JPH0636966A - 薄膜コンデンサ - Google Patents
薄膜コンデンサInfo
- Publication number
- JPH0636966A JPH0636966A JP4133662A JP13366292A JPH0636966A JP H0636966 A JPH0636966 A JP H0636966A JP 4133662 A JP4133662 A JP 4133662A JP 13366292 A JP13366292 A JP 13366292A JP H0636966 A JPH0636966 A JP H0636966A
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- Japan
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- aromatic
- film capacitor
- dielectric
- polymer film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 蒸着重合法によって誘電体として形成される
高分子膜の特性から決定される電気的特性をさらに向上
させることができる薄膜コンデンサを提供する。 【構成】 薄膜コンデンサは、膜状の内部電極３ａ，３
ｂ，３ｃと膜状の誘電体４ａ，４ｂとの積層構造５が形
成されている基板２を備える。誘電体４ａ，４ｂは、Ｎ
−メチルアクリジニウム−７，７，８，８−テトラシア
ノキノジメタン錯体（以下、「ＴＣＮＱ錯体」とい
う。）を含むフロロアルキル化芳香族ポリイミドの高分
子膜からなる。ＴＣＮＱ錯体を含むフロロアルキル化芳
香族ポリイミドの高分子膜は、２，２−ビス（４−アミ
ノフェニル）ヘキサフロロプロパンおよびピロメリット
酸二無水物の各モノマーとＴＣＮＱ錯体の結晶とを蒸発
源材として用いる蒸着重合法によって形成されている。
高分子膜の特性から決定される電気的特性をさらに向上
させることができる薄膜コンデンサを提供する。 【構成】 薄膜コンデンサは、膜状の内部電極３ａ，３
ｂ，３ｃと膜状の誘電体４ａ，４ｂとの積層構造５が形
成されている基板２を備える。誘電体４ａ，４ｂは、Ｎ
−メチルアクリジニウム−７，７，８，８−テトラシア
ノキノジメタン錯体（以下、「ＴＣＮＱ錯体」とい
う。）を含むフロロアルキル化芳香族ポリイミドの高分
子膜からなる。ＴＣＮＱ錯体を含むフロロアルキル化芳
香族ポリイミドの高分子膜は、２，２−ビス（４−アミ
ノフェニル）ヘキサフロロプロパンおよびピロメリット
酸二無水物の各モノマーとＴＣＮＱ錯体の結晶とを蒸発
源材として用いる蒸着重合法によって形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体と内部電極との
積層構造を有する薄膜コンデンサに関する。
積層構造を有する薄膜コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、膜状の誘電体と膜状の内部電極と
が交互に積層されている薄膜コンデンサとして、前記誘
電体が、少なくともいずれか一方が弗化またはフルオロ
アルキル化されかつベンゼン環を骨格とする２種のモノ
マーを蒸発源材とする蒸着重合によって形成されている
高分子膜からなるもの（特開平３−５０７０９号に記
載。）がある。
が交互に積層されている薄膜コンデンサとして、前記誘
電体が、少なくともいずれか一方が弗化またはフルオロ
アルキル化されかつベンゼン環を骨格とする２種のモノ
マーを蒸発源材とする蒸着重合によって形成されている
高分子膜からなるもの（特開平３−５０７０９号に記
載。）がある。
【０００３】前記２種のモノマーの組合せとしては、芳
香族ジアミンと芳香族ジイソシアネートとの組合せ、芳
香族ジアミンと芳香族ジカルボン酸クロライドとの組合
せ、および芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸と
の組合せがある。
香族ジアミンと芳香族ジイソシアネートとの組合せ、芳
香族ジアミンと芳香族ジカルボン酸クロライドとの組合
せ、および芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸と
の組合せがある。
【０００４】芳香族ジアミンと芳香族ジイソシアネート
との組合せを選択するとき、弗化またはフルオロアルキ
ル化された芳香族ポリ尿素の高分子膜からなる誘電体が
形成される。
との組合せを選択するとき、弗化またはフルオロアルキ
ル化された芳香族ポリ尿素の高分子膜からなる誘電体が
形成される。
【０００５】芳香族ジアミンと芳香族ジカルボン酸クロ
ライドとの組合せを選択するとき、弗化またはフルオロ
アルキル化された芳香族ポリアミドの高分子膜からなる
誘電体が形成される。
ライドとの組合せを選択するとき、弗化またはフルオロ
アルキル化された芳香族ポリアミドの高分子膜からなる
誘電体が形成される。
【０００６】芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸
との組合せを選択するとき、弗化またはフルオロアルキ
ル化された芳香族ポリイミドの高分子膜からなる誘電体
が形成される。
との組合せを選択するとき、弗化またはフルオロアルキ
ル化された芳香族ポリイミドの高分子膜からなる誘電体
が形成される。
【０００７】前記誘電体の特性を決定する高分子膜の種
類およびその特性は前記モノマーの組合せによって決定
されるから、複数の組合せの中から所定のモノマーの組
合せが選択される。
類およびその特性は前記モノマーの組合せによって決定
されるから、複数の組合せの中から所定のモノマーの組
合せが選択される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記蒸着重合
法によって誘電体として使用可能な高分子膜の形成に用
いられるモノマーの組合せの数には制限があることによ
り、高分子膜の種類は制限されるから、高分子膜の種類
の制限に伴い前記誘電体の特性を改善することは難し
く、前記誘電体の特性から決定されるコンデンサとして
の電気的特性をさらに向上させることは難しい。
法によって誘電体として使用可能な高分子膜の形成に用
いられるモノマーの組合せの数には制限があることによ
り、高分子膜の種類は制限されるから、高分子膜の種類
の制限に伴い前記誘電体の特性を改善することは難し
く、前記誘電体の特性から決定されるコンデンサとして
の電気的特性をさらに向上させることは難しい。
【０００９】本発明の目的は、蒸着重合法によって誘電
体として形成される高分子膜の特性から決定される電気
的特性をさらに向上させることができる薄膜コンデンサ
を提供することにある。
体として形成される高分子膜の特性から決定される電気
的特性をさらに向上させることができる薄膜コンデンサ
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、膜状の誘電体
と膜状の内部電極とが交互に積層されている薄膜コンデ
ンサであって、前記誘電体が、少なくともいずれか一方
が弗化またはフルオロアルキル化されかつベンゼン環を
骨格とする２種のモノマーおよび前記誘電体の特性を変
化させる因子である少なくとも１つ以上の物質を蒸発源
材とする蒸着重合によって形成されている高分子膜から
なる。
と膜状の内部電極とが交互に積層されている薄膜コンデ
ンサであって、前記誘電体が、少なくともいずれか一方
が弗化またはフルオロアルキル化されかつベンゼン環を
骨格とする２種のモノマーおよび前記誘電体の特性を変
化させる因子である少なくとも１つ以上の物質を蒸発源
材とする蒸着重合によって形成されている高分子膜から
なる。
【００１１】
【作 用】本発明の薄膜コンデンサでは、前記誘電体
が、少なくともいずれか一方が弗化またはフルオロアル
キル化されかつベンゼン環を骨格とする２種のモノマー
および前記誘電体の特性を変化させる因子である少なく
とも１以上の物質を蒸発源材とする蒸着重合によって形
成されている高分子膜からなる。
が、少なくともいずれか一方が弗化またはフルオロアル
キル化されかつベンゼン環を骨格とする２種のモノマー
および前記誘電体の特性を変化させる因子である少なく
とも１以上の物質を蒸発源材とする蒸着重合によって形
成されている高分子膜からなる。
【００１２】前記誘電体である高分子膜の形成に２種の
モノマーと副物質とが用いられていることにより、前記
高分子膜の特性は前記２種のモノマーと前記副物質との
組合せによって決定されるから、前記２種のモノマーと
前記副物質との組合せを選択することによってさらに優
れた特性を有する高分子膜の誘電体が得られ、前記誘電
体の特性から決定される電気特性を向上させることがで
きる。
モノマーと副物質とが用いられていることにより、前記
高分子膜の特性は前記２種のモノマーと前記副物質との
組合せによって決定されるから、前記２種のモノマーと
前記副物質との組合せを選択することによってさらに優
れた特性を有する高分子膜の誘電体が得られ、前記誘電
体の特性から決定される電気特性を向上させることがで
きる。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１４】図１は本発明の薄膜コンデンサの一実施例
を示す縦断面図である。
を示す縦断面図である。
【００１５】薄膜コンデンサは、図１に示すように、基
板２を備える。基板２には、膜状の内部電極３ａ，３
ｂ，３ｃと膜状の誘電体４ａ，４ｂとの積層構造５が形
成されている。内部電極３ａ，３ｂ，３ｃと誘電体４
ａ，４ｂとは交互に積層されている。
板２を備える。基板２には、膜状の内部電極３ａ，３
ｂ，３ｃと膜状の誘電体４ａ，４ｂとの積層構造５が形
成されている。内部電極３ａ，３ｂ，３ｃと誘電体４
ａ，４ｂとは交互に積層されている。
【００１６】内部電極３ａ，３ｂ，３ｃはアルミニウム
合金の膜からなり、その膜は蒸着によって形成されてい
る。内部電極３ａの端部と内部電極３ｃの端部とは互い
に電気的に接触している。
合金の膜からなり、その膜は蒸着によって形成されてい
る。内部電極３ａの端部と内部電極３ｃの端部とは互い
に電気的に接触している。
【００１７】誘電体４ａ，４ｂは、ＴＣＮＱ錯体を含む
フロロアルキル化芳香族ポリイミドの高分子膜からな
り、誘電体４ａの端部と誘電体４ｂの端部とは互いに接
触している。なお、本実施例では、ＴＣＮＱ錯体とし
て、Ｎ−メチルアクリジニウム−７，７，８，８−テト
ラシアノキノジメタン錯体が用いられている。
フロロアルキル化芳香族ポリイミドの高分子膜からな
り、誘電体４ａの端部と誘電体４ｂの端部とは互いに接
触している。なお、本実施例では、ＴＣＮＱ錯体とし
て、Ｎ−メチルアクリジニウム−７，７，８，８−テト
ラシアノキノジメタン錯体が用いられている。
【００１８】ＴＣＮＱ錯体を含むフロロアルキル化芳香
族ポリイミドの高分子膜は、２，２−ビス（４−アミノ
フェニル）ヘキサフロロプロパンおよびピロメリット酸
二無水物の各モノマーとＴＣＮＱ錯体の結晶とを蒸発源
材として用いる蒸着重合法によって形成されている。な
お、蒸着重合時におけるＴＣＮＱ錯体の蒸発量は、２，
２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフロロプロパン
およびピロメリット酸無水物の各モノマーとの蒸着重合
によって得られるフロロアルキル化芳香族ポリアミック
酸に対する重量比が７％となるように制御されている。
族ポリイミドの高分子膜は、２，２−ビス（４−アミノ
フェニル）ヘキサフロロプロパンおよびピロメリット酸
二無水物の各モノマーとＴＣＮＱ錯体の結晶とを蒸発源
材として用いる蒸着重合法によって形成されている。な
お、蒸着重合時におけるＴＣＮＱ錯体の蒸発量は、２，
２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフロロプロパン
およびピロメリット酸無水物の各モノマーとの蒸着重合
によって得られるフロロアルキル化芳香族ポリアミック
酸に対する重量比が７％となるように制御されている。
【００１９】ＴＣＮＱ錯体を含むフロロアルキル化芳香
族ポリイミドの高分子膜の誘電率εは３０であり、フロ
ロアルキル化芳香族ポリイミド単体の高分子膜の誘電率
εは３．５である。
族ポリイミドの高分子膜の誘電率εは３０であり、フロ
ロアルキル化芳香族ポリイミド単体の高分子膜の誘電率
εは３．５である。
【００２０】積層構造５は、内部電極３ａ，３ｂ，３ｃ
の端部のそれぞれが露出するように保護膜６で覆われ、
内部電極３ａ，３ｂ，３ｃの露出端部には、外部電極７
がそれぞれ接続されている。
の端部のそれぞれが露出するように保護膜６で覆われ、
内部電極３ａ，３ｂ，３ｃの露出端部には、外部電極７
がそれぞれ接続されている。
【００２１】以上により、薄膜コンデンサ１では、誘電
体４ａ，４ｂをＴＣＮＱ錯体を含むフロロアルキル化芳
香族ポリイミドの高分子膜とすることによって、誘電率
がフロロアルキル化芳香族ポリイミド単体の高分子膜の
誘電率より高くなり、誘電率の改善を容易にすることが
できる。
体４ａ，４ｂをＴＣＮＱ錯体を含むフロロアルキル化芳
香族ポリイミドの高分子膜とすることによって、誘電率
がフロロアルキル化芳香族ポリイミド単体の高分子膜の
誘電率より高くなり、誘電率の改善を容易にすることが
できる。
【００２２】次に、薄膜コンデンサの製造方法について
図面を参照しながら説明する。図２は図１の薄膜コンデ
ンサの内部電極の形成工程を説明するるための図、図３
は図１の薄膜コンデンサの誘電体の形成工程を説明する
るための図、図４は図１の薄膜コンデンサ内部電極と誘
電体との積層構造の形成を説明するための図である。
図面を参照しながら説明する。図２は図１の薄膜コンデ
ンサの内部電極の形成工程を説明するるための図、図３
は図１の薄膜コンデンサの誘電体の形成工程を説明する
るための図、図４は図１の薄膜コンデンサ内部電極と誘
電体との積層構造の形成を説明するための図である。
【００２３】まず、予め洗浄されている基板２は、図１
に示すように、蒸着工程に送られ、基板２の表面には、
蒸着によってアルミニウム合金などからなる膜状の内部
電極３ａが形成される。
に示すように、蒸着工程に送られ、基板２の表面には、
蒸着によってアルミニウム合金などからなる膜状の内部
電極３ａが形成される。
【００２４】次いで、内部電極３ａが形成されている基
板２は、蒸着重合工程に送られる。蒸着重合工程では、
２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフロロプロ
パンおよびピロメリット酸二無水物の各モノマーとＴＣ
ＮＱ錯体の結晶とを蒸発源材として用いられている。
板２は、蒸着重合工程に送られる。蒸着重合工程では、
２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフロロプロ
パンおよびピロメリット酸二無水物の各モノマーとＴＣ
ＮＱ錯体の結晶とを蒸発源材として用いられている。
【００２５】基板２の内部電極３ａ表面には、図２に示
すように、蒸着重合によってＴＣＮＱ錯体を含むフロロ
アルキル化芳香族ポリアミック酸の高分子膜８が形成さ
れる。蒸着重合時におけるＴＣＮＱ錯体の蒸発量は、蒸
着重合によって得られるフロロアルキル化芳香族ポリア
ミック酸に対する重量比が７％となるように制御されて
いる。
すように、蒸着重合によってＴＣＮＱ錯体を含むフロロ
アルキル化芳香族ポリアミック酸の高分子膜８が形成さ
れる。蒸着重合時におけるＴＣＮＱ錯体の蒸発量は、蒸
着重合によって得られるフロロアルキル化芳香族ポリア
ミック酸に対する重量比が７％となるように制御されて
いる。
【００２６】ＴＣＮＱ錯体を含むフロロアルキル化芳香
族ポリアミック酸の高分子膜８の形成後、内部電極３ａ
およびフロロアルキル化芳香族ポリアミック酸の高分子
膜８が形成されている基板２は加熱脱水工程に送られ
る。加熱脱水工程では、フロロアルキル化芳香族ポリア
ミック酸の高分子膜８に対する加熱操作が行われる。加
熱によってフロロアルキル化芳香族ポリアミック酸の閉
環が生じ、該閉環に伴う脱水によってフロロアルキル化
芳香族ポリアミック酸の高分子膜８は、フロロアルキル
化芳香族ポリイミドの高分子膜に変化する。
族ポリアミック酸の高分子膜８の形成後、内部電極３ａ
およびフロロアルキル化芳香族ポリアミック酸の高分子
膜８が形成されている基板２は加熱脱水工程に送られ
る。加熱脱水工程では、フロロアルキル化芳香族ポリア
ミック酸の高分子膜８に対する加熱操作が行われる。加
熱によってフロロアルキル化芳香族ポリアミック酸の閉
環が生じ、該閉環に伴う脱水によってフロロアルキル化
芳香族ポリアミック酸の高分子膜８は、フロロアルキル
化芳香族ポリイミドの高分子膜に変化する。
【００２７】次いで、フロロアルキル化芳香族ポリイミ
ドの高分子膜が形成されている基板２は、再び、蒸着工
程と蒸着重合工程と加熱脱水工程との間を順次に所定の
回数繰り返し移行される。基板２には、図４に示すよう
に、内部電極３ａ，３ｂ，３ｃとフロロアルキル化芳香
族ポリイミドの高分子膜からなる誘電体４ａ，４ｂとの
積層構造５が形成される。
ドの高分子膜が形成されている基板２は、再び、蒸着工
程と蒸着重合工程と加熱脱水工程との間を順次に所定の
回数繰り返し移行される。基板２には、図４に示すよう
に、内部電極３ａ，３ｂ，３ｃとフロロアルキル化芳香
族ポリイミドの高分子膜からなる誘電体４ａ，４ｂとの
積層構造５が形成される。
【００２８】次いで、保護膜付着工程および外部電極形
成工程を経ることによって、図１に示すように、高い誘
電率を有する薄膜コンデンサ１が得られる。
成工程を経ることによって、図１に示すように、高い誘
電率を有する薄膜コンデンサ１が得られる。
【００２９】なお、本実施例では、２，２−ビス（４−
アミノフェニル）ヘキサフロロプロパンおよびピロメリ
ット酸二無水物の各モノマーとＴＣＮＱ錯体の結晶とを
蒸発源材として用いるが、この組合せに代えて、他の組
合せを用いることができる。他の組合せとしては、芳香
族ジアミンおよび芳香族ジイソシアネートの２種のモノ
マーと錯体との組合せと、芳香族ジアミンおよび芳香族
ジカルボン酸クロライドの２種のモノマーと錯体との組
合せとがある。
アミノフェニル）ヘキサフロロプロパンおよびピロメリ
ット酸二無水物の各モノマーとＴＣＮＱ錯体の結晶とを
蒸発源材として用いるが、この組合せに代えて、他の組
合せを用いることができる。他の組合せとしては、芳香
族ジアミンおよび芳香族ジイソシアネートの２種のモノ
マーと錯体との組合せと、芳香族ジアミンおよび芳香族
ジカルボン酸クロライドの２種のモノマーと錯体との組
合せとがある。
【００３０】芳香族ジアミンおよび芳香族ジイソシアネ
ートの２種のモノマーとＴＣＮＱ錯体との組合せを選択
するとき、ＴＣＮＱ錯体を含む弗化またはフルオロアル
キル化された芳香族ポリ尿素の高分子膜からなる誘電体
が形成され、該誘電体は高い誘電率を有する。
ートの２種のモノマーとＴＣＮＱ錯体との組合せを選択
するとき、ＴＣＮＱ錯体を含む弗化またはフルオロアル
キル化された芳香族ポリ尿素の高分子膜からなる誘電体
が形成され、該誘電体は高い誘電率を有する。
【００３１】芳香族ジアミンおよび芳香族ジカルボン酸
クロライドの２種のモノマーとＴＣＮＱ錯体との組合せ
を選択するとき、ＴＣＮＱ錯体を含む弗化またはフルオ
ロアルキル化された芳香族ポリアミドの高分子膜からな
る誘電体が形成され、該誘電体は高い誘電率を有する。
クロライドの２種のモノマーとＴＣＮＱ錯体との組合せ
を選択するとき、ＴＣＮＱ錯体を含む弗化またはフルオ
ロアルキル化された芳香族ポリアミドの高分子膜からな
る誘電体が形成され、該誘電体は高い誘電率を有する。
【００３２】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の薄膜コ
ンデンサによれば、蒸着重合法によって誘電体として形
成される高分子膜の特性から決定される電気的特性をさ
らに向上させることができる。
ンデンサによれば、蒸着重合法によって誘電体として形
成される高分子膜の特性から決定される電気的特性をさ
らに向上させることができる。
【図１】本発明の薄膜コンデンサの一実施例を示す縦断
面図である。
面図である。
【図２】図１の薄膜コンデンサの内部電極の形成工程を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図３】図１の薄膜コンデンサの誘電体の形成工程を説
明するための図である。
明するための図である。
【図４】図１の薄膜コンデンサ内部電極と誘電体との積
層構造の形成を説明するための図である。
層構造の形成を説明するための図である。
１ 薄膜コンデンサ ２ 基板 ３ａ，３ｂ，３ｃ 内部電極 ４ａ，４ｂ 誘電体 ５ 積層構造 ８ フロロアルキル化芳香族ポリアミック酸の高分子膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｇ 73/10 ＮＴＦ 9285−4Ｊ (72)発明者 野副 尚一 茨城県つくば市東１丁目１番地 工業技術 院化学技術研究所内 (72)発明者 鈴木 三紀男 長野県下伊那郡松川町元大島2932番地 ル ビコン電子株式会社内 (72)発明者 篠田 芳郎 長野県下伊那郡松川町元大島2932番地 ル ビコン電子株式会社内 (72)発明者 宮外 雅秀 長野県下伊那郡松川町元大島2932番地 ル ビコン電子株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 膜状の誘電体と膜状の内部電極とが交互
に積層されている薄膜コンデンサであって、 前記誘電体が、少なくともいずれか一方が弗化またはフ
ルオロアルキル化されかつベンゼン環を骨格とする２種
のモノマーおよび前記誘電体の特性を変化させる因子で
ある少なくとも１つ以上の副物質を蒸発源材とする蒸着
重合によって形成されている高分子膜からなることを特
徴とする薄膜コンデンサ。 - 【請求項２】 前記誘電体が、前記副物質を含む弗化ま
たはフルオロアルキル化された芳香族ポリ尿素の高分子
膜からなる請求項１に記載の薄膜コンデンサ。 - 【請求項３】 前記誘電体が、前記副物質を含む弗化ま
たはフルオロアルキル化された芳香族ポリアミドの高分
子膜からなる請求項１に記載の薄膜コンデンサ。 - 【請求項４】 前記誘電体が、前記副物質を含む弗化ま
たはフルオロアルキル化された芳香族ポリイミドの高分
子膜からなる請求項１に記載の薄膜コンデンサ。 - 【請求項５】 前記モノマーの一方が芳香族ジアミンで
あり、他方のモノマーが芳香族ジイソシアネートである
請求項１に記載の薄膜コンデンサ。 - 【請求項６】 前記モノマーの一方が芳香族ジアミンで
あり、他方のモノマーが芳香族ジカルボン酸クロライド
である請求項１に記載の薄膜コンデンサ。 - 【請求項７】 前記モノマーの一方が芳香族ジアミンで
あり、他方のモノマーが芳香族テトラカルボン酸である
請求項１に記載の薄膜コンデンサ。 - 【請求項８】 前記副物質がＴＣＮＱ錯体である請求項
１に記載の薄膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4133662A JPH0636966A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 薄膜コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4133662A JPH0636966A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 薄膜コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636966A true JPH0636966A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=15109999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4133662A Pending JPH0636966A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 薄膜コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636966A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989006800A1 (en) * | 1988-01-12 | 1989-07-27 | Tokyo Boseki Kabushiki Kaisha | Element for assaying rheumatoid factor and method of assaying |
| US6865071B2 (en) | 1998-03-03 | 2005-03-08 | Acktar Ltd. | Electrolytic capacitors and method for making them |
| CN102737843A (zh) * | 2011-04-13 | 2012-10-17 | 小岛冲压工业株式会社 | 薄膜电容器元件、薄膜电容器和所述薄膜电容器元件的制造方法 |
-
1992
- 1992-05-26 JP JP4133662A patent/JPH0636966A/ja active Pending
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
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