JPH0637360A - 熱発電素子の製造方法 - Google Patents
熱発電素子の製造方法Info
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- JPH0637360A JPH0637360A JP4189681A JP18968192A JPH0637360A JP H0637360 A JPH0637360 A JP H0637360A JP 4189681 A JP4189681 A JP 4189681A JP 18968192 A JP18968192 A JP 18968192A JP H0637360 A JPH0637360 A JP H0637360A
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- Japan
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- type element
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- solder
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の主な目的は小型で任意の形状に作製
できる新規な熱発電素子の製造方法を提供するものであ
る。 【構成】 本発明はｐ型及びｎ型のα−ＦｅＳｉ2 粉末
からなるそれぞれの母粒子の周囲を、Ｃｕ系のろう材か
らなる子粒子でカプセル化してｐ型カプセル粉体とｎ型
カプセル粉体とを形成し、これらカプセル粉体をそれぞ
れ所定の形状に放電焼結固化してｐ型素子とｎ型素子を
形成した後、これらｐ型素子とｎ型素子の端部同志を直
接導電性ろう材、あるいは導電性材料を介して接合して
形成することを特徴としている。
できる新規な熱発電素子の製造方法を提供するものであ
る。 【構成】 本発明はｐ型及びｎ型のα−ＦｅＳｉ2 粉末
からなるそれぞれの母粒子の周囲を、Ｃｕ系のろう材か
らなる子粒子でカプセル化してｐ型カプセル粉体とｎ型
カプセル粉体とを形成し、これらカプセル粉体をそれぞ
れ所定の形状に放電焼結固化してｐ型素子とｎ型素子を
形成した後、これらｐ型素子とｎ型素子の端部同志を直
接導電性ろう材、あるいは導電性材料を介して接合して
形成することを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は熱電対などに用いられる
熱発電素子の製造方法に関するものである。
熱発電素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】熱発電素子は周知の通り、熱電効果を利
用して熱エネルギーから電気エネルギーに、或いはその
反対に変換する素子であり、代表的なものとして、熱電
対、電子冷凍素子（ペルチェ素子）が挙げられる。この
熱電対は二種の金属線を接続して閉回路を作り、二つの
接点を異なる温度に保つと、この接点間に熱起電力が生
ずるというゼーベック効果を利用したもので、両端の電
圧を測定して温度を測るものであり、他方、電子冷凍素
子は異種の導体や半導体の接触面を通して電流が流れる
とき、その接触面でジュール熱以外の熱の発生、吸収が
起こるペルチェ効果を利用したもので、マイナス２０℃
〜プラス７０℃程度の範囲で精密に温度制御が必要な場
合等によく使われる。
用して熱エネルギーから電気エネルギーに、或いはその
反対に変換する素子であり、代表的なものとして、熱電
対、電子冷凍素子（ペルチェ素子）が挙げられる。この
熱電対は二種の金属線を接続して閉回路を作り、二つの
接点を異なる温度に保つと、この接点間に熱起電力が生
ずるというゼーベック効果を利用したもので、両端の電
圧を測定して温度を測るものであり、他方、電子冷凍素
