JPH0651146A - ポリイミドの屈折率変化方法 - Google Patents
ポリイミドの屈折率変化方法Info
- Publication number
- JPH0651146A JPH0651146A JP22654992A JP22654992A JPH0651146A JP H0651146 A JPH0651146 A JP H0651146A JP 22654992 A JP22654992 A JP 22654992A JP 22654992 A JP22654992 A JP 22654992A JP H0651146 A JPH0651146 A JP H0651146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bis
- polyimide
- refractive index
- trifluoromethyl
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリイミドの屈折率を変化させる方法を提供
する。 【構成】 ポリイミドに電子線を照射するポリイミドの
屈折率変化方法。ポリイミドとしてはフッ素化ポリイミ
ドが好適である。厚さ１０μｍのポリイミドの屈折率値
を上げることができた。 【効果】 マスクや描画装置を用いて自由に光導波路が
形成できる。また電子線のエネルギーを選択することに
より屈折率分布も持たせることが可能であり、グレーデ
ッドインデックス型の光導波路や平面レンズの形成も可
能である。
する。 【構成】 ポリイミドに電子線を照射するポリイミドの
屈折率変化方法。ポリイミドとしてはフッ素化ポリイミ
ドが好適である。厚さ１０μｍのポリイミドの屈折率値
を上げることができた。 【効果】 マスクや描画装置を用いて自由に光導波路が
形成できる。また電子線のエネルギーを選択することに
より屈折率分布も持たせることが可能であり、グレーデ
ッドインデックス型の光導波路や平面レンズの形成も可
能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリイミドの屈折率を
簡便に変化させる方法に関する。
簡便に変化させる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミドは耐熱性、電気的性質、機械
的性質に優れているため電子部品の絶縁膜、フレキシブ
ルプリント配線板などの電子材料として多く用いられて
いる。一方光通信システムの進展に伴い、高性能、高機
能な種々の光部品の開発が期待される中で各々の光学部
品に適合した性能を有する光学材料が必要になってい
る。これまで光通信用の光学材料としては光ファイバの
材料でもある石英が主に検討され、種々の光学部品が開
発されている。しかし石英系光学材料を用いた光部品の
作製には１０００℃以上の高温が必要であることから作
製できる基板が限定され、またフレキシブル性に欠ける
などの欠点もあり、万能な光学材料ではない。石英に代
表される無機光学材料に対してフレキシブル性、製造性
に優れたプラスチック光学材料、特に信頼性、プロセス
適合性の観点から耐熱性に優れたプラスチック光学材料
が期待される。
的性質に優れているため電子部品の絶縁膜、フレキシブ
ルプリント配線板などの電子材料として多く用いられて
いる。一方光通信システムの進展に伴い、高性能、高機
能な種々の光部品の開発が期待される中で各々の光学部
品に適合した性能を有する光学材料が必要になってい
る。これまで光通信用の光学材料としては光ファイバの
材料でもある石英が主に検討され、種々の光学部品が開
発されている。しかし石英系光学材料を用いた光部品の
作製には１０００℃以上の高温が必要であることから作
製できる基板が限定され、またフレキシブル性に欠ける
などの欠点もあり、万能な光学材料ではない。石英に代
表される無機光学材料に対してフレキシブル性、製造性
に優れたプラスチック光学材料、特に信頼性、プロセス
適合性の観点から耐熱性に優れたプラスチック光学材料
が期待される。
【０００３】このような観点に立ち、本発明者らはポリ
イミド光学材料について研究開発を進めている。ポリイ
ミドを光学材料として適用していく上で光の透過性に優
れていること、屈折率を自由に制御できることの二点が
特に重要である。本発明者らは特願平１−２０１１７０
号明細書で透明なフッ素化ポリイミドを明らかにしてい
る。更に特願平２−１１０４９８号明細書ではこのフッ
素化ポリイミドを共重合することにより例えば光導波路
の形成に必要な屈折率制御が可能であることを明らかに
している。またこのフッ素化ポリイミドを用いた光導波
路については特願平２−１１０５００号、同３−１２５
７１号、同３−１２５７２号各明細書で明らかにしてい
る。
イミド光学材料について研究開発を進めている。ポリイ
ミドを光学材料として適用していく上で光の透過性に優
れていること、屈折率を自由に制御できることの二点が
特に重要である。本発明者らは特願平１−２０１１７０
号明細書で透明なフッ素化ポリイミドを明らかにしてい
る。更に特願平２−１１０４９８号明細書ではこのフッ
素化ポリイミドを共重合することにより例えば光導波路
の形成に必要な屈折率制御が可能であることを明らかに
している。またこのフッ素化ポリイミドを用いた光導波
路については特願平２−１１０５００号、同３−１２５
７１号、同３−１２５７２号各明細書で明らかにしてい
る。
【０００４】これらの光導波路において光を通す役割を
持つコア層と光を閉じ込める役割を持つクラッド層の間
の屈折率差の制御は、ポリイミドに含有するフッ素の含
量を調節して行っている。すなわちコア層用とクラッド
層用の屈折率の異なる２種類のフッ素化ポリイミドを使
用している。そのためコア層とクラッド層の間の熱的な
特性が異なる、複屈折が異なるなどある種の光導波路に
おいては問題となることもある。同じポリイミドを用い
て屈折率を自由に制御できれば、これまでにないポリイ
ミド光導波路の形成が可能となる。
持つコア層と光を閉じ込める役割を持つクラッド層の間
の屈折率差の制御は、ポリイミドに含有するフッ素の含
量を調節して行っている。すなわちコア層用とクラッド
層用の屈折率の異なる２種類のフッ素化ポリイミドを使
用している。そのためコア層とクラッド層の間の熱的な
特性が異なる、複屈折が異なるなどある種の光導波路に
おいては問題となることもある。同じポリイミドを用い
