JPH0641768A - 光反射防止性材料及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 - Google Patents
光反射防止性材料及びこれを用いたレジストパターンの形成方法Info
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- JPH0641768A JPH0641768A JP21715792A JP21715792A JPH0641768A JP H0641768 A JPH0641768 A JP H0641768A JP 21715792 A JP21715792 A JP 21715792A JP 21715792 A JP21715792 A JP 21715792A JP H0641768 A JPH0641768 A JP H0641768A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 フォトレジスト層の上層として下記一般式
（１）で表されるフッ素化アルキルエーテル化合物を含
む光反射防止性材料からなる光光反射防止性膜を形成
し、上記レジスト層を露光した後に上記光反射防止性膜
を除去することにより、レジストパターンを形成する。 （式中、Ｘ及びＹはそれぞれ同一又は異種の水酸基、ア
ミノ基もしくはヒドロキシカルボニル基であり、ｍ，
ｎ，ｐ，ｑは１〜１０の整数である。） 【効果】 凹凸を有する基板表面上にも高精度の微細な
レジストパターンを形成することができ、また、上記材
料を有機溶媒溶液の形態で使用する場合、フロンを使用
しないので環境問題を引き起こすこともなく、工業的に
有用である。
（１）で表されるフッ素化アルキルエーテル化合物を含
む光反射防止性材料からなる光光反射防止性膜を形成
し、上記レジスト層を露光した後に上記光反射防止性膜
を除去することにより、レジストパターンを形成する。 （式中、Ｘ及びＹはそれぞれ同一又は異種の水酸基、ア
ミノ基もしくはヒドロキシカルボニル基であり、ｍ，
ｎ，ｐ，ｑは１〜１０の整数である。） 【効果】 凹凸を有する基板表面上にも高精度の微細な
レジストパターンを形成することができ、また、上記材
料を有機溶媒溶液の形態で使用する場合、フロンを使用
しないので環境問題を引き起こすこともなく、工業的に
有用である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特にフォトレジストを
用いたフォトリソグラフィーにおいて、凹凸のある基板
上にも高精度の微細加工を可能にする光反射防止性材料
及びこれを用いてレジストパターンを形成する方法に関
する。
用いたフォトリソグラフィーにおいて、凹凸のある基板
上にも高精度の微細加工を可能にする光反射防止性材料
及びこれを用いてレジストパターンを形成する方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
半導体集積回路の高集積化、高密度化に伴い、パターン
形成プロセスにおけるパターン寸法の高精度化が要求さ
れている。各種微細パターンの形成には、フォトレジス
トを所望のパターン形状に露光し、現像することによっ
てレジスト像を得るフォトリソグラフィーと呼ばれる方
法が一般に用いられている。
半導体集積回路の高集積化、高密度化に伴い、パターン
形成プロセスにおけるパターン寸法の高精度化が要求さ
れている。各種微細パターンの形成には、フォトレジス
トを所望のパターン形状に露光し、現像することによっ
てレジスト像を得るフォトリソグラフィーと呼ばれる方
法が一般に用いられている。
【０００３】しかしながら、基板に凹凸がある場合、段
差部分でフォトレジスト層の膜厚が変動するために光干
渉の影響を受け、従ってレジスト像の寸法精度が低下
し、このことにより、正確なサイズにパターン加工がで
きないだけでなく、合わせ露光のためのアライメントマ
ークの寸法精度も低下し、合わせ精度の低下につながる
という問題もある。
差部分でフォトレジスト層の膜厚が変動するために光干
渉の影響を受け、従ってレジスト像の寸法精度が低下
し、このことにより、正確なサイズにパターン加工がで
きないだけでなく、合わせ露光のためのアライメントマ
ークの寸法精度も低下し、合わせ精度の低下につながる
という問題もある。
【０００４】そこで、基板表面の凹凸によって生じる上
記問題点を解決したパターン形成法として、多層レジス
ト法（特開昭５１−１０７７５号公報等）、ＡＲＣ（レ
ジスト下部に形成した反射防止膜）法（特開昭５９−９
３４４８号公報）、ＡＲＣＯＲ（レジスト部に形成した
反射防止膜）法（特開昭６２−６２５２０号公報）など
が提案されている。
記問題点を解決したパターン形成法として、多層レジス
ト法（特開昭５１−１０７７５号公報等）、ＡＲＣ（レ
ジスト下部に形成した反射防止膜）法（特開昭５９−９
３４４８号公報）、ＡＲＣＯＲ（レジスト部に形成した
反射防止膜）法（特開昭６２−６２５２０号公報）など
が提案されている。
【０００５】しかし、多層レジスト法は、レジスト層を
２層又は３層形成した後、パターン転写を行うことによ
ってマスクとなるレジストパターンを形成する方法であ
るので工程数が多く、このため生産性が悪く、また中間
層からの光反射によって寸法精度が低下するという問題
がある。
２層又は３層形成した後、パターン転写を行うことによ
ってマスクとなるレジストパターンを形成する方法であ
るので工程数が多く、このため生産性が悪く、また中間
層からの光反射によって寸法精度が低下するという問題
がある。
【０００６】また、ＡＲＣ法は、レジスト層の下部に形
成した光反射防止性膜をエッチングする方法であるた
め、寸法精度の低下が大きく、エッチング工程が増える
ため生産性も悪くなるという問題がある。。
成した光反射防止性膜をエッチングする方法であるた
め、寸法精度の低下が大きく、エッチング工程が増える
ため生産性も悪くなるという問題がある。。
【０００７】これに対し、ＡＲＣＯＲ法は、レジスト層
の上部に透明な光反射防止性膜を形成し、露光後剥離す
る工程を含む方法であり、簡便かつ微細で、寸法精度及
び合わせ精度が高いレジストパターンを形成することが
できる方法である。このＡＲＣＯＲ法では、光反射防止
性膜としてパーフルオロアルキルポリエーテル，パーフ
ルオロアルキルアミン等のパーフルオロアルキル化合物
などの低屈折率を有する材料を用いることによって、レ
ジスト層−光反射防止性膜界面における反射光を大幅に
低減させ、このことによってレジスト像の寸法精度の向
上を計るものである。
の上部に透明な光反射防止性膜を形成し、露光後剥離す
る工程を含む方法であり、簡便かつ微細で、寸法精度及
び合わせ精度が高いレジストパターンを形成することが
できる方法である。このＡＲＣＯＲ法では、光反射防止
性膜としてパーフルオロアルキルポリエーテル，パーフ
ルオロアルキルアミン等のパーフルオロアルキル化合物
などの低屈折率を有する材料を用いることによって、レ
ジスト層−光反射防止性膜界面における反射光を大幅に
低減させ、このことによってレジスト像の寸法精度の向
上を計るものである。
【０００８】しかしながら、上記パーフルオロアルキル
化合物は、有機物との相溶性が低いので塗布膜の厚さを
制御するためにフロン等の希釈液で希釈して用いている
が、現在、フロンは環境保護の観点からその使用が問題
となっており、また、上記パーフルオロアルキル化合物
は成膜の均一性に問題があり、光反射防止性膜として十
分な性能を有するものではない。
化合物は、有機物との相溶性が低いので塗布膜の厚さを
制御するためにフロン等の希釈液で希釈して用いている
が、現在、フロンは環境保護の観点からその使用が問題
となっており、また、上記パーフルオロアルキル化合物
は成膜の均一性に問題があり、光反射防止性膜として十
分な性能を有するものではない。
【０００９】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
微細で寸法精度及び合わせ精度が高く、簡便で生産性が
高く、再現性よくレジストパターンを形成するための光
反射防止性膜材料及びこれを用いたレジストパターンの
形成方法を提供することを目的とする。
微細で寸法精度及び合わせ精度が高く、簡便で生産性が
高く、再現性よくレジストパターンを形成するための光
反射防止性膜材料及びこれを用いたレジストパターンの
形成方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成するため鋭意検討を行った結果、下記一般式
（１）で表されるフッ素化ポリエーテル化合物を光反射
防止性膜材料として使用することにより、入射光の損失
なしにレジスト層表面での反射光を低減し、かつレジス
ト層での光夛重干渉によるパタンー寸法精度を防止し得
