JP3296458B2 - 高分子フィルム光導波路及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光導波路に関し、コアと
クラッドがポリイミドよりなり、特に柔軟性に優れる高
分子フィルム光導波路及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】低損失光ファイバの開発による光通信シ
ステムの実用化に伴い、種々の光通信用部品の開発が望
まれている。またこれら光部品を高密度に実装する光配
線技術、特に光導波路技術の確立が望まれている。一般
に、光導波路には、光損失が小さい、製造が容易、
コアとクラッドの屈折率差を制御できる等の条件が要
求される。これまでに低損失な光導波路としては石英系
が主に検討されている。光ファイバで実証済みのように
石英は光透過性が極めて良好であるため導波路とした場
合も波長が１．３μｍにおいて０．１ｄＢ／ｃｍ以下の
低光損失化が達成されている。しかし、石英は柔軟性に
乏しいためにシリコン等の基板上に作製する必要があ
り、基板上で使用しなければならないという制約があ
る。また作製時に高温が必要である、大面積化が困難で
あるなど製造上の問題点がある。これに対してポリメチ
ルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（Ｐ
Ｓ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等のプラスチック系光
導波路は石英系光導波路と比較して耐熱温度が低く、可
視波長より長波長領域での十分な低光損失が達成されて
いない等の欠点はあるが、低い温度で成形が可能であ
り、加工が容易であるため低価格が期待できる、大面積
化に有利であるといった長所を有している。また、本発
明者らは特開平４−９８０７号公報において、プラスチ
ック系光導波路に耐熱性を付与したポリイミド系光導波
路が基板上に製造できることを示している。しかし、基
板への高分子溶液の塗布とその後の加熱による硬化を用
いて作製する光導波路では硬化収縮や基板との熱膨張率
差により生じる応力のために、一部の光導波路では屈折
率や屈折率分布に乱れが生じ、光損失が増大するという
問題があった。一方、高分子の特徴である柔軟性を利用
したフィルム光導波路については、本発明者らは特願平
３−４０５１号、同５−８９４９３号各明細書で明らか
にしているが、これもまた基板上の光導波路と同様に残
留する応力に起因する屈折率の乱れにより一部の光導波
路で光損失が増大するという問題点があった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の技術で示したよ
うに高分子フィルム光導波路においても光導波路作製時
に生じる応力により屈折率の乱れが生じ、光損失が増大
するという問題点があった。本発明は、屈折率の相異な
る２種類以上の高分子を用いて、光損失が小さく、柔軟
性を有する高分子フィルム光導波路を提供することを目
的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明の第１の発明はコア、及びクラッドがポリイミドで
構成されてなる高分子フィルム光導波路において、前記
高分子フィルム光導波路が仮基板上に形成された後に仮
基板よりはく離され、更に光学的に均一化するために、
３５０℃以上かつ当該ポリイミドの熱分解温度未満の温
度で少なくとも１回の熱処理をされてなるものであるこ
とを特徴とする。また、本発明の第２の発明は高分子フ
ィルム光導波路の製造方法に関する発明であって、コア
とクラッドがポリイミドよりなる高分子フィルム光導波
路を製造する方法において、仮基板上にポリイミドで高
分子フィルム光導波路を作製した後、仮基板より前記高
分子フィルム光導波路をはく離させ、更に光学的に均一
化するために、３５０℃以上かつ当該ポリイミドの熱分
解温度未満の温度で少なくとも１回の熱処理を行うこと
を特徴とする。また、本発明の第３の発明は高分子フィ
ルム光導波路の製造方法に関する発明であって、有機溶
媒に可溶なポリイミドを用いる高分子フィルム光導波路
の製造方法において、コアとクラッドを仮基板上で形成
する際に３８０℃以上での熱処理を行い、コア又はクラ
ッドを形成して前記高分子フィルム光導波路を作製した
後、仮基板より前記高分子フィルム光導波路をはく離さ
せ、更に光学的に均一化するために、３５０℃以上かつ
当該ポリイミドの熱分解温度未満の温度で少なくとも１
回の熱処理を行うことを特徴とする。また、本発明の第
４の発明は高分子フィルム光導波路の製造方法に関する
発明であって、コアとクラッドがポリイミドよりなる高
分子フィルム光導波路を製造する方法において、仮基板
上に形成させた有機溶媒に可溶なポリイミドからなる層
の上にこのポリイミドを溶解しない有機溶媒に溶かした
ポリアミド酸溶液を塗布し、キュアしてコア又はクラッ
ドを形成して前記高分子フィルム光導波路を作製した
後、仮基板より前記高分子フィルム光導波路をはく離さ
せ、更に光学的に均一化するために、３５０℃以上かつ
当該ポリイミドの熱分解温度未満の温度で少なくとも１
回の熱処理を行うことを特徴とする。

【０００５】なお、本発明の実施の態様を列挙すると下
記のとおりである。 （１）前記本発明の第１の発明において用いる高分子フ
ィルム、又は本発明の第２の発明において用いる高分子
材料がポリイミドを含むことを特徴とする。 （２）前記高分子フィルム又は高分子材料が、下記一般
式（化１）

【０００６】

【化１】

【０００７】〔式中Ｒ₁ は下記の構造式（化２）：

【０００８】

【化２】

【０００９】で表される基よりなる４価の有機基を示
す〕で表される繰返し単位を有するフッ素化ポリイミ
ド、又はフッ素化ポリイミド共重合体を含むことを特徴
とする。

【００１０】特に一般式（化１）で表されるポリイミド
の耐熱温度は３００℃以上であり、オプトエレクトロニ
クス材料として重要な特性であるハンダ耐熱性を十分に
保持している。更にスピンコート法により、容易に大面
積や長距離のフィルム光導波路が作製できるという利点
を持ち、フィルム光導波路の低価格化が可能である。

【００１１】また、既に上市されているポリイミドは吸
湿性が高く、使用時に屈折率が変化すること、材料吸収
による光損失が大きいことなどの欠点がある。本発明者
らは光導波路の適用を目指して、これまでに得てきた低
屈折率フッ素化ポリイミドと比較的屈折率の大きいフッ
素化ポリイミドの分子設計技術、合成技術を駆使した屈
折率制御法について種々検討した結果、特に一般式（化
１）で表されるフッ素化ポリイミドを用いることによ
り、吸湿による影響や材料損失が少なく、かつフィルム
光導波路のコア、及びクラッドの屈折率を自由に制御で
きることを見出し、良好なフィルム光導波路が形成でき
ることを見出した。更に本発明の構成要素であるポリイ
ミドの中には可溶性であるため、通常の方法では多層構
造のコア、クラッド層を形成したり、同一基板上に複数
の光導波路を作製できないものもある。そこで本発明者
らはこの問題を解決するために、まず可溶性ポリイミド
の熱処理温度と溶媒に対する溶解性の関係について検討
した結果、ポリイミドの熱処理温度をある温度以上にす
ることにより溶媒に対する溶解性がなくなり、多層化が
可能である事実を見出し本発明を完成するに至った。

【００１２】通常ポリイミドはその前駆体であるポリア
ミド酸を３００℃から３５０℃程度迄熱処理して得られ
るが、本発明の構成要素であるポリイミドの中で可溶性
であるものは最高熱処理温度を３８０℃以上とすること
で不溶化できる。ただし、熱処理温度を必要以上に高く
すると光導波路としての光損失の増加、更にはポリイミ
ドの熱分解が起こるために、光損失を重視する場合には
最高熱処理温度は３８０℃であることが好ましい。

【００１３】更にまた、本発明者らは前期問題を解決す
る別の方法として可溶性ポリイミド及びその前駆体であ
るポリアミド酸の種々の溶媒に対する溶解性について検
討した結果、ポリイミドとポリアミド酸では溶解性に差
があることを突止め、更にポリイミドを溶解せず、その
前駆体であるポリアミド酸を溶解する溶媒が存在するこ
とを見出した。この知見を基に、有機溶媒に可溶なポリ
イミドをクラッド及びコアとするフィルム光導波路の製
造方法を突止め、本発明を完成するに至った。

【００１４】本発明の高分子フィルム光導波路に用いる
高分子としては柔軟性に優れ、かつ光導波路に優れるＰ
ＭＭＡ、ＰＳ、ＰＣ等の既存の光学用高分子を用いるこ
とも可能であるが、耐熱性の観点からポリイミドが適し
ており、更に光通信で用いられる近赤外波長の光に対し
て光透過性に優れ、屈折率を制御でき、吸水率の小さな
フッ素化ポリイミド、及びフッ素化ポリイミド共重合体
が適している。

【００１５】本発明の構成要素のポリイミドは種々の酸
二無水物又はその誘導体とジアミンから製造でき、その
ジアミンとしての２，２′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４′−ジアミノビフェニルの製造方法は、例
えば日本化学会誌、第３号、６７５〜６７６頁（１９７
２）に記載されている。また、本発明の構成要素のポリ
イミドの製造に用いるテトラカルボン酸二無水物として
はピロメリット酸二無水物、３，３′，４，４′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，
４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン二無水物、トリフルオロメチルピロメリット酸
二無水物、１，４−ジ（トリフルオロメチル）ピロメリ
ット酸二無水物が挙げられる。この中でピロメリット酸
のベンゼン環にフルオロアルキル基を導入した含フッ素
酸二無水物であるトリフルオロメチルピロメリット酸二
無水物、１，４−ジ（トリフルオロメチル）ピロメリッ
ト酸二無水物の製造方法は特願昭６３−１６５０５６号
明細書に記載されている。これらのジアミンと２種類の
テトラカルボン酸二無水物を反応させることによりポリ
アミド酸の共重合体を製造する。ポリアミド酸の合成に
使用する酸二無水物はその開環したテトラカルボン酸、
又はその誘導体としての酸塩化物、エステル化物等とし
て用いることも可能である。更に、屈折率を精密に容易
に制御するために３種類以上の酸二無水物を用いてポリ
アミド酸の共重合体を製造してもよい。

【００１６】反応条件は通常のポリアミド酸の重合条件
と同じでよく、一般的にはＮ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムア
ミドなどの極性有機溶媒中で反応させる。本発明におい
ては、単一のポリアミド酸のイミド化のほか、複数のポ
リアミド酸を混合した状態でのイミド化を行い、ポリイ
ミドの混合体も得ている。

【００１７】本発明では構成要素であるポリイミドを共
重合体、又はポリアミド酸の混合物として用いることも
できる。併用できる共重合体のモノマー又は併用できる
ポリアミド酸のモノマーの例としては以下のものが挙げ
られる。ジアミンとしてはｍ−フェニレンジアミン、
２，４−ジアミノトルエン、２，４−ジアミノキシレ
ン、２，４−ジアミノデュレン、４−（１Ｈ，１Ｈ，１
１Ｈ−エイコサフルオロウンデカノキシ）−１，３−ジ
アミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１
−ブタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−（１
Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ヘプタノキシ）−１，３
−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ
−１−オクタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４
−ペンタフルオロフェノキシ−１，３−ジアミノベンゼ
ン、４−（２，３，５，６−テトラフルオロフェノキ
シ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−（４−フルオロ
フェノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−（１
Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロ−１−ヘキサノキ
シ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，
２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロ−１−ドデカノキシ）−１，
３−ジアミノベンゼン、ｐ−フェニレンジアミン、２，
５−ジアミノトルエン、２，３，５，６−テトラメチル
−ｐ−フェニレンジアミン、２，５−ジアミノベンゾト
リフルオライド、ビス（トリフルオロメチル）フェニレ
ンジアミン、ジアミノテトラ（トリフルオロメチル）ベ
ンゼン、ジアミノ（ペンタフルオロエチル）ベンゼン、
２，５−ジアミノ（パーフルオロヘキシル）ベンゼン、
２，５−ジアミノ（パーフルオロブチル）ベンゼン、ベ
ンジジン、２，２′−ジメチルベンジジン、３，３′−
ジメチルベンジジン、３，３′−ジメトキシベンジジ
ン、２，２′−ジメトキシベンジジン、３，３′，５，
５′−テトラメチルベンジジン、３，３′−ジアセチル
ベンジジン、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４′−ジアミノビフェニル、４，４′−ジアミノジ
フェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、２，２−
ビス（ｐ−アミノフェニル）プロパン、３，３′−ジメ
チル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，
３′−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、１，２−ビス（アニリノ）エタン、２，２−ビス
（ｐ−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，
３−ビス（アニリノ）ヘキサフルオロプロパン、１，４
−ビス（アニリノ）オクタフルオロブタン、１，５−ビ
ス（アニリノ）デカフルオロペンタン、１，７−ビス
（アニリノ）テトラデカフルオロヘプタン、２，２′−
ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、３，３′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，
３′，５，５′−テトラキス（トリフルオロメチル）−
４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ビ
ス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノベンゾ
フェノン、４，４′′−ジアミノ−ｐ−テルフェニル、
１，４−ビス（ｐ−アミノフェニル）ベンゼン、ｐ−ビ
ス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）
ベンゼン、ビス（アミノフェノキシ）ビス（トリフルオ
ロメチル）ベンゼン、ビス（アミノフェノキシ）テトラ
キス（トリフルオロメチル）ベンゼン、４，４′′′−
ジアミノ−ｐ−クォーターフェニル、４，４′−ビス
（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２−ビス
｛４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル｝プロパン、
４，４′−ビス（３−アミノフェノキシフェニル）ジフ
ェニルスルホン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−
ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサ
フルオロプロパン、２，２−ビス｛４−（２−アミノフ
ェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２
−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメ
チルフェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス
｛４−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジトリフル
オロメチルフェニル｝ヘキサフルオロプロパン、４，
４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェ
ノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス（４−アミノ−３
−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，
４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェ
ノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′−ビス（３−ア
ミノ−５−トリフルオロメチルフェノキシ）ジフェニル
スルホン、２，２−ビス｛４−（４−アミノ−３−トリ
フルオロメチルフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロ
プロパン、ビス｛（トリフルオロメチル）アミノフェノ
キシ｝ビフェニル、ビス〔｛（トリフルオロメチル）ア
ミノフェノキシ｝フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、
ジアミノアントラキノン、１，５−ジアミノナフタレ
ン、２，６−ジアミノナフタレン、ビス〔｛２−（アミ
ノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロイソプロピ
ル〕ベンゼン、ビス（２，３，５，６−テトラフルオロ
−４−アミノフェニル）エーテル、ビス（２，３，５，
６−テトラフルオロ−４−アミノフェニル）スルフィ
ド、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチル
ジシロキサン、１，４−ビス（３−アミノプロピルジメ
チルシリル）ベンゼン、ビス（４−アミノフェニル）ジ
エチルシラン、テトラフルオロ−１，２−フェニレンジ
アミン、テトラフルオロ−１，３−フェニレンジアミ
ン、テトラフルオロ−１，４−フェニレンジアミン、ヘ
キサフルオロ−１，５−ジアミノナフタレン、ヘキサフ
ルオロ−２，６−ジアミノナフタレン、３−トリフルオ
ロメチル−トリフルオロ−１，２−フェニレンジアミ
ン、４−トリフルオロメチル−トリフルオロ−１，２−
フェニレンジアミン、２−トリフルオロメチル−トリフ
ルオロ−１，３−フェニレンジアミン、４−トリフルオ
ロメチル−トリフルオロ−１，３−フェニレンジアミ
ン、５−トリフルオロメチル−トリフルオロ−１，３−
フェニレンジアミン、２−トリフルオロメチル−トリフ
ルオロ−１，４−フェニレンジアミン、３，４−ビス
（トリフルオロメチル）−ジフルオロ−１，２−フェニ
レンジアミン、３，５−ビス（トリフルオロメチル）−
ジフルオロ−１，２−フェニレンジアミン、２，４−ビ
ス（トリフルオロメチル）−ジフルオロ−１，３−フェ
ニレンジアミン、４，５−ビス（トリフルオロメチル）
−ジフルオロ−１，３−フェニレンジアミン、４，６−
ビス（トリフルオロメチル）−ジフルオロ−１，３−フ
ェニレンジアミン、２，３−ビス（トリフルオロメチ
ル）−ジフルオロ−１，４−フェニレンジアミン、２，
５−ビス（トリフルオロメチル）−ジフルオロ−１，４
−フェニレンジアミン、３，４，５−トリス（トリフル
オロメチル）−フルオロ−１，２−フェニレンジアミ
ン、３，４，６−トリス（トリフルオロメチル）−フル
オロ−１，２−フェニレンジアミン、２，４，５−トリ
ス（トリフルオロメチル）−フルオロ−１，３−フェニ
レンジアミン、２，４，６−トリス（トリフルオロメチ
ル）−フルオロ−１，３−フェニレンジアミン、４，
５，６−トリス（トリフルオロメチル）−フルオロ−
１，３−フェニレンジアミン、テトラキス（トリフルオ
ロメチル）−１，２−フェニレンジアミン、テトラキス
（トリフルオロメチル）−１，３−フェニレンジアミ
ン、テトラキス（トリフルオロメチル）−１，４−フェ
ニレンジアミン、３−ペンタフルオロエチル−トリフル
オロ−１，２−フェニレンジアミン、４−ペンタフルオ
ロエチル−トリフルオロ−１，２−フェニレンジアミ
ン、２−ペンタフルオロエチル−トリフルオロ−１，３
−フェニレンジアミン、４−ペンタフルオロエチル−ト
リフルオロ−１，３−フェニレンジアミン、５−ペンタ
フルオロエチル−トリフルオロ−１，３−フェニレンジ
アミン、２−ペンタフルオロエチル−トリフルオロ−
１，４−フェニレンジアミン、３−トリフルオロメトキ
シ−トリフルオロ−１，２−フェニレンジアミン、４−
トリフルオロメトキシ−トリフルオロ−１，２−フェニ
レンジアミン、２−トリフルオロメトキシ−トリフルオ
ロ−１，３−フェニレンジアミン、４−トリフルオロメ
トキシ−トリフルオロ−１，３−フェニレンジアミン、
５−トリフルオロメトキシ−トリフルオロ−１，３−フ
ェニレンジアミン、２−トリフルオロメトキシ−トリフ
ルオロ−１，４−フェニレンジアミン、３，３′−ジア
ミノ−オクタフルオロビフェニル、３，４′−ジアミノ
−オクタフルオロビフェニル、４，４′−ジアミノ−オ
クタフルオロビフェニル、２，２′−ビス（トリフルオ
ロメチル）−４，４′−ジアミノヘキサフルオロビフェ
ニル、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４′−ジアミノヘキサフルオロビフェニル、ビス（３−
アミノ−テトラフルオロフェニル）エーテル、３，４′
−ジアミノ−オクタフルオロジフェニルエーテル、ビス
（４−アミノ−テトラフルオロフェニル）エーテル、
３，３′−ジアミノ−オクタフルオロベンゾフェノン、
３，４′−ジアミノ−オクタフルオロベンゾフェノン、
４，４′−ジアミノ−オクタフルオロベンゾフェノン、
ビス（３−アミノ−テトラフルオロフェニル）スルホ
ン、３，４′−ジアミノ−オクタフルオロジフェニルス
ルホン、ビス（４−アミノ−テトラフルオロフェニル）
スルホン、ビス（３−アミノ−テトラフルオロフェニ
ル）スルフィド、３，４′−ジアミノ−オクタフルオロ
ジフェニルスルフィド、ビス（４−アミノ−テトラフル
オロフェニル）スルフィド、ビス（４−アミノテトラフ
ルオロフェニル）ジフルオロメタン、１，２−ビス（４
−アミノテトラフルオロフェニル）テトラフルオロエタ
ン、２，２−ビス（４−アミノテトラフルオロフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、４，４′′−ジアミノ−
ドデカフルオロ−ｐ−テルフェニル、４−アミノ−テト
ラフルオロフェノキシ−４′−アミノ−テトラフルオロ
フェニル−ジフルオロメタン、ビス（４−アミノ−テト
ラフルオロフェノキシ）−ジフルオロメタン、１，２−
ビス（４−アミノ−テトラフルオロフェノキシ）−テト
ラフルオロエタン、２，２−ビス（４−アミノ−テトラ
フルオロフェノキシ）−ヘキサフルオロプロパン、１，
４−ビス（４−アミノ−テトラフルオロフェノキシ）−
テトラフルオロベンゼン、２，６−ジアミノ−ヘキサフ
ルオロナフタレン、２，６−ジアミノ−オクタフルオロ
アントラセン、２，７−ジアミノ−オクタフルオロフェ
ナントレン、２，６−ジアミノ−ヘキサフルオロビフェ
ニレン、２，７−ジアミノ−ヘキサフルオロジベンゾフ
ラン、２，６−ジアミノ−ヘキサフルオロアントラキノ
ン、２，６−ジアミノ−オクタフルオロアントロン、
２，７−ジアミノ−ヘキサフルオロフェノキサチイン、
２，７−ジアミノ−ヘキサフルオロチアントレン、２，
７−ジアミノ−テトラフルオロジベンゾ〔ｂ，ｅ〕１，
４−ジオキサン等がある。

【００１８】併用できる酸二無水物、テトラカルボン酸
並びにその反応性誘導体としての酸塩化物、エステル化
物等としてはここではテトラカルボン酸としての例を挙
げるとピロメリット酸、トリフルオロメチルピロメリッ
ト酸、ペンタフルオロエチルピロメリット酸、ビス
｛３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェノキシ｝ピロ
メリット酸、２，３，３′，４′−ビフェニルテトラカ
ルボン酸、３，３′，４，４′−テトラカルボキシジフ
ェニルエーテル、２，３′，３，４′−テトラカルボキ
シジフェニルエーテル、３，３′，４，４′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸、２，３，６，７−テトラカル
ボキシナフタレン、１，４，５，７−テトラカルボキシ
ナフタレン、１，４，５，６−テトラカルボキシナフタ
レン、３，３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニ
ルメタン、３，３′，４，４′−テトラカルボキシジフ
ェニルスルホン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、５，５′−ビ
ス（トリフルオロメチル）−３，３′，４，４′−テト
ラカルボキシビフェニル、２，２′，５，５′−テトラ
キス（トリフルオロメチル）−３，３′，４，４′−テ
トラカルボキシビフェニル、５，５′−ビス（トリフル
オロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシ
ジフェニルエーテル、５，５′−ビス（トリフルオロメ
チル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシベンゾ
フェノン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシ
フェノキシ｝ベンゼン、ビス｛（トリフルオロメチル）
ジカルボキシフェノキシ｝（トリフルオロメチル）ベン
ゼン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）（トリフルオロ
メチル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ビ
ス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（ジカルボキ
シフェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベン
ゼン、３，４，９，１０−テトラカルボキシペリレン、
２，２−ビス｛４−（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）フェニル｝プロパン、ブタンテトラカルボン酸、シ
クロペンタンテトラカルボン酸、２，２−ビス｛４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝ヘキサ
フルオロプロパン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカ
ルボキシフェノキシ｝ビフェニル、ビス｛（トリフルオ
ロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビス（トリフルオ
ロメチル）ビフェニル、ビス｛（トリフルオロメチル）
ジカルボキシフェノキシ｝ジフェニルエーテル、ビス
（ジカルボキシフェノキシ）ビス（トリフルオロメチ
ル）ビフェニル、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ジメチルシラン、１，３−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）テトラメチルジシロキサン、１，４−ビ
ス（３，４−ジカルボキシトリフルオロフェノキシ）テ
トラフルオロベンゼン、１，４−ビス（３，４−ジカル
ボキシトリフルオロフェノキシ）オクタフルオロビフェ
ニル、１，４−ジフルオロピロメリット酸、１−トリフ
ルオロメチル−４−フルオロピロメリット酸、１，４−
ジ（トリフルオロメチル）ピロメリット酸、１−ペンタ
フルオロエチル−４−フルオロピロメリット酸、１−ペ
ンタフルオロエチル−４−トリフルオロメチルピロメリ
ット酸、１，４−ジ（ペンタフルオロエチル）ピロメリ
ット酸、１−ペンタフルオロフェニル−４−フルオロピ
ロメリット酸、１−ペンタフルオロフェニル−４−トリ
フルオロメチルピロメリット酸、１−ペンタフルオロフ
ェニル−４−ペンタフルオロエチルピロメリット酸、
１，４−ジ（ペンタフルオロフェニル）ピロメリット
酸、１−トリフルオロメトキシ−４−フルオロピロメリ
ット酸、１−トリフルオロメトキシ−４−トリフルオロ
メチルピロメリット酸、１−トリフルオロメトキシ−４
−ペンタフルオロエチルピロメリット酸、１−トリフル
オロメトキシ−４−ペンタフルオロフェニルピロメリッ
ト酸、１，４−ジ（トリフルオロメトキシ）ピロメリッ
ト酸、１−ペンタフルオロエトキシ−４−フルオロピロ
メリット酸、１−ペンタフルオロエトキシ−４−トリフ
ルオロメチルピロメリット酸、１−ペンタフルオロエト
キシ−４−ペンタフルオロエチルピロメリット酸、１−
ペンタフルオロエトキシ−４−ペンタフルオロフェニル
ピロメリット酸、１−ペンタフルオロエトキシ−４−ト
リフルオロメトキシピロメリット酸、１，４−ジ（ペン
タフルオロエトキシ）ピロメリット酸、１−ペンタフル
オロフェノキシ−４−フルオロピロメリット酸、１−ペ
ンタフルオロフェノキシ−４−トリフルオロメチルピロ
メリット酸、１−ペンタフルオロフェノキシ−４−ペン
タフルオロエチルピロメリット酸、１−ペンタフルオロ
フェノキシ−４−ペンタフルオロフェニルピロメリット
酸、１−ペンタフルオロフェノキシ−４−トリフルオロ
メトキシピロメリット酸、１−ペンタフルオロフェノキ
シ−４−ペンタフルオロエトキシピロメリット酸、１，
４−ジ（ペンタフルオロフェノキシ）ピロメリット酸、
ヘキサフルオロ−３，３′，４，４′−ビフェニルテト
ラカルボン酸、ヘキサフルオロ−３，３′，４，４′−
ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、ヘキサフルオロ
−３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸、ビス（３，４−ジカルボキシトリフルオロフェニ
ル）スルホン、ビス（３，４−ジカルボキシトリフルオ
ロフェニル）スルフィド、ビス（３，４−ジカルボキシ
トリフルオロフェニル）ジフルオロメタン、１，２−ビ
ス（３，４−ジカルボキシトリフルオロフェニル）テト
ラフルオロエタン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキ
シトリフルオロフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
１，４−ビス（３，４−ジカルボキシトリフルオロフェ
ニル）テトラフルオロベンゼン、３，４−ジカルボキシ
トリフルオロフェニル−３′，４′−ジカルボキシトリ
フルオロフェノキシ−ジフルオロメタン、ビス（３，４
−ジカルボキシトリフルオロフェノキシ）ジフルオロメ
タン、１，２−ビス（３，４−ジカルボキシトリフルオ
ロフェノキシ）テトラフルオロエタン、２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシトリフルオロフェノキシ）ヘキ
サフルオロプロパン、１，４−ビス（３，４−ジカルボ
キシトリフルオロフェノキシ）テトラフルオロベンゼ
ン、２，３，６，７−テトラカルボキシ−テトラフルオ
ロナフタレン、２，３，６，７−テトラカルボキシ−ヘ
キサフルオロアントラセン、２，３，６，７−テトラカ
ルボキシ−ヘキサフルオロフェナントレン、２，３，
６，７−テトラカルボキシ−テトラフルオロビフェニレ
ン、２，３，７，８−テトラカルボキシ−テトラフルオ
ロジベンゾフラン、２，３，６，７−テトラカルボキシ
−テトラフルオロアントラキノン、２，３，６，７−テ
トラカルボキシ−ペンタフルオロアントロン、２，３，
７，８−テトラカルボキシ−テトラフルオロフェノキサ
チイン、２，３，７，８−テトラカルボキシ−テトラフ
ルオロチアントレン、２，３，７，８−テトラカルボキ
シ−テトラフルオロジベンゾ〔ｂ，ｅ〕１，４−ジオキ
サン等が挙げられる。

【００１９】次に得られたポリアミド酸のイミド化によ
るポリイミドの合成であるが、ポリイミドが不溶性の場
合には通常のポリイミドの合成法が使用できる。

【００２０】本発明の高分子フィルム光導波路の構造
は、一般に製造されている基板上の光導波路と同様でよ
く、例えばスラブ形、リッジ型、埋め込み型等がある。
光導波路のコア材とクラッド材の選択は、光の波長、使
用用途に適した屈折率の差になるようにすればよい。

【００２１】リッジ型の製造方法について図１を参照し
つつ説明する。すなわち図１は本発明によるリッジ型光
導波路の作製方法の一例を示す工程断面図であって、符
号１は仮基板、２は下部クラッド層、３はコア層、４は
コアパターンを形成するためのマスク層、５はレジスト
層を意味する。シリコン等の仮基板１の上に高分子、高
分子の溶液、又は高分子の前駆体溶液をスピンコート等
の方法により塗布し、これを加熱等により硬化して下部
クラッド層２を得る。次にこの上に下部クラッド層とし
て用いた高分子より屈折率の高い高分子、高分子の溶
液、又は高分子の前駆体溶液を下部クラッド層２を形成
したときと同様の方法により形成し、コア層３を得る。
次にこの上にコアパターンを形成するためのマスク層４
を形成する〔図１（ａ）〕。マスクとしてはＡｌ、Ｔｉ
等の金属、ＳｉＯ₂ 、スピンオングラス（ＳＯＧ）、Ｓ
ｉ含有レジスト、感光性ポリイミド等を用いることがで
きる。マスク層４をつけた後レジスト塗布、プリベー
ク、露光、現像、アフターベークを行い、パターニング
されたレジスト層５を得る〔図１（ｂ）〕。次にレジス
ト層により保護されていないマスク層をエッチングによ
り除去した後〔図１（ｃ）〕、マスク層で保護されてい
ないポリイミドをドライエッチングにより除去する〔図
１（ｄ）〕。マスク層４にＳｉ含有レジストや感光性ポ
リイミドを用いた場合にはフォトレジストを使用する必
要はない。次に残ったマスク層４をドライエッチングや
はく離液を用いることにより除去する〔図１（ｅ）〕。
次に仮基板上に作製されたリッジ型光導波路を仮基板か
らはく離する。仮基板として表面を熱酸化したＳｉを用
いた場合にはフッ酸に浸漬することによりはく離でき
る。また、仮基板としてＡｌ板を用いた場合には希塩酸
に浸漬することではく離できる。このようにしてリッジ
型の高分子フィルム光導波路が得られる。更にこの高分
子フィルム光導波路を更に所定温度で熱処理することで
光学的に均一なリッジ型の高分子フィルム光導波路を得
ることができる〔図１（ｆ）〕。

【００２２】また、図２に断面図として示したように図
１のリッジ型の高分子フィルム光導波路と同様の方法を
用いて仮基板上に下部クラッド層２、コア層３、及びコ
ア層より屈折率の小さい上部クラッド層６を順次形成し
た後、仮基板からはく離する。更にこの高分子フィルム
光導波路を更に所定温度で熱処理することで光学的に均
一なスラブ型の高分子フィルム光導波路を得ることがで
きる。

【００２３】また、図３に断面図として示したように、
図２においてコア層３を形成した後、図１のリッジ型高
分子フィルム光導波路のコアパターンの形成と同様の方
法によりコアを加工することで埋め込み型の高分子フィ
ルム光導波路を得ることができる。

【００２４】

【実施例】引続いていくつかの実施例を用いて本発明を
更に詳しく説明する。なお種々の高分子の組合せによ
り、また光導波路構造により数限りない本発明の高分子
フィルム光導波路が得られることは明らかであり、本発
明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

【００２５】本実施例に用いたポリイミドの熱分解温
度、屈折率を表１及び表２に示す。なお、熱分解温度は
窒素気流下１０℃／分の速度で昇温した時の１０ｗｔ％
重量減少時の温度で示した。屈折率はアッベ型屈折率計
を用いて、２０℃における波長５８９ｎｍでの屈折率で
示した。

【００２６】

【表１】

【００２７】

【表２】

【００２８】このように本実施例で用いたポリイミドは
屈折率が１．４９から１．６５の間に細かく存在するた
め、これらを用いたコアとクラッドの屈折率差を自由に
制御できる。また熱分解温度はすべて５００℃以上と高
く、ハンダ付けにも十分に耐えるだけの耐熱性を有して
いる。

【００２９】また、表１及び２に示したポリイミドが可
溶性である場合には多層化を実現するために、既に形成
されたポリイミド層が次に形成するポリイミド層の前駆
体であるポリアミド酸の溶媒に不溶であることが必要で
ある。そこで表１及び２に示したポリイミド、ポリイミ
ド共重合体及びその混合物の溶解性を試験した。可溶性
を示す表１中の番号４のポリイミドについてその具体的
試験法を以下に示す。

【００３０】表面が酸化シリコン層である直径３インチ
のシリコンウェハ上に表１中の番号４の可溶性ポリイミ
ドの前駆体のポリアミド酸の１０ｗｔ％Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド（ＤＭＡｃ）溶液を加熱後の膜厚が１０
μｍになるようにスピンコート法により塗布した後最高
温度３５０℃で熱処理をした。この可溶性ポリイミド及
びその前駆体であるポリアミド酸の小片を種々の溶媒が
入った試験管に入れ、溶解性を試験した。その結果を下
記表３及び４に示す。アルコール系溶媒、メチルイソブ
チルケトンは下部クラッド層のポリイミドを溶かさず、
ポリアミド酸を溶かすことが判った。

【００３１】

【表３】

【００３２】

【表４】

【００３３】表１及び２に示したポリイミドを用いて作
製した高分子フィルム光導波路の実施例を示す。なお光
伝搬損失は作製した光導波路に波長０．６３μｍ及び
１．３μｍの光を通してストリーク光散乱法又はカット
バック法で測定した。

【００３４】実施例１ ４インチのシリコンウェハ（仮基板）に表２中の番号１
３のポリイミド共重合体の前駆体であるポリアミド酸の
ＤＭＡｃ１５ｗｔ％溶液を加熱後の膜厚が３０μｍにな
るようにスピンコート法により塗布した。これを７０℃
で２時間、１６０℃で１時間、２５０℃で３０分、３５
０℃で１時間熱処理をして下部クラッド層を形成した。
次にこの下部クラッド層上に表２中の番号１５のポリイ
ミドの前駆体であるポリアミド酸のＤＭＡｃ１５ｗｔ％
溶液を加熱後の膜厚が８μｍになるようにスピンコート
法により塗布した。これを７０℃で２時間、１６０℃で
１時間、２５０℃で３０分、３５０℃で１時間熱処理を
してコア層を形成した。次にこのコア層上に膜厚０．３
μｍのアルミニウム層を蒸着した。次にこのアルミニウ
ム層上にポジ型フォトレジストをスピンコート法により
塗布した後約９５℃でプリベークを行った。次にパター
ン形成用のフォトマスクを超高圧水銀ランプを用いて紫
外線を照射した後ポジ型レジスト用の現像液を用いて現
像した。その後１３５℃でポストベークを行った。これ
により線幅８μｍを有する直線状のレジストパターンが
得られた。次にアルミニウムのウェットエッチングを行
い、レジストパターンをアルミニウム層に転写した。更
にパターンニングされたアルミニウムをマスクとしてコ
ア層のポリイミドをドライエッチングにより加工した。
次にポリイミドの上層にあるアルミニウムをエッチング
液で除去した。次にこれを１０％塩酸水溶液に浸漬して
仮基板をはく離した。最後にこれを３５０℃で１時間熱
処理して、下部クラッド層が表２中の番号１３のポリイ
ミド共重合体、コア層が表２中の番号１５のポリイミド
共重合体のリッジ型高分子フィルム光導波路が得られ
た。この光導波路に波長１．３μｍの光を通してカット
バック法で光伝搬損失を測定した結果、０．３ｄＢ／ｃ
ｍであった。

【００３５】実施例２ 実施例１において下部クラッド層として使用した表２中
の番号１３のポリイミド共重合体の前駆体であるポリア
ミド酸のＤＭＡｃ１５ｗｔ％溶液の代りに表１中の番号
４のポリイミドの前駆体であるポリアミド酸のＤＭＡｃ
１５ｗｔ％溶液を用い、またコア層として使用した表２
中の番号１５のポリイミドの前駆体であるポリアミド酸
のＤＭＡｃ１５ｗｔ％溶液の代りに表１中の番号７のポ
リイミド共重合体の前駆体であるポリアミド酸のＤＭＡ
ｃ１５ｗｔ％溶液を用いて実施例１と同様の方法で下部
クラッド層が表１中の番号４のポリイミド、コア層が表
１中の番号７のポリイミド共重合体、上部クラッド層が
空気層のリッジ型光導波路の作製を試みた。しかし、表
１中の番号４のポリイミドの前駆体であるポリアミド酸
を７０℃で２時間、１６０℃で１時間、２５０℃で３０
分、３５０℃で１時間熱処理して下部クラッド層を形成
した場合にはコア層形成時の表１中の番号７のポリイミ
ドの前駆体であるポリアミド酸のＤＭＡｃ１５ｗｔ％溶
液を塗布した時点で下部クラッド層が溶解し、光導波路
を作製できなかった。そこで下部クラッド層となる表１
中の番号４のポリイミドの前駆体であるポリアミド酸の
最高熱処理温度を３５０℃から３８０℃に変えて、以下
実施例１と同様の工程を行うことで下部クラッド層が表
１中の番号４のポリイミド、コア層が表１中の番号７の
ポリイミド共重合体のリッジ型高分子フィルム光導波路
を得ることができる。この光導波路に波長１．３μｍの
光を通してカットバック法で光伝搬損失を測定した結
果、０．３ｄＢ／ｃｍであった。

【００３６】実施例３ 実施例２において下部クラッド層となる表１中の番号４
のポリイミドの前駆体であるポリアミド酸の最高熱処理
温度を３５０℃とした場合でもコア層の作製に用いる表
１中の番号７のポリイミド共重合体の前駆体であるポリ
アミド酸のＤＭＡｃ１５ｗｔ％溶液をｎ−ヘキサノール
１０ｗｔ％溶液に調整し直すことで実施例１と同様の工
程で高分子フィルム光導波路を得ることができた。この
光導波路の波長１．３μｍでの光伝搬損失は実施例２と
変らなかった。

【００３７】実施例４ 実施例２においてコア層として使用した表１中の番号７
のポリイミド共重合体の前駆体であるポリアミド酸のＤ
ＭＡｃ１５ｗｔ％溶液の代りに表２中の番号９のポリイ
ミド共重合体の前駆体であるポリアミド酸のＤＭＡｃ１
５ｗｔ％溶液を用いて実施例２と同様の方法で下部クラ
ッド層が表１中の番号４のポリイミド、コア層が表２中
の番号９のポリイミド共重合体のリッジ型高分子フィル
ム光導波路を得た。この光導波路に波長１．３μｍの光
を通してカットバック法で光伝搬損失を測定した結果、
０．３ｄＢ／ｃｍであった。

【００３８】実施例５ 実施例４において下部クラッド層となる表１中の番号４
のポリイミド共重合体の前駆体であるポリアミド酸の最
高熱処理温度を３５０℃とした場合でもコア層の作製に
用いる表２中の番号９のポリイミドの前駆体であるポリ
アミド酸のＤＭＡｃ１５ｗｔ％溶液をｎ−ヘキサノール
１０ｗｔ％溶液に調整し直すことで実施例１と同様の工
程で光導波路を得ることができた。この光導波路に波長
１．３μｍでの光伝搬損失は実施例４と変らなかった。

【００３９】実施例６ 実施例１において作製したリッジ型光導波路の上に下部
クラッド層と同様のポリイミド共重合体の前駆体である
ポリアミド酸のＤＭＡｃ１５ｗｔ％溶液を加熱後の膜厚
が３０μｍになるようにスピンコート法により塗布し
た。この塗膜を７０℃で２時間、１６０℃で１時間、２
５０℃で３０分、３５０℃で１時間熱処理して上部クラ
ッド層を形成した。この後、実施例１と同様にして仮基
板のはく離と熱処理を行うことで埋め込み型高分子フィ
ルム光導波路が得られた。この光導波路に波長１．３μ
ｍの光を通してカットバック法で光伝搬損失を測定した
結果、０．２ｄＢ／ｃｍであった。

【００４０】実施例７ 実施例２において作製したリッジ型光導波路の上に下部
クラッド層と同様のポリイミドの前駆体であるポリアミ
ド酸のＤＭＡｃ１５ｗｔ％溶液を加熱後の膜厚が３０μ
ｍになるようにスピンコート法により塗布した。この塗
膜を７０℃で２時間、１６０℃で１時間、２５０℃で３
０分、３８０℃で１時間熱処理して上部クラッド層を形
成した。最後にこれを３５０℃で１時間熱処理して、埋
め込み型高分子フィルム光導波路が得られた。この光導
波路に波長１．３μｍの光を通してカットバック法で光
伝搬損失を測定した結果、０．２ｄＢ／ｃｍであった。

【００４１】実施例８ 実施例４において作製したリッジ型光導波路の上に下部
クラッド層と同様のポリイミド共重合体の前駆体である
ポリアミド酸のＤＭＡｃ１５ｗｔ％溶液を加熱後の膜厚
が３０μｍになるようにスピンコート法により塗布し
た。この塗膜を７０℃で２時間、１６０℃で１時間、２
５０℃で３０分、３８０℃で１時間熱処理して上部クラ
ッド層を形成した。最後にこれを３５０℃で１時間熱処
理して、埋め込み型高分子フィルム光導波路が得られ
た。この光導波路に波長１．３μｍの光を通してカット
バック法で光伝搬損失を測定した結果、０．２ｄＢ／ｃ
ｍであった。

【００４２】比較例１ 実施例８と同様にして埋め込み型高分子フィルム光導波
路を作製したが、本発明の構成要件である仮基板からは
く離後の熱処理を行わなかった。この光導波路に波長
１．３μｍの光を通してカットバック法で光伝搬損失を
測定した結果、０．６ｄＢ／ｃｍであった。

【００４３】

【発明の効果】本発明によれば低損失で柔軟性を有する
フィルム光導波路を提供することができ、フレキシブル
光配線を実現できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるリッジ型高分子フィルム光導波路
の作製方法の１例を順を追って示した工程断面図であ
る。

【図２】本発明によるスラブ型高分子フィルム光導波路
の断面図である。

【図３】本発明による埋め込み型高分子フィルム光導波
路の断面図である。

【符号の説明】

１：仮基板、２：下部クラッド層、３：コア層、４：コ
アパターンを形成するためのマスク層、５：レジスト
層、６：上部クラッド層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 二三男 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 丸尾 容子 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−281406（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−235506（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−235505（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−92326（ＪＰ，Ａ) 国際公開94／14874（ＷＯ，Ａ１) Ｓ．Ａｎｄｏ ｅｔ．ａｌ．，Ｅｌｅ ｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ, 1993年11月25日，Ｖｏｌ．29 Ｎｏ. 24，ｐｐ．2143−2145 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02B 6/12 - 6/14 C08G 73/10

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 コアとクラッドがポリイミドよりなる高
   分子フィルム光導波路において、前記高分子フィルム光
   導波路が仮基板上に形成された後に仮基板よりはく離さ
   れ、更に光学的に均一化するために、３５０℃以上かつ
   当該ポリイミドの熱分解温度未満の温度で少なくとも１
   回の熱処理をされてなるものであることを特徴とする高
   分子フィルム光導波路。
2. 【請求項２】 コアとクラッドがポリイミドよりなる請
   求項１記載の高分子フィルム光導波路において、前記高
   分子フィルムが、下記一般式（化１）： 【化１】 〔式中Ｒ₁は下記の構造式（化２）： 【化２】 で表される基よりなる４価の有機基を示す〕で表される
   繰返し単位を有するフッ素化ポリイミド、又はフッ素化
   ポリイミド共重合体を含むことを特徴とする請求項１記
   載の高分子フィルム光導波路。
3. 【請求項３】 コアとクラッドがポリイミドよりなる高
   分子フィルム光導波路を製造する方法において、仮基板
   上にポリイミドで高分子フィルム光導波路を作製した
   後、仮基板より前記高分子フィルム光導波路をはく離さ
   せ、更に光学的に均一化するために、３５０℃以上かつ
   当該ポリイミドの熱分解温度未満の温度で少なくとも１
   回の熱処理を行うことを特徴とする高分子フィルム光導
   波路の製造方法。
4. 【請求項４】 コアとクラッドがポリイミドよりなる請
   求項３記載の高分子フィルム光導波路を製造する方法に
   おいて、前記高分子フィルムが、一般式（化１）で表さ
   れる繰返し単位を有するフッ素化ポリイミド、又はフッ
   素化ポリイミド共重合体を含むことを特徴とする請求項
   ３記載の高分子フィルム光導波路の製造方法。
5. 【請求項５】 有機溶媒に可溶なポリイミドを用いる高
   分子フィルム光導波路の製造方法において、コアとクラ
   ッドを仮基板上で形成する際に３８０℃以上での熱処理
   を行い、コア又はクラッドを形成して前記高分子フィル
   ム光導波路を作製した後、仮基板より前記高分子フィル
   ム光導波路をはく離させ、更に光学的に均一化するため
   に、３５０℃以上かつ当該ポリイミドの熱分解温度未満
   の温度で少なくとも１回の熱処理を行うことを特徴とす
   る高分子フィルム光導波路の製造方法。
6. 【請求項６】 コアとクラッドがポリイミドよりなる高
   分子フィルム光導波路を製造する方法において、仮基板
   上に形成させた有機溶媒に可溶なポリイミドからなる層
   の上にこのポリイミドを溶解しない有機溶媒に溶かした
   ポリアミド酸溶液を塗布し、キュアしてコア又はクラッ
   ドを形成して前記高分子フィルム光導波路を作製した
   後、仮基板より前記高分子フィルム光導波路をはく離さ
   せ、更に光学的に均一化するために、３５０℃以上かつ
   当該ポリイミドの熱分解温度未満の温度で少なくとも１
   回の熱処理を行うことを特徴とする高分子フィルム光導
   波路の製造方法。