JPH06501986A - 銅被覆を電気的に析出させるための酸性浴およびこの組み合せ物を使用する方法 - Google Patents

銅被覆を電気的に析出させるための酸性浴およびこの組み合せ物を使用する方法

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JPH06501986A
JPH06501986A JP3516095A JP51609591A JPH06501986A JP H06501986 A JPH06501986 A JP H06501986A JP 3516095 A JP3516095 A JP 3516095A JP 51609591 A JP51609591 A JP 51609591A JP H06501986 A JPH06501986 A JP H06501986A
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ダームス, ヴォルフガング
ヴェストファル, ホルスト
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アトテク ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 銅被覆を電気的に析出させるための酸性浴およびこの組み合せ物を使用する方法 本発明は、光沢性のレベリングされた銅被覆を電気的に析出させるための酸性浴 およびその使用に関する。
結晶性のマット状の析出の代わりに光沢性の銅被覆を得るために、酸性の、特に 最も普及している硫酸の銅電解質に所定の有機物質をわずかな量で添加すること ができることは以前から公知である。このために、たとえばポリエチレングリコ ール、チオ深索、ゼラチン、糖蜜、コーヒー抽出液、「塩基性」染料およびチオ リン酸エステルが使用される。しかし、このような浴は、実際にあまり重要でな い、それというのも、得られた銅被覆の品質は今日の要求に相応していない。
このように、この被覆は臆すざるか、またはわずかな光沢を有しているかもしく は一定の電流密度範囲でレリーフ状に析出する。
有機チτ化合物との関連でのポリアルキルイミン(ドイツ連邦共和国特許第12 46347号明細書)、および酸素含有の高分子量の化合物おまび有機の特に芳 沓族チオ化合物と混合した形でのポリビニル化合物(ドイツ連邦共和国特許出願 公告第1521062号明細書)の添加は公知である。この種の銅電解質は高い カソードの電流密度の使用が許されず、析出された銅被覆は先行する中間処理に よってのみニッケル化することができる。前記したドイツ連邦共和国出願公告第 1521062号明細書には、さらに酸性の銅浴が記載されており、この浴は親 水性基を有するポリマーの酸素含有化合物のほかに、さらに1種類の置換された フェナゾニウム化合物を溶解して含有する。
この千ツマ−のフェナゾニウム化合物の場合、使用可能な電流密度ならびに老化 挙動は改善することができる。さらに、有機チオ化合物および非イオン性湿潤剤 と、他の着色剤、たとえばクリスタルバイオレット(欧州特許第71512号明 細誉副書アミド(ドイツ連邦共和国特許第27466938号明細書)、アポ− サフラニン(Apo−5afranin)を有するフタロシアニン−誘導体(ド イツ連邦共和国特許第2541897号明細書)との組合物は公知である。着色 剤の代わりに、ポリアミンと塩化ベンジルとの未定義の反応生成物(ドイツ連邦 共和国特許第2541897号明細書)もしくはエビクロロヒドリン(EU−P S68807)またはチオ化合物およびアクリルアミドを有するようなもの(E U−PS107109)も使用される。
今まで公知の浴、特に窒素含有チオ化合物との組合物は、全ての不均一な析出を 生じる。
ポリマーのフェナゾニウム化合物(ドイツ連邦共和国特許第2039831号明 細書)を含有する進歩をもたらした浴は、主に非イオン性湿潤剤および有機硫黄 化合物との組み合せで利用される。
先行技術は、非イオン性湿潤剤を酸性銅浴に添加でいるが、それにより微細な粗 面性の除去は達成されなかった。
銅浴の添加物としてβ−ナフトール−ポリグリコールエーテルの使用は、ドイツ 連邦共和国特許出願公開3721985号明細書の例2に開示されているが、窒 素含有チオ化合物および/またはポリマーのフェナゾニウム化合物との組み合せ ほの形では開示されていない。
ドイツ連邦共和国特許IE3104108号明細書において、β−ナフトールエ トキシレートをフタロシアニン着色剤と組み合せて含有するフルオロホウ酸塩浴 が記載されている。電解質自体は、ポリマーのフェナゾニウム化合物と比較して 適度なレベリングを示すにすぎない。
これらの省の場合、高いレベリングにおいて層上の微細な粗面性(ビット、小結 節)が欠点であり、これは特に広い面積部分の装飾的外観を敏感に損なう。この 粗面性は電解質中の浮遊粒子に起因するものではなく、カソードの二重層中での 妨げられた析出に起因する。これは特1こ窒素含有硫黄化合物(いわゆるチオ尿 素誘導体)およびフェナゾニウム化合物の場合に生じる。
本発明の課題は、前記した欠点を回避し、さらに有利なレベリングを損なわない ことである。
この課題は、一般式■: [式中、n=o 〜50、有利に10〜25、およびm=O〜50、有利にO〜 10を示し、その際、n+m≧3である]で示されるβ−ナフトールアルコキシ レートからなる少なくとも1種票の混合物、チオ尿素またはチオ尿素誘導体およ び/またはポリマーのフェナゾニウム化合物を含有する酸性浴により解決される 。
一般式Iのβ−ナフトールアルコキシレートとして次のような化合物が適してい る: 第1表 β−ナフトール−テトラコサ(エトキシレート)n=24 ;m=0 β−ナフトール−エイコサ(エトキシレート)n=20;m=0 β−す2トール−オクタデカ(エトキシレート)n=18;m=0 β−ナフトール−へキサデカ(エトキシレート)nwl 6 Hm=0 β−ナフトール−テトラデカ(エトキシレート)n=14;+n=0 β−ナフトール−トリデカ(エトキシレート)n=13 ;m=0 β−ナフトール−ドデカ(エトキシレート)n=I2;m=Q β−ナフトール−デカ(エトキシレート)n=lo;m=0 β−ナフトール−オクタ(エトキシレート)n=8 ;m士O β−ナフトール−ヘキサ(エトキシレート)n=6 ;m=0 β−ナフトール−テトラコサ(プロポキシレート)n=o ;m=24 β−ナフトール−テトラコサ(エトキシ)−モノ(プロポキシレート)*) n =24 ;m=1β−ナフトール−オクタデカ(エトキシ)−ジ(プロポキシレ ート)ネ) n=20;m=2β−ナフトール−モノ(プロポキシ)−テトラコ サ(エトキシレート)本) n=24;m=1β−ナフトールージ(プロポキシ )−オクタデカ(エトキシレート)*) n=20 ;m=2*) 混合−また はブロックポリマー 窒素含有チオ化合物として、チオ尿素およびチオ尿素誘導体ならびにS−および N−含有複素環式化合物を使用される。
第2表は窒素含有チオ化合物(いわゆるチオ尿素誘導体)の例が記載され、第3 表にはポリマーのフェナゾニウム化合物の例が記載されている。
第2表 チオ尿素 N〜ルアセチルチオ素 N−)リフルオロアセチチオ深索 N−エチルチオ尿素 N−シアノアセチルチオ尿素 N−アリルチオ7素 0−トルイルチオ原素 N、N’ −ブチレンチオ尿素 チアゾリジンチオール(2) 4−チアゾリンチオール(2) イミダゾリジンチオール(2) (N、N’ −エチルチオ尿素〕 4−メチル−2−ピリミジンチオール 2−チオウラシル 第3表 ポリ(6−メチル−7−シメチルアミノー5−フェニル−フェナゾニウムスルフ ェート) ポリ(2−メチル−7−ジメチルアミノー5−)工ニル−フェナゾニウムクロリ ド) ポリ(2−メチル−7−シメチルアミノー5−フェニル−フェナゾニウムスルフ ェート) ポリ(5−メチル−7−シメチルアミノーフエナゾニウムアセテート) ポリ(2−メチル−7−アニソツー5−フェニル−フェナゾニウムスルフェート ) ポリ(2−メチル−7−シメチルアミノーフエナゾニウムスルフエート) ポリ(7−メチルアミノ−5−フェニル−フェナゾニウムアセテート) ポリ(7−エチルアミノ−2,5−ジフエニル−フェナゾニウムクロリド) ポリ(2,8−ジメチル−7−シエチルアミノー5−p−トルイル−フェナゾニ ウムクロリド)ポリ(2,5,8−1リフェニル−7−ジメチルアミノ−フェナ ゾニウムスルフェート) ポリ(2,8−ジメチル−7−アミノ−5−フェニル−フェナゾニウムスルフェ ート) ポリ(7−シメチルアミノー5−フェニル−フェナゾニウムクロリド) 本発明による溶液のために、第1.2および3表中に記載された化合物の混合物 を使用することもできる。
