JPH064569B2 - スレオ−(2rs)−3−アミノ−2−ヒドロキシ−4−オキソ−4−フエニル酪酸誘導体の新規製造法 - Google Patents

スレオ−(2rs)−3−アミノ−2−ヒドロキシ−4−オキソ−4−フエニル酪酸誘導体の新規製造法

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JPH064569B2
JPH064569B2 JP335285A JP335285A JPH064569B2 JP H064569 B2 JPH064569 B2 JP H064569B2 JP 335285 A JP335285 A JP 335285A JP 335285 A JP335285 A JP 335285A JP H064569 B2 JPH064569 B2 JP H064569B2
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amino
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哲治 田中
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はベスタチン((2S,3R)−3−アミノ−2
−ヒドロキシ−4−フェニルブタノイル−(S)−ロイシ
ン)の中間体であるスレオ−(2RS)−3−アミノ−
2−ヒドロキシ−4−オキソ−4−フェニル酪酸誘導体
の製造法に関する。ベスタチンはアミノペプチダーゼB
に対して強力な酵素阻害作用を有すると同時に、免疫賦
活作用を有し、免疫性制癌剤として期待されている化合
物である。
〔従来の技術〕
一般的(II)で表わされるスレオ−(2RS)−3−アミ
ノ−2−ヒドロキシ−4−オキソ−4−フェニル酪酸誘
導体の製造法としては、フエナシルアミン誘導体に塩基
の存在下グリオキシル酸誘導体を反応させることにより
製造する方法(特開昭55−72151号)が知られて
いる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、上述の方法は下記反応式 (式中、R1は反応に関与しない置換基を有してもよい
フェニル基を示し、R2は保護されたアミノ基を示し、
3は水素原子あるいはエステル残基を示す。) で示され、式(I)で表わされるエリスロ異性体および式
(II)で表わされるスレオ異性体の混合物が得られる。エ
リスロ異性体は約30%生成し、このエリスロ異性体は
ベスタチンの原料としては使えないため従来は廃棄され
ており、その有効利用が望まれていた。
〔問題点を解決するための手段〕
そこで、本発明者らは、一般式(I)で表わされるエリス
ロ異性体を一般式(II)で表わされるスレオ異性体に変換
すべく種々検討した結果一般式(I) (式中、R1は反応に関与しない置換基を有してもよい
フェニル基、R2は保護されたアミノ基、R3は水素原子
またはエステル残基を示す。) で表わされるエリスロ−(2RS)−3−アミノ−2−
ヒドロキシ−4−オキソ−4−フェニル酪酸誘導体に塩
基を作用させることにより一般式(II) (式中、R1,R2およびR3は前記に同じ。) で表わされるスレオ−(2RS)−3−アミノ−2−ヒ
ドロキシ−4−オキソ−4−フェニル酪酸誘導体となる
ことを見い出し本発明を完成した。
本発明方法においては、下記反応式 (式中、R1,R2およびR3は前記に同じ。) に示されるようにレトロアルドール縮合−再アルドール
縮合が起こり、それに伴って一般式(II)で表わされるス
レオ異性体が優先的に生成してくるものと思われる。
本発明を更に詳しく説明すると、R1としては非置換の
フェニル基または置換基として1以上の反応に関与しな
い低級アルキル基、ハロゲン原子、低級アルコキシ基等
の基を有するフェニル基をあげることができる。低級ア
ルキル基または低級アルコキシ基としては例えばメチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基等またはメトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等などをあ
げることができる。
これらの基はオルト位、パラ位またはメタ位のいずれに
置換していてもよい。またR2の保護されたアミノ基の
保護基としてはホルミル基、アセチル基、クロロアセチ
ル基、ジクロロアセチル基、トリクロロアセチル基、ブ
ロモアセチル基、2−クロロプロピオニル基、2−ブロ
モプロピオニル基、ベンゾイル基などのアシル基;メト
キシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イソプロピ
ルオキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル
基、t−ブチルオキシカルボニル基、t−アミルオキシ
カルボニル基、2,2,2−トリクロロエトキシカルボ
ニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘ
キシルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル
基、p−メトキシベンジルオキシカルボニル基、p−ハ
ロゲノベンジルオキシカルボニル基、p−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル基などのオキシカルボニル基;カル
バミル基、メチルカルバミル基、エチルカルバミル基、
プロピルカルバミル基、ブチルカルバミル基、フェニル
カルバミル基などのカルバミル基およびフタリル基など
があげられる。
3のエステル残基の例としてはメチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基などの炭素数1ないし6個の低級
アルキル基があげられ、この低級アルキル基は反応に支
障をきたさないフェニル、クロルなどの置換基を有して
いてもよい。なお本明細書において低級アルキル基とは
炭素数1ないし6のアルキル基を意味する。
本発明の反応は溶媒(例えば水、水と有機溶媒の混合溶
媒あるいは有機溶媒)中で、塩基の存在下に一般式(I)
で表わされるエリスロ−(2RS)−3−アミノ−2−
ヒドロキシ−4−オキソ−4−フェニル酪酸誘導体を攪
拌することにより行われる。
本発明において、水との混合溶媒として使用する有機溶
媒としては水に溶けるものであれば特に制限はないが、
メタノール、エタノール、プロパノールなどの低級アル
コール類、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン
類、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジ
メチルスルホキシドが好ましい。
また有機溶媒中で反応が行うとき、有機溶媒としては原
料が溶けるものであれば特に制限はないが、上記の溶媒
のほか、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、ジ
エチルエーテル、ジイソプロピルエーテルなどのエーテ
ル類、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化
水素類が好ましい。
本発明に用いる反応温度は0℃から溶媒の沸点まで使用
することができるが、室温から60℃くらいで行うのが
好ましく、通常0.5時間ないし5時間で反応は完結す
る。
本発明に使用する塩基としては水酸化カリウム、水酸化
ナトリウムなどの水酸化アルカリ、炭酸カリウム、炭酸
ナトリウムなどの炭酸アルカリ、、炭酸水素カリウム、
炭酸水素ナトリウムなどの炭酸水素アルカリ、アンモニ
アなどの無機塩基、酢酸カリウム、酢酸ナトリウムなど
の低級脂肪酸のアルカリ金属塩、ピリジン、トリメチル
アミン、トリエチルアミンなどの3級アミンなどの有機
塩基があげられるが、水あるいは含水有機溶媒中で反応
を行うときは無機塩基特に炭酸水素カリウム、炭酸水素
ナトリウムなどの炭酸水素アルカリが好ましく、有機溶
媒あるいは含水有機溶媒中で反応を行うときは有機塩基
特にトリエチルアミンが好ましく、使用する量は反応液
の液性がアルカリ性を保つ量であれば特に制限はないが
通常pH3〜11好ましくはpH9〜10程度である。
このようにして一般式(I)のエリスロ異性体から一般式
(II)のスレオ異性体を得ることができる。この反応液か
らのスレオ異性体の単離は例えば次のようにして行われ
る。
(イ)R3が水素原子のとき、 反応溶媒として水を用いた場合には反応液に酸を加
え、酸性にし、結晶を析出させこの結晶を取すること
により、 反応溶媒として水と有機溶媒の混合溶媒を用いて反
応を行った場合には、先ず有機溶媒を減圧下に除去し、
次いで酸を加え、酸性にし、結晶を析出させ、この結晶
を取することにより行われる。
(ロ)R3がエステル残基のときは、通常反応溶媒として有
機溶媒または含水溶媒が使用されるので、反応後反応液
を減圧濃縮して有機溶媒を留去し、水を加えて、酢酸エ
チルなどで抽出し、水洗し、無水硫酸ナトリウムなどを
加えて脱水乾燥し、溶媒を減圧で留去し、残渣にn−ヘ
キサンなどを加え、析出した結晶を取することによっ
て行われる。
かくして得られた一般式(II)で表わされるスレオ−(2
RS)−3−アミノ−2−ヒドロキシ−4−オキソ−4
−フェニル酪酸誘導体の代表的な例としてはスレオ−
(2RS)−3−アセチルアミノ−2−ヒドロキシ−4
−オキソ−4−フェニル酪酸、スレオ−(2RS)−3
−アセチルアミノ−2−ヒドロキシ−4−オキソ−4−
フェニル酪酸のエチルエステル、スレオ−(2RS)−
3−クロルアセチルアミノ−2−ヒドロキシ−4−オキ
ソ−4−フェニル酪酸、スレオ−(2RS)−3−メト
キシカルボニルアミノ−2−ヒドロキシ−4−オキソ−
4−フェニル酪酸、スレオ−(2RS)−3−t−ブト
キシカルボニルアミノ−2−ヒドロキシ−4−オキソ−
4−フェニル酪酸、スレオ−(2RS)−3−ベンゾイ
ルアミノ−2−ヒドロキシ−4−オキソ−4−フェニル
酪酸、スレオ−(2RS)−3−アセチルアミノ−2−
ヒドロキシ−4−オキソ−4−(4′−メトキシフェニ
ル)酪酸、スレオ−(2RS)−3−アセチルアミノ−
2−ヒドロキシ−4−オキソ−4−(3′−メトキシフ
ェニル)酪酸などがあげられる。
〔発明の効果〕
本発明方法によれば、従来副生成物として利用されない
まま廃棄されていた一般式(I)で表わされるエリスロ異
性体の大部分を一般式(II)で表わされるスレオ異性体に
容易に交換できることから、究極的にはほとんど定量的
にスレオ異性体が得られることになり、ベスタチン及び
その誘導体の工業的製法として極めて有利な方法であ
る。
以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明する。
実施例1 100mlナスフラスコにエリスロ−(2RS)−3−ア
セチルアミノ−2−ヒドロキシ−4−オキソ−4−フェ
ニル酪酸(式I;R1=C65,R2=NHCOCH3=H)5.0
gおよび水50mlを入れ1規定水酸化ナトリウムでpH9.