子は異種の導体や半導体の接触面を通して電流が流れる
とき、その接触面でジュール熱以外の熱の発生、吸収が
起こるペルチェ効果を利用したもので、マイナス２０℃
〜プラス７０℃程度の範囲で精密に温度制御が必要な場
合等によく使われる。
【０００３】また、この熱発電素子は幾つかの標準的な
組み合わせがＪＩＳ規格等で決まっており、その一つと
して起電力の高い、ｐ型鉄珪化物とｎ型鉄珪化物との組
み合わせからなるＦｅＳｉ熱発電素子がある。
組み合わせがＪＩＳ規格等で決まっており、その一つと
して起電力の高い、ｐ型鉄珪化物とｎ型鉄珪化物との組
み合わせからなるＦｅＳｉ熱発電素子がある。
【０００４】このＦｅＳｉ熱発電素子の製造方法の一例
を順を追って簡単に説明すると、先ず、ＦｅとＳｉにそ
れぞれ添加元素であるＭｎ及びＣｏを添加してこれらを
別個に溶解して二種類のインゴットを製作した後、スタ
ンプミル等を用いてこれらをそれぞれ別個に粉砕して造
粒し、ｐ型原料粉末とｎ型原料粉末を製作する。そし
て、これら原料粉末を成形型に入れて冷間プレスした
後、真空中で焼結し、その後これをα−ＦｅＳｉ（金属
相）からβ−ＦｅＳｉ（半導体相）に相転位させるべく
大気中で熱処理を加え、必要に応じてリード線や電極を
ろう付け、或いはハンダ付けして完成することになる。
を順を追って簡単に説明すると、先ず、ＦｅとＳｉにそ
れぞれ添加元素であるＭｎ及びＣｏを添加してこれらを
別個に溶解して二種類のインゴットを製作した後、スタ
ンプミル等を用いてこれらをそれぞれ別個に粉砕して造
粒し、ｐ型原料粉末とｎ型原料粉末を製作する。そし
て、これら原料粉末を成形型に入れて冷間プレスした
後、真空中で焼結し、その後これをα−ＦｅＳｉ（金属
相）からβ−ＦｅＳｉ（半導体相）に相転位させるべく
大気中で熱処理を加え、必要に応じてリード線や電極を
ろう付け、或いはハンダ付けして完成することになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな従来の製造方法による熱発電素子は図４に示すよう
に、粉末冶金的に作られ、高温部にあたるＰＮ接合部も
焼結の際に一体化されるようになっていたため、形状に
自由度がなく（殆どがＵ字状）、小型のものが作りにく
いといった欠点があった。また、リード線や電極を付け
る低温部は、Ｐｄ−Ａｇペースト等の接合剤を塗布した
後に超音波ハンダ付けあるいはろう付けによってリード
線や電極を接合していたが、素子と接合剤とのいわゆる
“ぬれ性”が乏しいため、リード線や電極の接合が容易
ではなかった。また、このろう付け等は熱負荷のかかる
高温部（ＰＮ接合部）での使用は不可能であった。
うな従来の製造方法による熱発電素子は図４に示すよう
に、粉末冶金的に作られ、高温部にあたるＰＮ接合部も
焼結の際に一体化されるようになっていたため、形状に
自由度がなく（殆どがＵ字状）、小型のものが作りにく
いといった欠点があった。また、リード線や電極を付け
る低温部は、Ｐｄ−Ａｇペースト等の接合剤を塗布した
後に超音波ハンダ付けあるいはろう付けによってリード
線や電極を接合していたが、素子と接合剤とのいわゆる
“ぬれ性”が乏しいため、リード線や電極の接合が容易
ではなかった。また、このろう付け等は熱負荷のかかる
高温部（ＰＮ接合部）での使用は不可能であった。
【０００６】そこで、本発明は上述した問題点を有効に
解決するために案出されたものであり、その主な目的は
素子と接合剤とのぬれ性を向上させて小型で任意の形状
に作製できる新規な熱発電素子の製造方法を提供するも
のである。
解決するために案出されたものであり、その主な目的は
素子と接合剤とのぬれ性を向上させて小型で任意の形状
に作製できる新規な熱発電素子の製造方法を提供するも
のである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明はｐ型及びｎ型のα−ＦｅＳｉ2 粉末からなる
それぞれの母粒子の周囲を、Ｃｕ系のろう材からなる子
粒子でカプセル化してｐ型カプセル粉体とｎ型カプセル
粉体とを形成し、これらカプセル粉体をそれぞれ所定の
形状にプラズマ焼結固化してｐ型素子とｎ型素子を形成
した後、これらｐ型素子とｎ型素子の端部同志を直接導
電性ろう材、あるいは導電性材料を介して接合して形成
するものである。
に本発明はｐ型及びｎ型のα−ＦｅＳｉ2 粉末からなる
それぞれの母粒子の周囲を、Ｃｕ系のろう材からなる子
粒子でカプセル化してｐ型カプセル粉体とｎ型カプセル
粉体とを形成し、これらカプセル粉体をそれぞれ所定の
形状にプラズマ焼結固化してｐ型素子とｎ型素子を形成
した後、これらｐ型素子とｎ型素子の端部同志を直接導
電性ろう材、あるいは導電性材料を介して接合して形成
するものである。
【０００８】
【作用】本発明は上述したような製造方法であるため、
ｐ型素子とｎ型素子のろう材に対するいわゆる“ぬれ
性”が向上し、ろう材の接合性が大巾に向上する。従っ
て、ＰＮ素子同志を直接ろう付けすることはもちろん、
導電性材料を介して接合することも可能となるため、ろ
う付け等は熱負荷のかかる高温部（ＰＮ接合部）での使
用が可能となり、素子形状に自由性が広がる。さらに、
低温側の電極の接合性も向上することになるため、電極
あるいはリード線の接合も容易に達成されることにな
る。
ｐ型素子とｎ型素子のろう材に対するいわゆる“ぬれ
性”が向上し、ろう材の接合性が大巾に向上する。従っ
て、ＰＮ素子同志を直接ろう付けすることはもちろん、
導電性材料を介して接合することも可能となるため、ろ
う付け等は熱負荷のかかる高温部（ＰＮ接合部）での使
用が可能となり、素子形状に自由性が広がる。さらに、
低温側の電極の接合性も向上することになるため、電極
あるいはリード線の接合も容易に達成されることにな
る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
て詳述する。
【００１０】図１に示すように、先ず、ＦｅとＳｉにそ
れぞれ添加元素であるＭｎ及びＣｏを添加して１８７３
Ｋの温度でこれらを別個に溶解して二種類のインゴット
を製作した後、これらインゴットをスタンプミルあるい
はボールミル等を用いてそれぞれ別個に粉砕すると共に
バインダ等を用いて造粒し、粒径が約１０μｍのｐ型の
α−ＦｅＳｉ2 原料粉末（金属相）とｎ型のα−ＦｅＳ
ｉ2 原料粉末（金属相）とを製造する。そして、図３に
示すように、このｐ型ＦｅＳｉ2 原料粉末とｎ型ＦｅＳ
ｉ2 原料粉末とをそれぞれ母粒子１とし、この母粒子１
の周囲に、Ｃｕ系のろう材からなる粒径が１〜２μｍ程
度の子粒子２を、静電付着法、機械的衝撃法等の周知技
術を用いてカプセル化し、ｐ型カプセル粉末と、ｎ型カ
プセル粉末３を製作する。また、この子粒子２を構成す
るＣｕ系のろう材としては具体的に黄銅ろう材の場合、
ＢＣｕＺｎ−２又は−３といったＣｕ成分の高いものを
選択し、これをガスアトマイズしてＣｕＯX の豊富な粉
末を得て、これを子粒子として用いる。尚、参考まで
に、ＪＩＳ−Ｚ３２６２−１９６１によるとＢＣｕＺｎ
−２の組成成分はＣｕ−５７〜６１％、Ｓｎ−０．５〜
１．５％、Ａｌ−０．０２％以下、残りＺｎとなってい
る。また、粒径としては５μｍ以下がカプセル化には都
合が良い。また、ガスアトマイズに用いるガスはベース
をＡｌとしてＯ2 を３〜５％加えたものが使用できる。
れぞれ添加元素であるＭｎ及びＣｏを添加して１８７３
Ｋの温度でこれらを別個に溶解して二種類のインゴット
を製作した後、これらインゴットをスタンプミルあるい
はボールミル等を用いてそれぞれ別個に粉砕すると共に
バインダ等を用いて造粒し、粒径が約１０μｍのｐ型の
α−ＦｅＳｉ2 原料粉末（金属相）とｎ型のα−ＦｅＳ
