JPH0639709A - 半導体ウエハのチャック方法 - Google Patents
半導体ウエハのチャック方法Info
- Publication number
- JPH0639709A JPH0639709A JP21879392A JP21879392A JPH0639709A JP H0639709 A JPH0639709 A JP H0639709A JP 21879392 A JP21879392 A JP 21879392A JP 21879392 A JP21879392 A JP 21879392A JP H0639709 A JPH0639709 A JP H0639709A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- wafer
- mounting table
- vacuum
- chuck base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体ウエハの外径をウエハ乗載台の外径よ
りも小径としてチャックさせて、硬度差による跡の残留
を皆無としたチャック方法を提供する。 【構成】 半導体ウエハＷをバキューム吸着するウエハ
乗載台２を円板状の通気性部材で形成し、凹陥部を形成
したチャック基台３を不通気部材で形成し、凹陥部と連
通しバキューム吸着機構と連繋する中心孔を形成したチ
ャック機構１を用いて、半導体ウエハをチャック基台へ
非接触状態でウエハ乗載台の上面へ乗載させると共にバ
キューム吸着させて研磨又は研削する。
りも小径としてチャックさせて、硬度差による跡の残留
を皆無としたチャック方法を提供する。 【構成】 半導体ウエハＷをバキューム吸着するウエハ
乗載台２を円板状の通気性部材で形成し、凹陥部を形成
したチャック基台３を不通気部材で形成し、凹陥部と連
通しバキューム吸着機構と連繋する中心孔を形成したチ
ャック機構１を用いて、半導体ウエハをチャック基台へ
非接触状態でウエハ乗載台の上面へ乗載させると共にバ
キューム吸着させて研磨又は研削する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、研削盤、ラップ盤、ポ
リッシング盤等において、半導体ウエハをバキューム吸
着し、半導体ウエハの上面へ加工を施す際の半導体ウエ
ハをウエハ乗載台へ乗載させる方法に関するものであ
る。
リッシング盤等において、半導体ウエハをバキューム吸
着し、半導体ウエハの上面へ加工を施す際の半導体ウエ
ハをウエハ乗載台へ乗載させる方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来技術とその問題点】この種のチャック機構のウエ
ハ乗載台は殆ど円板状で通気性を有するポーラスセラミ
ック等の通気性部材で形成され、該通気性部材を別体の
カップ状の凹陥部を形成した不通気性部材のチャック基
台で囲っているものであり、前記チャック機構へはバキ
ューム吸着機構に連繋する中心孔を穿設していた。
ハ乗載台は殆ど円板状で通気性を有するポーラスセラミ
ック等の通気性部材で形成され、該通気性部材を別体の
カップ状の凹陥部を形成した不通気性部材のチャック基
台で囲っているものであり、前記チャック機構へはバキ
ューム吸着機構に連繋する中心孔を穿設していた。
【０００３】従来、その為に、半導体ウエハを載置する
場合はバキューム吸着の効率を勘案して常識的に半導体
ウエハの外径よりもウエハ乗載台の外径が小径なものを
用いており、その為に、通気性部材と不通気性部材とへ
跨って半導体ウエハを載置しており、前記通気性部材と
不通気性部材とは硬度が相違し、バキューム吸着の際裏
面へ硬度差による跡が残留することがあった。
場合はバキューム吸着の効率を勘案して常識的に半導体
ウエハの外径よりもウエハ乗載台の外径が小径なものを
用いており、その為に、通気性部材と不通気性部材とへ
跨って半導体ウエハを載置しており、前記通気性部材と
不通気性部材とは硬度が相違し、バキューム吸着の際裏
面へ硬度差による跡が残留することがあった。
【０００４】然し乍、昨今要求される半導体ウエハの加
工精度は最終製品の歩留まりの観点から高品質化された
ものであり、バキューム吸着の際の圧力が裏面へ形成し
た回路等に悪影響を及ぼし、硬度差による跡が最終段階
での製品の歩留まりの低下につながっていた。
工精度は最終製品の歩留まりの観点から高品質化された
ものであり、バキューム吸着の際の圧力が裏面へ形成し
た回路等に悪影響を及ぼし、硬度差による跡が最終段階
での製品の歩留まりの低下につながっていた。
【０００５】
【発明の目的】本発明は上記の事由に着目し鋭意研鑚の
結果、半導体ウエハの外径をウエハ乗載台の外径よりも
小径としてチャックさせて、硬度差による跡の残留を皆
無としたチャック方法を提供する目的である。
結果、半導体ウエハの外径をウエハ乗載台の外径よりも
小径としてチャックさせて、硬度差による跡の残留を皆
無としたチャック方法を提供する目的である。
【０００６】
【発明の構成】本発明の構成は、チャック機構のチャッ
ク基台へ嵌着させるウエハ乗載台を円板状の通気性部材
で形成し、半導体ウエハをチャック基台へ非接触状態で
ウエハ乗載台を乗載させる構成である。
ク基台へ嵌着させるウエハ乗載台を円板状の通気性部材
で形成し、半導体ウエハをチャック基台へ非接触状態で
ウエハ乗載台を乗載させる構成である。
【０００７】
【発明の作用】本発明の作用は、半導体ウエハを通気性
部材のみに乗載させて加工するので裏面に硬度差によっ
てできる跡の残留を皆無とさせる作用を有するものであ
る。
部材のみに乗載させて加工するので裏面に硬度差によっ
てできる跡の残留を皆無とさせる作用を有するものであ
る。
【０００８】
【発明の実施例】斯る目的を達成した本発明の半導体ウ
エハのチャック機構を実施例の図面によって説明する。
エハのチャック機構を実施例の図面によって説明する。
【０００９】図１は本発明の実施例の平面図であり、図
２はその断面説明図である。
２はその断面説明図である。
【００１０】本発明は、研削盤、ラップ盤、ポリッシン
グ盤等において、半導体ウエハＷをバキューム吸着し、
半導体ウエハＷの上面へ加工を施す際の半導体ウエハＷ
をウエハ乗載台２へ乗載させる方法に関するものであ
り、半導体ウエハＷをバキューム吸着するウエハ乗載台
２を円板状の通気性部材で形成し、該ウエハ乗載台２を
嵌着させる凹陥部３ａを形成したチャック基台３を不通
気部材で形成し、該凹陥部３ａと連通しバキューム吸着
機構と連繋する中心孔３ｂを形成した研削盤、ラップ
盤、ポリッシング盤等のチャック機構１を用いて、前記
半導体ウエハＷを前記チャック基台３へ非接触状態でウ
エハ乗載台２の上面へ乗載させると共にバキューム吸着
させて研磨又は研削するものである。
グ盤等において、半導体ウエハＷをバキューム吸着し、
半導体ウエハＷの上面へ加工を施す際の半導体ウエハＷ
をウエハ乗載台２へ乗載させる方法に関するものであ
り、半導体ウエハＷをバキューム吸着するウエハ乗載台
２を円板状の通気性部材で形成し、該ウエハ乗載台２を
嵌着させる凹陥部３ａを形成したチャック基台３を不通
気部材で形成し、該凹陥部３ａと連通しバキューム吸着
機構と連繋する中心孔３ｂを形成した研削盤、ラップ
盤、ポリッシング盤等のチャック機構１を用いて、前記
半導体ウエハＷを前記チャック基台３へ非接触状態でウ
エハ乗載台２の上面へ乗載させると共にバキューム吸着
させて研磨又は研削するものである。
【００１１】即ち、本発明は、研削盤、ラップ盤、ポリ
ッシング盤等のチャック機構１であって、該チャック機
構１はチャック基台３と、該チャック基台３へ形成した
凹陥部３ａへ嵌着させ半導体ウエハＷを乗載するウエハ
乗載台２から成るものである。
ッシング盤等のチャック機構１であって、該チャック機
構１はチャック基台３と、該チャック基台３へ形成した
凹陥部３ａへ嵌着させ半導体ウエハＷを乗載するウエハ
乗載台２から成るものである。
【００１２】前記チャック基台３の中心へは貫通する中
心孔３ａを設けたものであり、該中心孔３ａは真空ポン
プ等のバキューム機構（図示しない）へ連繋させると共
に、送水を可能とする送水ポンプ等の送水機構（図示し
ない）と連繋する通気通水系を兼ねるものである。
心孔３ａを設けたものであり、該中心孔３ａは真空ポン
プ等のバキューム機構（図示しない）へ連繋させると共
に、送水を可能とする送水ポンプ等の送水機構（図示し
ない）と連繋する通気通水系を兼ねるものである。
【００１３】前記中心孔３ａは前記バキューム吸着機構
を作動させることによって空気を吸引して負圧をかけて
乗載した半導体ウエハＷをバキューム吸着すると共に、
半導体ウエハＷの開放時には空気を逆送するか送水する
かして半導体ウエハＷを浮揚状態とするものであり、
又、半導体ウエハＷの下面或いはチャック機構１を洗浄
するために送水をも可能とするものである。
を作動させることによって空気を吸引して負圧をかけて
乗載した半導体ウエハＷをバキューム吸着すると共に、
半導体ウエハＷの開放時には空気を逆送するか送水する
かして半導体ウエハＷを浮揚状態とするものであり、
又、半導体ウエハＷの下面或いはチャック機構１を洗浄
するために送水をも可能とするものである。
【００１４】そして、前記チャック基台３の上面の中央
辺へは前記中心孔３ｂと連通するウエハ乗載台２を嵌着
させるための凹陥部３ａを形成するものであるが、該凹
陥部はウエハ乗載台２と同一平面状であっても、若干何
れが高くても構わないものである。
辺へは前記中心孔３ｂと連通するウエハ乗載台２を嵌着
させるための凹陥部３ａを形成するものであるが、該凹
陥部はウエハ乗載台２と同一平面状であっても、若干何
れが高くても構わないものである。
【００１５】一般的に半導体ウエハＷにはシリコン結晶
の成長方向を示すためにオリフラ部と称される切欠部を
形成されているものであり、又、本発明のチャック方法
を用いるとバキューム吸着の際の負圧が無駄と成るが半
導体ウエハＷの最終製品の歩留まりを向上させる方を優
先させるものである。
の成長方向を示すためにオリフラ部と称される切欠部を
形成されているものであり、又、本発明のチャック方法
を用いるとバキューム吸着の際の負圧が無駄と成るが半
導体ウエハＷの最終製品の歩留まりを向上させる方を優
先させるものである。
【００１６】本発明の半導体ウエハＷのチャック機構１
は、チャック基台３の凹陥部３ａへウエハ乗載台２を嵌
置し、該ウエハ乗載台２の上面へ半導体ウエハＷを乗載
させるものであるが、半導体ウエハＷを乗載させる場
合、半導体ウエハＷの外径ｄよりもウエハ乗載台２の外
径Ｄを大径としているものであり、つまり、図２に図示
のｄ＜Ｄと成るもので、適宜な手段によって半導体ウエ
ハＷはウエハ乗載台２の中心位置へセンター合わせして
乗載させるものである。
は、チャック基台３の凹陥部３ａへウエハ乗載台２を嵌
置し、該ウエハ乗載台２の上面へ半導体ウエハＷを乗載
させるものであるが、半導体ウエハＷを乗載させる場
合、半導体ウエハＷの外径ｄよりもウエハ乗載台２の外
径Ｄを大径としているものであり、つまり、図２に図示
のｄ＜Ｄと成るもので、適宜な手段によって半導体ウエ
ハＷはウエハ乗載台２の中心位置へセンター合わせして
乗載させるものである。
【００１７】次いで、チャック基台３の中心孔３ｂを利
してバキューム吸着するものであり、前記ウエハ乗載台
２の底面及び周側面の殆どは不通気部材で形成されたチ
ャック基台３で覆われており、若干の無駄はあるものの
バキューム吸着の大半は効率的に機能し、確りと半導体
ウエハＷをチャックし、研磨及び研削加工に関しては何
ら問題は発生しないものであり、裏面にチャック機構１
の硬度差によって発生する跡を皆無としたものである。
してバキューム吸着するものであり、前記ウエハ乗載台
２の底面及び周側面の殆どは不通気部材で形成されたチ
ャック基台３で覆われており、若干の無駄はあるものの
バキューム吸着の大半は効率的に機能し、確りと半導体
ウエハＷをチャックし、研磨及び研削加工に関しては何
ら問題は発生しないものであり、裏面にチャック機構１
の硬度差によって発生する跡を皆無としたものである。
【００１８】本発明の半導体ウエハのチャック方法は、
半導体ウエハの裏面へ残留する硬度差による跡を皆無と
し加工精度を向上させたものであり、極めて有意義な効
果を奏することができるものである。
半導体ウエハの裏面へ残留する硬度差による跡を皆無と
し加工精度を向上させたものであり、極めて有意義な効
果を奏することができるものである。
【００１９】
【図１】図１は本発明の実施例の平面図である。
【図２】図２はその断面説明図である。
【００２０】
Ｗ 半導体ウエハＷ １ チャック機構 ２ ウエハ乗載台 ３ チャック基台 ３ａ 凹陥部 ３ｂ 貫通孔
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウエハをバキューム吸着するウエハ
乗載台を円板状の通気性部材で形成し、該ウエハ乗載台
を嵌着させる凹陥部を形成したチャック基台を不通気部
材で形成し、該凹陥部と連通しバキューム吸着機構と連
繋する中心孔を形成した研削盤、ラップ盤、ポリッシン
グ盤等のチャック機構を用いて、前記半導体ウエハを前
記チャック基台へ非接触状態でウエハ乗載台の上面へ乗
