JPH0643561A - 自動画像濃度調整装置 - Google Patents

自動画像濃度調整装置

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JPH0643561A
JPH0643561A JP4198829A JP19882992A JPH0643561A JP H0643561 A JPH0643561 A JP H0643561A JP 4198829 A JP4198829 A JP 4198829A JP 19882992 A JP19882992 A JP 19882992A JP H0643561 A JPH0643561 A JP H0643561A
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JP
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sensor
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thermistor
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Application number
JP4198829A
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English (en)
Inventor
Teruhiko Toyoizumi
輝彦 豊泉
Satoshi Watanabe
智 渡邊
Kiyoharu Nakagama
清張 中釜
Kazuyuki Tagami
和之 田上
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
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  • Developing For Electrophotography (AREA)
  • Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
  • Control Of Exposure In Printing And Copying (AREA)
  • Control Or Security For Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】センサ4の温度変動を確実に補償する。 【構成】レンズ3を保持する鏡筒31内にセンサ4とサ
ーミスタTHが収納されている。これによって、センサ
4とサーミスタTHが常時同一温度にさらされるので、
センサ4の温度変動が確実に補償されて安定した転写濃
度を得ることが可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複写機などに適用して
好適な自動画像濃度調整装置に関する。
【0002】
【発明の背景】複写機においては、原稿の濃度が通常よ
り薄い場合や或いは濃い場合でも、これを通常濃度の原
稿と同様に最適な濃度で転写するために、自動画像濃度
調整装置が設けられているのが一般的である。このよう
な複写機では、例えば原稿の地肌濃度が濃い場合は全体
的に薄めの転写濃度が自動的に設定され、これによって
転写カブリ等が防止されて転写後の画像が見易くなる。
転写濃度の調整は、露光量を変えたり、次に説明するよ
うに現像スリーブのバイアス電圧を変えることによって
行なわれる。
【0003】図6は従来の自動画像濃度調整装置を適用
した複写機の構成を示す。この複写機では、原稿1で反
射した露光ランプ2の光がスリット20およびレンズ3
を介してドラム11に投射される。これでドラム11上
に原稿1の潜像が形成され、これにトナー12が付着し
て現像される。そして、ドラム11上のトナー12が別
途転写紙に転写されて複写が終了する。
【0004】ドラム11に付着するトナー12の量は、
現像スリーブ10に印加されるバイアス電圧を変えるこ
とによって調整することができ、これによって転写濃度
を調整することが可能になる。すなわち、現像スリーブ
10のバイアス電圧が高いと、ドラム11に付着するト
ナー12の量が少なくなり転写濃度が薄くなる。逆に現
像スリーブ10のバイアス電圧が低いと、転写濃度は濃
くなる。例えば原稿1の地肌濃度が濃い場合は、上述の
ように全体的に薄く転写すると見易くなるので、バイア
ス電圧が高く設定される。
【0005】一方この複写機では、原稿1の濃度を検出
するため次のようなEEスキャンが行なわれる。なお、
以下の説明では濃度として反射濃度ODを用いている。
いま、原稿1の光の反射率をRとすると、反射濃度OD
はOD=log10(1/R)で表される。そして、反射濃
度OD=0.0(R=1)は白データを表し、反射濃度
OD=∞(R=0)は黒データを表す。
【0006】さて、EEスキャンにおいては、露光ラン
プ2を原稿1に沿って移動させ、そのときに原稿1の複
数の測定点から反射した光をセンサ4で受光し、これを
光電変換することによって測定点の濃度に相当する電気
信号(以下EE信号という)が出力される。このEEス
キャンで所定数のEE信号がサンプリングされ、これが
ゲイン選択回路5およびオフセット調整回路6を経てA
/D変換器7に入力される。
【0007】ゲイン選択回路5では、反射濃度OD=
0.0〜∞に相当するEE信号を増幅したとき、これが
全てA/D変換器7に取り込まれるようなゲインが選択
される。つまり、反射濃度OD=0.0に相当するEE
信号を増幅したときのレベルがA/D変換器7の最大入
力レベルとなり、反射濃度OD=∞に相当するEE信号
を増幅したときのレベルがA/D変換器7の最小入力レ
ベルとなるようにゲインが選択される。したがって、A
/D変換器7の分解能を例えば64段階とすると、反射
濃度OD=0.0〜∞に相当する信号が64段階に分解
されることになる。
【0008】このようにしてゲインを選択することによ
り、サンプリングされたEE信号を全てA/D変換器7
に取り込むことが可能になると共に、センサ4の精度誤
差や回路を構成する抵抗器の抵抗値誤差などに起因する
読取り濃度のばらつきの影響を排除することが可能にな
る。つまり、同一濃度の画像を同一仕様の複数の複写機
で読み取ったとき、各部の精度誤差などによって複写機
毎にEE信号のレベルが異なる場合でも、複写機毎にゲ
インを適宜選択することによって全ての複写機で同一濃
度で複写することが可能になる。
【0009】さて、A/D変換器7の出力信号はCPU
(中央処理装置)8に供給され、ここで図7に示すよう
な濃度ヒストグラムが作成される。この濃度ヒストグラ
ムに基づいて、後述するような手順で原稿1の濃度が判
断される。本図は、横軸が反射濃度OD=0.0〜∞
と、この反射濃度OD=0.0〜∞をA/D変換器7の
分解能、本例では64段階に分解して0〜63までの数
字で表した原稿濃度であり、縦軸が各原稿濃度における
度数である。ここでは、A/D変換器7の出力と原稿濃
度が1対1に対応するようになる。
【0010】この濃度ヒストグラムでは、所定範囲の原
稿濃度に対応させてバイアス(=3.5〜7)が設定さ
れている。バイアスは現像スリーブ10に印加されるバ
イアス電圧と1対1に対応させて設定されている。例え
ば、バイアス4はバイアス電圧250V(ボルト)と対
応し、バイアス5はバイアス電圧330Vと対応してい
る。
【0011】そして、バイアス7に対応するバイアス電
圧が最も高く、このときの転写濃度が最も薄くなる。ま
た、各バイアス間の閾値は判断レベルJ2D〜J4とし
て記号化されており、後述するように原稿1の全体の濃
度を判断するときの比較基準として用いられる。本例で
は、例えば判断レベルJ2Dは原稿濃度7であり、判断
レベルJ4は原稿濃度27である。
【0012】このようにして作成された濃度ヒストグラ
ムを基に、原稿1の画像を転写紙に最適な濃度で転写す
るため、すなわち転写カブリなどを防止して見易い濃度
で転写するため、次に説明するような手順で現像スリー
ブ10に印加するバイアス電圧が決定される。
【0013】バイアス電圧の決定においては、まず濃度
ヒストグラムから1番淡い原稿濃度(以下、最淡濃度と
いう)と、1番濃い原稿濃度(以下、最濃濃度という)
を求め、次に広がり濃度(=最濃濃度−最淡濃度)を算
出する。本例では最淡濃度=5、最濃濃度=14、広が
り濃度=14−5=9となる。
【0014】次に、各原稿濃度の度数を最淡濃度の方か
ら順番に加算し、その合計がサンプリング数の1/2を
初めて超えたときの原稿濃度を平均濃度とする。本例で
は、総サンプリング数が640個であり、各濃度におけ
る度数の合計がその半分、すなわち320を初めて超え
るのは原稿濃度10のときであり、これが平均濃度とな
る。
【0015】次に、図8に示すバイアス決定処理30に
よって原稿1に対するバイアスが決定される。このバイ
アス決定処理30では、まず平均濃度と判断レベルJ2
とが比較され、平均濃度の方が小さい場合は次に平均濃
度と判断レベルJ2Dとが比較される。そして、平均濃