て屈折率を自由に制御できれば、これまでにないポリイ
ミド光導波路の形成が可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はポリイ
ミドの屈折率を変化させる方法を提供することにある。
ミドの屈折率を変化させる方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明はポリイミドの屈折率変化方法に関する発明であっ
て、ポリイミドに電子線を照射することを特徴とする。
発明はポリイミドの屈折率変化方法に関する発明であっ
て、ポリイミドに電子線を照射することを特徴とする。
【０００７】前記のような状況にかんがみ本発明者らは
鋭意検討を行った結果ポリイミドに電子線を照射させる
ことによりポリイミドの屈折率を変化させることを見出
し本発明を完成するに至った。
鋭意検討を行った結果ポリイミドに電子線を照射させる
ことによりポリイミドの屈折率を変化させることを見出
し本発明を完成するに至った。
【０００８】本発明に用いる通常のポリイミドは、例え
ば以下に示すテトラカルボン酸又はその誘導体とジアミ
ンから製造されるポリアミド酸、ポリアミド酸共重合
体、ポリアミド酸混合物、ポリイミド、ポリイミド共重
合体、ポリイミド混合物から製造することができる。
ば以下に示すテトラカルボン酸又はその誘導体とジアミ
ンから製造されるポリアミド酸、ポリアミド酸共重合
体、ポリアミド酸混合物、ポリイミド、ポリイミド共重
合体、ポリイミド混合物から製造することができる。
【０００９】テトラカルボン酸並びにその誘導体として
の酸無水物、酸塩化物、エステル化物等としては次のよ
うなものが挙げられる。ここではテトラカルボン酸とし
ての例を挙げる。（トリフルオロメチル）ピロメリット
酸、ジ（トリフルオロメチル）ピロメリット酸、ジ（ヘ
プタフルオロプロピル）ピロメリット酸、ペンタフルオ
ロエチルピロメリット酸、ビス｛３，５−ジ（トリフル
オロメチル）フェノキシ｝ピロメリット酸、２，３，
３' ，４' −ビフェニルテトラカルボン酸、３，３' ，
４，４' −テトラカルボキシジフェニルエーテル、２，
３，３' ，４' −テトラカルボキシジフェニルエーテ
ル、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸、２，３，６，７−テトラカルボキシナフタレン、
１，４，５，７−テトラカルボキシナフタレン、１，
４，５，６−テトラカルボキシナフタレン、３，３′，
４，４′−テトラカルボキシジフェニルメタン、３，
３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニルスルホ
ン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、５，５′−ビス（トリフ
ルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキ
シビフェニル、２，２′，５，５′−テトラキス（トリ
フルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボ
キシビフェニル、５，５′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニ
ルエーテル、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）−
３，３′，４，４′−テトラカルボキシベンゾフェノ
ン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノ
キシ｝ベンゼン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカル
ボキシフェノキシ｝（トリフルオロメチル）ベンゼン、
ビス（ジカルボキシフェノキシ）（トリフルオロメチ
ル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ビス
（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシ
フェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベンゼ
ン、３，４，９，１０−テトラカルボキシペリレン、
２，２−ビス｛４−（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）フェニル｝プロパン、ブタンテトラカルボン酸、シ
クロペンタンテトラカルボン酸、２，２−ビス｛４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝ヘキサ
フルオロプロパン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカ
ルボキシフェノキシ｝ビフェニル、ビス｛（トリフルオ
ロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビス（トリフルオ
ロメチル）ビフェニル、ビス｛（トリフルオロメチル）
ジカルボキシフェノキシ｝ジフェニルエーテル、ビス
（ジカルボキシフェノキシ）ビス（トリフルオロメチ
ル）ビフェニル、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ジメチルシラン、１，３−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）テトラメチルジシロキサン、ジフルオロ
ピロメリット酸、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシ
トリフルオロフェノキシ）テトラフルオロベンゼン、
１，４−ビス（３，４−ジカルボキシトリフルオロフェ
ノキシ）オクタフルオロビフェニルなどである。
の酸無水物、酸塩化物、エステル化物等としては次のよ
うなものが挙げられる。ここではテトラカルボン酸とし
ての例を挙げる。（トリフルオロメチル）ピロメリット
酸、ジ（トリフルオロメチル）ピロメリット酸、ジ（ヘ
プタフルオロプロピル）ピロメリット酸、ペンタフルオ
ロエチルピロメリット酸、ビス｛３，５−ジ（トリフル
オロメチル）フェノキシ｝ピロメリット酸、２，３，
３' ，４' −ビフェニルテトラカルボン酸、３，３' ，
４，４' −テトラカルボキシジフェニルエーテル、２，