載させると共にバキューム吸着させて研磨又は研削する
ことを特徴とする半導体ウエハのチャック方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21879392A JPH0639709A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 半導体ウエハのチャック方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21879392A JPH0639709A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 半導体ウエハのチャック方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0639709A true JPH0639709A (ja) | 1994-02-15 |
Family
ID=16725459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21879392A Pending JPH0639709A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 半導体ウエハのチャック方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0639709A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999024976A1 (en) * | 1997-11-12 | 1999-05-20 | First Light Technology, Inc. | Improved system and method for curing a resin in a bonded storage disk |
| US8728831B2 (en) * | 2010-12-30 | 2014-05-20 | Stmicroelectronics Pte. Ltd. | Reconstituted wafer warpage adjustment |
| CN109352513A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-02-19 | 上海超硅半导体有限公司 | 一种晶圆抛光方法 |
| WO2019226525A1 (en) * | 2018-05-23 | 2019-11-28 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Apparatus for supporting thinned semiconductor wafers |
-
1992
- 1992-07-27 JP JP21879392A patent/JPH0639709A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999024976A1 (en) * | 1997-11-12 | 1999-05-20 | First Light Technology, Inc. | Improved system and method for curing a resin in a bonded storage disk |
| US8728831B2 (en) * | 2010-12-30 | 2014-05-20 | Stmicroelectronics Pte. Ltd. | Reconstituted wafer warpage adjustment |
| WO2019226525A1 (en) * | 2018-05-23 | 2019-11-28 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Apparatus for supporting thinned semiconductor wafers |
| CN109352513A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-02-19 | 上海超硅半导体有限公司 | 一种晶圆抛光方法 |
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