JPH0653468A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH0653468A JPH0653468A JP4199877A JP19987792A JPH0653468A JP H0653468 A JPH0653468 A JP H0653468A JP 4199877 A JP4199877 A JP 4199877A JP 19987792 A JP19987792 A JP 19987792A JP H0653468 A JPH0653468 A JP H0653468A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light receiving
- image sensor
- slit
- photosensitive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 受光部以外の領域における受光感度を抑える
ことによって、副走査方向の解像力を改善したイメージ
センサを提供する。 【構成】 イメージセンサは、電気絶縁性基板３０の上
に、共通電極３１がスリット３７を残して全面に形成さ
れ、その上に感光層３２が形成され、さらにその上に透
明導電層３３と受光部４０以外の領域に形成される導電
層３４，３５とから成る個別電極３６が多数形成されて
いる。
ことによって、副走査方向の解像力を改善したイメージ
センサを提供する。 【構成】 イメージセンサは、電気絶縁性基板３０の上
に、共通電極３１がスリット３７を残して全面に形成さ
れ、その上に感光層３２が形成され、さらにその上に透
明導電層３３と受光部４０以外の領域に形成される導電
層３４，３５とから成る個別電極３６が多数形成されて
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ装置、複
写装置、カードリーダなどに好適に用いられ、原稿から
の反射光を受光して画像信号に変換するイメージセンサ
に関する。
写装置、カードリーダなどに好適に用いられ、原稿から
の反射光を受光して画像信号に変換するイメージセンサ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のイメージセンサの一例を
示すものであり、図６（ａ）は部分平面図であり、図６
（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。このイメ
ージセンサは、ガラスなどから成る電気絶縁性基板６０
の上に、ＣｒやＡｌなどから成る共通電極６１が全面に
形成され、その上に、アモルファスシリコンα−Ｓｉな
どから成る感光層６２が形成されており、さらにその上
に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などから成る透明導
電層６３と受光部７０以外の領域に形成されるＣｒなど
から成る導電層６４およびＡｌなどから成る導電層６５
とから成る個別電極６６が多数形成されている。
示すものであり、図６（ａ）は部分平面図であり、図６
（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。このイメ
ージセンサは、ガラスなどから成る電気絶縁性基板６０
の上に、ＣｒやＡｌなどから成る共通電極６１が全面に
形成され、その上に、アモルファスシリコンα−Ｓｉな
どから成る感光層６２が形成されており、さらにその上
に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などから成る透明導
電層６３と受光部７０以外の領域に形成されるＣｒなど
から成る導電層６４およびＡｌなどから成る導電層６５
とから成る個別電極６６が多数形成されている。
【０００３】その動作について説明すると、原稿から反
射された光が各受光部７０に入射すると、透明導電層６
３を通って感光層６２に到達して、受光量に応じて比抵
抗が低くなる。各個別電極６６には、負荷抵抗を介して
所定のバイアス電圧が印加されており、光が入射して比
抵抗が低下した感光層６２に電流が流れて、個別電極６
６の電位が低下する。こうして、各個別電極６６の電位
をバッファアンプでインピーダンス変換することによっ
て外部に画像信号として出力することが可能となる。
射された光が各受光部７０に入射すると、透明導電層６
３を通って感光層６２に到達して、受光量に応じて比抵
抗が低くなる。各個別電極６６には、負荷抵抗を介して
所定のバイアス電圧が印加されており、光が入射して比
抵抗が低下した感光層６２に電流が流れて、個別電極６
６の電位が低下する。こうして、各個別電極６６の電位
をバッファアンプでインピーダンス変換することによっ
て外部に画像信号として出力することが可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
イメージセンサでは、受光部７０以外の領域に光が入射
した場合、その光は個別電極６６を構成する導電層６
４，６５によって遮られるが、個別電極６６の間に存在
する感光層が光を検出してしまうため、受光部７０が並
ぶ方向に沿って形成される走査線以外の画像情報も重畳
して、走査線に対して直交する副走査方向の解像力やＭ
ＴＦ（Modulation Transfer Funtion）が劣化するとい
う課題がある。
イメージセンサでは、受光部７０以外の領域に光が入射
した場合、その光は個別電極６６を構成する導電層６
４，６５によって遮られるが、個別電極６６の間に存在
する感光層が光を検出してしまうため、受光部７０が並
ぶ方向に沿って形成される走査線以外の画像情報も重畳
して、走査線に対して直交する副走査方向の解像力やＭ
ＴＦ（Modulation Transfer Funtion）が劣化するとい
う課題がある。
【０００５】詳説すると、原稿からの反射光がレンズア
レイなどの結像光学系によって受光部に結像される場
合、図６（ａ）に示すように、結像光学系の光軸付近に
相当する領域Ｒに強く光が照射され、光軸から外れるに
つれて受光量が少なくなり、隣接する隣接Ｑ，Ｓには、
弱い光が照射され、領域Ｐにも光が照射される。したが
って、原稿を一画素毎にステップ搬送しながら走査線毎
に読取る場合、走査線上の画像信号に走査線以外の画像
信号が重畳してしまうと、副走査方向の分解能が劣化す
ることになる。
レイなどの結像光学系によって受光部に結像される場
合、図６（ａ）に示すように、結像光学系の光軸付近に
相当する領域Ｒに強く光が照射され、光軸から外れるに
つれて受光量が少なくなり、隣接する隣接Ｑ，Ｓには、
弱い光が照射され、領域Ｐにも光が照射される。したが
って、原稿を一画素毎にステップ搬送しながら走査線毎
に読取る場合、走査線上の画像信号に走査線以外の画像
信号が重畳してしまうと、副走査方向の分解能が劣化す
ることになる。
【０００６】本発明の目的は、前述した課題を解決する
ため、受光部以外の領域における受光感度を抑えること
によって、副走査線方向の解像力を改善したイメージセ
ンサを提供することである。
ため、受光部以外の領域における受光感度を抑えること
によって、副走査線方向の解像力を改善したイメージセ
ンサを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、電気絶縁性基
板の上に、共通電極と感光層が順次形成され、かつ該感
光層の上に、受光部が透明導電層から成る多数の個別電
極が形成されたイメージセンサであって、前記受光部以
外の領域において、前記共通電極にスリットが形成さ
れ、または前記感光層に入射する光を遮る遮光層が形成
されていることを特徴とするイメージセンサである。
板の上に、共通電極と感光層が順次形成され、かつ該感
光層の上に、受光部が透明導電層から成る多数の個別電
極が形成されたイメージセンサであって、前記受光部以
外の領域において、前記共通電極にスリットが形成さ
れ、または前記感光層に入射する光を遮る遮光層が形成
されていることを特徴とするイメージセンサである。
【０００８】
【作用】本発明に従えば、受光部以外の領域において、
共通電極にスリットが形成されることによって、受光部
以外の感光層に光が入射しても、その部分の比抵抗の変
化を検出するための電極が個別電極だけとなるため、画
像信号として検出されなくなる。また、受光部以外の領
域において、感光層に入射する光を遮る遮光層が形成さ
れていることによって、上述と同様に、画像信号として
検出されなくなる。
共通電極にスリットが形成されることによって、受光部
以外の感光層に光が入射しても、その部分の比抵抗の変
化を検出するための電極が個別電極だけとなるため、画
像信号として検出されなくなる。また、受光部以外の領
域において、感光層に入射する光を遮る遮光層が形成さ
れていることによって、上述と同様に、画像信号として
検出されなくなる。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明に係るイメージセンサが用い
られる読取装置を示す断面図である。読取装置は、原稿
２０を載置するガラス板などの透光板７と、透光板７を
介して原稿２０の走査線４に沿って光を照射する発光ダ
イオードアレイなどの光源６と、原稿２０からの反射光
を透光板を介して結像するためのロッドレンズアレイや
単レンズアレイなどのレンズアレイ８と、レンズアレイ
８によって結像された原稿像を受光するためのイメージ
センサ９と、イメージセンサ９の制御や信号処理などを
行う回路基板１０と、これらを保持する筐体１１および
底板１２などから構成され、原稿２０はプラテン１３の
ＣＣＷ方向の回転によって透光板７に押圧されながら副
走査方向に搬送される。
られる読取装置を示す断面図である。読取装置は、原稿
２０を載置するガラス板などの透光板７と、透光板７を
介して原稿２０の走査線４に沿って光を照射する発光ダ
イオードアレイなどの光源６と、原稿２０からの反射光
を透光板を介して結像するためのロッドレンズアレイや
単レンズアレイなどのレンズアレイ８と、レンズアレイ
８によって結像された原稿像を受光するためのイメージ
センサ９と、イメージセンサ９の制御や信号処理などを
行う回路基板１０と、これらを保持する筐体１１および
底板１２などから構成され、原稿２０はプラテン１３の
ＣＣＷ方向の回転によって透光板７に押圧されながら副
走査方向に搬送される。
【００１０】図２は、本発明の一実施例であるイメージ
センサを示すものであり、図２（ａ）は部分平面図であ
り、図２（ｂ）はＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
当該イメージセンサは、ガラスなどから成る電気絶縁性
基板３０の上に、ＣｒやＡｌなどから成る共通電極３１
がスリット３７を残して全面に形成され、その上にアモ
ルファスシリコンα−Ｓｉなどから成る感光層３２が形
成されており、さらにその上にインジウム酸化物（ＩＴ
Ｏ）などから成る透明電極３３と受光部４０以外の領域
に形成されるＣｒなどから成る導電層３４およびＡｌな
どから成る導電層３５とから成る個別電極３６が多数形
成されている。
センサを示すものであり、図２（ａ）は部分平面図であ
り、図２（ｂ）はＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
当該イメージセンサは、ガラスなどから成る電気絶縁性
基板３０の上に、ＣｒやＡｌなどから成る共通電極３１
がスリット３７を残して全面に形成され、その上にアモ
ルファスシリコンα−Ｓｉなどから成る感光層３２が形
成されており、さらにその上にインジウム酸化物（ＩＴ
Ｏ）などから成る透明電極３３と受光部４０以外の領域
に形成されるＣｒなどから成る導電層３４およびＡｌな
どから成る導電層３５とから成る個別電極３６が多数形
成されている。
【００１１】その動作は、従来と同様に、原稿２０から
反射された光が各受光部４０に入射すると、透明導電層
３３を通って感光層３２に到達して、受光量に応じて比
抵抗が低くなる。各個別電極３６には、負荷抵抗を介し
て所定のバイアス電圧が印加されており、光が入射して
比抵抗が低下した感光層３２に電流が流れ、個別電極３
６の電位が低下する。こうして、各個別電極３６の電位
をバッファアンプでインピーダンス変換することによっ
て外部に画像信号として出力することが可能となる。な
お、受光部４０以外の領域において、個別電極３６と共
通電極３１との間は電荷を充電するためのコンデンサが
形成されている。
反射された光が各受光部４０に入射すると、透明導電層
３３を通って感光層３２に到達して、受光量に応じて比
抵抗が低くなる。各個別電極３６には、負荷抵抗を介し
て所定のバイアス電圧が印加されており、光が入射して
比抵抗が低下した感光層３２に電流が流れ、個別電極３
６の電位が低下する。こうして、各個別電極３６の電位
をバッファアンプでインピーダンス変換することによっ
て外部に画像信号として出力することが可能となる。な
お、受光部４０以外の領域において、個別電極３６と共
通電極３１との間は電荷を充電するためのコンデンサが
形成されている。
【００１２】一方、スリット３７の領域に位置する感光
層３２に光が入射して、その部分の比抵抗が低下した場
合、比抵抗の変化を検出する電極が個別電極３６だけで
あるため、光照射による電流が流れず、結果として、ス
リット３７の領域では受光感度が著しく小さくなってい
る。そのため、原稿の走査線上の画像が結像される受光
部付近の光が効率よく画像信号に変換されるとともに、
走査線以外の画像は画像信号に重畳されなくなって、副
走査方向の解像力およびＭＴＦが向上することになる。
層３２に光が入射して、その部分の比抵抗が低下した場
合、比抵抗の変化を検出する電極が個別電極３６だけで
あるため、光照射による電流が流れず、結果として、ス
リット３７の領域では受光感度が著しく小さくなってい
る。そのため、原稿の走査線上の画像が結像される受光
部付近の光が効率よく画像信号に変換されるとともに、
走査線以外の画像は画像信号に重畳されなくなって、副
走査方向の解像力およびＭＴＦが向上することになる。
【００１３】なお、受光部４０および個別電極３６の数
が多い場合は、所定のブロック毎に区分して、１ブロッ
ク内の個別電極３６をシフトレジスタおよびアナログス
イッチなどから成るマルチプレクサを用いて、時分割駆
動することが好ましい。
が多い場合は、所定のブロック毎に区分して、１ブロッ
ク内の個別電極３６をシフトレジスタおよびアナログス
イッチなどから成るマルチプレクサを用いて、時分割駆
動することが好ましい。
【００１４】図３は、本発明の他の実施例であるイメー
ジセンサを示すものであり、図３（ａ）はその部分平面
図であり、図３（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿った部分断面図で
ある。本実施例におけるイメージセンサの構成は、図２
に示したものと同様であるが、共通電極３１にスリット
３７が形成されてない点と、図２のスリット３７の領域
の表面において、遮光テープなどから成る遮光層３８が
形成されている点が相違する。
ジセンサを示すものであり、図３（ａ）はその部分平面
図であり、図３（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿った部分断面図で
ある。本実施例におけるイメージセンサの構成は、図２
に示したものと同様であるが、共通電極３１にスリット
３７が形成されてない点と、図２のスリット３７の領域
の表面において、遮光テープなどから成る遮光層３８が
形成されている点が相違する。
【００１５】その動作も、図２のものと同様であるが、
受光部以外の領域に光が入射しても、遮光層３８の存在
によってその領域の感光層３２まで光が到達しなくな
る。したがって、その部分の受光感度が著しく小さくな
っており、走査線以外の画像は画像信号に重畳されなく
なって、副走査方向の解像力およびＭＴＦが向上するこ
とになる。
受光部以外の領域に光が入射しても、遮光層３８の存在
によってその領域の感光層３２まで光が到達しなくな
る。したがって、その部分の受光感度が著しく小さくな
っており、走査線以外の画像は画像信号に重畳されなく
なって、副走査方向の解像力およびＭＴＦが向上するこ
とになる。
【００１６】図４は、本発明および従来のイメージセン
サのＭＴＦ特性を実測した結果を示すものである。図４
（ａ）に示すように、測定条件（１）は、受光部４０の
両側に斜線で示すスリット３７または遮光層３８を設け
た場合、測定条件（２）は受光部４０の個別電極３６の
反対側にスリット３７または遮光層３８を設けた場合、
測定条件（３）は図６に示す従来のものである場合をそ
れぞれ示している。図４（ｂ）は全面白地の原稿を読取
ったときの画像信号を示すグラフであり、図４（ｃ）は
４ＬＰ（ラインペア）／ｍｍの解像度チャートを読取っ
たときの画像信号を示すグラフである。
サのＭＴＦ特性を実測した結果を示すものである。図４
（ａ）に示すように、測定条件（１）は、受光部４０の
両側に斜線で示すスリット３７または遮光層３８を設け
た場合、測定条件（２）は受光部４０の個別電極３６の
反対側にスリット３７または遮光層３８を設けた場合、
測定条件（３）は図６に示す従来のものである場合をそ
れぞれ示している。図４（ｂ）は全面白地の原稿を読取
ったときの画像信号を示すグラフであり、図４（ｃ）は
４ＬＰ（ラインペア）／ｍｍの解像度チャートを読取っ
たときの画像信号を示すグラフである。
【００１７】これらの結果から測定条件（３）から測定
条件（１）に移るにつれて、画像信号の直流成分のレベ
ルが低下する傾向となるが、解像力は次第に向上する傾
向にある。得られた画像信号に基づいて、４ＬＰ／ｍｍ
でのＭＴＦを算出したところ、図６に示す従来のもので
は、副走査ＭＴＦが１８．６％、主走査ＭＴＦが４１．
１％という数値を得たのに対して、図２に示す本発明の
ものでは副走査ＭＴＦが２２．７％、主走査ＭＴＦが４
７．８％という数値を得た。なお、ＭＴＦの定義は、４
ＬＰ／ｍｍの黒白原稿を読込み、図５のグラフに示すよ
うな画像信号が得られた場合に、ＭＴＦ（％）＝Ｘ／Ｖ
×１００という計算式を適用した。
条件（１）に移るにつれて、画像信号の直流成分のレベ
ルが低下する傾向となるが、解像力は次第に向上する傾
向にある。得られた画像信号に基づいて、４ＬＰ／ｍｍ
でのＭＴＦを算出したところ、図６に示す従来のもので
は、副走査ＭＴＦが１８．６％、主走査ＭＴＦが４１．
１％という数値を得たのに対して、図２に示す本発明の
ものでは副走査ＭＴＦが２２．７％、主走査ＭＴＦが４
７．８％という数値を得た。なお、ＭＴＦの定義は、４
ＬＰ／ｍｍの黒白原稿を読込み、図５のグラフに示すよ
うな画像信号が得られた場合に、ＭＴＦ（％）＝Ｘ／Ｖ
×１００という計算式を適用した。
【００１８】
【発明の効果】以上詳説したように、本発明によれば、
受光部以外の領域において、共通電極にスリットが形成
され、または感光層に入射する光を遮る遮光層が形成さ
れていることによって、副走査方向のＭＴＦが向上して
分解能が向上するとともに、各画素間のリーク電流が低
減することによって、主走査方向のＭＴＦも向上する。
受光部以外の領域において、共通電極にスリットが形成
され、または感光層に入射する光を遮る遮光層が形成さ
れていることによって、副走査方向のＭＴＦが向上して
分解能が向上するとともに、各画素間のリーク電流が低
減することによって、主走査方向のＭＴＦも向上する。
【図１】本発明に係るイメージセンサが用いられる読取
装置を示す断面図である。
装置を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）は本発明の一実施例であるイメージ
センサを示す部分平面図であり、図２（ｂ）はＢ−Ｂ線
に沿った部分断面図である。
センサを示す部分平面図であり、図２（ｂ）はＢ−Ｂ線
に沿った部分断面図である。
【図３】図３（ａ）は本発明の他の実施例であるイメー
ジセンサを示す部分平面図であり、図３（ｂ）はＣ−Ｃ
線に沿った部分断面図である。
ジセンサを示す部分平面図であり、図３（ｂ）はＣ−Ｃ
線に沿った部分断面図である。
【図４】本発明および従来のイメージセンサのＭＴＦ特
性を示すものであり、図４（ａ）は各測定条件、図４
（ｂ）は全面白地の原稿を読取ったときの画像信号を示
すグラフ、図４（ｃ）は４ＬＰ／ｍｍの解像度チャート
を読取ったときの画像信号を示すグラフである。
性を示すものであり、図４（ａ）は各測定条件、図４
（ｂ）は全面白地の原稿を読取ったときの画像信号を示
すグラフ、図４（ｃ）は４ＬＰ／ｍｍの解像度チャート
を読取ったときの画像信号を示すグラフである。
【図５】ＭＴＦの定義を示すグラフてある。
【図６】図６（ａ）は従来のイメージセンサの一例を示
す部分平面図であり、図６（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った部
分断面図である。
す部分平面図であり、図６（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った部
分断面図である。
４ 走査線 ６ 光源 ７ 透光板 ８ レンズアレイ ９ イメージセンサ １０ 回路基板 １１ 筐体 １２ 底板 １３ プラテン ２０ 原稿 ３０ 電気絶縁性基板 ３１ 共通電極 ３２ 感光層 ３３ 透明導電層 ３４，３５ 導電層 ３６ 個別電極 ３７ スリット ３８ 遮光層 ４０ 受光部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塚田 稔 鹿児島県姶良郡隼人町内999番地３ 京セ ラ株式会社鹿児島隼人工場内 (72)発明者 日高 良一 鹿児島県姶良郡隼人町内999番地３ 京セ ラ株式会社鹿児島隼人工場内
Claims (1)
- 【請求項１】 電気絶縁性基板の上に、共通電極と感光
層が順次形成され、かつ該感光層の上に、受光部が透明
導電層から成る多数の個別電極が形成されたイメージセ
ンサであって、 前記受光部以外の領域において、前記共通電極にスリッ
トが形成され、または前記感光層に入射する光を遮る遮
光層が形成されていることを特徴とするイメージセン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4199877A JPH0653468A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4199877A JPH0653468A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653468A true JPH0653468A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16415107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4199877A Pending JPH0653468A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653468A (ja) |
-
1992
- 1992-07-27 JP JP4199877A patent/JPH0653468A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4644406A (en) | Large scale contact type image reading unit using two-dimensional sensor array | |
| US5162644A (en) | Contact type image sensor having photoelectric conversion elements to reduce signal variation caused by luminous intensity variation of light source | |
| US4939592A (en) | Contact photoelectric conversion device | |
| JPH065833A (ja) | イメージセンサー | |
| US4541015A (en) | Two-dimensional image readout device | |
| JPH0379910B2 (ja) | ||
| JPH0653468A (ja) | イメージセンサ | |
| US4700233A (en) | Image sensors having alternating arrays of high and low sensitivity picture elements | |
| JPH05304579A (ja) | 密着形イメージセンサ | |
| JPH0380385B2 (ja) | ||
| JPH04206773A (ja) | 完全密着型イメージセンサ | |
| JPH03295354A (ja) | 画像読取装置 | |
| KR930006828B1 (ko) | 콘택트타입 이미지센서 및 이를 이용한 팩시밀리장치 | |
| JP2503242B2 (ja) | 密着型イメ―ジセンサ素子 | |
| JPH0521774A (ja) | 受光素子 | |
| JPH0747874Y2 (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| KR0176749B1 (ko) | 2차원 화상 감지회로 | |
| JPH0617323Y2 (ja) | 完全密着型イメ−ジセンサ | |
| JPH01184951A (ja) | イメージスキャナ | |
| JPH06303394A (ja) | 画像読取装置 | |
| JP2002314060A (ja) | イメージセンサおよびその製造方法 | |
| JPH01274561A (ja) | 画像入力装置 | |
| JPH0662175A (ja) | 密着型２次元イメージセンサ | |
| JPH05122456A (ja) | 画像読取装置 | |
| JPH0828790B2 (ja) | 読取り装置 |