３，３' ，４' −テトラカルボキシジフェニルエーテ
ル、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸、２，３，６，７−テトラカルボキシナフタレン、
１，４，５，７−テトラカルボキシナフタレン、１，
４，５，６−テトラカルボキシナフタレン、３，３′，
４，４′−テトラカルボキシジフェニルメタン、３，
３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニルスルホ
ン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、５，５′−ビス（トリフ
ルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキ
シビフェニル、２，２′，５，５′−テトラキス（トリ
フルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボ
キシビフェニル、５，５′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニ
ルエーテル、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）−
３，３′，４，４′−テトラカルボキシベンゾフェノ
ン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノ
キシ｝ベンゼン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカル
ボキシフェノキシ｝（トリフルオロメチル）ベンゼン、
ビス（ジカルボキシフェノキシ）（トリフルオロメチ
ル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ビス
（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシ
フェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベンゼ
ン、３，４，９，１０−テトラカルボキシペリレン、
２，２−ビス｛４−（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）フェニル｝プロパン、ブタンテトラカルボン酸、シ
クロペンタンテトラカルボン酸、２，２−ビス｛４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝ヘキサ
フルオロプロパン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカ
ルボキシフェノキシ｝ビフェニル、ビス｛（トリフルオ
ロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビス（トリフルオ
ロメチル）ビフェニル、ビス｛（トリフルオロメチル）
ジカルボキシフェノキシ｝ジフェニルエーテル、ビス
（ジカルボキシフェノキシ）ビス（トリフルオロメチ
ル）ビフェニル、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ジメチルシラン、１，３−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）テトラメチルジシロキサン、ジフルオロ
ピロメリット酸、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシ
トリフルオロフェノキシ）テトラフルオロベンゼン、
１，４−ビス（３，４−ジカルボキシトリフルオロフェ
ノキシ）オクタフルオロビフェニルなどである。
【００１０】ジアミンとしては、例えば次のものが挙げ
られる。ｍ−フェニレンジアミン、２，４−ジアミノト
ルエン、２，４−ジアミノキシレン、２，４−ジアミノ
デュレン、４−（１Ｈ，１Ｈ，１１Ｈ−エイコサフルオ
ロウンデカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−
（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ブタノキシ）−１，
３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオ
ロ−１−ヘプタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、
４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−オクタノキシ）
−１，３−ジアミノベンゼン、４−ペンタフルオロフェ
ノキシ−１，３−ジアミノベンゼン、４−（２，３，
５，６−テトラフルオロフェノキシ）−１，３−ジアミ
ノベンゼン、４−（４−フルオロフェノキシ）−１，３
−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−
パーフルオロ−１−ヘキサノキシ）−１，３−ジアミノ
ベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオ
ロ−１−ドデカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、
ｐ−フェニレンジアミン、２，５−ジアミノトルエン、
２，３，５，６−テトラメチル−ｐ−フェニレンジアミ
ン、２，５−ジアミノベンゾトリフルオライド、ビス
（トリフルオロメチル）フェニレンジアミン、ジアミノ
テトラ（トリフルオロメチル）ベンゼン、ジアミノ（ペ
ンタフルオロエチル）ベンゼン、２，５−ジアミノ（パ
ーフルオロヘキシル）ベンゼン、２，５−ジアミノ（パ
ーフルオロブチル）ベンゼン、ベンジジン、２，２′−
ジメチルベンジジン、３，３′−ジメチルベンジジン、
３，３′−ジメトキシベンジジン、２，２′−ジメトキ
シベンジジン、３，３′，５，５′−テトラメチルベン
ジジン、３，３′−ジアセチルベンジジン、２，２′−
ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノビフ
ェニル、オクタフルオロベンジジン、３，３′−ビス
（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニ
ル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′
−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフ
ェニルスルホン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）
プロパン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノジ
フェニルエーテル、３，３′−ジメチル−４，４′−ジ
アミノジフェニルメタン、１，２−ビス（アニリノ）エ
タン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）ヘキサフル
オロプロパン、１，３−ビス（アニリノ）ヘキサフルオ
ロプロパン、１，４−ビス（アニリノ）オクタフルオロ
ブタン、１，５−ビス（アニリノ）デカフルオロペンタ
ン、１，７−ビス（アニリノ）テトラデカフルオロヘプ
タン、２，２′−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ビス
（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニ
ルエーテル、３，３′，５，５′−テトラキス（トリフ
ルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′
−ジアミノベンゾフェノン、４，４′′−ジアミノ−ｐ
−テルフェニル、１，４−ビス（ｐ−アミノフェニル）
ベンゼン、ｐ−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）ベンゼン、ビス（アミノフェノキシ）
ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（アミノフ
ェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベンゼ
ン、４，４′′′−ジアミノ−ｐ−クオーターフェニ
ル、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニ
ル、２，２−ビス｛４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェ
ニル｝プロパン、４，４′−ビス（３−アミノフェノキ
シフェニル）ジフェニルスルホン、２，２−ビス｛４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４
−（２−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロ
プロパン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキ
シ）−３，５−ジメチルフェニル｝ヘキサフルオロプロ
パン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）−
３，５−ジトリフルオロメチルフェニル｝ヘキサフルオ
ロプロパン、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフ
ルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス
（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）ビ
フェニル、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフル
オロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′
−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキ
シ）ジフェニルスルホン、２，２−ビス｛４−（４−ア
ミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル｝
ヘキサフルオロプロパン、ビス｛（トリフルオロメチ
ル）アミノフェノキシ｝ビフェニル、ビス〔｛（トリフ
ルオロメチル）アミノフェノキシ｝フェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、ジアミノアントラキノン、１，５−ジ
アミノナフタレン、２，６−ジアミノナフタレン、ビス
｛２−〔（アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオ
ロイソプロピル｝ベンゼン、ビス（２，３，５，６−テ
トラフルオロ−４−アミノフェニル）エーテル、ビス
（２，３，５，６−テトラフルオロ−４−アミノフェニ
ル）スルフィド、１，３−ビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサン、１，４−ビス（３−アミノ
プロピルジメチルシリル）ベンゼン、ビス（４−アミノ
フェニル）ジエチルシラン、１，３−ジアミノテトラフ
ルオロベンゼン、１，４−ジアミノテトラフルオロベン
ゼン、４，４′−ビス（テトラフルオロアミノフェノキ
シ）オクタフルオロビフェニル等がある。
られる。ｍ−フェニレンジアミン、２，４−ジアミノト
ルエン、２，４−ジアミノキシレン、２，４−ジアミノ
デュレン、４−（１Ｈ，１Ｈ，１１Ｈ−エイコサフルオ
ロウンデカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−
（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ブタノキシ）−１，
３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオ
ロ−１−ヘプタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、
４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−オクタノキシ）
−１，３−ジアミノベンゼン、４−ペンタフルオロフェ
ノキシ−１，３−ジアミノベンゼン、４−（２，３，
５，６−テトラフルオロフェノキシ）−１，３−ジアミ
ノベンゼン、４−（４−フルオロフェノキシ）−１，３
−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−