ｉ2 原料粉末（金属相）とを製造する。そして、図３に
示すように、このｐ型ＦｅＳｉ2 原料粉末とｎ型ＦｅＳ
ｉ2 原料粉末とをそれぞれ母粒子１とし、この母粒子１
の周囲に、Ｃｕ系のろう材からなる粒径が１〜２μｍ程
度の子粒子２を、静電付着法、機械的衝撃法等の周知技
術を用いてカプセル化し、ｐ型カプセル粉末と、ｎ型カ
プセル粉末３を製作する。また、この子粒子２を構成す
るＣｕ系のろう材としては具体的に黄銅ろう材の場合、
ＢＣｕＺｎ−２又は−３といったＣｕ成分の高いものを
選択し、これをガスアトマイズしてＣｕＯX の豊富な粉
末を得て、これを子粒子として用いる。尚、参考まで
に、ＪＩＳ−Ｚ３２６２−１９６１によるとＢＣｕＺｎ
−２の組成成分はＣｕ−５７〜６１％、Ｓｎ−０．５〜
１．５％、Ａｌ−０．０２％以下、残りＺｎとなってい
る。また、粒径としては５μｍ以下がカプセル化には都
合が良い。また、ガスアトマイズに用いるガスはベース
をＡｌとしてＯ2 を３〜５％加えたものが使用できる。
【００１１】次に、このようにカプセル化された原料粉
末をそれぞれ別個にプラズマ焼結装置の成形型に入れ、
真空雰囲気中で通電（放電）焼結し、図２に示すよう
に、棒状のｐ型素子４とｎ型素子５を形成する。この
時、焼結と共にこのｐ型素子４及びｎ型素子５はα−Ｆ
ｅＳｉ（金属相）からβ−ＦｅＳｉ（半導体相）に相転
位することになるが、必要に応じて焼結の後にこれらを
熱処理することによってα−ＦｅＳｉ（金属相）からβ
−ＦｅＳｉ（半導体相）に相転位させても良い。そし
て、図示するように、これら棒状のｐ型素子４とｎ型素
子５の端部同志を繋ぎ合わせるようにＮｉ板６をあてが
い、黄銅ろうや金ろう、銀ろう、銅ろう等の導電性ろう
材７によってｐ型素子４とｎ型素子５の端部とＮｉ板６
で接合し、他方、これらｐ型素子４とｎ型素子５の他端
部には同じくろう材７によって電極８あるいはリード線
等を接続することになる。尚、このろう材の選択として
は、上記黄銅ろうや金ろう、銀ろう、銅ろう以外に良導
体で且つ素子の使用温度未満に液相線を有するものが望
ましい。
末をそれぞれ別個にプラズマ焼結装置の成形型に入れ、
真空雰囲気中で通電（放電）焼結し、図２に示すよう
に、棒状のｐ型素子４とｎ型素子５を形成する。この
時、焼結と共にこのｐ型素子４及びｎ型素子５はα−Ｆ
ｅＳｉ（金属相）からβ−ＦｅＳｉ（半導体相）に相転
位することになるが、必要に応じて焼結の後にこれらを
熱処理することによってα−ＦｅＳｉ（金属相）からβ
−ＦｅＳｉ（半導体相）に相転位させても良い。そし
て、図示するように、これら棒状のｐ型素子４とｎ型素
子５の端部同志を繋ぎ合わせるようにＮｉ板６をあてが
い、黄銅ろうや金ろう、銀ろう、銅ろう等の導電性ろう
材７によってｐ型素子４とｎ型素子５の端部とＮｉ板６
で接合し、他方、これらｐ型素子４とｎ型素子５の他端
部には同じくろう材７によって電極８あるいはリード線
等を接続することになる。尚、このろう材の選択として
は、上記黄銅ろうや金ろう、銀ろう、銅ろう以外に良導
体で且つ素子の使用温度未満に液相線を有するものが望
ましい。
【００１２】このように、本発明は、ｐ型及びｎ型のα
−ＦｅＳｉ2 粉末からなるそれぞれの母粒子の周囲を、
Ｃｕ系のろう材からなる子粒子でカプセル化して形成し
たため、ｐ型素子とｎ型素子のろう材に対するいわゆる
“ぬれ性”が向上し、ろう材の接合性が大巾に向上する
ことになる。
−ＦｅＳｉ2 粉末からなるそれぞれの母粒子の周囲を、
Ｃｕ系のろう材からなる子粒子でカプセル化して形成し
たため、ｐ型素子とｎ型素子のろう材に対するいわゆる
“ぬれ性”が向上し、ろう材の接合性が大巾に向上する
ことになる。
【００１３】従って、従来ろう付けが困難であった熱負
荷のかかる高温部（特に、ＰＮ接合部）での使用が可能
となり、素子形状の自由性が向上することになる。
荷のかかる高温部（特に、ＰＮ接合部）での使用が可能
となり、素子形状の自由性が向上することになる。
【００１４】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、ＰＮ素
子同志を直接ろう付けすることはもちろん、導電性材料
を介して接合することも可能となるため、ＰＮ素子とろ
う材の接合性が向上して素子形状に自由性が広がり小型
で任意の形状の素子を形成することができる。また、
低温側の電極の接合性も向上することになるため、電極
あるいはリード線の接合も容易に達成される上にその結
合力も従来より強固なものとなる等といった優れた効果
を有する。
子同志を直接ろう付けすることはもちろん、導電性材料
を介して接合することも可能となるため、ＰＮ素子とろ
う材の接合性が向上して素子形状に自由性が広がり小型
で任意の形状の素子を形成することができる。また、
低温側の電極の接合性も向上することになるため、電極
あるいはリード線の接合も容易に達成される上にその結
合力も従来より強固なものとなる等といった優れた効果
を有する。
【図１】本発明の一実施例を示す工程図である。
【図２】本発明によって得られる熱発電素子の一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】本発明によって得られるカプセル粉末を集合さ
せた状態を示す部分拡大図である。
せた状態を示す部分拡大図である。
【図４】従来の熱発電素子の一実施例を示す側面図であ
る。
る。
１ 母粒子 ２ 子粒子 ３ カプセル粉末 ４ ｐ型素子 ５ ｎ型素子 ６ 導電性材料 ７ ろう材
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１１月５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】 このＦｅＳｉ熱発電素子の製造方法の一
例を順を追って簡単に説明すると、先ず、ＦｅとＳｉに
それぞれ添加元素であるＭｎ及びＣｏを添加してこれら
を別個に溶解して二種類のインゴットを製作した後、ス
タンプミル等を用いてこれらをそれぞれ別個に粉砕して
造粒し、ｐ型原料粉末とｎ型原料粉末を製作する。そし
て、これら原料粉末を成形型に入れて冷間プレスした
後、真空中で焼結し、その後これをα−ＦｅＳｉ（金属
相）からβ−ＦｅＳｉ（半導体相）に相転移させるべく
大気中で熱処理を加え、必要に応じてリード線や電極を
ろう付け、或いはハンダ付けして完成することになる。
例を順を追って簡単に説明すると、先ず、ＦｅとＳｉに
それぞれ添加元素であるＭｎ及びＣｏを添加してこれら
を別個に溶解して二種類のインゴットを製作した後、ス
タンプミル等を用いてこれらをそれぞれ別個に粉砕して
造粒し、ｐ型原料粉末とｎ型原料粉末を製作する。そし
て、これら原料粉末を成形型に入れて冷間プレスした
後、真空中で焼結し、その後これをα−ＦｅＳｉ（金属
相）からβ−ＦｅＳｉ（半導体相）に相転移させるべく
大気中で熱処理を加え、必要に応じてリード線や電極を
ろう付け、或いはハンダ付けして完成することになる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】 図１に示すように、先ず、ＦｅとＳｉに
それぞれ添加元素であるＭｎ及びＣｏを添加して１８７
３Ｋの温度でこれらを別個に溶解して二種類のインゴッ
トを製作した後、これらインゴットをスタンプミルある
いはボールミル等を用いてそれぞれ別個に粉砕すると共
にバインダ等を用いて造粒し、粒径が約１０μｍのｐ型
用α−ＦｅＳｉ 2 原料粉末（金属相）とｎ型用α−Ｆｅ
Ｓｉ 2 原料粉末（金属相）とを製造する。このほかに、
α−ＦｅＳｉ 2 原料粉末を得るには、ガスアトマイズ、
水アトマイズ等を用いることもできる。そして、図３に
示すように、このｐ型ＦｅＳｉ2 原料粉末とｎ型ＦｅＳ
ｉ2 原料粉末とをそれぞれ母粒子１とし、この母粒子１
の周囲に、Ｃｕ系のろう材からなる粒径が１〜２μｍ程
度の子粒子２を、静電付着法、機械的衝撃法等の周知技
術を用いてカプセル化し、ｐ型カプセル粉末と、ｎ型カ
プセル粉末３を製作する。また、この子粒子２を構成す
るＣｕ系のろう材としては具体的に黄銅ろう材の場合、
ＢＣｕＺｎ−２又は−３といったＣｕ成分の高いものを
選択し、これをガスアトマイズしてＣｕＯX の豊富な粉
末を得て、これを子粒子として用いる。尚、参考まで
に、ＪＩＳ−Ｚ３２６２−１９６１によるとＢＣｕＺｎ
−２の組成成分はＣｕ−５７〜６１％、Ｓｎ−０．５〜
１．５％、Ａｌ−０．０２％以下、残りＺｎとなってい
る。また、粒径としては５μｍ以下がカプセル化には都
合が良い。また、ガスアトマイズに用いるガスはベース
をＡｌとしてＯ2 を３〜５％加えたものが使用できる。
それぞれ添加元素であるＭｎ及びＣｏを添加して１８７
３Ｋの温度でこれらを別個に溶解して二種類のインゴッ
トを製作した後、これらインゴットをスタンプミルある
いはボールミル等を用いてそれぞれ別個に粉砕すると共
にバインダ等を用いて造粒し、粒径が約１０μｍのｐ型
用α−ＦｅＳｉ 2 原料粉末（金属相）とｎ型用α−Ｆｅ
Ｓｉ 2 原料粉末（金属相）とを製造する。このほかに、
α−ＦｅＳｉ 2 原料粉末を得るには、ガスアトマイズ、
水アトマイズ等を用いることもできる。そして、図３に
示すように、このｐ型ＦｅＳｉ2 原料粉末とｎ型ＦｅＳ
ｉ2 原料粉末とをそれぞれ母粒子１とし、この母粒子１
の周囲に、Ｃｕ系のろう材からなる粒径が１〜２μｍ程
度の子粒子２を、静電付着法、機械的衝撃法等の周知技
術を用いてカプセル化し、ｐ型カプセル粉末と、ｎ型カ
プセル粉末３を製作する。また、この子粒子２を構成す
るＣｕ系のろう材としては具体的に黄銅ろう材の場合、
ＢＣｕＺｎ−２又は−３といったＣｕ成分の高いものを
選択し、これをガスアトマイズしてＣｕＯX の豊富な粉
末を得て、これを子粒子として用いる。尚、参考まで
に、ＪＩＳ−Ｚ３２６２−１９６１によるとＢＣｕＺｎ
−２の組成成分はＣｕ−５７〜６１％、Ｓｎ−０．５〜
１．５％、Ａｌ−０．０２％以下、残りＺｎとなってい
る。また、粒径としては５μｍ以下がカプセル化には都
合が良い。また、ガスアトマイズに用いるガスはベース
をＡｌとしてＯ2 を３〜５％加えたものが使用できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】 次に、このようにカプセル化された原料
粉末をそれぞれ別個にプラズマ焼結装置の成形型に入
れ、真空雰囲気中で通電（放電）焼結し、図２に示すよ
うに、棒状のｐ型素子４とｎ型素子５を形成する。この
時、焼結と共にこのｐ型素子４及びｎ型素子５はα−Ｆ
ｅＳｉ（金属相）からβ−ＦｅＳｉ（半導体相）に相転
移することになるが、必要に応じて焼結の後にこれらを
熱処理することによってα−ＦｅＳｉ（金属相）からβ
−ＦｅＳｉ（半導体相）に相転移させても良い。そし
て、図示するように、これら棒状のｐ型素子４とｎ型素
子５の端部同志を繋ぎ合わせるようにＮｉ板６をあてが
い、黄銅ろうや金ろう、銀ろう、銅ろう等の導電性ろう
材７によってｐ型素子４とｎ型素子５の端部とＮｉ板６
で接合し、他方、これらｐ型素子４とｎ型素子５の他端
部には同じくろう材７によって電極８あるいはリード線
等を接続することになる。尚、このろう材の選択として
は、上記黄銅ろうや金ろう、銀ろう、銅ろう以外に良導
体で且つ素子の使用温度未満に液相線を有するものが望
ましい。
粉末をそれぞれ別個にプラズマ焼結装置の成形型に入
れ、真空雰囲気中で通電（放電）焼結し、図２に示すよ
うに、棒状のｐ型素子４とｎ型素子５を形成する。この
時、焼結と共にこのｐ型素子４及びｎ型素子５はα−Ｆ
ｅＳｉ（金属相）からβ−ＦｅＳｉ（半導体相）に相転
移することになるが、必要に応じて焼結の後にこれらを
熱処理することによってα−ＦｅＳｉ（金属相）からβ
−ＦｅＳｉ（半導体相）に相転移させても良い。そし
て、図示するように、これら棒状のｐ型素子４とｎ型素
子５の端部同志を繋ぎ合わせるようにＮｉ板６をあてが
い、黄銅ろうや金ろう、銀ろう、銅ろう等の導電性ろう
材７によってｐ型素子４とｎ型素子５の端部とＮｉ板６
で接合し、他方、これらｐ型素子４とｎ型素子５の他端
部には同じくろう材７によって電極８あるいはリード線
等を接続することになる。尚、このろう材の選択として
は、上記黄銅ろうや金ろう、銀ろう、銅ろう以外に良導
体で且つ素子の使用温度未満に液相線を有するものが望
ましい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松見 裕 神奈川県藤沢市土棚８番地 株式会社い すゞ中央研究所内 (72)発明者 加藤 雅之 神奈川県藤沢市土棚８番地 株式会社い すゞ中央研究所内 (72)発明者 奥村 英二 神奈川県藤沢市土棚８番地 株式会社い すゞ中央研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 ｐ型及びｎ型のα−ＦｅＳｉ2 粉末から
なるそれぞれの母粒子の周囲を、Ｃｕ系のろう材からな
る子粒子でカプセル化してｐ型カプセル粉体とｎ型カプ
セル粉体とを形成し、これらカプセル粉体をそれぞれ所
定の形状に放電焼結固化してｐ型素子とｎ型素子を形成
した後、これらｐ型素子とｎ型素子の端部同志を直接導
電性ろう材、あるいは導電性材料を介して接合して形成
することを特徴とする熱発電素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4189681A JPH0637360A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 熱発電素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4189681A JPH0637360A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 熱発電素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637360A true JPH0637360A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16245403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4189681A Pending JPH0637360A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 熱発電素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637360A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019092325A (ja) * | 2017-11-15 | 2019-06-13 | 古河電気工業株式会社 | 発電装置 |
-
1992
- 1992-07-16 JP JP4189681A patent/JPH0637360A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019092325A (ja) * | 2017-11-15 | 2019-06-13 | 古河電気工業株式会社 | 発電装置 |
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