JPH064508B2 - 低熱膨張コージェライトの製造方法 - Google Patents
低熱膨張コージェライトの製造方法Info
- Publication number
- JPH064508B2 JPH064508B2 JP1079844A JP7984489A JPH064508B2 JP H064508 B2 JPH064508 B2 JP H064508B2 JP 1079844 A JP1079844 A JP 1079844A JP 7984489 A JP7984489 A JP 7984489A JP H064508 B2 JPH064508 B2 JP H064508B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cordierite
- thermal expansion
- crystallization
- temperature
- low thermal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
[産業上の利用分野] 本発明は低熱膨張コージェライトの製造方法に係り、特
に熱膨張係数が著しく小さく、耐熱衝撃性に優れた低熱
膨張コージェライトを、工業的有利に製造する方法に関
する。 [従来の技術] コージェライトは熱膨張が小さく、急熱急冷に対する抵
抗性、即ち、耐熱衝撃性が著しく高いことから、従来よ
り耐熱食器、電熱用耐火材、化学工業用装置材料、その
他電気絶縁用磁器、耐電弧磁器、抵抗器ボビン等とし
て、幅広い分野において各種用途に供されている。 従来、コージェライトの製造方法としては、焼結法、ガ
ラス結晶化法が採用されている。これらのうち、ガラス
結晶化法としては、ガラス粉末結晶化法とガラスブロッ
ク結晶化法との2手法がある。ガラス結晶法はコージェ
ライトの組成物を溶融後、急冷してガラスを得て、その
ガラスを粉砕して成形した後、もう一度1000〜11
00℃まで温度を上げて結晶化させる方法である。ま
た、ガラスブロック結晶化法は、ガラスブロック体の成
形を行った後に、同様に結晶化させる方法である。 ところで、高温型コージェライトセラミックス(α−2
MgO・2Al2O3・5SiO2)、即ちα−コージ
ェライトが低熱膨張であり、耐熱衝撃性に優れること
は、その結晶の熱膨張異方性に起因している。即ち、コ
ージェライト結晶はa軸方向の熱膨張係数が正であるの
に対し、c軸方向の熱膨張係数が負であるため、構成結
晶の熱膨張が平均化される多結晶体では低膨張特性を示
す。 しかしながら、コージェライトは高温で部分的に液相を
生成していくため、焼結法により純度の高いα−コージ
ェライト単一相からなる緻密な多結晶焼結体を得ること
は難しい。焼結法では、α−コージェライトを得るため
の仮焼温度範囲が狭いことから、温度制御が難しい上
に、焼結温度も高く工業的に不利である。即ち、120
0℃以下ではクリストバライト、コランダム、スピネル
などの結晶が生成する。1400℃の仮焼によりα−コ
ージェライトとなるので、仮焼した粉末を成形し、高温
(1450℃)で焼成することにより、α−コージェラ
イトの焼結体が得られる。しかしながら1500℃以上
の高温ではムライト等の結晶を生じるようになる。 焼結法における焼結温度を下げるために金属アルコキシ
ド法による高純度コージェライト粉末の合成及びその焼
結などが試みられており、緻密な焼結体が得られてはい
るが、満足し得る熱膨張特性が得られることについては
報告がなされていない。 また、コージェライト組成の融体は、水冷程度の冷却に
よりガラス化可能であるため、コージェライト組成ガラ
ス粉末の焼結及び結晶化も行われており、緻密化を促進
するためにホットプレスを採用することにより熱膨張係
数が1.13〜1.70×10−6℃−1のコージェラ
イトセラミックスが得られたあとの報告もある。更に近
年では機械的特性の向上を目的として、ムライトとの複
合化も多く試みられている。 このような焼結法以外にも、バルク状試料についてガラ
ス結晶化によりMgO−Al2O3−SiO2系ガラス
セラミックスを生成したとの報告例も多くある。この
際、結晶化のための該生成促進剤としてZrO2、Ti
O2等が一般に用いられている。 例えばW・Zdaniewskiは10重量%MgO−
20重量%Al2O3−70重量%SiO2(MgO・
0.8Al2O3・4.7SiO2)の組成のガラスの
結晶化について詳細を検討しており、この系では分相が
存在し、その結晶化が核生成−成長型で制御された等温
変態により起こることを指摘している(J.Am.Ceram.So
c.,58,163-169,1975あるいは同61,199-204,1978)。ここ
で、特に核生成促進剤としてZrO2を添加したときに
は、結晶相の粒径は、コロイド状態で存在するZrO2
粒子により支配されるとしている。この研究の中では1
150℃で1週間等温保持することにより、高温型コー
ジェライトとZrO2よりなるガラスセラミックスが得
られているが、原料組成がコージェライト組成よりずれ
ているため、多くのガラス相も含んでいるものと考えら
れる。 更に、コージェライト初晶域にある16.7重量MgO
−22.3重量%Al2O3−61重量%SiO2組成
のガラスの結晶化について、表面より結晶化が起こるこ
とも報告されている(窯協,96,247−252,1
988)。 [発明が解決しようとする課題] 上記従来技術の項で述べたように、従来のコージェライ
トの製造方法のうち、焼結法では、焼成温度範囲が狭い
ことから、温度制御が難しく、また高温焼結を要し、工
程が複雑であるなどの欠点がある。 また、ガラス結晶化法はガラス化及び再加熱が必要であ
るため、工程が複雑である。しかも、ガラス結晶化法に
より作製したコージェライトガラスセラミックスでは、
核生成剤を添加しない場合には表面より結晶化が起こる
ことが多く、均一なものが得にくい上に、核生成剤を用
いた場合にも、コージェライト単一相よりなり、かつ熱
膨張係数が1.0×10−6℃−1以下のものは得られ
ていないのが現状である。 本発明の上記従来の問題点を解決し、α−コージェライ
ト単一相よりなり、熱膨張係数が小さく、著しく耐熱衝
撃性に優れた低熱膨張コージェライトを製造することが
できる方法であって、低い熱処理温度で実施でき、しか
も熱処理温度範囲も広く、処理工程も簡略化された低熱
膨張コージェライトの製造方法を提供することを目的と
する。 [課題を解決するための手段] 本発明の低熱膨張コージェライトの製造方法は、コージ
ェライト組成に対して10重量%以下のTiO2を添加
してなるコージェライト組成物を加熱溶融した後、1.
5℃/secより遅い降温速度にて900〜1180℃
の温度に降温し、この温度に維持してα−コージェライ
ト単一相のコージェライトを得ることを特徴とする。 ところで、融液を冷却して凝固させる融液凝固法は、主
として冷却速度を遅くして大きな単結晶を成長させる目
的で従来より実施されており、最近ではこの方法を利用
してスボジュメンなどの融液の一方向凝固による配向性
多結晶体の製法が報告されている。 融液凝固法は、ガラス結晶化法のようにガラス化及び再
加熱を必要としないため、工程が簡略化ができるという
利点があるが、融液凝固法をコージェライトに利用した
報告はない。これは、コージェライト融液を単純に冷却
するだけでは、α−コージェライト(以下、「α−c」
と略記する。)単一相は得られず、ムライト(以下、
「Mu」と略記する。)、プロトエンスタタイト(Mg
O・SiO2、以下、「Pr」と略記する。)、クリス
トバライト(SiO2、以下「Cr」と略記する。)な
どが晶出するためである。 本発明者らは、融液凝固法によるα−C単一相の作製の
ための基礎実験として、コージェライト組成融液のCC
T(Continuous Cooling Tempe-rature)図、TTT(Time
Temperature Trans-formation)図を作成し、冷却速度
や過冷却液体中での等温熱処理に依存して晶出する結晶
相を明らかにすることにより、融液凝固法によりα−C
単一相を得る熱処理条件を確立し、熱膨張係数が著しく
小さく、耐熱衝撃性に優れた低熱膨張コージェライト
を、工業的有利に製造する方法として、コージェライト
の組成物を加熱溶融した後、1.5℃/secより遅い
降温速度にて900〜1100℃の温度に降温し、この
温度に維持してα−コージェライト単一相のコージェラ
イトを得ることを特徴とする低熱膨張コージェライトの
製造方法を見出し、本出願人より先に特許出願した(特
願昭63−265720号。以下「先願」という。) そして、先願の方法を基に、更に鋭意研究を重ねた結
果、特定量のTiO2を添加することにより、α−コー
ジェライトの結晶化が促進され、α−コージェライト単
一相の結晶化温度範囲をより拡大し得ることを見出し、
本発明を完成させた。 以下に本発明を詳細に説明する。 本発明においては、まずコージェライト組成となるよう
に原料を調合する。コージェライト組成は理想的には2
MgO・0.2Al2O3・5SiO2(13.8重量
%MgO−34.8重量%Al2O3−51.4重量%
SiO2)であるが、MgO9.5〜26.0重量%、
Al2O317.2〜35.0重量%、SiO249.
0〜67.4重量%程度の範囲ならば採用できる。出発
原料としては、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、
二酸化珪素の純粋試薬、或いは、タルク、カオリン、粘
土、マグネサイト、クロライト等の天然材料等を用いる
ことができる。 このような出発原料を所望の組成となるように調合し、
十分に粉砕混合する。そして、得られた混合物に、更に
コージェライト組成に対して10重量%以下のTiO2
を添加して十分に混合する。なお、TiO2はコージェ
ライト組成原料の調合時に添加しても良い。 このようにしてコージェライト組成に対して所定量のT
iO2を添加して得られたコージェライト組成物は、次
いで加熱し溶融して融液とする。このコージェライト組
成物の融液を得るための加熱温度としては特に制限はな
いが、1550〜1650℃程度が適当である。また、
その加熱時間は1〜2時間程度が適当である。加熱温度
が低過ぎたり、加熱時間が短か過ぎる場合には、十分に
均一な溶液が得られない場合がある。逆に、過度に加熱
温度が高く、また、加熱時間が長いと、処理コストの高
騰を招き好ましくない。 次いで得られた融液は、1.5℃/secより遅い降温
速度で900〜1180℃の温度範囲にまで冷却し、9
00〜1180℃の温度領域で保持、好ましくは等温保
持して、α−C単一相を生成させる。 降温速度が1.5℃/secよりも速いとガラス化が起
きる。降温速度は遅いほどα−Cの生成に好適である
が、過度に降温速度を遅くすると、製造効率が低下する
ため、工業的に不利である。従って、降温速度は5.0
〜2.0℃/secとするのが好ましい。 このような降温速度にて融液を冷却後、900〜118
0℃、好ましくは950〜1050℃の温度で保持する
ことによりα−C単一相の結晶が生成する。通常の場
合、α−C単一相は、上記温度範囲に2〜3日程度保持
することにより生成する。 なお、本発明において、α−C単一相の生成効率を高め
るために、コージェライト組成物に核生成剤として添加
されるTiO2は、α−Cの結晶化を有効に促進する
が、TiO2の過剰添加は、α−Cと共に晶出するTi
O2(ルチル)の量が増加し、好ましくない。従って、
TiO2の添加量はコージェライト組成に対して10重
量%以下、好ましくは3〜5重量%とするのが好適であ
る。TiO2の添加により、α−C単一相の晶出温度領
域が拡大され、また、その生成に要する時間は短縮され
る。 このような本発明の方法により得られるコージェライト
は、α−C単一相よりなり、平均熱膨張係数が約0.8
8×10−6/℃の著しく低熱膨張のものであり、従来
の焼結法で得られるコージェライトの熱膨張係数(通常
1.7〜2.07×10−6/℃)やガラス結晶化法に
より得られるコージェライトの熱膨張係数(通常1.4
〜1.8×10−6/℃)に比べて著しく小さいもので
ある。しかも、このように低熱膨張性であることから、
その誘電率も従来のものに比べて低い。 [作用] TiO2の添加によりα−Cの結晶化が促進され、結晶
化温度範囲が拡大される。従って、本発明の方法によれ
ば、融液凝固法により、熱膨張係数が著しく小さく、か
つ誘電率の低い、α−C単一相よりなるコージェライト
を、低い熱処理温度、広い熱処理温度範囲にて、また、
少ない処理工程数、簡単な処理操作で得ることが可能と
される。 [実施例] 以下に実施例及び比較例を挙げて、本発明をより具体的
に説明する。 実施例1 特級試薬の酸化マグネシウム(MgO)、酸化アルミニ
ウム(Al2O3)、二酸化珪素(SiO2)を原料と
して、これらをコージェライトの理想組成2MgO・2
Al2O3・5SiO2となるように秤量し、更に、こ
のコージェライト組成に対して5重量%のTiO2を添
加して、アルミナ磁器乳鉢で十分に混合した。得られた
混合物を、一端を封じた直径5mm、長さ7mmの石英管
に3〜4cmの高さまで積め込み、500℃等温保持の
炉中で約3時間乾燥させた。その後、約1570℃等温
保持の炉中で約2時間溶融し、均一化した後、得られた
融液を5℃/secの降温速度で降温し、等温保持を9
00〜1450℃の温度範囲において50℃毎に行な
い、各々の温度領域において得られる結晶相を調べた。
即ち、各温度の処理にて得られた試料について、TTT
曲線、CCT曲線を求め、X線回折の結果を含めて結晶
状態図を作製し、結果を第1図に示した。 なお、CCT曲線とTTT曲線は、ホットサーモカップ
ル法によって作成した。TTT曲線は、試料を熱電対形
成させたフイラメント上で溶融した後、融点以下の一定
温度に急冷(約200k/s)、等温保持して、過冷却
液体からの結晶の晶出を実体顕微鏡を通して直接観察し
ながら、結晶化開始と終了の温度と時間(t)を測定し
て求めた。CCT曲線は、所定の冷却速度で冷却する過
程での結晶の晶出を実体顕微鏡で観察しながら、結晶化
開始の温度と時間(t)を測定して求めた。 第1図中、実線は結晶化開始又は終了曲線を示し、一点
鎖線は異なる結晶相が得られる領域の境界温度を示して
いる。μ−Cはμ−コージェライトを示す。また、Cr
y.は結晶化、sは開始、fは終了、trans.は転
移を示す。 第1図から明らかなように、結晶化曲線のノーズは15
00K、即ち約1230℃付近に存在し、この温度付近
で結晶化速度が最大であった。また、1450K、即ち
約1180℃を超える温度で等温保持すると、Muが晶
出してくる。 1170〜1450K、即ち900〜1180℃の領域
で等温保持するとμ−Cが晶出し、最終的にはα−C単
一相が得られる。900℃より低い温度で等温保持する
とμ−C単一相が得られる。 このように融液からの冷却速度のみを制御する従来の融
液凝固法では、α−C単一相を得ることは不可能である
のに対し、本発明に従って、過冷却液体中での熱処理温
度を制御することにより、α−C単一相を得ることが可
能である。 比較例1 TiO2を添加しなかったこと以外は、実施例1と同様
にして結晶状態図を作製し、結果を第3図に示した。 なお、第3図中、Cry.,s,f,trans.は第
1図と同様である。また、Xは結晶化率(%)を示す。 第3図より明らかなように、TiO2を添加しない場合
において、α−Cが得られる結晶化温度範囲は900〜
1100℃である。 従って、第1図及び第3図の結果から、本発明に従っ
て、TiO2を添加することにより、結晶化温度範囲が
900〜1100℃から900〜1180℃に拡大され
ることが明らかである。 実施例2 コージェライト組成の融液(1570℃)に核生成剤と
してTiO2を、1(No.2)、5(No.3)又は
10(No.4)重量%加えた試料No.1〜4(N
o.1はTiO2添加せず。)について、実施例1と同
様にして結晶化状態図を作製し、結果を第2図に示し
た。 第2図よりTiO2添加量の増加に伴いα−C結晶化曲
線が左へシフトし、結晶化が速くなると共に、結晶化温
度範囲が拡大することがわかる。 この結果から、α−C単一相を広い結晶化温度範囲にて
安定にかつ遠く晶出させるためには、10重量%以下、
TiO2の晶出を考慮した場合には、好ましくは5重量
%程度のTiO2添加が効果的であることが明らかであ
る。 [発明の効果] 以上詳述した通り、本発明の低熱膨張コージェライトの
製造方法によれば、融液凝固法によりα−c単一相より
なる低熱膨張コージェライトを広い結晶化温度範囲に
て、容易に製造することができる。 本発明の方法は融液凝固法によるため、 処理工程数が少なく、工程の簡略化が図れる。 熱処理温度が低い。 熱処理温度範囲が極めて広い。 ,より、処理操作が容易である。 等の効果が得られる。 しかも、製造されるコージェライトはα−C単一相より
なるため、著しく優れた低熱膨張性を示し、このため耐
熱衝撃性に優れたものとなる。また、このように低熱膨
張性であることから、誘電率も低いものが得られる。
に熱膨張係数が著しく小さく、耐熱衝撃性に優れた低熱
膨張コージェライトを、工業的有利に製造する方法に関
する。 [従来の技術] コージェライトは熱膨張が小さく、急熱急冷に対する抵
抗性、即ち、耐熱衝撃性が著しく高いことから、従来よ
り耐熱食器、電熱用耐火材、化学工業用装置材料、その
他電気絶縁用磁器、耐電弧磁器、抵抗器ボビン等とし
て、幅広い分野において各種用途に供されている。 従来、コージェライトの製造方法としては、焼結法、ガ
ラス結晶化法が採用されている。これらのうち、ガラス
結晶化法としては、ガラス粉末結晶化法とガラスブロッ
ク結晶化法との2手法がある。ガラス結晶法はコージェ
ライトの組成物を溶融後、急冷してガラスを得て、その
ガラスを粉砕して成形した後、もう一度1000〜11
00℃まで温度を上げて結晶化させる方法である。ま
た、ガラスブロック結晶化法は、ガラスブロック体の成
形を行った後に、同様に結晶化させる方法である。 ところで、高温型コージェライトセラミックス(α−2
MgO・2Al2O3・5SiO2)、即ちα−コージ
ェライトが低熱膨張であり、耐熱衝撃性に優れること
は、その結晶の熱膨張異方性に起因している。即ち、コ
ージェライト結晶はa軸方向の熱膨張係数が正であるの
に対し、c軸方向の熱膨張係数が負であるため、構成結
晶の熱膨張が平均化される多結晶体では低膨張特性を示
す。 しかしながら、コージェライトは高温で部分的に液相を
生成していくため、焼結法により純度の高いα−コージ
ェライト単一相からなる緻密な多結晶焼結体を得ること
は難しい。焼結法では、α−コージェライトを得るため
の仮焼温度範囲が狭いことから、温度制御が難しい上
に、焼結温度も高く工業的に不利である。即ち、120
0℃以下ではクリストバライト、コランダム、スピネル
などの結晶が生成する。1400℃の仮焼によりα−コ
ージェライトとなるので、仮焼した粉末を成形し、高温
(1450℃)で焼成することにより、α−コージェラ
イトの焼結体が得られる。しかしながら1500℃以上
の高温ではムライト等の結晶を生じるようになる。 焼結法における焼結温度を下げるために金属アルコキシ
ド法による高純度コージェライト粉末の合成及びその焼
結などが試みられており、緻密な焼結体が得られてはい
るが、満足し得る熱膨張特性が得られることについては
報告がなされていない。 また、コージェライト組成の融体は、水冷程度の冷却に
よりガラス化可能であるため、コージェライト組成ガラ
ス粉末の焼結及び結晶化も行われており、緻密化を促進
するためにホットプレスを採用することにより熱膨張係
数が1.13〜1.70×10−6℃−1のコージェラ
イトセラミックスが得られたあとの報告もある。更に近
年では機械的特性の向上を目的として、ムライトとの複
合化も多く試みられている。 このような焼結法以外にも、バルク状試料についてガラ
ス結晶化によりMgO−Al2O3−SiO2系ガラス
セラミックスを生成したとの報告例も多くある。この
際、結晶化のための該生成促進剤としてZrO2、Ti
O2等が一般に用いられている。 例えばW・Zdaniewskiは10重量%MgO−
20重量%Al2O3−70重量%SiO2(MgO・
0.8Al2O3・4.7SiO2)の組成のガラスの
結晶化について詳細を検討しており、この系では分相が
存在し、その結晶化が核生成−成長型で制御された等温
変態により起こることを指摘している(J.Am.Ceram.So
c.,58,163-169,1975あるいは同61,199-204,1978)。ここ
で、特に核生成促進剤としてZrO2を添加したときに
は、結晶相の粒径は、コロイド状態で存在するZrO2
粒子により支配されるとしている。この研究の中では1
150℃で1週間等温保持することにより、高温型コー
ジェライトとZrO2よりなるガラスセラミックスが得
られているが、原料組成がコージェライト組成よりずれ
ているため、多くのガラス相も含んでいるものと考えら
れる。 更に、コージェライト初晶域にある16.7重量MgO
−22.3重量%Al2O3−61重量%SiO2組成
のガラスの結晶化について、表面より結晶化が起こるこ
とも報告されている(窯協,96,247−252,1
988)。 [発明が解決しようとする課題] 上記従来技術の項で述べたように、従来のコージェライ
トの製造方法のうち、焼結法では、焼成温度範囲が狭い
ことから、温度制御が難しく、また高温焼結を要し、工
程が複雑であるなどの欠点がある。 また、ガラス結晶化法はガラス化及び再加熱が必要であ
るため、工程が複雑である。しかも、ガラス結晶化法に
より作製したコージェライトガラスセラミックスでは、
核生成剤を添加しない場合には表面より結晶化が起こる
ことが多く、均一なものが得にくい上に、核生成剤を用
いた場合にも、コージェライト単一相よりなり、かつ熱
膨張係数が1.0×10−6℃−1以下のものは得られ
ていないのが現状である。 本発明の上記従来の問題点を解決し、α−コージェライ
ト単一相よりなり、熱膨張係数が小さく、著しく耐熱衝
撃性に優れた低熱膨張コージェライトを製造することが
できる方法であって、低い熱処理温度で実施でき、しか
も熱処理温度範囲も広く、処理工程も簡略化された低熱
膨張コージェライトの製造方法を提供することを目的と
する。 [課題を解決するための手段] 本発明の低熱膨張コージェライトの製造方法は、コージ
ェライト組成に対して10重量%以下のTiO2を添加
してなるコージェライト組成物を加熱溶融した後、1.
5℃/secより遅い降温速度にて900〜1180℃
の温度に降温し、この温度に維持してα−コージェライ
ト単一相のコージェライトを得ることを特徴とする。 ところで、融液を冷却して凝固させる融液凝固法は、主
として冷却速度を遅くして大きな単結晶を成長させる目
的で従来より実施されており、最近ではこの方法を利用
してスボジュメンなどの融液の一方向凝固による配向性
多結晶体の製法が報告されている。 融液凝固法は、ガラス結晶化法のようにガラス化及び再
加熱を必要としないため、工程が簡略化ができるという
利点があるが、融液凝固法をコージェライトに利用した
報告はない。これは、コージェライト融液を単純に冷却
するだけでは、α−コージェライト(以下、「α−c」
と略記する。)単一相は得られず、ムライト(以下、
「Mu」と略記する。)、プロトエンスタタイト(Mg
O・SiO2、以下、「Pr」と略記する。)、クリス
トバライト(SiO2、以下「Cr」と略記する。)な
どが晶出するためである。 本発明者らは、融液凝固法によるα−C単一相の作製の
ための基礎実験として、コージェライト組成融液のCC
T(Continuous Cooling Tempe-rature)図、TTT(Time
Temperature Trans-formation)図を作成し、冷却速度
や過冷却液体中での等温熱処理に依存して晶出する結晶
相を明らかにすることにより、融液凝固法によりα−C
単一相を得る熱処理条件を確立し、熱膨張係数が著しく
小さく、耐熱衝撃性に優れた低熱膨張コージェライト
を、工業的有利に製造する方法として、コージェライト
の組成物を加熱溶融した後、1.5℃/secより遅い
降温速度にて900〜1100℃の温度に降温し、この
温度に維持してα−コージェライト単一相のコージェラ
イトを得ることを特徴とする低熱膨張コージェライトの
製造方法を見出し、本出願人より先に特許出願した(特
願昭63−265720号。以下「先願」という。) そして、先願の方法を基に、更に鋭意研究を重ねた結
果、特定量のTiO2を添加することにより、α−コー
ジェライトの結晶化が促進され、α−コージェライト単
一相の結晶化温度範囲をより拡大し得ることを見出し、
本発明を完成させた。 以下に本発明を詳細に説明する。 本発明においては、まずコージェライト組成となるよう
に原料を調合する。コージェライト組成は理想的には2
MgO・0.2Al2O3・5SiO2(13.8重量
%MgO−34.8重量%Al2O3−51.4重量%
SiO2)であるが、MgO9.5〜26.0重量%、
Al2O317.2〜35.0重量%、SiO249.
0〜67.4重量%程度の範囲ならば採用できる。出発
原料としては、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、
二酸化珪素の純粋試薬、或いは、タルク、カオリン、粘
土、マグネサイト、クロライト等の天然材料等を用いる
ことができる。 このような出発原料を所望の組成となるように調合し、
十分に粉砕混合する。そして、得られた混合物に、更に
コージェライト組成に対して10重量%以下のTiO2
を添加して十分に混合する。なお、TiO2はコージェ
ライト組成原料の調合時に添加しても良い。 このようにしてコージェライト組成に対して所定量のT
iO2を添加して得られたコージェライト組成物は、次
いで加熱し溶融して融液とする。このコージェライト組
成物の融液を得るための加熱温度としては特に制限はな
いが、1550〜1650℃程度が適当である。また、
その加熱時間は1〜2時間程度が適当である。加熱温度
が低過ぎたり、加熱時間が短か過ぎる場合には、十分に
均一な溶液が得られない場合がある。逆に、過度に加熱
温度が高く、また、加熱時間が長いと、処理コストの高
騰を招き好ましくない。 次いで得られた融液は、1.5℃/secより遅い降温
速度で900〜1180℃の温度範囲にまで冷却し、9
00〜1180℃の温度領域で保持、好ましくは等温保
持して、α−C単一相を生成させる。 降温速度が1.5℃/secよりも速いとガラス化が起
きる。降温速度は遅いほどα−Cの生成に好適である
が、過度に降温速度を遅くすると、製造効率が低下する
ため、工業的に不利である。従って、降温速度は5.0
〜2.0℃/secとするのが好ましい。 このような降温速度にて融液を冷却後、900〜118
0℃、好ましくは950〜1050℃の温度で保持する
ことによりα−C単一相の結晶が生成する。通常の場
合、α−C単一相は、上記温度範囲に2〜3日程度保持
することにより生成する。 なお、本発明において、α−C単一相の生成効率を高め
るために、コージェライト組成物に核生成剤として添加
されるTiO2は、α−Cの結晶化を有効に促進する
が、TiO2の過剰添加は、α−Cと共に晶出するTi
O2(ルチル)の量が増加し、好ましくない。従って、
TiO2の添加量はコージェライト組成に対して10重
量%以下、好ましくは3〜5重量%とするのが好適であ
る。TiO2の添加により、α−C単一相の晶出温度領
域が拡大され、また、その生成に要する時間は短縮され
る。 このような本発明の方法により得られるコージェライト
は、α−C単一相よりなり、平均熱膨張係数が約0.8
8×10−6/℃の著しく低熱膨張のものであり、従来
の焼結法で得られるコージェライトの熱膨張係数(通常
1.7〜2.07×10−6/℃)やガラス結晶化法に
より得られるコージェライトの熱膨張係数(通常1.4
〜1.8×10−6/℃)に比べて著しく小さいもので
ある。しかも、このように低熱膨張性であることから、
その誘電率も従来のものに比べて低い。 [作用] TiO2の添加によりα−Cの結晶化が促進され、結晶
化温度範囲が拡大される。従って、本発明の方法によれ
ば、融液凝固法により、熱膨張係数が著しく小さく、か
つ誘電率の低い、α−C単一相よりなるコージェライト
を、低い熱処理温度、広い熱処理温度範囲にて、また、
少ない処理工程数、簡単な処理操作で得ることが可能と
される。 [実施例] 以下に実施例及び比較例を挙げて、本発明をより具体的
に説明する。 実施例1 特級試薬の酸化マグネシウム(MgO)、酸化アルミニ
ウム(Al2O3)、二酸化珪素(SiO2)を原料と
して、これらをコージェライトの理想組成2MgO・2
Al2O3・5SiO2となるように秤量し、更に、こ
のコージェライト組成に対して5重量%のTiO2を添
加して、アルミナ磁器乳鉢で十分に混合した。得られた
混合物を、一端を封じた直径5mm、長さ7mmの石英管
に3〜4cmの高さまで積め込み、500℃等温保持の
炉中で約3時間乾燥させた。その後、約1570℃等温
保持の炉中で約2時間溶融し、均一化した後、得られた
融液を5℃/secの降温速度で降温し、等温保持を9
00〜1450℃の温度範囲において50℃毎に行な
い、各々の温度領域において得られる結晶相を調べた。
即ち、各温度の処理にて得られた試料について、TTT
曲線、CCT曲線を求め、X線回折の結果を含めて結晶
状態図を作製し、結果を第1図に示した。 なお、CCT曲線とTTT曲線は、ホットサーモカップ
ル法によって作成した。TTT曲線は、試料を熱電対形
成させたフイラメント上で溶融した後、融点以下の一定
温度に急冷(約200k/s)、等温保持して、過冷却
液体からの結晶の晶出を実体顕微鏡を通して直接観察し
ながら、結晶化開始と終了の温度と時間(t)を測定し
て求めた。CCT曲線は、所定の冷却速度で冷却する過
程での結晶の晶出を実体顕微鏡で観察しながら、結晶化
開始の温度と時間(t)を測定して求めた。 第1図中、実線は結晶化開始又は終了曲線を示し、一点
鎖線は異なる結晶相が得られる領域の境界温度を示して
いる。μ−Cはμ−コージェライトを示す。また、Cr
y.は結晶化、sは開始、fは終了、trans.は転
移を示す。 第1図から明らかなように、結晶化曲線のノーズは15
00K、即ち約1230℃付近に存在し、この温度付近
で結晶化速度が最大であった。また、1450K、即ち
約1180℃を超える温度で等温保持すると、Muが晶
出してくる。 1170〜1450K、即ち900〜1180℃の領域
で等温保持するとμ−Cが晶出し、最終的にはα−C単
一相が得られる。900℃より低い温度で等温保持する
とμ−C単一相が得られる。 このように融液からの冷却速度のみを制御する従来の融
液凝固法では、α−C単一相を得ることは不可能である
のに対し、本発明に従って、過冷却液体中での熱処理温
度を制御することにより、α−C単一相を得ることが可
能である。 比較例1 TiO2を添加しなかったこと以外は、実施例1と同様
にして結晶状態図を作製し、結果を第3図に示した。 なお、第3図中、Cry.,s,f,trans.は第
1図と同様である。また、Xは結晶化率(%)を示す。 第3図より明らかなように、TiO2を添加しない場合
において、α−Cが得られる結晶化温度範囲は900〜
1100℃である。 従って、第1図及び第3図の結果から、本発明に従っ
て、TiO2を添加することにより、結晶化温度範囲が
900〜1100℃から900〜1180℃に拡大され
ることが明らかである。 実施例2 コージェライト組成の融液(1570℃)に核生成剤と
してTiO2を、1(No.2)、5(No.3)又は
10(No.4)重量%加えた試料No.1〜4(N
o.1はTiO2添加せず。)について、実施例1と同
様にして結晶化状態図を作製し、結果を第2図に示し
た。 第2図よりTiO2添加量の増加に伴いα−C結晶化曲
線が左へシフトし、結晶化が速くなると共に、結晶化温
度範囲が拡大することがわかる。 この結果から、α−C単一相を広い結晶化温度範囲にて
安定にかつ遠く晶出させるためには、10重量%以下、
TiO2の晶出を考慮した場合には、好ましくは5重量
%程度のTiO2添加が効果的であることが明らかであ
る。 [発明の効果] 以上詳述した通り、本発明の低熱膨張コージェライトの
製造方法によれば、融液凝固法によりα−c単一相より
なる低熱膨張コージェライトを広い結晶化温度範囲に
て、容易に製造することができる。 本発明の方法は融液凝固法によるため、 処理工程数が少なく、工程の簡略化が図れる。 熱処理温度が低い。 熱処理温度範囲が極めて広い。 ,より、処理操作が容易である。 等の効果が得られる。 しかも、製造されるコージェライトはα−C単一相より
なるため、著しく優れた低熱膨張性を示し、このため耐
熱衝撃性に優れたものとなる。また、このように低熱膨
張性であることから、誘電率も低いものが得られる。
第1図、第2図及び第3図は各々、実施例1、実施例2
及び比較例1において得られた試料のCCT曲線及びT
TT曲線を示すグラフである。
及び比較例1において得られた試料のCCT曲線及びT
TT曲線を示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項1】コージェライト組成に対して10重量%以
下のTiO2を添加してなるコージェライト組成物を加
熱溶融した後、1.5℃/secより遅い降温速度にて
900〜1180℃の温度に降温し、この温度に維持し
てα−コージェライト単一相のコージェライトを得るこ
とを特徴とする低熱膨張コージェライトの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1079844A JPH064508B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 低熱膨張コージェライトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1079844A JPH064508B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 低熱膨張コージェライトの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02255566A JPH02255566A (ja) | 1990-10-16 |
JPH064508B2 true JPH064508B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=13701513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1079844A Expired - Lifetime JPH064508B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 低熱膨張コージェライトの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH064508B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4731381B2 (ja) | 2006-03-31 | 2011-07-20 | ニチアス株式会社 | ディスクロール及びディスクロール用基材 |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP1079844A patent/JPH064508B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02255566A (ja) | 1990-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3940255A (en) | Process for making cordierite glass-ceramic having nucleating agent and increased percent cordierite crystallinity | |
US4142879A (en) | Method for producing low expansion ceramics | |
KR101474588B1 (ko) | 내화성 유리 세라믹 | |
US2842447A (en) | Method of making a refractory body and article made thereby | |
US2118143A (en) | Refractory material | |
JPH0545554B2 (ja) | ||
Lee et al. | Crystallization of celsian (BaAl2Si2O8) glass | |
US3236662A (en) | Semicrystalline body and method of making it | |
US5641440A (en) | Sintering aids for producing BaO.Al2 O3.2SiO2 and SrO.Al.sub. O3.2SiO2 ceramic materials | |
JPS6317793B2 (ja) | ||
US3205079A (en) | Semicrystalline ceramic body and method of making it | |
US5578534A (en) | Method of producing Sl3 N4 reinforced monoclinic BaO·Al2 O3 ·2SiO2 and SrO·Al.sub. O3 ·2SiO2 ceramic composites | |
US3846098A (en) | Manufacture of a white porcelain body of high translucency and high strength | |
JPH092870A (ja) | 高ジルコニア電鋳煉瓦 | |
JPH064507B2 (ja) | 低熱膨張コージェライトの製造方法 | |
JPH064508B2 (ja) | 低熱膨張コージェライトの製造方法 | |
JPS61275163A (ja) | 高温強度が優れたアルミナ・シリカ系セラミツクス焼結体の製造方法 | |
JPH06305828A (ja) | チタン酸アルミニウム複合材料及びその製造方法 | |
JPH07101772A (ja) | 低熱膨張コーディエライト質骨材及びその結合体 | |
JPH11349375A (ja) | コーディエライト質骨材およびコーディエライト質セラミックス | |
JPH0818880B2 (ja) | 高ジルコニア質熱溶融耐火物 | |
JPH11246280A (ja) | 単斜晶セルシアン多孔体およびその製造方法 | |
JPH04300296A (ja) | チタン酸バリウムの単結晶の製造方法 | |
Kichkailo et al. | Lithium-bearing heat-resistant ceramics (a review) | |
JPH09301737A (ja) | 単斜晶セルシアン含有結晶化ガラス及びその製造に好適な組成のガラスと製造方法 |