パーフルオロ−１−ヘキサノキシ）−１，３−ジアミノ
ベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオ
ロ−１−ドデカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、
ｐ−フェニレンジアミン、２，５−ジアミノトルエン、
２，３，５，６−テトラメチル−ｐ−フェニレンジアミ
ン、２，５−ジアミノベンゾトリフルオライド、ビス
（トリフルオロメチル）フェニレンジアミン、ジアミノ
テトラ（トリフルオロメチル）ベンゼン、ジアミノ（ペ
ンタフルオロエチル）ベンゼン、２，５−ジアミノ（パ
ーフルオロヘキシル）ベンゼン、２，５−ジアミノ（パ
ーフルオロブチル）ベンゼン、ベンジジン、２，２′−
ジメチルベンジジン、３，３′−ジメチルベンジジン、
３，３′−ジメトキシベンジジン、２，２′−ジメトキ
シベンジジン、３，３′，５，５′−テトラメチルベン
ジジン、３，３′−ジアセチルベンジジン、２，２′−
ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノビフ
ェニル、オクタフルオロベンジジン、３，３′−ビス
（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニ
ル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′
−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフ
ェニルスルホン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）
プロパン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノジ
フェニルエーテル、３，３′−ジメチル−４，４′−ジ
アミノジフェニルメタン、１，２−ビス（アニリノ）エ
タン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）ヘキサフル
オロプロパン、１，３−ビス（アニリノ）ヘキサフルオ
ロプロパン、１，４−ビス（アニリノ）オクタフルオロ
ブタン、１，５−ビス（アニリノ）デカフルオロペンタ
ン、１，７−ビス（アニリノ）テトラデカフルオロヘプ
タン、２，２′−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ビス
（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニ
ルエーテル、３，３′，５，５′−テトラキス（トリフ
ルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′
−ジアミノベンゾフェノン、４，４′′−ジアミノ−ｐ
−テルフェニル、１，４−ビス（ｐ−アミノフェニル）
ベンゼン、ｐ−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）ベンゼン、ビス（アミノフェノキシ）
ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（アミノフ
ェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベンゼ
ン、４，４′′′−ジアミノ−ｐ−クオーターフェニ
ル、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニ
ル、２，２−ビス｛４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェ
ニル｝プロパン、４，４′−ビス（３−アミノフェノキ
シフェニル）ジフェニルスルホン、２，２−ビス｛４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４
−（２−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロ
プロパン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキ
シ）−３，５−ジメチルフェニル｝ヘキサフルオロプロ
パン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）−
３，５−ジトリフルオロメチルフェニル｝ヘキサフルオ
ロプロパン、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフ
ルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス
（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）ビ
フェニル、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフル
オロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′
−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキ
シ）ジフェニルスルホン、２，２−ビス｛４−（４−ア
ミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル｝
ヘキサフルオロプロパン、ビス｛（トリフルオロメチ
ル）アミノフェノキシ｝ビフェニル、ビス〔｛（トリフ
ルオロメチル）アミノフェノキシ｝フェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、ジアミノアントラキノン、１，５−ジ
アミノナフタレン、２，６−ジアミノナフタレン、ビス
｛２−〔（アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオ
ロイソプロピル｝ベンゼン、ビス（２，３，５，６−テ
トラフルオロ−４−アミノフェニル）エーテル、ビス
（２，３，５，６−テトラフルオロ−４−アミノフェニ
ル）スルフィド、１，３−ビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサン、１，４−ビス（３−アミノ
プロピルジメチルシリル）ベンゼン、ビス（４−アミノ
フェニル）ジエチルシラン、１，３−ジアミノテトラフ
ルオロベンゼン、１，４−ジアミノテトラフルオロベン
ゼン、４，４′−ビス（テトラフルオロアミノフェノキ
シ）オクタフルオロビフェニル等がある。
【００１１】シリコンウェハなどの基板上に作製した通
常のポリイミドに電子線を照射することにより屈折率を
変化させたポリイミドを得ることができる。ポリイミド
が電子線照射方向で吸収する電子線の吸収線量はポリイ
ミドの組成と電子線のエネルギー、照射量によって決
り、ほぼそれに応じて屈折率も変化する。しかし屈折率
の変化の度合はポリイミドの化学構造によって異なる。
電子線のエネルギーによってポリイミドの厚さ方向の吸
収線量のプロファイルは大きく異なり例えば数１０ｋｅ
Ｖ程度のエネルギーであると厚さ５０μｍ以下で吸収線
量は極大となり、屈折率も最も大きくなる。またもっと
高エネルギーになると吸収線量の極大点はより厚いとこ
ろとなり、屈折率変化の極大点もより厚いところにずれ
てくる。また照射量が多くするとそれに比例して吸収線
量は多くなり、屈折率変化も大きくなる。しかし照射量
を多くしすぎるとポリイミドの化学構造によっては材料
破壊を引起こす場合もある。このようなポリイミドの化
学構造、電子線のエネルギー、照射量を制御することに
より様々なプロファイルを持たせるように屈折率を変化
させることが可能である。
常のポリイミドに電子線を照射することにより屈折率を
変化させたポリイミドを得ることができる。ポリイミド
が電子線照射方向で吸収する電子線の吸収線量はポリイ
ミドの組成と電子線のエネルギー、照射量によって決
り、ほぼそれに応じて屈折率も変化する。しかし屈折率
の変化の度合はポリイミドの化学構造によって異なる。
電子線のエネルギーによってポリイミドの厚さ方向の吸
収線量のプロファイルは大きく異なり例えば数１０ｋｅ
Ｖ程度のエネルギーであると厚さ５０μｍ以下で吸収線
量は極大となり、屈折率も最も大きくなる。またもっと
高エネルギーになると吸収線量の極大点はより厚いとこ
ろとなり、屈折率変化の極大点もより厚いところにずれ
てくる。また照射量が多くするとそれに比例して吸収線
量は多くなり、屈折率変化も大きくなる。しかし照射量
を多くしすぎるとポリイミドの化学構造によっては材料
破壊を引起こす場合もある。このようなポリイミドの化
学構造、電子線のエネルギー、照射量を制御することに
より様々なプロファイルを持たせるように屈折率を変化
させることが可能である。
【００１２】
【実施例】以下いくつかの実施例を用いて本発明を詳し
く説明する。なお本発明はこれらの実施例のみに限定さ
れるものではない。
く説明する。なお本発明はこれらの実施例のみに限定さ
れるものではない。
【００１３】実施例１ 三角フラスコに２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物８８．８ｇ
（０．２ｍｏｌ）と２，２′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４′−ジアミノビフェニル６４．０ｇ（０．
２ｍｏｌ）及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１０００
ｇを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で３日間
かくはんし、濃度約１５ｗｔ％のポリアミド酸溶液を得
た。このポリアミド酸溶液をシリコンウェハ上にスピン
コートした後オーブン中で７０℃２時間、１６０℃で１
時間、２５０℃で３０分、３５０℃で１時間加熱し、イ
ミド化を行い、厚さ１０μｍのポリイミドフィルムを得
た。このフィルムのナトリウムＤ線における２３℃での
屈折率を測定した結果、平均屈折率は１．５５２であっ
た。
ェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物８８．８ｇ
（０．２ｍｏｌ）と２，２′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４′−ジアミノビフェニル６４．０ｇ（０．
２ｍｏｌ）及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１０００
ｇを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で３日間
かくはんし、濃度約１５ｗｔ％のポリアミド酸溶液を得
た。このポリアミド酸溶液をシリコンウェハ上にスピン
コートした後オーブン中で７０℃２時間、１６０℃で１
時間、２５０℃で３０分、３５０℃で１時間加熱し、イ
ミド化を行い、厚さ１０μｍのポリイミドフィルムを得
た。このフィルムのナトリウムＤ線における２３℃での
屈折率を測定した結果、平均屈折率は１．５５２であっ
た。
【００１４】このシリコン基板上のポリイミドフィルム
に４００ｋｅＶのエネルギーの電子線を、照射密度２．
９３×１０12ｅ／ｃｍ2 で室温で総照射量が１×１０15
ｅ／ｃｍ2 になるように約６分間照射した。このポリイ
ミドフィルムの屈折率を測定した結果照射前面、裏面共
１．５５３であった。
に４００ｋｅＶのエネルギーの電子線を、照射密度２．
９３×１０12ｅ／ｃｍ2 で室温で総照射量が１×１０15
ｅ／ｃｍ2 になるように約６分間照射した。このポリイ
ミドフィルムの屈折率を測定した結果照射前面、裏面共
１．５５３であった。
【００１５】実施例２ 実施例１と同様に作製したポリイミドフィルム（電子線
未照射）に４００ｋｅＶのエネルギーの電子線を、照射
密度２．９３×１０12ｅ／ｃｍ2 で室温で総照射量が５
×１０15ｅ／ｃｍ2 になるように約３０分間照射した。
このポリイミドフィルムの屈折率を測定した結果照射前
面、裏面共１．５５６であった。
未照射）に４００ｋｅＶのエネルギーの電子線を、照射
密度２．９３×１０12ｅ／ｃｍ2 で室温で総照射量が５
×１０15ｅ／ｃｍ2 になるように約３０分間照射した。
このポリイミドフィルムの屈折率を測定した結果照射前
面、裏面共１．５５６であった。
【００１６】実施例３ 実施例１と同様に作製したポリイミドフィルム（電子線
未照射）に４００ｋｅＶのエネルギーの電子線を、照射
密度２．９３×１０12ｅ／ｃｍ2 で室温で総照射量が１
×１０16ｅ／ｃｍ2 になるように約６０分間照射した。
このポリイミドフィルムの屈折率を測定した結果照射前
面、裏面共１．５５８であった。
未照射）に４００ｋｅＶのエネルギーの電子線を、照射
密度２．９３×１０12ｅ／ｃｍ2 で室温で総照射量が１
×１０16ｅ／ｃｍ2 になるように約６０分間照射した。
このポリイミドフィルムの屈折率を測定した結果照射前
面、裏面共１．５５８であった。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、電子線照射により
ポリイミドの屈折率を変化させることが可能であり、マ
スクや描画装置を用いて自由に光導波路が形成できる。
また電子線のエネルギーを選択することにより屈折率分
布も持たせることが可能であり、グレーデッドインデッ
クス型の光導波路や平面レンズの形成も可能であるなど
の効果が期待できる。
ポリイミドの屈折率を変化させることが可能であり、マ
スクや描画装置を用いて自由に光導波路が形成できる。
また電子線のエネルギーを選択することにより屈折率分
布も持たせることが可能であり、グレーデッドインデッ
クス型の光導波路や平面レンズの形成も可能であるなど
の効果が期待できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松浦 徹 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 ポリイミドに電子線を照射することを特
徴とするポリイミドの屈折率変化方法。 - 【請求項２】 ポリイミドとしてフッ素化ポリイミドを
用いることを特徴とする請求項１に記載のポリイミドの
屈折率変化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4226549A JP2759726B2 (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | ポリイミドの屈折率変化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4226549A JP2759726B2 (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | ポリイミドの屈折率変化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0651146A true JPH0651146A (ja) | 1994-02-25 |
| JP2759726B2 JP2759726B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=16846900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4226549A Expired - Fee Related JP2759726B2 (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | ポリイミドの屈折率変化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2759726B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0616234A2 (en) * | 1993-03-18 | 1994-09-21 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Polyimide optical waveguide and method of manufacturing the same |
| EP0720030A1 (en) | 1994-12-28 | 1996-07-03 | Hoechst Aktiengesellschaft | Waveguide device and method for production thereof |
| WO1997047998A1 (fr) * | 1996-06-14 | 1997-12-18 | Hitachi, Ltd. | Guide d'ondes optique et dispositif optique |
| JP2004309683A (ja) * | 2003-04-04 | 2004-11-04 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光導波路およびグレーテイング、レンズ、フォトニック結晶およびこれらの作製方法。 |
| US6842576B2 (en) | 2003-05-19 | 2005-01-11 | Nitto Denko Corporation | Polymer lightguide |
| EP1760114A2 (en) | 2005-08-22 | 2007-03-07 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Halogenated polyamide acid composition and its applications |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS64976A (en) * | 1987-06-23 | 1989-01-05 | Fujitsu Ltd | Transferring and fixing device |
-
1992
- 1992-08-04 JP JP4226549A patent/JP2759726B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS64976A (en) * | 1987-06-23 | 1989-01-05 | Fujitsu Ltd | Transferring and fixing device |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0616234A2 (en) * | 1993-03-18 | 1994-09-21 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Polyimide optical waveguide and method of manufacturing the same |
| EP0884610A2 (en) * | 1993-03-18 | 1998-12-16 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method of manufacturing a polymide optical waveguide |
| EP0884610A3 (en) * | 1993-03-18 | 1999-01-20 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method of manufacturing a polyimide optical waveguide |
| EP0616234B1 (en) * | 1993-03-18 | 1999-06-02 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method of manufacturing a polyimide optical waveguide |
| EP0884610B1 (en) * | 1993-03-18 | 2005-11-16 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method of manufacturing a polyimide optical waveguide |
| EP0720030A1 (en) | 1994-12-28 | 1996-07-03 | Hoechst Aktiengesellschaft | Waveguide device and method for production thereof |
| US5694513A (en) * | 1994-12-28 | 1997-12-02 | Hoechst Aktiengesellschaft | Waveguide device and method for production thereof |
| WO1997047998A1 (fr) * | 1996-06-14 | 1997-12-18 | Hitachi, Ltd. | Guide d'ondes optique et dispositif optique |
| JP2004309683A (ja) * | 2003-04-04 | 2004-11-04 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光導波路およびグレーテイング、レンズ、フォトニック結晶およびこれらの作製方法。 |
| US6842576B2 (en) | 2003-05-19 | 2005-01-11 | Nitto Denko Corporation | Polymer lightguide |
| EP1760114A2 (en) | 2005-08-22 | 2007-03-07 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Halogenated polyamide acid composition and its applications |
| US7409139B2 (en) | 2005-08-22 | 2008-08-05 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Halogenated polyamide acid composition and its applications |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2759726B2 (ja) | 1998-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3486325B2 (ja) | ポリアミド酸溶液、ポリイミドフィルムおよびポリイミドフィルムの特性制御方法 | |
| EP0616234B1 (en) | Method of manufacturing a polyimide optical waveguide | |
| KR100373892B1 (ko) | 폴리이미드및이를사용하여수득한광학부품 | |
| EP0720030A1 (en) | Waveguide device and method for production thereof | |
| JP3296458B2 (ja) | 高分子フィルム光導波路及びその製造方法 | |
| JP2759726B2 (ja) | ポリイミドの屈折率変化方法 | |
| JPH0792338A (ja) | 高分子光導波路及びその製造方法 | |
| JPH09251113A (ja) | 耐熱性高屈折率差高分子光導波路、及びその製造方法 | |
| JP3082879B2 (ja) | ポリアミド酸組成物及びポリイミド組成物 | |
| JP3486358B2 (ja) | 光学用ポリイミド基板 | |
| JP3486357B2 (ja) | 光学用ポリイミド基板 | |
| JP2816770B2 (ja) | ポリイミド光導波路の製造方法 | |
| JP2004131684A (ja) | ポリアミド酸とそれをイミド化してなるポリイミドとその利用 | |
| JP3299017B2 (ja) | ポリイミド光導波路 | |
| JP3302157B2 (ja) | フッ素化ポリイミド光導波路の製造方法 | |
| JP2003167139A (ja) | 光導波路、それに用いる桂皮酸構造を有するポリイミド前駆体およびポリイミド | |
| JPH0915608A (ja) | 低複屈折ポリイミド膜の製造方法 | |
| JP2001242334A (ja) | 異形ポリイミド光導波路およびその製造方法 | |
| JP3335276B2 (ja) | 高分子光導波路の製造方法 | |
| JPH07209536A (ja) | ポリイミド光導波路製造装置及びポリイミド光導波路の製造方法 | |
| JP2950440B2 (ja) | フッ素化ポリイミド光学材料 | |
| JPH09222524A (ja) | ポリイミド系光導波路の製造方法 | |
| JP3335275B2 (ja) | 有機光導波路の製造方法 | |
| JP3596560B2 (ja) | 有機光導波路 | |
| JPH10332959A (ja) | 波長可変型高分子アレイ導波路格子型光デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |