膜の基板からの離脱が助長される。それにより除
去すべき磁性薄膜および可溶性薄膜が確実に除去され、
良好な磁性薄膜パターンの形成が可能になる。
磁性薄膜パターンの製造方法において、可溶性薄膜の溶
解時に磁性薄膜が形成された基板の面に対面した位置に
配置された磁力発生体の磁力が、可溶性薄膜上の磁性薄
膜に基板から磁性薄膜が離脱する方向に作用するので、
磁性薄膜の基板からの離脱が助長される。それにより除
去すべき磁性薄膜および可溶性薄膜が確実に除去され、
良好な磁性薄膜パターンの形成が可能になる。
【図１】 本発明の実施例をしめす金属薄膜パターンの
製造工程説明図。
製造工程説明図。
【図２】 本発明の実施例における溶解槽の説明図。
【図３】 本発明の実施例におけるキャリア治具の説明
図。
図。
【図４】 本発明の実施例の効果を示す説明図。
【図５】 従来の半導体装置の製造方法を示す説明図。
１ ・・・ シリコン基板（半導体ウエーハ） ２ ・・・ フォトレジスト ３ ・・・ Ｎｉ−Ｃｏ金属薄膜 ４ ・・・ 溶解槽 ５ ・・・ 溶剤 ６ ・・・ 支持具 ７ ・・・ 永久磁石 ８ ・・・ キャリア治具 ９ ・・・ 仕切り材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 雄司 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自動 車株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に可溶性薄膜パターンを形成する
第１工程と、 その上に磁性薄膜を形成する第２工程と、 その基板の該磁性薄膜が形成された面に可溶性薄膜パタ
ーンおよび磁性薄膜が基板から離脱する方向に磁力線を
作用させ、可溶性薄膜を溶解させる溶剤に前記基板を浸
して可溶性薄膜を溶解させることで可溶性薄膜上の磁性
薄膜を除去する第３工程とを含むことを特徴とする磁性
薄膜パターンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15782892A JPH065592A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 磁性薄膜パターンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15782892A JPH065592A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 磁性薄膜パターンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065592A true JPH065592A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15658213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15782892A Pending JPH065592A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 磁性薄膜パターンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065592A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6846750B1 (en) | 1999-06-29 | 2005-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High precision pattern forming method of manufacturing a semiconductor device |
-
1992
- 1992-06-17 JP JP15782892A patent/JPH065592A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6846750B1 (en) | 1999-06-29 | 2005-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High precision pattern forming method of manufacturing a semiconductor device |
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