5〜10に調整した後40〜45℃で2時間攪拌する。
次いで、35%塩酸でpH1に調整し、析出した結晶を
取十分水洗した後50℃で真空乾燥することによりスレ
オ−(2RS)−3−アセチルアミノ−2−ヒドロキシ
−4−オキソ−4−フェニル酪酸(II,R1=C65
2=NHCOCH3,R3=H)結晶3.1gを得た(収率62.0
%)。
ここで得た結晶のTLCのRf値(シリカゲル、展開溶媒ク
ロロホルム:メタノール:酢酸=95:5:3)、IR,N
MR,融点は別途合成した標準品のそれと同一であった。
実施例2 100mlナスフラスコにエリスロ−(2RS)−3−ベ
ンゾイルアミノ−2−ヒドロキシ−4−オキソ−4−フ
ェニル酪酸(式I:R1=C65,R2=NHCOC6H5,R3
=H)5.0g、水33mlおよびメタノール17mlを入
れ、20%炭酸ナトリウム水溶液でpH10〜10.5に調整
した後45〜55℃で3時間攪拌する。次いで、減圧下
にメタノールを留去した後35%塩酸でpH1に調整し、
析出した結晶を取、十分水洗した後50℃で真空乾燥
することによりスレオ−(2RS)−3−ベンゾイルア
ミノ−2−ヒドロキシ−4−オキソ−4−フェニル酪酸
(II,R1=C65,R2=NHCOC6H5,R3=H)結晶3.0
gを得た(収率60.0%)。
ここで得た結晶のTLCのRf値(シリカゲル、展開溶媒ク
ロロホルム:メタノール:酢酸=95:5:3)、IR,N
MR,融点は別途合成した標準品のそれと同一であった。
実施例3 100mlナスフラスコにエリスロ−(2RS)−3−ア
セチルアミノ−2−ヒドロキシ−4−オキソ−(4′−
メトキシフエニル)酪酸(式I;R1=C64OCH
3(p)R2=NHCOCH3,R3=H)5.0g、水33mlおよ
びメタノール17mlを用い実施例2と同様に反応および
後処理を行ってスレオ−(2RS)−3−アセチルアミ
ノ−2−ヒドロキシ−4−オキソ−(4′−メトキシフ
エニル)酪酸(II,R1=C64OCH3(p),R2=N
HCOCH3,R3=H)結晶3.1gを得た(収率62.0%)。
ここで得た結晶のTLCのRf値を(シリカゲル、展開溶媒
クロロホルム、:メタノール:酢酸=95:5:3)、
IR,NMR,融点は別途合成した標準品のそれと同一
であった。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(I) (式中、R1は反応に関与しない置換基を有してもよい
    フェニル基を示し、R2は保護されたアミノ基を示し、
    3は水素原子あるいはエステル残基を示す。) で表されるエリスロ−(2RS)−3−アミノ−2−ヒ
    ドロキシ−4−オキソ−4−フェニル酪酸誘導体に塩基
    を作用させることを特徴とする一般式(II) (式中、R1,R2およびR3は前記に同じ。) で表わされるスレオ−(2RS)−3−アミノ−2−ヒ
    ドロキシ−4−オキソ−4−フェニル酪酸誘導体の製造
    法。
JP335285A 1985-01-14 1985-01-14 スレオ−(2rs)−3−アミノ−2−ヒドロキシ−4−オキソ−4−フエニル酪酸誘導体の新規製造法 Expired - Lifetime JPH064569B2 (ja)

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