度の方が小さい場合はバイアス3.5に決定され、平均
濃度の方が大きい場合はバイアス4に決定される(ステ
ップ31〜34)。
【0016】ステップ31で平均濃度の方が判断レベル
J2より大きいと判断された場合は、次に広がり濃度と
基準広がり濃度(例えば、線画と写真画を区別するため
に、その中間に設定する)が比較され、ここで広がり濃
度の方が大きいと判断された場合は、次に平均濃度と判
断レベルJ3D,J3,J4が比較され、その大小関係
によってバイアス4.5〜7が決定される(ステップ3
6〜42)。
【0017】ステップ35で広がり濃度が基準広がり濃
度より小さいと判断された場合は、次に最淡濃度と判断
レベルJ2〜J4とが比較され、その大小関係によって
バイアス4〜7が決定される(ステップ43〜51)。
図7に示した濃度ヒストグラムはバイアス4と決定され
る。
【0018】このようにしてバイアスが決定されると、
次にこのバイアスに対応するバイアス電圧を発生するよ
うにCPU8からバイアス回路9に指示が出される。こ
れによってバイアス回路9で発生したバイアス電圧が現
像スリーブ10に印加されて、原稿1の画像が最適な転
写濃度で転写されるようになる。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述の複写装
置では、自動画像濃度調整装置に使用されるセンサ4の
出力特性が図9に示すように温度によって変動するた
め、複写装置の使用時間帯や季節などによって周囲の温
度が変化すると、転写濃度が濃すぎたり或いは薄すぎた
りすることがあった。
【0020】そこでこの発明は、上述したような課題を
解決したものであって、周囲の温度が変化した場合でも
最適な転写濃度を設定可能な自動画像濃度調整装置を提
案するものである。
【0021】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め本発明においては、原稿を読み取って転写するとき、
原稿の濃度に応じて転写濃度を自動的に調整可能な自動
画像濃度調整装置において、原稿の反射光が入射するレ
ンズと、レンズを保持する鏡筒と、原稿の反射光を受光
してこれを電気信号に変換するセンサ手段と、サーミス
タと抵抗器を有し、センサ手段の出力信号が周囲の温度
変化によって変動したとき、この出力信号の変動を制御
するための温度変動制御手段とを備え、センサ手段とサ
ーミスタを鏡筒内に取付けたことを特徴とするものであ
る。
【0022】
【作用】図1において、原稿1を複写するときには、ま
ずEEスキャンによって原稿1の濃度が判断される。こ
のEEスキャンでは露光ランプ2を原稿1に沿って移動
し、このときに原稿1の複数の測定点から反射される光
をセンサ4で受光して光電変換する。ここで得られたE
E信号は、I/V変換回路21で電圧V1に変換され
る。
【0023】センサ4および電圧変換回路21において
は、図2に示すようにセンサ4の出力電流IがアンプA
2に入力される。ここで、抵抗器R1とサーミスタTH
が並列に接続されており、その合成抵抗値RはR=(R
1×TH)/(R1+TH)であり、アンプA2の出力
電圧V1はV1=I×R=I×(R1×TH)/(R1
+TH)となる。
【0024】ここでは、抵抗器R1とサーミスタTHを
適宜選定することにより、図3に示すように温度変化に
よってセンサ4の出力電流I2が変動しても、電圧V1
が常時一定となるような合成抵抗Rが設定されている。
【0025】さらに、この発明では図4に示すようにセ
ンサ4とサーミスタTHが、レンズ3の鏡筒31内に収
納されているので、両者が常時同一温度に晒されるよう
になる。これによって、センサ4の温度補償が確実なも
のとなる。
【0026】さて、アンプA2の出力電圧V1はローパ
スフィルタ回路22に供給され、ここでフリッカ成分な
どの高周波成分が除去されてゲイン選択回路5に供給さ
れる。ゲイン選択回路5で増幅された信号は足切り回路
23に供給され、ここで原稿1の濃度を判定するために
必要な範囲の信号、例えば反射濃度OD=0.0〜0.
3の範囲に相当する信号だけが抽出される。ゲイン選択
回路5のゲインは、この範囲の信号を増幅したときにA
/D変換器7の入力レベル幅と合致するように選択され
る。
【0027】A/D変換器7でA/D変換された信号は
CPU8に供給され、ここで図5のような濃度ヒストグ
ラムが作成されて原稿1の濃度、本例では平均濃度、最
淡濃度、最濃濃度、広がり濃度が判断される。これらの
濃度が図8に示すバイアス決定処理30にしたがって、
判断レベルJ2D〜J4と比較されてバイアス(=3.
5〜7)が決定され、これによってバイアス電圧が決定
される。
【0028】
【実施例】続いて、本発明に係わる自動画像濃度調整装
置を複写機に適用した場合の一実施例について、図面を
参照して詳細に説明する。なお、上述と同様な部分には
同一の符号を付けて詳細な説明は省略した。
【0029】図1は、本発明による自動画像濃度調整装
置を適用した複写機の構成を示す。同図において、原稿
1の複写面で反射した露光ランプ2の光は、スリット2
0を通過してレンズ3などの光学系の近辺に配置された
センサ4で検出される。センサ4では受光した光がEE
信号に変換され、これがI/V変換回路21で電圧V1
に変換される。この電圧V1はローパスフィルタ回路2
2でフリッカ成分などが除去され、これがゲイン選択回
路5および足切り回路23を介してA/D変換器7に供
給される。
【0030】ゲイン選択回路5ではCPU8からの指示
によって、後述のように原稿1の濃度を判断するのに必
要な範囲の信号、例えば反射濃度OD=0.0〜0.3
の範囲に相当するEE信号を増幅したときに、これがA
/D変換器7の入力範囲と合致するようなゲインが選択
される。
【0031】すなわち、反射濃度OD=0.0に相当す
るEE信号を増幅したときのレベルがA/D変換器7の
最大入力レベルと一致し、反射濃度OD=0.3に相当
するEE信号を増幅したときのレベルがA/D変換器7
の最小入力レベルと一致するようにゲインが選択され
る。これによって、上述と同様に検出されたEE信号を
全てA/D変換器7に取り込むことが可能になると共
に、センサ4の精度や各部を構成する抵抗器の抵抗値誤
差などの影響を排除することが可能になる。
【0032】足切り回路23ではゲイン選択回路5の出
力信号から、反射濃度OD=0.0〜0.3の範囲に相
当する信号だけが抽出され、これがA/D変換器7に供
給されてA/D変換される。本例ではA/D変換器7の
分解能を64段階とする。
【0033】A/D変換器7の出力はCPU8に供給さ
れ、これに基づいて濃度ヒストグラムが作成される。こ
の濃度ヒストグラムでは、反射濃度ODの取り得る範囲
としてOD=0.0〜0.3が設定され、これがA/D
変換器7の分解能と同一の64段階に分割されて原稿濃
度(0〜63)が設定される。したがって、A/D変換
器7の出力と原稿濃度は1対1で対応する。この濃度ヒ
ストグラムから最淡濃度、最濃濃度、平均濃度、広がり
濃度が算出され、これが図7で説明したと同様に判断レ
ベルJ2D〜J4と比較されてバイアスが決定される。
【0034】次に、この複写機における自動画像濃度調
整装置の各部の構成及びその作用について説明する。な
お、ここで用いられている抵抗器およびサーミスタの抵
抗値はその符号と同一とする。
【0035】さて、図2は本発明に係わる自動画像濃度
調整装置の各部の詳細な構成を示す。同図において、原
稿1から反射した光はセンサ4で光電変換される。セン
サ4の出力電流Iは原稿1の原稿濃度に比例する。
【0036】センサ4の出力端子とグランドとの間に
は、サーミスタTHが接続されている。このサーミスタ
THは、センサ4における温度補正を行なうために設け
られたものである。すなわち、センサ4から出力された
電流Iは、I/V変換回路21のアンプA2に供給され
て電圧V1に変換される。アンプA2の非反転入力端子
とグランドとの間には抵抗器R1がサーミスタTHと並
列に接続されており、サーミスタTHと抵抗器R1との
合成抵抗値RはR=(R1×TH)/(R1+TH)と
なる。したがって、電圧V1はV1=I×R=I×
((R1×TH)/(R1+TH))となる。
【0037】ここで、サーミスタTHと抵抗器R1は、
その合成抵抗値Rが図3(a)に示すような温度特性を
有するものが用いられており、同図(b)に示すような
センサ4の温度変動による出力の変化を補償するように
なっている。つまり、同一濃度の原稿1から反射した光
を検出したときに、温度変化によってセンサ4の出力I
2が変化しても、合成抵抗値Rも温度変化に応じて変化
することにより、同図(c)に示すように電圧V1が温
度補償されて常時一定になるように設定されている。こ
れによって、複写機の転写濃度が使用時間帯や季節に影
響されるのを防止可能になる。
【0038】さらにこの発明では、次に説明するように
センサ4とサーミスタTHとを同一雰囲気内に収納する
ことによって、センサ4の温度補償を確実なものとして
いる。すなわち、この自動画像濃度調整装置において
は、図4に示すようにレンズ3が鏡筒31の先端に取付
けられている。鏡筒31のもう一方の先端には電子部品
実装基板32が取付けられており、鏡筒31は略密閉さ
れている。
【0039】そして、センサ4とサーミスタTHは部品
実装基板32の内面側に取付けられている。これによっ
て、センサ4とサーミスタTHは常時同一雰囲気に晒さ
れることになり、両者の周囲温度は同一になる。したが
って、センサ4の温度変動が正確に補償されるようにな
る。
【0040】さて、アンプA2の出力電圧V1は、ロー
パスフィルタ回路22の抵抗器R2,R4を介してアン
プA3の非反転入力端子に印加される。アンプA3の非
反転入力端子とグランドとの間にはコンデンサC1が接
続され、抵抗器R2および抵抗器R4の接続中点とアン
プA3の出力端子との間には、コンデンサC2が接続さ
れている。また、アンプA3の出力端子とグランドとの
間には抵抗器R3,R5が接続され、抵抗器R3および
抵抗器R5の接続中点が、アンプA3の反転入力端子に
接続されている。
【0041】このローパスフィルタ回路22では、印加
された電圧V1のAC成分が除去される。すなわち、A
C電源を用いる露光ランプ2が光源となっている場合
は、この露光ランプ2から照射される光に電源のAC成
分が乗るため、ローパスフィルタ回路22でAC成分を
除去するようになっている。いま、R2=R4、C1=
C2とすると、アンプA3の出力電圧V2はV2=(1
+R5/R3)×V1となる。この電圧V2は、抵抗器
R6を介してゲイン選択回路5のアンプA4の非反転入
力端子に印加される。
【0042】ゲイン選択回路5においては、アンプA4
の反転入力端子とグランドとの間にアナログスイッチS
W1〜SW4を介して4種類の抵抗器R20〜R23が
並列に接続されている。アナログスイッチSW1〜SW
4はCPU8からの指示によってオン/オフされるもの
で、各アナログスイッチSW1〜SW4を適宜切り換え
ることによって、14通りの合成抵抗RRを得ることが
できる。また、アンプA4の出力端子と反転入力端子と
の間には抵抗R7が接続されている。
【0043】このゲイン選択回路5におけるゲインGは
G=(1+RR/R7)となる。ここで、合成抵抗RR
は上述のように14通り選択可能なので、ゲインGも1
4通り、例えば1.0倍〜8.0倍まで0.5倍刻みの
ゲインを選択することが可能である。アンプA4の出力
電圧V3はV3=G×V2=(1+RR/R7)×V2
となる。
【0044】電圧V3は、足切り回路23の抵抗器R1
2を介してアンプA5の非反転入力端子に印加される。
アンプA5の非反転入力端子とグランドの間には、抵抗
器R13が接続され、アンプA5の出力端子とグランド
との間には抵抗器R15が接続されている。また、アン
プA5の反転入力端子には、抵抗器R8と抵抗器R9で
分圧された電源(5V)が抵抗器R10を介して入力さ
れる。さらにアンプA5の出力端子と反転入力端子との
間には、抵抗器R11および抵抗器R14が接続されて
いる。
【0045】この足切り回路23では、アンプA5を用
いて減算回路が構成されている。いま、R10=R11
=R12=R13=R14とし、反転入力端子に入力さ
れる電圧を基準電圧VBとすると、アンプA5の出力電
圧V4はV4=V3−VBとなる。ここで、基準電圧V
Bは抵抗器R8と抵抗器R10との分圧比で決まるもの
で、実際に検出される原稿1の濃度より僅かに濃い反射
濃度ODに相当する電圧、本例では反射濃度OD=0.
3に相当する電圧が設定される。
【0046】つまり、足切り回路23では、ゲイン選択
回路5の出力電圧V3から基準電圧VBを引くことによ
って、反射濃度OD=0.0〜0.3の範囲に相当する
信号、すなわち原稿1の濃度の判別に必要な範囲の信号
だけを取り出していることになる。なお、基準電圧VB
は実際の使用条件によって、適宜設定される。
【0047】このようにして、濃度判別に必要な比較的
狭い範囲の信号が抽出されてA/D変換器7に供給さ
れ、ここでA/D変換された後CPU8に供給される。
CPU8では、入力したデータを基に図5に示すような
濃度ヒストグラムが作成される。
【0048】この濃度ヒストグラムにおいては、濃度の
取り得る範囲として反射濃度OD=0.0〜0.3が設
定され、原稿濃度はこれを64段階に分けたものになっ
ている。
【0049】この濃度ヒストグラムに基づいて、上述と
同様な手順(図8)でバイアスが決定され、このバイア
スに対応するバイアス電圧を発生するようにCPU8か
らバイアス回路9に指示が出される。これによって現像
スリーブ10に所定のバイアス電圧が供給される。この
ようにしてバイアス電圧を調整することによって、淡い
線画、多階調の写真画、濃い線画など各種の画像を鮮明
に複写することが可能になる。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、原稿を読
み取って転写するとき、原稿の濃度に応じて転写濃度を
自動的に調整可能な自動画像濃度調整装置において、原
稿の反射光が入射するレンズと、レンズを保持する鏡筒
と、原稿の反射光を受光してこれを電気信号に変換する
センサ手段と、サーミスタと抵抗器を有し、センサ手段
の出力信号が周囲の温度変化によって変動したとき、こ
の出力信号の変動を制御するための温度変動制御手段と
を備え、センサ手段とサーミスタを鏡筒内に取付けたも
のである。
【0051】したがって本発明によれば、センサ手段と
サーミスタが同一雰囲気内にあるのでセンサ手段の出力
が温度変動してもこの影響を確実に排除することが可能
になるから、この自動画像濃度調整装置を複写機などに
適用すれば、使用時間帯や使用する季節などによって周
囲の温度が変化した場合でも、転写濃度が濃すぎたり或
いは薄すぎたりするようなことを防止可能になるなどの
効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる自動画像濃度調整装置を適用し
た複写機の構成図である。
【図2】本発明に係わる自動画像濃度調整装置の構成図
である。
【図3】合成抵抗値Rと電圧V1の温度特性を説明する
説明図である。
【図4】センサ4とサーミスタTHの取付け位置を示す
断面図である。
【図5】実施例の自動画像濃度調整装置で作成される濃
度ヒストグラムの一例を説明する説明図である。
【図6】従来例に係わる自動画像濃度調整装置を適用し
た複写機の構成図である。
【図7】従来例の自動画像濃度調整装置で作成される濃
度ヒストゲラムの一例を説明する説明図である。
【図8】バイアス決定処理の手順を説明する説明図であ
る。
【図9】センサ4の出力特性を説明する説明図である。
【符号の説明】
1 原稿 2 露光ランプ 3 レンズ 4 センサ 5 ゲイン選択回路 6 オフセット調整回路 7 A/D変換器 8 CPU 9 バイアス回路 10 現像スリーブ 11 ドラム 12 トナー 21 I/V変換回路 22 ローパスフィルタ回路 23 足切り回路 31 鏡筒 32 電子部品実装基板 R 合成抵抗値 TH サーミスタ
フロントページの続き (72)発明者 田上 和之 東京都八王子市石川町2970番地 コニカ株 式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 原稿を読み取って転写するとき、上記原
    稿の濃度に応じて転写濃度を自動的に調整可能な自動画
    像濃度調整装置において、 上記原稿の反射光が入射するレンズと、 上記レンズを保持する鏡筒と、 上記原稿の反射光を受光してこれを電気信号に変換する
    センサ手段と、 サーミスタと抵抗器を有し、上記センサ手段の出力信号
    が周囲の温度変化によって変動したとき、この出力信号
    の変動を制御するための温度変動制御手段とを備え、 上記センサ手段と上記サーミスタを上記鏡筒内に取付け
    たことを特徴とする自動画像濃度調整装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP1441148A2 (en) 2003-01-21 2004-07-28 HONDA MOTOR CO., Ltd. Transmission
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