JPH0645658A - 半導体素子接着基板 - Google Patents
半導体素子接着基板Info
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- JPH0645658A JPH0645658A JP19886192A JP19886192A JPH0645658A JP H0645658 A JPH0645658 A JP H0645658A JP 19886192 A JP19886192 A JP 19886192A JP 19886192 A JP19886192 A JP 19886192A JP H0645658 A JPH0645658 A JP H0645658A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】発光ダイオードが形成された半導体素子を複数
個列状に基板上に接着した際にも、各発光ダイオードの
光出射面の位置と高さを均一に揃え、素子間の光出力の
ばらつきを極力抑えることができ、印字ドットの大きさ
や印字濃度の均一性の高い、高品質な印字が可能な光プ
リンター光源等を実現することができる半導体素子接着
基板を提供する。 【構成】少なくとも発光ダイオードの発光層と該発光層
を発光させるための電極とを含む積層構造より成る発光
ダイオード１２が形成された半導体素子２を接着する半
導体素子接着基板１であって、半導体素子２との接着部
分に、表面から裏面に通じる孔７が設けられており、そ
の孔７によって素子を接着する際の余分な接着剤３を取
り除き、素子２と基板１との密着を均一にして発光ダイ
オードの光出射面の高さを均一にしたことを特徴とす
る。
個列状に基板上に接着した際にも、各発光ダイオードの
光出射面の位置と高さを均一に揃え、素子間の光出力の
ばらつきを極力抑えることができ、印字ドットの大きさ
や印字濃度の均一性の高い、高品質な印字が可能な光プ
リンター光源等を実現することができる半導体素子接着
基板を提供する。 【構成】少なくとも発光ダイオードの発光層と該発光層
を発光させるための電極とを含む積層構造より成る発光
ダイオード１２が形成された半導体素子２を接着する半
導体素子接着基板１であって、半導体素子２との接着部
分に、表面から裏面に通じる孔７が設けられており、そ
の孔７によって素子を接着する際の余分な接着剤３を取
り除き、素子２と基板１との密着を均一にして発光ダイ
オードの光出射面の高さを均一にしたことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光プリンター光源等に
用いられる発光ダイオードが形成された半導体素子を接
着する半導体素子接着基板に関する。
用いられる発光ダイオードが形成された半導体素子を接
着する半導体素子接着基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体素子の基板への接着方法と
しては、図１２に示すように、（ａ）基板２１上にＡｇ
（又はＣｕ）ペースト等の導電性接着剤２３を接着剤供
給装置によりディップして塗布し、（ｂ）その後に半導
体保持装置２５で半導体素子２２を基板２１上に移動さ
せ、（ｃ）半導体素子２２を基板２１に加圧して接着す
る方法や、図１３に示すように、（ａ）スタンパー３４
に接着剤３３を付着した後、（ｂ）スタンパー３４を基
板３１に押しつけて接着剤３３を塗布し、（ｃ）その後
に半導体保持装置３５で半導体素子３２を基板３１上に
移動させ、（ｄ）半導体素子３２を基板３１に加圧して
接着する方法、あるいは、図１４に示すように、発光
ダイオード（ＬＥＤ）チップ等の半導体素子の裏面に接
着剤を塗布した後、加圧ツール等の半導体保持装置で
半導体素子を基板上に移動させ、半導体素子を基板３１
に加圧して接着する方法（日経マイクロデバイス、１９
８９年７月）が知られている。
しては、図１２に示すように、（ａ）基板２１上にＡｇ
（又はＣｕ）ペースト等の導電性接着剤２３を接着剤供
給装置によりディップして塗布し、（ｂ）その後に半導
体保持装置２５で半導体素子２２を基板２１上に移動さ
せ、（ｃ）半導体素子２２を基板２１に加圧して接着す
る方法や、図１３に示すように、（ａ）スタンパー３４
に接着剤３３を付着した後、（ｂ）スタンパー３４を基
板３１に押しつけて接着剤３３を塗布し、（ｃ）その後
に半導体保持装置３５で半導体素子３２を基板３１上に
移動させ、（ｄ）半導体素子３２を基板３１に加圧して
接着する方法、あるいは、図１４に示すように、発光
ダイオード（ＬＥＤ）チップ等の半導体素子の裏面に接
着剤を塗布した後、加圧ツール等の半導体保持装置で
半導体素子を基板上に移動させ、半導体素子を基板３１
に加圧して接着する方法（日経マイクロデバイス、１９
８９年７月）が知られている。
【０００３】また、後述する問題点解決のために特開昭
６１−１８１１７７号公報記載のような構造（図１５）
を持たせているものもある。すなわち、図１５（ａ），
（ｂ）は、半導体素子４１，４２のＰＮ接合部より下方
側４１の側壁に接着剤這い上がり防止のためのでっぱり
４９を設け、そのでっぱり部４９により接着時における
接着剤４７の這い上がりを防止した構造であり、図１５
（ｃ），（ｄ）は、半導体素子４１，４２のＰＮ接合部
より下方側４１の側壁に接着剤這い上がり防止のための
段差５０を設け、その段差５０により接着時における接
着剤４７の這い上がりを防止した構造である。
６１−１８１１７７号公報記載のような構造（図１５）
を持たせているものもある。すなわち、図１５（ａ），
（ｂ）は、半導体素子４１，４２のＰＮ接合部より下方
側４１の側壁に接着剤這い上がり防止のためのでっぱり
４９を設け、そのでっぱり部４９により接着時における
接着剤４７の這い上がりを防止した構造であり、図１５
（ｃ），（ｄ）は、半導体素子４１，４２のＰＮ接合部
より下方側４１の側壁に接着剤這い上がり防止のための
段差５０を設け、その段差５０により接着時における接
着剤４７の這い上がりを防止した構造である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の半導体素子の接着方法においては、図１６のよう
に、基板５８に半導体素子５１を接着した際に、余分な
接着剤５７が素子の側面に流れ出し、素子のＰＮ接合部
でショートを引き起こしたり、また、図１７に示すよう
に、半導体素子６１，６２が発光ダイオードの場合に
は、特に端面発光型においてその光出射面に接着剤６７
が這い上がり発光部６３からの出射光を妨げるという問
題がある。また、図１８のように、基板８１上に複数の
発光ダイオード素子８２を一列に並べる場合には、余分
な接着剤８３による素子間のショートが起きたり、さら
には、図１９のように、発光ダイオード素子８２を接着
した際に、素子間での光出射面の高さや位置が揃わず、
光出力にばらつきを生じてしまうという問題ある。この
ため、素子８２を接着した基板８１を光プリンター光源
として用いた場合には、発光ダイオードの光出力のばら
つきによって印字ドットの大きさや印字濃度に大きな差
がでてしまうという問題点がある。これらの問題点を解
決するために、前述した特開昭６１−１８１１７７号公
報記載のような構造（図１５）を持たせて、余分な接着
剤の這い上がりを防いでいるものもあるが、この場合に
は、素子製作のプロセスが複雑になるという問題点があ
る。
来の半導体素子の接着方法においては、図１６のよう
に、基板５８に半導体素子５１を接着した際に、余分な
接着剤５７が素子の側面に流れ出し、素子のＰＮ接合部
でショートを引き起こしたり、また、図１７に示すよう
に、半導体素子６１，６２が発光ダイオードの場合に
は、特に端面発光型においてその光出射面に接着剤６７
が這い上がり発光部６３からの出射光を妨げるという問
題がある。また、図１８のように、基板８１上に複数の
発光ダイオード素子８２を一列に並べる場合には、余分
な接着剤８３による素子間のショートが起きたり、さら
には、図１９のように、発光ダイオード素子８２を接着
した際に、素子間での光出射面の高さや位置が揃わず、
光出力にばらつきを生じてしまうという問題ある。この
ため、素子８２を接着した基板８１を光プリンター光源
として用いた場合には、発光ダイオードの光出力のばら
つきによって印字ドットの大きさや印字濃度に大きな差
がでてしまうという問題点がある。これらの問題点を解
決するために、前述した特開昭６１−１８１１７７号公
報記載のような構造（図１５）を持たせて、余分な接着
剤の這い上がりを防いでいるものもあるが、この場合に
は、素子製作のプロセスが複雑になるという問題点があ
る。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あって、上述した従来の問題点を解消し、発光ダイオー
ドが形成された半導体素子を複数個列状に基板上に接着
した際にも、各発光ダイオードの光出射面の位置と高さ
を均一に揃え、素子間の光出力のばらつきを極力抑える
ことができ、印字ドットの大きさや印字濃度の均一性の
高い、高品質な印字が可能な光プリンター光源等を実現
することができる半導体素子接着基板を提供することを
目的とする。
あって、上述した従来の問題点を解消し、発光ダイオー
ドが形成された半導体素子を複数個列状に基板上に接着
した際にも、各発光ダイオードの光出射面の位置と高さ
を均一に揃え、素子間の光出力のばらつきを極力抑える
ことができ、印字ドットの大きさや印字濃度の均一性の
高い、高品質な印字が可能な光プリンター光源等を実現
することができる半導体素子接着基板を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、少なくとも発光ダイオードの発
光層と該発光層を発光させるための電極とを含む積層構
造より成る発光ダイオードが形成された半導体素子を接
着する基板であって、半導体素子との接着部分に、表面
から裏面に通じる孔が設けられており、その孔によって
素子を接着する際の余分な接着剤を取り除き、素子と基
板との密着を均一にして発光ダイオードの光出射面の高
さを均一にしたことを特徴とする。
め、請求項１の発明は、少なくとも発光ダイオードの発
光層と該発光層を発光させるための電極とを含む積層構
造より成る発光ダイオードが形成された半導体素子を接
着する基板であって、半導体素子との接着部分に、表面
から裏面に通じる孔が設けられており、その孔によって
素子を接着する際の余分な接着剤を取り除き、素子と基
板との密着を均一にして発光ダイオードの光出射面の高
さを均一にしたことを特徴とする。
【０００７】請求項２の発明は、少なくとも発光ダイオ
ードの発光層と該発光層を発光させるための電極とを含
む積層構造より成る発光ダイオードが形成された半導体
素子を接着する基板であって、基板表面には半導体素子
の形状に合わせた溝が設けられており、その溝に合わせ
て半導体素子を埋め込むことによって素子の位置、すな
わち光出射面の位置を揃え、且つ溝の底部の半導体素子
との接着部分には表面から裏面に通じる孔が設けられて
おり、その孔によって素子を接着する際の余分な接着剤
を取り除き、素子と基板との密着を均一にして発光ダイ
オードの光出射面の高さを均一にし、光出力を均一化し
たことを特徴とする。
ードの発光層と該発光層を発光させるための電極とを含
む積層構造より成る発光ダイオードが形成された半導体
素子を接着する基板であって、基板表面には半導体素子
の形状に合わせた溝が設けられており、その溝に合わせ
て半導体素子を埋め込むことによって素子の位置、すな
わち光出射面の位置を揃え、且つ溝の底部の半導体素子
との接着部分には表面から裏面に通じる孔が設けられて
おり、その孔によって素子を接着する際の余分な接着剤
を取り除き、素子と基板との密着を均一にして発光ダイ
オードの光出射面の高さを均一にし、光出力を均一化し
たことを特徴とする。
【０００８】すなわち、本発明の要旨とするところは、
請求項１では、半導体素子を接着する基板の、素子との
接着部分に素子の大きさより小さい表面から裏面に通じ
る孔を設け、裏面側より素子を、孔を通して吸着させる
ことにより余分な接着剤を孔に吸い出し、素子と基板と
の密着を均一にして、発光ダイオードの光出射面の高さ
を均一にすることにより、光出力のばらつきを補正する
ことができることを特徴としたことである。
請求項１では、半導体素子を接着する基板の、素子との
接着部分に素子の大きさより小さい表面から裏面に通じ
る孔を設け、裏面側より素子を、孔を通して吸着させる
ことにより余分な接着剤を孔に吸い出し、素子と基板と
の密着を均一にして、発光ダイオードの光出射面の高さ
を均一にすることにより、光出力のばらつきを補正する
ことができることを特徴としたことである。
【０００９】また、請求項２では、基板上に、半導体素
子（特に、端面発光型発光ダイオード素子において）の
発光面に平行な側面の形状と発光面に垂直な側面の幅に
合わせた凹状で且つ半導体素子のＰＮ接合部の高さより
浅い溝が設けられており、さらにその溝の底部に請求項
１と同様の孔が設けられていて、半導体素子を溝に合わ
せて埋め込んで接着することにより、素子の位置、つま
り光出射面の位置が均一化される。さらに請求項１と同
様の特徴により、発光ダイオードの光出射面の高さも均
一化される。このため、半導体素子を基板上に複数個並
べる際に、各素子を均一に並べることができ、各発光ダ
イオード間の光出射面の位置と高さのばらつきを補正す
ることができることを特徴したことである。尚、基板の
材質は、シリコン、アルミナ、シリカ等、一般に半導体
素子の接着固定に用いられている材料なら何でも良い。
また、溝及び孔の形成方法は、エッチング、機械加工、
鋳造形成等の方法を用いて形成できる。
子（特に、端面発光型発光ダイオード素子において）の
発光面に平行な側面の形状と発光面に垂直な側面の幅に
合わせた凹状で且つ半導体素子のＰＮ接合部の高さより
浅い溝が設けられており、さらにその溝の底部に請求項
１と同様の孔が設けられていて、半導体素子を溝に合わ
せて埋め込んで接着することにより、素子の位置、つま
り光出射面の位置が均一化される。さらに請求項１と同
様の特徴により、発光ダイオードの光出射面の高さも均
一化される。このため、半導体素子を基板上に複数個並
べる際に、各素子を均一に並べることができ、各発光ダ
イオード間の光出射面の位置と高さのばらつきを補正す
ることができることを特徴したことである。尚、基板の
材質は、シリコン、アルミナ、シリカ等、一般に半導体
素子の接着固定に用いられている材料なら何でも良い。
また、溝及び孔の形成方法は、エッチング、機械加工、
鋳造形成等の方法を用いて形成できる。
【００１０】
【作用】請求項１の半導体素子接着基板によれば、半導
体素子を基板に接着する際の余分な接着剤は孔の部分に
流れ込み、素子は常に同じ高さになるので、発光ダイオ
ードの光出射面の高さを均一化することができる。ま
た、請求項２の半導体素子接着基板によれば、複数の半
導体素子を並べる際に、基板の溝に合わせて素子を並べ
ることができ、発光ダイオードの光出射面の位置を均一
化することにより、光出力の均一化が可能となり、さら
に、請求項１と同様に素子は常に同じ高さになるので、
発光ダイオードの光出射面の高さを均一化することがで
きる。このため、特に、発光ダイオードの発光層、該発
光層を発光させるための電極を含む積層構造より成り、
積層端面より光出力が得られる端面発光型発光ダイオー
ドアレイからなる光プリンター光源に本発明の基板を用
いれば、側面に露出された発光部端面からの光が、側面
に這い上がった接着剤で邪魔されることが無くなるの
で、本発明は非常に有効である。
体素子を基板に接着する際の余分な接着剤は孔の部分に
流れ込み、素子は常に同じ高さになるので、発光ダイオ
ードの光出射面の高さを均一化することができる。ま
た、請求項２の半導体素子接着基板によれば、複数の半
導体素子を並べる際に、基板の溝に合わせて素子を並べ
ることができ、発光ダイオードの光出射面の位置を均一
化することにより、光出力の均一化が可能となり、さら
に、請求項１と同様に素子は常に同じ高さになるので、
発光ダイオードの光出射面の高さを均一化することがで
きる。このため、特に、発光ダイオードの発光層、該発
光層を発光させるための電極を含む積層構造より成り、
積層端面より光出力が得られる端面発光型発光ダイオー
ドアレイからなる光プリンター光源に本発明の基板を用
いれば、側面に露出された発光部端面からの光が、側面
に這い上がった接着剤で邪魔されることが無くなるの
で、本発明は非常に有効である。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。 ［実施例１］図１は本発明の請求項１の特徴を持った半
導体素子接着基板に、端面発光型ＬＥＤアレーが形成さ
れた半導体素子を接着した時の実施例を示す斜視図であ
る。図１に示す半導体素子接着基板１において、基板上
の素子２との接着部分には表面から裏面に通じる孔７が
形成されている。そして、あらかじめ基板１に接着剤３
をディップもしくはスタンプするか、あるいは半導体素
子２の裏面に接着剤３を塗布し、基板１の孔上に素子２
を接着する。そして、基板１の裏面側から孔７を通して
真空吸着装置によって素子２を基板に吸着させることに
より余分な接着剤３を孔７の部分に吸い出し、素子２と
基板１との密着を均一化することができる。
する。 ［実施例１］図１は本発明の請求項１の特徴を持った半
導体素子接着基板に、端面発光型ＬＥＤアレーが形成さ
れた半導体素子を接着した時の実施例を示す斜視図であ
る。図１に示す半導体素子接着基板１において、基板上
の素子２との接着部分には表面から裏面に通じる孔７が
形成されている。そして、あらかじめ基板１に接着剤３
をディップもしくはスタンプするか、あるいは半導体素
子２の裏面に接着剤３を塗布し、基板１の孔上に素子２
を接着する。そして、基板１の裏面側から孔７を通して
真空吸着装置によって素子２を基板に吸着させることに
より余分な接着剤３を孔７の部分に吸い出し、素子２と
基板１との密着を均一化することができる。
【００１２】ここで図２に上記半導体素子２の一例を示
す。この半導体素子２は、ＧａＡｓ基板１０上に端面発
光型発光ダイオード１１を複数個アレイ状に形成した端
面発光型ＬＥＤアレーであって、発光ダイオードは、Ｇ
ａＡｓ基板１０上にＭＯＣＶＤ法によって形成したＧａ
Ａｓバッファー層、Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層、発
光層であるＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ活性層、Ａｌ0.4Ｇａ0.6
Ａｓクラッド層、ＧａＡｓキャップ層の複数の層からな
る積層構造により形成されており、隣接する発光ダイオ
ード１１間は分離溝によって電気的、空間的に分離され
ている。そして、各発光ダイオード１１のＧａＡｓキャ
ップ層上からＧａＡｓ基板１０にかけてはそれぞれ上部
電極１３が形成され、ＧａＡｓ基板１０の裏面には共通
電極が設けられており、各発光ダイオード１１の端面に
形成された発光部１２から光を取り出すようになってい
る。尚、半導体素子としては、図３に示すように発光部
９が一つの単素子を用いることもできる。また、基板１
に形成される孔７の形状としては、図１、図３のような
円形状の他、図１０や図１１に示すような形状を用いて
も構わない。
す。この半導体素子２は、ＧａＡｓ基板１０上に端面発
光型発光ダイオード１１を複数個アレイ状に形成した端
面発光型ＬＥＤアレーであって、発光ダイオードは、Ｇ
ａＡｓ基板１０上にＭＯＣＶＤ法によって形成したＧａ
Ａｓバッファー層、Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層、発
光層であるＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ活性層、Ａｌ0.4Ｇａ0.6
Ａｓクラッド層、ＧａＡｓキャップ層の複数の層からな
る積層構造により形成されており、隣接する発光ダイオ
ード１１間は分離溝によって電気的、空間的に分離され
ている。そして、各発光ダイオード１１のＧａＡｓキャ
ップ層上からＧａＡｓ基板１０にかけてはそれぞれ上部
電極１３が形成され、ＧａＡｓ基板１０の裏面には共通
電極が設けられており、各発光ダイオード１１の端面に
形成された発光部１２から光を取り出すようになってい
る。尚、半導体素子としては、図３に示すように発光部
９が一つの単素子を用いることもできる。また、基板１
に形成される孔７の形状としては、図１、図３のような
円形状の他、図１０や図１１に示すような形状を用いて
も構わない。
【００１３】［実施例２］図４は本発明の請求項２の特
徴を持った半導体素子接着基板に、端面発光型ＬＥＤア
レーが形成された半導体素子を接着した時の実施例を示
す斜視図である。図４において、半導体素子接着基板１
の表面には半導体素子２の端面発光型発光ダイオードの
光出射面の高さより浅い凹状の溝６が形成されており、
さらに溝６の底部には孔７が設けられている。そして、
図６のように、（ａ）あらかじめ基板１に接着剤３を接
着剤供給装置４によりディップもしくはスタンプする
か、あるいは半導体素子２の裏面に接着剤３を塗布し、
（ｂ）半導体素子保持装置５により基板１上の溝６に合
わせて素子２を埋め込み、（ｃ）孔上に素子を接着して
裏面側から孔７を通して真空吸着装置８によって素子２
を基板に吸着させることにより余分な接着剤３を孔７の
部分に吸い出し、素子２と基板１との密着を均一化する
と共に、溝６によって素子の位置を常に一定に揃えるこ
とができる。つまり、半導体素子２の発光ダイオードの
光出射面の高さと位置の規定をすることができる。この
ため光出力を均一化することができる。尚、半導体素子
２は図２に示した実施例１と同じ端面発光型ＬＥＤアレ
ーであるが、図５のように単素子の発光ダイオードから
なる素子でも構わない。また、基板１の溝６の底部に形
成される孔７の形状としては、図４、図５のような円形
状の他、図１０や図１１に示すような形状を用いても構
わない。
徴を持った半導体素子接着基板に、端面発光型ＬＥＤア
レーが形成された半導体素子を接着した時の実施例を示
す斜視図である。図４において、半導体素子接着基板１
の表面には半導体素子２の端面発光型発光ダイオードの
光出射面の高さより浅い凹状の溝６が形成されており、
さらに溝６の底部には孔７が設けられている。そして、
図６のように、（ａ）あらかじめ基板１に接着剤３を接
着剤供給装置４によりディップもしくはスタンプする
か、あるいは半導体素子２の裏面に接着剤３を塗布し、
（ｂ）半導体素子保持装置５により基板１上の溝６に合
わせて素子２を埋め込み、（ｃ）孔上に素子を接着して
裏面側から孔７を通して真空吸着装置８によって素子２
を基板に吸着させることにより余分な接着剤３を孔７の
部分に吸い出し、素子２と基板１との密着を均一化する
と共に、溝６によって素子の位置を常に一定に揃えるこ
とができる。つまり、半導体素子２の発光ダイオードの
光出射面の高さと位置の規定をすることができる。この
ため光出力を均一化することができる。尚、半導体素子
２は図２に示した実施例１と同じ端面発光型ＬＥＤアレ
ーであるが、図５のように単素子の発光ダイオードから
なる素子でも構わない。また、基板１の溝６の底部に形
成される孔７の形状としては、図４、図５のような円形
状の他、図１０や図１１に示すような形状を用いても構
わない。
【００１４】［実施例３］図７は本発明の請求項２の特
徴を持った半導体素子接着基板に、面発光型ＬＥＤアレ
ーが形成された半導体素子を接着した時の実施例を示す
斜視図であり、図８は面発光型ＬＥＤアレーが形成され
た半導体素子の斜視図である。本実施例は、半導体素子
として図７に示すように、実施例２の端面発光型ＬＥＤ
アレーの替わりに図８のような面発光型発光ダイオード
１１をアレイ上状に配置した面発光型ＬＥＤアレーを用
いたものであるが、面発光型ＬＥＤアレーを用いても、
光出射面の高さと位置が規定されるため、光出力を均一
化することができる。尚、半導体素子２としては、前記
実施例と同様、図９のように単素子の面発光型発光ダイ
オードからなる素子を用いても構わない。また、基板１
の溝６の底部に形成される孔７の形状としては、図７、
図９のような円形状の他、図１０や図１１に示すような
形状を用いても構わない。
徴を持った半導体素子接着基板に、面発光型ＬＥＤアレ
ーが形成された半導体素子を接着した時の実施例を示す
斜視図であり、図８は面発光型ＬＥＤアレーが形成され
た半導体素子の斜視図である。本実施例は、半導体素子
として図７に示すように、実施例２の端面発光型ＬＥＤ
アレーの替わりに図８のような面発光型発光ダイオード
１１をアレイ上状に配置した面発光型ＬＥＤアレーを用
いたものであるが、面発光型ＬＥＤアレーを用いても、
光出射面の高さと位置が規定されるため、光出力を均一
化することができる。尚、半導体素子２としては、前記
実施例と同様、図９のように単素子の面発光型発光ダイ
オードからなる素子を用いても構わない。また、基板１
の溝６の底部に形成される孔７の形状としては、図７、
図９のような円形状の他、図１０や図１１に示すような
形状を用いても構わない。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、半導体素子接着基板の素子接着部分に孔を設け
たことにより、半導体素子を基板に接着する際の余分な
接着剤は孔の部分に流れ込み、接着剤の素子側面への這
い上がりを抑えることができるため、素子は常に同じ高
さになるので各チップ間の光出射面の高さを規定するこ
とができ、発光ダイオードの光出射面の高さを均一化す
ることができる。また、請求項２の発明によれば、半導
体素子接着基板の素子接着部分に溝と孔を設けたことに
より、複数の半導体素子を基板上に並べる際に、基板の
溝に合わせて素子を並べることができ、発光ダイオード
の光出射面の位置を均一化することにより、光出力の均
一化が可能となり、さらに、請求項１と同様に素子は常
に同じ高さになるので、発光ダイオードの光出射面の高
さを均一化することができる。従って、光出力のばらつ
きを抑えて、光出力を均一化するという効果を有するこ
とができる。このため、光プリンター光源に本発明の基
板を用いれば、印字ドットの大きさや印字濃度の均一性
の高い光プリンター光源が得られる。
よれば、半導体素子接着基板の素子接着部分に孔を設け
たことにより、半導体素子を基板に接着する際の余分な
接着剤は孔の部分に流れ込み、接着剤の素子側面への這
い上がりを抑えることができるため、素子は常に同じ高
さになるので各チップ間の光出射面の高さを規定するこ
とができ、発光ダイオードの光出射面の高さを均一化す
ることができる。また、請求項２の発明によれば、半導
体素子接着基板の素子接着部分に溝と孔を設けたことに
より、複数の半導体素子を基板上に並べる際に、基板の
溝に合わせて素子を並べることができ、発光ダイオード
の光出射面の位置を均一化することにより、光出力の均
一化が可能となり、さらに、請求項１と同様に素子は常
に同じ高さになるので、発光ダイオードの光出射面の高
さを均一化することができる。従って、光出力のばらつ
きを抑えて、光出力を均一化するという効果を有するこ
とができる。このため、光プリンター光源に本発明の基
板を用いれば、印字ドットの大きさや印字濃度の均一性
の高い光プリンター光源が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の請求項１の特徴を持った半導体素子接
着基板に、端面発光型ＬＥＤアレーが形成された半導体
素子を接着した時の実施例を示す斜視図である。
着基板に、端面発光型ＬＥＤアレーが形成された半導体
素子を接着した時の実施例を示す斜視図である。
【図２】端面発光型ＬＥＤアレーが形成された半導体素
子の一例を示す斜視図である。
子の一例を示す斜視図である。
【図３】本発明の請求項１の特徴を持った半導体素子接
着基板に、端面発光型ＬＥＤ単素子からなる半導体素子
を接着した時の実施例を示す斜視図である。
着基板に、端面発光型ＬＥＤ単素子からなる半導体素子
を接着した時の実施例を示す斜視図である。
【図４】本発明の請求項２の特徴を持った半導体素子接
着基板に、端面発光型ＬＥＤアレーが形成された半導体
素子を接着した時の実施例を示す斜視図である。
着基板に、端面発光型ＬＥＤアレーが形成された半導体
素子を接着した時の実施例を示す斜視図である。
【図５】本発明の請求項２の特徴を持った半導体素子接
着基板に、端面発光型ＬＥＤ単素子からなる半導体素子
を接着した時の実施例を示す斜視図である。
着基板に、端面発光型ＬＥＤ単素子からなる半導体素子
を接着した時の実施例を示す斜視図である。
【図６】本発明の請求項２の基板を用いた時の半導体素
子接着方法の説明図である。
子接着方法の説明図である。
【図７】本発明の請求項２の特徴を持った半導体素子接
着基板に、面発光型ＬＥＤアレーが形成された半導体素
子を接着した時の実施例を示す斜視図である。
着基板に、面発光型ＬＥＤアレーが形成された半導体素
子を接着した時の実施例を示す斜視図である。
【図８】面発光型ＬＥＤアレーが形成された半導体素子
の一例を示す斜視図である。
の一例を示す斜視図である。
【図９】本発明の請求項２の特徴を持った半導体素子接
着基板に、面発光型ＬＥＤ単素子からなる半導体素子を
接着した時の実施例を示す斜視図である。
着基板に、面発光型ＬＥＤ単素子からなる半導体素子を
接着した時の実施例を示す斜視図である。
【図１０】本発明の半導体素子接着基板に形成される孔
の形状例を示す基板の平面図である。
の形状例を示す基板の平面図である。
【図１１】本発明の半導体素子接着基板に形成される孔
の別の形状例を示す基板の平面図である。
の別の形状例を示す基板の平面図である。
【図１２】基板に接着剤をディップさせることによって
素子を基板に接着する方法の説明図である。
素子を基板に接着する方法の説明図である。
【図１３】基板に接着剤をスタンプさせて素子を接着す
る方法の説明図である。
る方法の説明図である。
【図１４】素子の裏面に接着剤を塗布して基板に接着す
る方法の説明図である。
る方法の説明図である。
【図１５】特開昭６１−１８１１７７号公報記載の素子
構造、及び接着方法の説明図である。
構造、及び接着方法の説明図である。
【図１６】従来の半導体素子接着方法における問題点の
説明図である。
説明図である。
【図１７】従来の半導体素子接着方法における問題点の
説明図である。
説明図である。
【図１８】基板上に複数個の素子を接着した場合の問題
点の説明図である。
点の説明図である。
【図１９】基板上に複数個の素子を接着した場合の問題
点の説明図である。
点の説明図である。
１・・・半導体素子接着基板 ２・・・半導体素子 ３・・・接着剤 ４・・・接着剤供給装置 ５・・・半導体素子保持装置 ６・・・溝 ７・・・孔 ８・・・真空吸着装置 ９・・・発光部 １０・・・ＧａＡｓ基板 １１・・・発光ダイオード（ＬＥＤ） １２・・・発光部 １３・・・上部電極 ２１，３１・・・基板 ２２，３２・・・半導体素子 ２３，３３・・・接着剤 ２４・・・接着剤供給装置 ２５，３５・・・半導体素子保持装置 ３４・・・スタンパー ４１，５１，６１・・・半導体素子 ４２，５２，６２・・・半導体素子の一部 ４４，５４，６４・・・上部電極 ４５，５５，６５・・・下部電極 ４７，５７，６７・・・接着剤 ４８，５８，６６・・・基板 ４９・・・でっぱり部 ５０・・・段差 ６３・・・発光部 ８１・・・基板 ８２・・・半導体素子 ８３・・・接着剤
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも発光ダイオードの発光層と該発
光層を発光させるための電極とを含む積層構造より成る
発光ダイオードが形成された半導体素子を接着する基板
であって、半導体素子との接着部分に、表面から裏面に
通じる孔が設けられており、その孔によって素子を接着
する際の余分な接着剤を取り除き、素子と基板との密着
を均一にして発光ダイオードの光出射面の高さを均一に
したことを特徴とする半導体素子接着基板。 - 【請求項２】少なくとも発光ダイオードの発光層と該発
光層を発光させるための電極とを含む積層構造より成る
発光ダイオードが形成された半導体素子を接着する基板
であって、基板表面には半導体素子の形状に合わせた溝
が設けられており、その溝に合わせて半導体素子を埋め
込むことによって素子の位置、すなわち光出射面の位置
を揃え、且つ溝の底部の半導体素子との接着部分には表
面から裏面に通じる孔が設けられており、その孔によっ
て素子を接着する際の余分な接着剤を取り除き、素子と
基板との密着を均一にして発光ダイオードの光出射面の
高さを均一にし、光出力を均一化したことを特徴とする
半導体素子接着基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19886192A JPH0645658A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体素子接着基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19886192A JPH0645658A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体素子接着基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645658A true JPH0645658A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16398145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19886192A Pending JPH0645658A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体素子接着基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645658A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006040973A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
| JP2006093632A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2015005625A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
| DE102016215576A1 (de) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Herstellen einer Halbleiterleuchtvorrichtung mit einer LED |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP19886192A patent/JPH0645658A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006040973A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
| JP4600737B2 (ja) * | 2004-07-22 | 2010-12-15 | 信越半導体株式会社 | 発光素子 |
| JP2006093632A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2015005625A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
| DE102016215576A1 (de) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Herstellen einer Halbleiterleuchtvorrichtung mit einer LED |
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