JPH0644135U - 半導体のウエット処理装置 - Google Patents

半導体のウエット処理装置

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JPH0644135U
JPH0644135U JP8341392U JP8341392U JPH0644135U JP H0644135 U JPH0644135 U JP H0644135U JP 8341392 U JP8341392 U JP 8341392U JP 8341392 U JP8341392 U JP 8341392U JP H0644135 U JPH0644135 U JP H0644135U
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JP
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wafer
air curtain
static
ions
generated
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JP8341392U
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Inventor
正記 佐藤
敏久 杉山
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SPC Electronics Corp
Original Assignee
SPC Electronics Corp
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 塵埃の付着を防止する。 【構成】 静電気除去装置は除電電極５に高圧を印加す
ると、アース極と除電電極５との間に高圧電界ができ、
空気がイオン化される。そして、交流電界のため、
（＋）と（−）の両方のイオンができ、Ｓｉウエハ１の
帯電極性と逆の極性のイオンが引きつけられ、Ｓｉウエ
ハ１表面に付着し、帯電が中和される。更に、静電気除
去装置４はクリーンなエアーカーテン６中に位置するの
で、Ｓｉウエハ１はエアーカーテン６の中を通って処理
槽３内に送られ、薬液或は純水による各種のウエット処
理を行う。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は半導体のウエット処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体を各種薬液、純水によるウエット処理中に、半導体であるＳｉウエハ又 はカセットとの摩擦、又は搬送中に空気との摩擦等により静電気が発生する欠点 があった。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】
前記のように静電気が発生して半導体に帯電すると、クリーン室で処理してい ても、塵埃が付着するという問題があった。 そこで、本考案においては静電気を中和させて塵埃の付着を防止することがで きる装置を提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本考案は前記課題を解決するために、工程途中にクリーンなエアーカーテンを 設け、このエアーカーテン中に静電気除去装置を設けた半導体のウエット処理装 置を構成する。
【０００５】
【作用】
本考案は前記のように構成したもので、ウエハを静電気除去装置の下側を通過 させて、ウエハに帯電している帯電極性と逆の極性のイオンをウエハ表面に付着 させて帯電を中和させる。そしてクリーンなエアーカーテン中を通すことにより 塵埃の付着を阻止する。
【０００６】
【実施例】
本考案の第１実施例を図１に基づいて詳細に説明する。 Ｓｉウエハ１を収納したカセット２を薬液処理する処理槽３の手前側の上方に 静電気除去装置４（イオナイザー）を設置し、除電電極５を下側に位置させ、除 電電極５から下方に向ってクリーンなエアーカーテン６をブローする。
【０００７】 第１実施例は前記のように構成したもので、静電気除去装置は除電電極５に高 圧を印加すると、アース極（図示省略）と除電電極５との間に高圧電界ができ、 空気がイオン化される。そして、交流電界のため、（＋）と（−）の両方のイオ ンができ、Ｓｉウエハ１の帯電極性と逆の極性のイオンが引きつけられ、Ｓｉウ エハ１表面に付着し、帯電が中和される。 更に、静電気除去装置４はクリーンなエアーカーテン６中に位置するので、Ｓ ｉウエハ１はエアーカーテン６の中を通って処理槽３内に送られ、薬液或は純水 による各種のウエット処理を行う。
【０００８】 次に、第２実施例を図２に基づいて説明すると、本実施例は処理槽３から次工 程へ移る位置に静電気除去装置４を設置したもので、他は全て第１実施例と同様 なので、同一符合を付し説明を省略する。
【０００９】 第２実施例は前記のように構成したもので、処理槽３内で処理中に発生した静 電気を次工程へ移動させる途中において中和させる。
【００１０】
【考案の効果】
本考案は前記のような構成、作用を有するので、Ｓｉウエハ等のワークに付着 する帯電を中和させることができるので、パーティクルの付着を防止することが できる。
【００１１】
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案に係る半導体のウエット処理装置の第１
実施例の正面図。
【図２】第２実施例の正面図。
【符号の説明】
１ Ｓｉウエハ（ワーク） ２ カセット ３ 処理槽 ４ 静電気除去装置（イオナイザー） ５ 除電電極 ６ エアーカーテン

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 工程途中にクリーンなエアーカーテンを
    設け、このエアーカーテン中に静電気除去装置を設けた
    ことを特徴とする半導体のウエット処理装置。
JP8341392U 1992-11-10 1992-11-10 半導体のウエット処理装置 Pending JPH0644135U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012211951A (ja) * 2011-03-30 2012-11-01 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスク関連基板の洗浄方法及び洗浄装置

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