ることを知見した。
目的を達成するため鋭意検討を行った結果、下記一般式
（１）で表されるフッ素化ポリエーテル化合物を光反射
防止性膜材料として使用することにより、入射光の損失
なしにレジスト層表面での反射光を低減し、かつレジス
ト層での光夛重干渉によるパタンー寸法精度を防止し得
ることを知見した。
【００１１】
【化２】 （式中、Ｘ及びＹはそれぞれ同一又は異種の水酸基、ア
ミノ基もしくはヒドロキシカルボニル基であり、ｍ，
ｎ，ｐ，ｑは１〜１０の整数である。）
ミノ基もしくはヒドロキシカルボニル基であり、ｍ，
ｎ，ｐ，ｑは１〜１０の整数である。）
【００１２】即ち、上記フッ化アルキルポリエーテル化
合物は、フッ素含有率の高い低屈折率（約１．３）の化
合物であるが、この化合物を含む材料でレジスト層の上
層として光反射防止性層を形成した場合、光の反射率を
大幅に低減することができるのでレジスト像の寸法精度
を向上させることができ、また、屈折率が約１．３であ
っても塗膜が不可能又は塗膜均一性が悪い材料では、基
板全面で光反射防止効果を得ることはできないが、上記
一般式（１）で表される化合物を含む材料は、はじき、
むら塗り等がほとんど生じることがなく塗膜均一性に優
れているので、レジスト層の上層として塗布し、光反射
防止性層を形成した場合、基板全面において安定した反
射防止効果を得ることができることを見い出した。しか
もこの材料は、特開昭６２−６２５６２０号公報で光反
射防止性膜の材料として提案されているパーフルオロア
ルキル化合物とは異なって分子中にポリオキシエチレン
単位を含み、分子末端に水酸基又はヒドロキシカルボニ
ル基を有することから、希釈液としてフロンを用いる必
要がなく、アルキルポリエーテル化合物又はフッ素化ア
ルキル化合物などを用いることができるので環境問題も
解決できることを知見し、本発明をなすに至った。
合物は、フッ素含有率の高い低屈折率（約１．３）の化
合物であるが、この化合物を含む材料でレジスト層の上
層として光反射防止性層を形成した場合、光の反射率を
大幅に低減することができるのでレジスト像の寸法精度
を向上させることができ、また、屈折率が約１．３であ
っても塗膜が不可能又は塗膜均一性が悪い材料では、基
板全面で光反射防止効果を得ることはできないが、上記
一般式（１）で表される化合物を含む材料は、はじき、
むら塗り等がほとんど生じることがなく塗膜均一性に優
れているので、レジスト層の上層として塗布し、光反射
防止性層を形成した場合、基板全面において安定した反
射防止効果を得ることができることを見い出した。しか
もこの材料は、特開昭６２−６２５６２０号公報で光反
射防止性膜の材料として提案されているパーフルオロア
ルキル化合物とは異なって分子中にポリオキシエチレン
単位を含み、分子末端に水酸基又はヒドロキシカルボニ
ル基を有することから、希釈液としてフロンを用いる必
要がなく、アルキルポリエーテル化合物又はフッ素化ア
ルキル化合物などを用いることができるので環境問題も
解決できることを知見し、本発明をなすに至った。
【００１３】従って、本発明は、上記一般式（１）で表
されるフッ素化アルキルエーテル化合物を含むことを特
徴とする光反射防止性材料、及びフォトレジスト層の上
層としてこの光反射防止性材料からなる光光反射防止性
膜を形成し、上記レジスト層を露光した後に上記光反射
防止性膜を除去することを特徴とするレジストパターン
の形成方法を提供する。
されるフッ素化アルキルエーテル化合物を含むことを特
徴とする光反射防止性材料、及びフォトレジスト層の上
層としてこの光反射防止性材料からなる光光反射防止性
膜を形成し、上記レジスト層を露光した後に上記光反射
防止性膜を除去することを特徴とするレジストパターン
の形成方法を提供する。
【００１４】以下、本発明を更に詳しく説明すると、本
発明の光反射防止性材料は、下記一般式（１）で表され
るフッ素化アルキルエーテル化合物を含むものである。
発明の光反射防止性材料は、下記一般式（１）で表され
るフッ素化アルキルエーテル化合物を含むものである。
【００１５】
【化３】
【００１６】ここで、Ｘ及びＹはそれぞれ同一又は異種
の水酸基、アミノ基もしくはヒドロキシカルボニル基で
ある。また、ｍ，ｎ，ｐ，ｑは１〜１０の整数である
が、特に４〜８であることが好ましい。
の水酸基、アミノ基もしくはヒドロキシカルボニル基で
ある。また、ｍ，ｎ，ｐ，ｑは１〜１０の整数である
が、特に４〜８であることが好ましい。
【００１７】本発明の光反射防止性材料は上記フッ素化
アルキル化合物を単独で用いてもよく、アルキルエーテ
ル化合物やフッ素化炭化水素などの有機溶媒で希釈し、
回転注型可能な光反射防止性材料として用いることもで
きる。この場合、これら有機溶媒１００部（重量部、以
下同じ）に対して上記一般式（１）で表されるフッ素化
アルキル化合物１〜１０部を溶解させることが好まし
い。
アルキル化合物を単独で用いてもよく、アルキルエーテ
ル化合物やフッ素化炭化水素などの有機溶媒で希釈し、
回転注型可能な光反射防止性材料として用いることもで
きる。この場合、これら有機溶媒１００部（重量部、以
下同じ）に対して上記一般式（１）で表されるフッ素化
アルキル化合物１〜１０部を溶解させることが好まし
い。
【００１８】ここで、溶媒として用いるアルキルポリエ
ーテル化合物としては、ジエチレングリコールジメチル
エーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、プ
ロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリ
コールメチルエーテルアセテート、エチレングリコール
ブチルエーテルアセテートなどが挙げられる。
ーテル化合物としては、ジエチレングリコールジメチル
エーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、プ
ロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリ
コールメチルエーテルアセテート、エチレングリコール
ブチルエーテルアセテートなどが挙げられる。
【００１９】また、フッ素化炭化水素としては、ヘキサ
フルオロ−ｍ−キシレン、トリフルオロトルエン、ヘキ
サフルオロアセチルアセトン、ヘキサフルオロベンゼ
ン、トリフルオロ酢酸エチルなどが挙げられる。
フルオロ−ｍ−キシレン、トリフルオロトルエン、ヘキ
サフルオロアセチルアセトン、ヘキサフルオロベンゼ
ン、トリフルオロ酢酸エチルなどが挙げられる。
【００２０】本発明の光反射防止性材料を用いたレジス
トパターンを形成するには、公知の方法を採用し得、例
えば図１に示すリソグラフィー工程により行うことがで
きる。まず、ケイ素ウェハー等の基板１上にスピンコー
ト等の方法でフォトレジスト層２を形成し、このフォト
レジスト層２の上に本発明の光反射防止性材料をスピン
コート等の方法で塗布して光反射防止層３を形成し、光
反射防止性膜３に波長２００〜５００ｎｍの紫外線４を
縮小投影法により所望のパターン形状に露光し、即ち図
３（ｃ）においてＡ部分を露光し、次いで光反射防止層
３を除去し、現像液を用いて現像する方法によりレジス
トパターン５を形成することができる。
トパターンを形成するには、公知の方法を採用し得、例
えば図１に示すリソグラフィー工程により行うことがで
きる。まず、ケイ素ウェハー等の基板１上にスピンコー
ト等の方法でフォトレジスト層２を形成し、このフォト
レジスト層２の上に本発明の光反射防止性材料をスピン
コート等の方法で塗布して光反射防止層３を形成し、光
反射防止性膜３に波長２００〜５００ｎｍの紫外線４を
縮小投影法により所望のパターン形状に露光し、即ち図
３（ｃ）においてＡ部分を露光し、次いで光反射防止層
３を除去し、現像液を用いて現像する方法によりレジス
トパターン５を形成することができる。
【００２１】この場合、光反射防止層３は、５００〜９
００Åの厚さ、特に３６５ｎｍの露光光の場合７００Å
程度の厚さに形成することが好ましい。また、この光反
射防止層３の除去は、希釈剤として使用されているアル
キルポリエーテルやフッ素化炭化水素等を用いてティッ
プイングやスピンリンス処方等を用いることができる。
００Åの厚さ、特に３６５ｎｍの露光光の場合７００Å
程度の厚さに形成することが好ましい。また、この光反
射防止層３の除去は、希釈剤として使用されているアル
キルポリエーテルやフッ素化炭化水素等を用いてティッ
プイングやスピンリンス処方等を用いることができる。
【００２２】なお、フォトレジスト層２としては、ポジ
型レジストとすることが有効である。
型レジストとすることが有効である。
【００２３】ここで、本発明の光反射防止性膜の光散乱
低減効果について図２，３を参照して説明すると、図２
に示すように、基板１にレジスト層２を形成しただけで
は、入射光Ｉoが空気−レジスト層界面でかなりの反射
Ｉr1が起こり、入射光量が損失すると共に、レジスト層
２内に入った光がレジスト層−基板界面で反射Ｉr2し、
この反射光Ｉr2がレジスト層−空気界面で再度反射Ｉr3
することが繰り返されるため、レジスト層で光多重干渉
が生じる。
低減効果について図２，３を参照して説明すると、図２
に示すように、基板１にレジスト層２を形成しただけで
は、入射光Ｉoが空気−レジスト層界面でかなりの反射
Ｉr1が起こり、入射光量が損失すると共に、レジスト層
２内に入った光がレジスト層−基板界面で反射Ｉr2し、
この反射光Ｉr2がレジスト層−空気界面で再度反射Ｉr3
することが繰り返されるため、レジスト層で光多重干渉
が生じる。
【００２４】これに対し、図３に示すように、レジスト
層２上に本発明の光反射防止性膜３を形成することによ
り、入射光Ｉoの空気−光反射防止性膜界面での反射Ｉ
r4、反射防止性膜−レジスト層界面での反射Ｉr5、レジ
スト層−反射防止性膜界面での反射Ｉr6、反射防止性膜
−空気界面Ｉr7界面での反射Ｉr7を低減し得る。このよ
うに、Ｉr4，Ｉr5を低減し得るので入射光量の損失が減
少し、またＩr6，Ｉr7を低減し得るのでレジスト層２内
での光多重干渉が抑制される。
層２上に本発明の光反射防止性膜３を形成することによ
り、入射光Ｉoの空気−光反射防止性膜界面での反射Ｉ
r4、反射防止性膜−レジスト層界面での反射Ｉr5、レジ
スト層−反射防止性膜界面での反射Ｉr6、反射防止性膜
−空気界面Ｉr7界面での反射Ｉr7を低減し得る。このよ
うに、Ｉr4，Ｉr5を低減し得るので入射光量の損失が減
少し、またＩr6，Ｉr7を低減し得るのでレジスト層２内
での光多重干渉が抑制される。
【００２５】即ち、反射防止の原理から、レジストの露
光光に対する屈折率をｎ、露光光の波長をλとすると、
光反射防止性膜の屈折率ｎ’を√ｎ、その膜厚をλ／４
ｎ’の奇数倍に近付ける程、この反射防止の反射率（振
幅比）は低減する。従って、この場合、レジスト材料と
してフェノールノボラック系の材料を用いると、その屈
折率は約１．７であり、一方上記式（１）の化合物の屈
折率は約１．３であり、更に波長３６５ｎｍ（ｉ線）の
光を用いる場合、光反射防止性膜の最適膜厚は約７００
Åであるから、かかる条件において、式（１）の化合物
を用いた場合における上記反射光の低減効果、光多重干
渉効果が有効に発揮されるものである。
光光に対する屈折率をｎ、露光光の波長をλとすると、
光反射防止性膜の屈折率ｎ’を√ｎ、その膜厚をλ／４
ｎ’の奇数倍に近付ける程、この反射防止の反射率（振
幅比）は低減する。従って、この場合、レジスト材料と
してフェノールノボラック系の材料を用いると、その屈
折率は約１．７であり、一方上記式（１）の化合物の屈
折率は約１．３であり、更に波長３６５ｎｍ（ｉ線）の
光を用いる場合、光反射防止性膜の最適膜厚は約７００
Åであるから、かかる条件において、式（１）の化合物
を用いた場合における上記反射光の低減効果、光多重干
渉効果が有効に発揮されるものである。
【００２６】
【実施例】以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。
するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。
【００２７】［実施例、比較例］フッ素化アルキルポリ
エーテル化合物として下記式（２）で示すフルオロリン
ク（モンテフルオス社製）１．５ｇをヘキサフルオロ−
ｍ−キシレン９８．５ｇに溶解し、サンプル１を作製し
た（実施例）。
エーテル化合物として下記式（２）で示すフルオロリン
ク（モンテフルオス社製）１．５ｇをヘキサフルオロ−
ｍ−キシレン９８．５ｇに溶解し、サンプル１を作製し
た（実施例）。
【００２８】
【化４】 （式中、ｍ，ｎ，ｐ，ｑは１〜１０の整数である。）
【００２９】また、パーフルオロアルキルポリエーテル
化合物として下記式（３）で示すフォムブリン（モンテ
フルオス社製）１．５ｇを下記式（４）で示すフレオン
（デュポン社製，フルオン１１３）９８．５ｇに溶解
し、サンプル２を作製した（比較例）。
化合物として下記式（３）で示すフォムブリン（モンテ
フルオス社製）１．５ｇを下記式（４）で示すフレオン
（デュポン社製，フルオン１１３）９８．５ｇに溶解
し、サンプル２を作製した（比較例）。
【００３０】
【化５】
【００３１】フォトレジスト材（東京応化工業（株）
製，ＴＨＭＲｉｐ１８００）を用いて、温度９０℃で９
０秒間プリベークした厚さ１μｍのレジスト膜が形成さ
れている６インチウェハーの中心部分にサンプル１、サ
ンプル２をそれぞれ静かに注ぎ、初めに３００ｒｐｍで
３秒間、その後４０００ｒｐｍで２０秒間ウェハーを回
転させ、光反射防止性膜をレジスト膜上に形成し、この
光反射防止性膜の膜厚を光学干渉膜厚計を用いて測定し
た。この場合の結果を表１に示す。
製，ＴＨＭＲｉｐ１８００）を用いて、温度９０℃で９
０秒間プリベークした厚さ１μｍのレジスト膜が形成さ
れている６インチウェハーの中心部分にサンプル１、サ
ンプル２をそれぞれ静かに注ぎ、初めに３００ｒｐｍで
３秒間、その後４０００ｒｐｍで２０秒間ウェハーを回
転させ、光反射防止性膜をレジスト膜上に形成し、この
光反射防止性膜の膜厚を光学干渉膜厚計を用いて測定し
た。この場合の結果を表１に示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】次に、ｉ線ステッパーで、１ショット４ｍ
ｍ平方の領域内を露光量を変えてステッピング露光し、
その後ヘキサフルオロ−ｍ−キシレンでリンスし、光反
射防止性膜を剥離した。次いで、温度１１０℃で９０秒
間ポストエクスポジュアーベークし、現像液（東京応化
工業（株）製，ＮＭＤ−Ｗ）を用いて温度２３℃で６５
秒間静止パドル現象を行い、純水でリンスした。
ｍ平方の領域内を露光量を変えてステッピング露光し、
その後ヘキサフルオロ−ｍ−キシレンでリンスし、光反
射防止性膜を剥離した。次いで、温度１１０℃で９０秒
間ポストエクスポジュアーベークし、現像液（東京応化
工業（株）製，ＮＭＤ−Ｗ）を用いて温度２３℃で６５
秒間静止パドル現象を行い、純水でリンスした。
【００３４】レジスト膜が完全に除去される露光量をＥ
ｔｈとし、フォトレジストの膜厚の変動に対するＥｔｈ
の変動の大きさから光干渉効果の大きさを求めた。結果
を図４に曲線Ｐ（実施例）及び曲線Ｑ（比較例）で示
す。
ｔｈとし、フォトレジストの膜厚の変動に対するＥｔｈ
の変動の大きさから光干渉効果の大きさを求めた。結果
を図４に曲線Ｐ（実施例）及び曲線Ｑ（比較例）で示
す。
【００３５】図４に示した結果から、本発明の光反射防
止性材料でフォトレジスト膜の上層として光反射防止性
膜を形成した場合、レジスト膜に変動に対してＥｔｈが
安定していることがわかる。
止性材料でフォトレジスト膜の上層として光反射防止性
膜を形成した場合、レジスト膜に変動に対してＥｔｈが
安定していることがわかる。
【００３６】
【発明の効果】リソグラフィー技術において、本発明の
光反射防止性材料を用いて光反射性層をフォトレジスト
層の上層として形成することにより、凹凸を有する基板
表面上にも高精度の微細なレジストパターンを形成する
ことができ、また、上記材料を有機溶媒溶液の形態で使
用する場合、フロンを使用しないので環境問題を引き起
こすこともなく、工業的に有用である。
光反射防止性材料を用いて光反射性層をフォトレジスト
層の上層として形成することにより、凹凸を有する基板
表面上にも高精度の微細なレジストパターンを形成する
ことができ、また、上記材料を有機溶媒溶液の形態で使
用する場合、フロンを使用しないので環境問題を引き起
こすこともなく、工業的に有用である。
【図１】本発明の光反射防止性材料を用いたリソグラフ
ィー工程の一例を示す工程図である。
ィー工程の一例を示す工程図である。
【図２】レジスト層上に光反射防止性層を形成しない場
合の光反射を示す説明図である。
合の光反射を示す説明図である。
【図３】本発明による光散乱低減効果を説明する説明図
である。
である。
【図４】本発明の実施例及び比較例におけるレジスト膜
の厚さとレジスト膜が完全に除去される露光量との関係
を示すグラフである。
の厚さとレジスト膜が完全に除去される露光量との関係
を示すグラフである。
１ 基板 ２ フォトレジスト層 ３ 光反射防止性材料 ４ 紫外線 ５ レジストパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梅村 光雄 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（１）で表されるフッ素化ア
ルキルポリエーテル化合物を含むことを特徴とする光反
射防止性材料。 【化１】 （式中、Ｘ及びＹはそれぞれ同一又は異種の水酸基、ア
ミノ基もしくはヒドロキシカルボニル基であり、ｍ，
ｎ，ｐ，ｑは１〜１０の整数である。） - 【請求項２】 フォトレジスト層の上層として請求項１
の光反射防止性材料からなる光反射防止性層を形成し、
上記レジスト層を露光した後に上記光反射防止性層を除
去することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4217157A JP3055317B2 (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | 光反射防止性材料及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4217157A JP3055317B2 (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | 光反射防止性材料及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0641768A true JPH0641768A (ja) | 1994-02-15 |
| JP3055317B2 JP3055317B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=16699749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4217157A Expired - Lifetime JP3055317B2 (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | 光反射防止性材料及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3055317B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005050320A1 (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-02 | Daikin Industries, Ltd. | レジスト積層体の形成方法 |
| JP2007219180A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト保護膜形成用組成物及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
| WO2016190221A1 (ja) * | 2015-05-28 | 2016-12-01 | 旭硝子株式会社 | コーティング用組成物およびフォトレジスト積層体の製造方法 |
-
1992
- 1992-07-23 JP JP4217157A patent/JP3055317B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2005050320A1 (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-02 | Daikin Industries, Ltd. | レジスト積層体の形成方法 |
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| JP2007219180A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト保護膜形成用組成物及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
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| WO2016190221A1 (ja) * | 2015-05-28 | 2016-12-01 | 旭硝子株式会社 | コーティング用組成物およびフォトレジスト積層体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3055317B2 (ja) | 2000-06-26 |
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