銅析出の明らかな改善を達成するために、β−ナフトールエトキシレートを添加 しなければならない有利な量は、約0.005〜3g/リットル、有利に0゜0 1〜0.25g/リットルである。
β−ナフトールエトキシレートは公知であるが、または公知の方法により、β− ナフトールとエチレンオキシドおよび/またはプロピレンオキシドとの反応によ り製造することができる。
本発明による銅浴の個々の成分は、一般に有利に次の限界濃度内で、仕上がった 洛中に含有することができる: 通常の酸素含有の高分子量の化合物 0.0005〜20g/リットル 有利に 0.O1〜5g/リットル 親水性基を有する通常の有機チオ化合物o、oos〜0.2g/リットル 有利に 0.001〜0.03g/リットル通常の窒素含有チオ化合物(いわゆ るチオ尿素誘導体)および/またはポリマーのフェナゾニウム化合物0.000 1〜0.50g/リットル 有利に 0.0005〜0.04g/リットル本発明による浴の基本組成は広い 制限内で変動することができる。一般に次の組成の水溶液が利用される:硫酸銅 (CuSO,−5H,O) 20〜250g/リットル有利に 60〜80g/ リットルまたは180〜220g/リットル 硫酸 50〜350g/リットル 有利に 180〜220 g7リツトルまたは50〜90g/リットル 塩化ナトリウム 0.02〜0.25g/リットル有利に 0.05〜0.12 g/リットル硫酸鋼の代わりに、少なくとも部分的に他の銅塩も使用することが できる。硫酸も部分的にまたは完全にフルオロホウ酸、メタンスルホン酸または 他の酸に代えることができる。塩化ナトリウムの添加は、添加物中に既にハロゲ ンイオンが含まれている場合、完全にまたは部分的に省略することができる。
さらに、浴中に、付加的に光沢剤、レベリング剤または湿潤剤も含まれていても ちよい。
本発明のよる浴の製造のために、基本組成の個々の成分が添加される。
この浴の作業条件は次のようである: pH(−口【:く1 温度=15〜45℃、有$1Jに20〜30℃カソード電流密度+ 0.5〜l  2A/dm”、有利に2〜4A/dm” 電解質の運動は空気の吹き込みにより達成される。
アノードとして0.02〜0.067%のリンの含量を有する銅が使用される。
本発明は、特許請求の範囲により本発明による浴の方法および使用も内容とする 。
次の例は本発明の詳説のために利用する。
例1 次の組成: 硫酸鋼(CuSO,・5HzO) 200.0g/リットル 硫酸 65.0g/リットル 塩化ナトリウム 0.2g/リットル の銅浴に、光沢剤として ポリエチレングリコール 0.2g/リットルビスー(W−スルホプロピル)− ジスルフィド、二ナトリウム塩 0.01g/リットル および ポリマーの7−シメチルアミノー5−フェニル−フェナゾニウムクロリド 0. 02g/リットルを添加した。27℃の電解質温度で、4A/dm!の電流密度 で、空気を吹き込んで良好なレベリングされた光沢性の銅被覆が得られ、この被 覆は、研磨された真鍮板上で正確に観察した場合に微細な粗面性(ビット)が示 された。
この浴に、n=12およびm=oの一般式■の本発明による物質0.025g/ リットルを添加した場合、析出は鏡面光沢性で良好にレベリングされた。欠損箇 所は見られなかった。
例2 次の組成: 硫酸*(CuSO,−5H,O) 80g/リットル濃硫酸 180g/リット ル 塩化ナトリウム 0.08g/リットルの銅浴に、光沢剤として ポリプロピレングリコール 0.6g/リットル3−メルカプトプロパン−1− スルホン酸、ナトリウム塩 0.02g/リットル および N−アセチルチオ尿素 0.003g/リンドルを添加した。30℃の電解質温 度で、引っ掻いた飼ラミネート上に、2A/dm’の電流密度で、光沢性の析出 物が得られ、この場合微細な粗面性(ビット)が見られた。
この沼に、n=24およびm=oの一般式Iの本発明による物質0.05g/リ ットルを添加した場合、銅被覆は光沢性で、損傷は含まれなかった。
国際調査報告

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.一般式I: ▲数式、化学式、表等があります▼I [式中、n=0〜50およびm=0〜50を表わし、その際、n+m>3である ]で示されるβ−ナフト−ルアルコキシレートからなる少なくとも1種類の混合 物、チオ尿素またはチオ尿素誘導体および/またはポリマーのフェナゾニウム化 合物を含有する、光沢性のレベリングされた銅被覆の電気的析出のための水性酸 性浴。 2.一般式Iのβ−ナフト−ルアルコキシレートとして、 β−ナフト−ル−テトラコサ(エトキシレート)β−ナフト−ル−エイコサ(エ トキシレート)β−ナフト−ル−オクタデカ(エトキシレート)β−ナフト−ル −ヘキサデカ(エトキシレート)β−ナフト−ル−テトラデカ(エトキシレート )β−ナフト−ル−トリデカ(エトキシレート)β−ナフト−ル−ドデカ(エト キシレート)β−ナフト−ル−デカ(エトキシレート)β−ナフト−ル−オクタ (エトキシレート)β−ナフト−ル−ヘキサ(エトキシレート)β−ナフト−ル −テトラコサ(ブロボキシレート)β−ナフト−ル−テトラコサ(エトキシ)− モノ(ブロボキシレート) β−ナフト−ル−オクタデカ(エトキシ)−ジ(ブロボキシレート) β−ナフト−ル−モノ(ブロボキシ)−テトラコサ(エトキシレート) β−ナフト−ル−ジ(ブロボキシ)−オクタデカ(エトキシレート)またはこれ らの化合物の混合物を含有する請求項1記載の浴。 3.一般式Iのβ−ナフト−ルアルコキシレートを、0.005〜3g/リット ルの濃度で含有する請求項1または2記載の浴。 4.チオ尿素誘導体として、 N−アセチルチオ尿素 N−トリフルオロアセチルチオ尿素 N−エチルチオ尿素 N−シアノアセチルチオ尿素 N−アリルチオ尿素 o−トルイルチオ尿素 N,N′−ブチレンチオ尿素 チアゾリジンチオール(2) 4−チアゾリンチオール(2) イミダゾリジンチオール(2)(N,N′−エチレンチオ尿素) 4−メチル−2−ビリミジンチオール 2−チオウラシル またはこれらの化合物の混合物を含有する請求項1記載の浴。 5.チオ尿素またはチオ尿素誘導体を、0.000 1〜0.5g/リットルの濃度で含有する請求項1から4までのいずれか1項記 載の浴。 6.ポリマーのフェナゾニウム化合物として、ポリ(6−メチル−7−ジメチル アミノ−5−フェニル−フェナゾニウムスルフェート) ポリ(2−メチル−7−ジエチルアミノ−5−フェニル−フェナゾニウムクロリ ド) ポリ(2−メチル−7−ジメチルアミノ−5−フェニル−フェナゾニウムスルフ ェート) ポリ(5−メチル−7−ジメチルアミノ−フェナゾニウムアセテート) ポリ(2−メチル−7−アニリノ−5−フェニル−フェナゾニウムスルフェート ) ポリ(2−メチル−7−ジメチルアミノ−フェナゾフェナゾニウムスルフェート ) ポリ(2−メチル−7−ジメチルアミノ−フェナゾニウムスルフェート) ポリ(7−メチルアミノ−5−フェニル−フェナゾニウムアセテート) ポリ(7−エチルアミノ−2,5−ジフェニル−フエナゾニウムクロリド) ポリ(2,8−ジメチル−7−ジエチルアミノ−5−p−トリル−フェナゾニウ ムクロリド)β−ナフト−ル−テトラコサ(エトキシ)−モノ(ブロボキシレー ト) β−ナフト−ル−オクタデカ(エトキシ)−ジ(ブロボキシレート) β−ナフト−ル−モノ(ブロボキシ)−テトラコサ(エトキシレート) β−ナフト−ル−ジ(ブロボキシ)−オクタデカ(エトキシレート)またはこれ らの化合物の混合物を含有する請求項1記載の浴。 3.一般式Iのβ−ナフト−ルアルコキシレートを、0.005〜3g/リット ルの濃度で含有する請求項1または2記載の浴。 4.チオ尿素誘導体として、 N−アセチルチオ尿素 N−トリフルオロアセチルチオ尿素 N−エチルチオ尿素 N−シアノアセチルチオ尿素 N−アリルチオ尿素 o−トルイルチオ尿素 N,N′−ブチレンチオ尿素 チアゾリジンチオール(2) 4−チアゾリンチオール(2) イミダゾリジンチオール(2)(N,N′−エチレンチオ尿素) 4−メチル−2−ピリミジンチオール 2−チオウラシル またはこれらの化合物の混合物を含有する請求項1記載の浴。 5.チオ尿素またはチオ尿素誘導体を、0.0001〜0.5g/リットルの濃 度で含有する請求項1から4までのいずれか1項記載の浴。 6.ポリマーのフェナゾニウム化合物として、ポリ(6−メチル−7−ジメチル アミノ−5−フェニル−フェナゾニウムスルフェート) ポリ(2−メチル−7−ジエチルアミノ−5−フェニル−フェナゾニウムクロリ ド) ポリ(2−メチル−7−ジメチルアミノ−5−フェニル−フェナゾニウムスルフ ェート) ポリ(5−メチル−7−ジメチルアミノ−フェナゾニウムアセテート) ポリ(2−メチル−7−アニリノ−5−フェニル−フェナゾニウムスルフェート ) ポリ(2−メチル−7−ジメチルアミノ−フェナゾニウムスルフェート) ポリ(7−メチルアミノ−5−フェニル−フェナゾニウムアセテート) ポリ(7−エチルアミノ−2,5−ジフェニル−フエナゾニウムクロリド) ポリ(2,8−ジメチル−7−ジエチルアミノ−5−p−トリル−フェナゾニウ ムクロリド)ポリ(2,5,8−トリフェニル−7−ジメチルアミノーフェナゾ ニウムスルフェート) ポリ(2.8−ジメチル−7−アミノ−5−フェニル−フェナゾニウムスルフェ ート) ポリ(7−ジメチルアミノ−5−フェニル−フェナゾニウムクロリド) またはこれらの化合物の混合物を含有する請求項1記載の浴。 7.ポリマーのフェナゾニウム化合物を0.0001〜0.5g/リットルの濃 度で含有する請求項1から6までのいずれか1項記載の浴。 8.少なくとも1種類の酸素含有の高分子量の化合物を付加的に含有する請求項 1記載の浴。 9. ポリビニルアルコール カルボキシメチルセルロース ポリエチレングリコール ポリプロピレングリコール ステアリン酸−ポリグリコールエステルオレイン酸−ポリグリコールエステル ステアリルアルコール−ポリグリコールエーテルノニルフェニオール−ポリグリ コールエーテルオクトナルポリアルキレングリコールエーテルオクタンジオール −ビス(ポリアルキレングリコールエーテル) ポリオキシプロピレングリコール ポリエチレン−プロピレングリコール またはこれらの化合物の混合物を含有する請求項8記載の浴。 10.酸素含有の高分子量の化合物を0.005〜20g/リットルの濃度で含 有する請求項9記載の浴。 11.水溶性の親水性基を有する有機の窒素不含のチオ化合物を付加的に含有す る請求項1記載の浴。 12. 3−メルカブトプロパン−1−スルホン酸、ナトリウム塩 チオリン酸−O−エチル−ビス−(w−スルホプロピル)−エステル、ニナトリ ウム塩 チオリン酸−トリス−(w−スルホプロピル)−エステル、三ナトリウム塩 エチレンジチオジプロピルスルホン酸、ナトリウム塩 ジ−n−プロピルチオエーテル−ジ−wスルホン酸、ニナトリウム塩 ビス−(w−スルホプロピル)ジスルフィド、ニナトリウム塩 ビス−(w−スルホヒドロキシプロピル)ジスルフィド、ニナトリウム塩 ビス−(w−スルホブチル)ジスルフィド、ニナトリウム塩 メチル−(w−スルホプロピル)ジスルフィド、ナトリウム塩 メチル−(w−スルホブチル)トリスルフィド、ナトリウム塩またはこれらの化 合物の混合物を含有する請求項11記載の浴。 13.水溶性の親水性基を有する有機の窒素不含のチオ化合物を、0.0005 〜0.2g/リットルの濃度で含有する請求項12記載の浴。 14.銅の電気的析出のための請求項1から13までのいずれか1項記載の浴の 使用。
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