JPH0637149A - 半導体装置の実装装置 - Google Patents
半導体装置の実装装置Info
- Publication number
- JPH0637149A JPH0637149A JP18976392A JP18976392A JPH0637149A JP H0637149 A JPH0637149 A JP H0637149A JP 18976392 A JP18976392 A JP 18976392A JP 18976392 A JP18976392 A JP 18976392A JP H0637149 A JPH0637149 A JP H0637149A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- collet
- mounting
- semiconductor chip
- stage
- chip
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体チップと実装用基板とを実装する際の
問題を解決した半導体装置の実装装置に関する。 【構成】 上面に実装基板１を保持するステージ２と、
下面に半導体チップ３を保持するコレット４を有し、実
装基板のパッド電極１７と半導体チップのバンプ電極１
６とを加熱接合する実装装置であって、電極の加熱手段
として交流の通電装置１０に接続されている電磁コイル
６，６０が設けられている。
問題を解決した半導体装置の実装装置に関する。 【構成】 上面に実装基板１を保持するステージ２と、
下面に半導体チップ３を保持するコレット４を有し、実
装基板のパッド電極１７と半導体チップのバンプ電極１
６とを加熱接合する実装装置であって、電極の加熱手段
として交流の通電装置１０に接続されている電磁コイル
６，６０が設けられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップのフリッ
プチップ実装装置に関する。
プチップ実装装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の高性能化、多機能化にともな
って、これらの電子機器の電子回路に用いられる集積回
路においても高性能化が進んできている。この結果、半
導体チップの高集積化が進み、これに伴って外部接続回
路との接続端子数の増加および高密度実装に対応する技
術が求められるようになってきた。この要求に応える実
装技術としては、半導体チップの電極端子上に突起電極
であるバンプ電極を形成して、この半導体チップを実装
基板にフリップチップ実装する方法がある。このような
実装を行う装置としては、例えば Research devices, i
nc. Automatic Flip Chip Aligner/Bonder AFC-101 が
知られている。この装置では半導体チップと実装基板の
アライメントを行った後、ヒータにより基板及び素子全
体を加熱してボンディングを行っている。
って、これらの電子機器の電子回路に用いられる集積回
路においても高性能化が進んできている。この結果、半
導体チップの高集積化が進み、これに伴って外部接続回
路との接続端子数の増加および高密度実装に対応する技
術が求められるようになってきた。この要求に応える実
装技術としては、半導体チップの電極端子上に突起電極
であるバンプ電極を形成して、この半導体チップを実装
基板にフリップチップ実装する方法がある。このような
実装を行う装置としては、例えば Research devices, i
nc. Automatic Flip Chip Aligner/Bonder AFC-101 が
知られている。この装置では半導体チップと実装基板の
アライメントを行った後、ヒータにより基板及び素子全
体を加熱してボンディングを行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような装置を用い
た場合には、ヒータで基板及び素子全体を加熱するため
に、チップ内の素子を劣化（例えば、ＦＥＴのオーミッ
ク電極あるいはゲート界面特性の劣化等）することがあ
った。また、基板やチップ全体を加熱するので、温度が
上昇し、安定するまでに時間を費やすという問題もあっ
た。そこで本発明は、かかる問題点を解決した半導体チ
ップの実装装置を提供することを目的とする。
た場合には、ヒータで基板及び素子全体を加熱するため
に、チップ内の素子を劣化（例えば、ＦＥＴのオーミッ
ク電極あるいはゲート界面特性の劣化等）することがあ
った。また、基板やチップ全体を加熱するので、温度が
上昇し、安定するまでに時間を費やすという問題もあっ
た。そこで本発明は、かかる問題点を解決した半導体チ
ップの実装装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上面に実装基
板を保持するステージと下面に半導体チップを保持する
コレットを有し、前記実装基板のパッド電極と前記半導
体チップのバンプ電極とを接合させる半導体装置の実装
装置であって、前記ステージの上面及び前記コレットの
下面が非磁性体の平板で形成され、前記ステージ及び前
記コレットには交流の通電装置に接続された電磁コイル
が設けられいることを特徴とする。
板を保持するステージと下面に半導体チップを保持する
コレットを有し、前記実装基板のパッド電極と前記半導
体チップのバンプ電極とを接合させる半導体装置の実装
装置であって、前記ステージの上面及び前記コレットの
下面が非磁性体の平板で形成され、前記ステージ及び前
記コレットには交流の通電装置に接続された電磁コイル
が設けられいることを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明は、ステージ２及びコレット４に設けた
電磁コイル６，６０に交流電流を流して半導体チップ３
及び基板１の電流１６，１７にうず電流を生ぜしめ、う
ず電流損失によって発生する熱によって接合する装置で
ある。従って、金属で構成されている電極１６，１７以
外にはうず電流が流れないので、局部的に加熱すること
ができ、チップ内の素子を劣化することがない。上記の
通り、電磁コイル６，６０が発生する交流磁場によって
電極を加熱するので、その磁場が通過するステージ２の
上面５及びコレクト２の下面５０は非磁性体であること
が必要となる。
電磁コイル６，６０に交流電流を流して半導体チップ３
及び基板１の電流１６，１７にうず電流を生ぜしめ、う
ず電流損失によって発生する熱によって接合する装置で
ある。従って、金属で構成されている電極１６，１７以
外にはうず電流が流れないので、局部的に加熱すること
ができ、チップ内の素子を劣化することがない。上記の
通り、電磁コイル６，６０が発生する交流磁場によって
電極を加熱するので、その磁場が通過するステージ２の
上面５及びコレクト２の下面５０は非磁性体であること
が必要となる。
【０００６】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
説明する。なお、図面の説明において同一要素には同一
符号を付し、重複する説明を省略する。図１は本実施例
の構成を示す一部を破砕した斜視断面図であり、図２は
本実施例の構成を示す横断面図である。本実施例は、こ
れらの図に示すように、実装基板１が半導体装置の実装
装置のステージ２に保持されており、半導体チップ３が
実装装置のコレット４に保持されている。
説明する。なお、図面の説明において同一要素には同一
符号を付し、重複する説明を省略する。図１は本実施例
の構成を示す一部を破砕した斜視断面図であり、図２は
本実施例の構成を示す横断面図である。本実施例は、こ
れらの図に示すように、実装基板１が半導体装置の実装
装置のステージ２に保持されており、半導体チップ３が
実装装置のコレット４に保持されている。
【０００７】半導体チップ３にはその表面から複数のバ
ンプ電極１６が金属メッキ等の方法によって形成されて
いる。他方、半導体チップ３が実装される基板１には、
半導体チップ３上のバンプ電極１６に対応してパッド電
極１７が形成されている。ここで、パッド電極１７以外
の部分は低誘率、耐熱性かつ光反射率の高い、例えば硬
化性エポキシ樹脂で覆われている。
ンプ電極１６が金属メッキ等の方法によって形成されて
いる。他方、半導体チップ３が実装される基板１には、
半導体チップ３上のバンプ電極１６に対応してパッド電
極１７が形成されている。ここで、パッド電極１７以外
の部分は低誘率、耐熱性かつ光反射率の高い、例えば硬
化性エポキシ樹脂で覆われている。
【０００８】また、ステージ２には、上部から下部に貫
通した真空吸引パイプ８が設けられ、真空パイプ８と直
交し、ステージ２内部を蛇行させるように冷却パイプ７
が設けられている。ステージ２の材料として特に、その
上面５は非磁性体が用いられており、例えば、セラミッ
クス等の材料が使用されている。ステージ２の中には、
電磁コイル６が設けられ、スイッチ１５を介して交流通
電装置１０に接続されており、コントローラ１１により
スイッチ１５のオン・オフを制御されている。冷却パイ
プ７はＮ２により冷却を行う。真空吸引パイプ８は図示
しない真空ポンプに接続され、基板１およびチップ３を
吸引保持する。
通した真空吸引パイプ８が設けられ、真空パイプ８と直
交し、ステージ２内部を蛇行させるように冷却パイプ７
が設けられている。ステージ２の材料として特に、その
上面５は非磁性体が用いられており、例えば、セラミッ
クス等の材料が使用されている。ステージ２の中には、
電磁コイル６が設けられ、スイッチ１５を介して交流通
電装置１０に接続されており、コントローラ１１により
スイッチ１５のオン・オフを制御されている。冷却パイ
プ７はＮ２により冷却を行う。真空吸引パイプ８は図示
しない真空ポンプに接続され、基板１およびチップ３を
吸引保持する。
【０００９】コレット４は、下部に向かって中心を縦貫
した中空部１２を有する円筒型の構造である。コレット
４自体は、コレット駆動装置１４により上下左右を自由
に移動することができる。コレット４の中空部１２は図
示しない真空ポンプに接続されている。コレット４の下
面５０は非磁材料が用いられている。コレット４の中に
はコイル通電装置１０と接続されている電磁コイル６０
が設けられ、ステージの電磁コイル６の場合と同様にコ
ントローラ１１によって制御されている。
した中空部１２を有する円筒型の構造である。コレット
４自体は、コレット駆動装置１４により上下左右を自由
に移動することができる。コレット４の中空部１２は図
示しない真空ポンプに接続されている。コレット４の下
面５０は非磁材料が用いられている。コレット４の中に
はコイル通電装置１０と接続されている電磁コイル６０
が設けられ、ステージの電磁コイル６の場合と同様にコ
ントローラ１１によって制御されている。
【００１０】次に本実施例の作用について説明する。半
導体チップ３は、コレット４の中空部１２を介して図示
しない真空ポンプにより吸引されて、コレット４に保持
されている。一方、実装基板１は、ステージ２に設けら
れた真空吸引パイプ８を介して図示しない真空ポンプに
より吸引されて、ステージ２に保持されている。この状
態でコレット駆動装置１４によりコレット４を移動さ
せ、オプティカルプローブ等を使用して、半導体チップ
３のバンプ電極１６と、実装基板１のパッド電極１７の
位置合わせを行う。
導体チップ３は、コレット４の中空部１２を介して図示
しない真空ポンプにより吸引されて、コレット４に保持
されている。一方、実装基板１は、ステージ２に設けら
れた真空吸引パイプ８を介して図示しない真空ポンプに
より吸引されて、ステージ２に保持されている。この状
態でコレット駆動装置１４によりコレット４を移動さ
せ、オプティカルプローブ等を使用して、半導体チップ
３のバンプ電極１６と、実装基板１のパッド電極１７の
位置合わせを行う。
【００１１】そして、この位置合わせを行いつつ、コレ
ット駆動装置１４によりコレット４を下方に移動させ、
半導体チップ３を実装基板１に搭載する。次いで、コイ
ル通電装置１０によりステージ２及びコレット４に設け
た電磁コイル６，６０に通電して、半導体チップ３のバ
ンプ電極１６と、実装基板１のパッド電極１７を加熱し
接合する。その後、冷却パイプにＮ2を流し、実装基板
を冷却する。
ット駆動装置１４によりコレット４を下方に移動させ、
半導体チップ３を実装基板１に搭載する。次いで、コイ
ル通電装置１０によりステージ２及びコレット４に設け
た電磁コイル６，６０に通電して、半導体チップ３のバ
ンプ電極１６と、実装基板１のパッド電極１７を加熱し
接合する。その後、冷却パイプにＮ2を流し、実装基板
を冷却する。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の装置は、ス
テージ及びコレットに設けた電磁コイルに交流電流を流
して半導体チップ及び基板の電極にうず電極を生ぜし
め、このうず電流損失によって発生する熱によって接合
するので、半導体内の素子が加熱し劣化することがな
い。また、半導体チップ及び実装基板全体を加熱しない
ので短時間で電極を接合することができる。
テージ及びコレットに設けた電磁コイルに交流電流を流
して半導体チップ及び基板の電極にうず電極を生ぜし
め、このうず電流損失によって発生する熱によって接合
するので、半導体内の素子が加熱し劣化することがな
い。また、半導体チップ及び実装基板全体を加熱しない
ので短時間で電極を接合することができる。
【図１】本実施例の構成を示す一部を破砕した斜視図で
ある。
ある。
【図２】本実施例の構成を示す横断面図である。
１：実装基板 ２：ステージ ３：半導体チップ ４：コレット ５，５０：非磁性体板 ６，６０：電磁コイル ７：冷却パイプ ８：真空吸引パイプ １２：中空部 １６：バンプ電極 １７：パッド電極
Claims (1)
- 【請求項１】 上面に実装基板を保持するステージと下
面に半導体チップを保持するコレットを有し、前記実装
基板のパッド電極と前記半導体チップのバンプ電極とを
接合させる半導体装置の実装装置であって、前記ステー
ジの上面及び前記コレットの下面が非磁性体の平板で形
成され、前記ステージ及び前記コレットには交流の通電
装置に接続された電磁コイルが設けられていることを特
徴とする半導体装置の実装装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18976392A JPH0637149A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 半導体装置の実装装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18976392A JPH0637149A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 半導体装置の実装装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637149A true JPH0637149A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16246778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18976392A Pending JPH0637149A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 半導体装置の実装装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637149A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008284557A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Shinko Seiki Co Ltd | 加熱冷却装置 |
| WO2015004950A1 (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-15 | 株式会社新川 | ボンディングステージ及びその製造方法 |
| US9210836B2 (en) | 2012-05-01 | 2015-12-08 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electronic component mounting device |
-
1992
- 1992-07-17 JP JP18976392A patent/JPH0637149A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008284557A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Shinko Seiki Co Ltd | 加熱冷却装置 |
| US9210836B2 (en) | 2012-05-01 | 2015-12-08 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electronic component mounting device |
| US9761556B2 (en) | 2012-05-01 | 2017-09-12 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method of manufacturing electronic device |
| WO2015004950A1 (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-15 | 株式会社新川 | ボンディングステージ及びその製造方法 |
| JP5665158B1 (ja) * | 2013-07-10 | 2015-02-04 | 株式会社新川 | ボンディングステージ及びその製造方法 |
| US9679866B2 (en) | 2013-07-10 | 2017-06-13 | Shinkawa Ltd. | Bonding stage and method of manufacturing the same |
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