JPH0636990A - 位置合わせ装置及び方法、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法 - Google Patents
位置合わせ装置及び方法、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法Info
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Abstract
ントを高精度に行なうこと。 【構成】 マスク(4)とウエハ(6)の、規定位置関
係(アライメントが達成された関係)からのずれを検出
するためのアライメント検出器(2)と、マスク(4)
に対してウエハ(6)を相対移動させるためのステージ
機構(13、14)と、ステージ機構(13、14)の
移動情報を計測するための干渉計測手段(9、10、1
1、12)と、前記アライメント検出器の検出値と、前
記干渉計測手段の計測値を同一タイミングで得て、これ
ら得た値に基づいてマスク(4)とウエハ(6)の位置
関係が前記規定位置関係となるようなステージ機構(1
3、14)への動作指令値を求めて、この指令値によっ
てステージを移動させることを特徴とする。
Description
どにおいて、2物体の位置合わせを高い精度で行なう技
術に関する。
イス製造用の露光装置において、原版(マスクやレチク
ル)に形成されている微細な回路パターンをウエハ上に
露光転写する際に、原版とウエハとの相対的位置合わせ
(アライメント)は、半導体デバイスの高集積化におけ
る要となっている。特に最近の露光装置における位置合
わせでは、例えばサブミクロン以下の位置合わせ精度が
要求されている。
わせ用のアライメントパターンを設け、これを利用して
光学的に相互のずれ情報を得て相対的なアライメントを
行なっている。
を載置するウエハステージに振動が伝わないようにする
ために、露光装置全体が除振機能付きの台の上に設けら
れているのが一般的である。しかしながら完璧な除振は
難しく、露光装置の外部からの振動やステージ駆動系の
モータなどによる振動を受けて、図4に示すようにウエ
ハが微小に位置変動してしまう可能性がある。この種の
振動は周波数にして数百Hz以下であるが、振幅が0.
01μmオーダになることがままあり、時には〜0.0
5μmといったアライメントの許容精度並みの振動振幅
を生じる。露光装置の更なる高精度化を達成するために
は、この振動への対策が課題となる。
ので、微小な振動を有する環境下でも高精度な位置合わ
せ動作を行なうことができる装置及び方法の提供を目的
とする。更にはこの装置及び方法を用いた露光装置と半
導体デバイスの製造方法の提供を目的とする。
本発明のある形態では、第1物体と第2物体の規定位置
関係からのずれを検出するためのアライメント検出手段
と、前記第1物体に対して前記第2物体を相対移動させ
るための移動手段と、前記移動手段の移動情報を計測す
るための計測手段と、前記アライメント検出手段の検出
値と、前記計測手段の計測値を同一タイミングで得て、
これら得た値に基づいて前記第1物体と第2物体の位置
関係が前記規定位置関係となるような前記移動手段への
指令値を求めて、該指令値によって前記移動手段を動作
させる手段とを有することを特徴とする。
装置に適用した実施例を説明する。なお露光装置の形態
はこれに限らず、縮小露光型のX線露光装置やi線やエ
キシマ光などを用いた投影型露光装置などにも適用可能
である。
り、図1は側面図、図2は平面図を表わす。図中、1は
コンピュータコントロール機能を持つコントローラであ
り、システム全体の制御を行なう。2はマスクとウエハ
との相対位置ずれを検出するためのアライメント検出器
であり、光源(例えば半導体レーザやLED)や受光セ
ンサ(例えばCCD等のアレイセンサ)などを内蔵す
る。3はマスクチャック、4は半導体デバイスの回路パ
ターンが形成された原版であるマスク、5はマスク4上
に設けられたアライメントパターン、6は半導体ウエ
ハ、7はウエハ上に設けられたアライメントパターン、
8はウエハを保持するウエハチャックである、9は反射
ミラー、10はレーザ干渉計のレーザ光源と光検出器を
含むユニット、11は干渉計の光学ユニット、12は各
ユニット10、11を載置する台であり、これらの部材
9、10、11、12によってステージの位置を計測す
るためのレーザ干渉測長器を構成している。13、14
はウエハチャック8を搭載してこれをマスクチャック3
に対して相対移動させるためのステージ機構、15はス
テージを移動させるための駆動機構である。16は露光
エネルギであるX線を発生するX線発生源を含むX線照
射系である。
ハとの位置合わせ動作について説明する。図3はマスク
とウエハとのアライメントのシーケンスを示すフローチ
ャートである。まず、マスクチャックにマスクをセット
(ステップ101)、ウエハチャックにウエハをセット
する(ステップ102)。次にセットしたマスクとウエ
ハの粗い位置合わせ、所謂プリアライメントを行なう
(ステップ103)。プリアライメントの後、アライメ
ント検出器によってマスク(M)とウエハ(W)との相
対的なずれの計測を行なう(ステップ104)。
検出器によるずれ検出と同時に、レーザ干渉測長器によ
るステージ位置の計測を行なう。図5はその時の信号を
示すもので、位置ずれ検出信号を得るタイミング(a)
とステージ位置の計測信号を得るタイミング(b)が同
じである。
うのが一般的であり、各種の方法が知られている。以下
にいくつかの例を示すが、本実施例ではいずれの方法も
採用し得る。
素子で画像として得て、画像処理によって両者のずれ量
を求める方法 (2)アライメントパターン5、6を回折格子として、
この回折格子に光ビームを照射して、これによる回折光
の信号強度から格子の位相ずれを求めてマスクとウエハ
のずれ量を得る方法 (3)アライメントパターン5、6をゾーンプレートと
しておき、これに光ビームを照射して、これによる回折
光の回折方向からマスクとウエハのずれ量を求める方法 次に、上記計測の後、アライメントのずれ検出値が許容
値以内であるかどうかを判断する(ステップ105)。
判断の結果、許容値を越えていれば、このずれ検出値を
基にして、マスクとウエハとのアライメントが達成され
るようなステージへの動作指令値を算出する(ステップ
106)。この指令値は、上記ステップ104におけ
る、(1)アライメント検出器によって得られたずれ検
出値、(2)レーザ干渉測長器で得たステージ位置の計
測値を基に、 (指令値)=(ステージ位置計測値)−(ずれ検出値) を計算して求める。
を駆動して(ステップ107)、ステップ104に戻
る。ステップ105での判断の結果、許容値以内(例え
ば0.02μm以下)になったら露光動作へ移る(ステ
ップ108)。露光動作はX線照射系から発生したX線
をマスクに照射して、マスクの回路パターンをウエハに
露光転写する。
て説明する。従来は時刻t1 にアライメント測長器でず
れ検出を行なった後に、時刻t2 にレーザ干渉測長器の
計測値を読み取って、このレーザ干渉測長器の計測値に
基づいてステージ駆動の指令値を算出していた。すると
図4に示すようにこの時刻t1 からt2 までに生じる振
動によるウエハ位置の差|y2 −y1 |の分だけ指令値
が誤差を持つことになり、この指令値によってステージ
を駆動しても正確なアライメントが行なえないことにな
る。これに対して本実施例によれば、ずれ検出とステー
ジ位置計測を同時に行なうため、両者の間に時間差が無
く、振動等によってウエハ位置が移動してもアライメン
ト精度には影響がなくなる。よって非常に高精度な位置
合わせを行なうことができる。
めの信号処理系の具体的なブロック図である。又、図7
は図6の信号処理系の各部での信号波形を示す図であ
る。信号aはレーザ干渉測長器の信号の読出し同期に対
応したサンプルクロック信号で、例えば22μsec毎
にクロック信号が発生する。又、信号bはアライメント
検出器のセンサ(ここではCCDとする)の出力を取り
込むタイミングを示す信号であり、これは図5の信号
(b)として示しているものと同じである。CCDの信
号はデジタル信号であり、取り込み時間幅は、光源強度
やアライメントマークの透過率や反射率などを考慮し
て、0.1msec〜数百msecでセンサが飽和しな
い範囲で設定を行なう。具体的には、アライメント検出
器2に内蔵される光源の発光時間を、信号bのタイミン
グに合わせてコントロールすることによってCCDの受
光量が設定される。
信号bの論理和が演算されて得られたカウンタクロック
である。このカウンタクロックcによって、信号bで設
定された時間だけカウンタ21でのカウント値がカウン
タクロックcと共に増加して、I/F回路22によりD
P−RAM(デュアルポートRAM)23に書込信号が
出され、レーザ干渉測長器10の出力値がDP−RAM
23のアドレス0番地から順次記憶される。そしてアラ
イメント信号を取り込む期間が過ぎたら、CPU24は
カウンタ21のカウント値を読み、DP−RAM23の
アドレス0番地からそのカウント値のアドレスまでに記
憶されるデータ値を読んで、これらの平均値を算出し、
これをステージ位置の計測値とする。そしてこの計測値
と、これと同一タイミングでアライメント検出器によっ
て得られたずれ検出値を基に、 (指令値)=(ステージ位置計測値)−(ずれ検出値) を計算してステージへの動作指令値が算出される。
めに1軸方向についての例を示したが、実際には同様の
構成がxy両方向に設けられ、xyの2軸について位置
合わせが行なわれる。又、上記位せ合わせ方法は、xy
方向のみならずとマスクとウエハの間隔方向(z方向)
の位置合わせにも適用することができる。
実施例として、アライメントずれ検出信号を取り込むタ
イミングに合わせてステージ位置の計測を行なうための
信号処理系の例を図8、図9を用いて説明する。図8は
信号処理系のブロック図、図9は処理のシーケンスを示
すフローチャートである。図8に示す本実施例の信号処
理系では、レーザ干渉測長器10の計測値とアライメン
ト検出器のCCDの信号を取り込む時間を示す信号b
を、I/F回路30を介してコンピュータ31で読み込
めるようになっている。コンピュータ31では図9のフ
ローチャートに示した手順によって、レーザ干渉測長器
10の信号を信号bがONである時間だけ読み出し、信
号bがOFFの時は読み出しを行なわず、読み出した
(N+1)個のサンプリング数の平均値を演算により求
めて、これをステージ位置の測長値とする。本実施例で
は取り込みタイミングは固定されたものではなく、ウエ
イトルーチンと他の処理時間によって必要な時間が決定
される。
利用した半導体デバイスの製造方法の実施例を説明す
る。図10は半導体デバイス(ICやLSI等の半導体
チップ、あるいは液晶パネルやCCD等)の製造のフロ
ーを示す。ステップ1(回路設計)では半導体デバイス
の回路設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を
用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセ
ス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と
呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて
半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダ
イシング、ボンディング)、パッケージング工程(チッ
プ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステ
ップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、
耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半
導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)され
る。
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステッ
プ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
ジが振動を持っていても、この影響を受けずに高精度の
アライメントを行なうことができる。又、本発明を露光
装置や半導体デバイス製造などに応用すれば、高集積度
の半導体デバイスを製造することができる。
である。
である。
る。
タイミングを示す図である。
である。
ある。
る。
る。
ト 13、14 ステージ機構 15 駆動機構
Claims (5)
- 【請求項1】 第1物体と第2物体の規定位置関係から
の相対的なずれを検出するためのアライメント検出手段
と、 前記第1物体に対して前記第2物体を相対移動させるた
めの移動手段と、 前記移動手段の移動情報を計測するための計測手段と、 前記アライメント検出手段の検出値と、前記計測手段の
計測値を同一タイミングで得て、これら得た値に基づい
て前記第1物体と第2物体の位置関係が前記規定位置関
係となるような前記移動手段への指令値を求めて、該指
令値によって前記移動手段を動作させる手段とを有する
ことを特徴とする位置合わせ装置。 - 【請求項2】 第1物体と第2物体の規定位置関係から
の相対的なずれを検出する第1ステップと、 前記第2物体の位置情報を計測する第2ステップと、 前記第1ステップでの検出値と、前記第2ステップでの
計測値を同一タイミングで得て、これら得た値に基づい
て前記第1物体と第2物体の位置関係が前記規定位置関
係となるような動作指令値を求めて、該指令値によって
第1物体と第2物体の位置関係を調整する第3ステップ
を有することを特徴とする位置合わせ方法。 - 【請求項3】 露光パターンが形成される原版と、被露
光体との位置合わせを行なう位置合わせ手段と、 前記位置合わせがなされた状態で、原版の露光パターン
を被露光体に露光転写する転写手段とを有し、前記位置
合わせ手段は、 前記原版と前記被露光体の、規定位置関係からの相対的
なずれを検出するためのアライメント検出手段と、 前記原版に対して前記被露光体を移動させるための移動
手段と、 前記移動手段の移動情報を計測するための計測手段と、 前記アライメント検出手段の検出値と、前記計測手段の
計測値を同一タイミングで得て、これら得た値に基づい
て前記原版と前記被露光体の位置関係が前記規定位置関
係となるような前記移動手段への指令値を求めて、該指
令値によって前記移動手段を動作させる手段とを有する
ことを特徴とする露光装置。 - 【請求項4】 回路パターンが形成される原版と、ウエ
ハとの位置合わせを行なう位置合わせステップと、 前記位置合わせがなされた状態で、原版の回路パターン
をウエハに露光転写する転写ステップとを有し、前記位
置合わせステップは、 前記原版と前記ウエハの規定位置関係からの相対的なず
れを検出する第1ステップと、 前記ウエハの位置情報を計測する第2ステップと、 前記第1ステップでの検出値と、前記第2ステップでの
計測値を同一タイミングで得て、これら得た値に基づい
て前記原版と前記ウエハの位置関係が前記規定位置関係
となるような動作指令値を求めて、該指令値によって前
記原版と前記ウエハの位置関係を調整する第3ステップ
を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項5】 請求項4の製造方法によって製造された
ことを特徴とする半導体デバイス。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19094692A JP3244783B2 (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 位置合わせ装置及び方法、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法 |
US08/091,959 US5379108A (en) | 1992-07-17 | 1993-07-15 | Alignment system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19094692A JP3244783B2 (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 位置合わせ装置及び方法、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0636990A true JPH0636990A (ja) | 1994-02-10 |
JP3244783B2 JP3244783B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=16266311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19094692A Expired - Fee Related JP3244783B2 (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 位置合わせ装置及び方法、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5379108A (ja) |
JP (1) | JP3244783B2 (ja) |
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EP0412756B1 (en) * | 1989-08-07 | 1995-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
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-
1992
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-
1993
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5379108A (en) | 1995-01-03 |
JP3244783B2 (ja) | 2002-01-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010522 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20011016 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071026 Year of fee payment: 6 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081026 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091026 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091026 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111026 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |