JPH0635544A - 混合ガスの流量制御方法 - Google Patents
混合ガスの流量制御方法Info
- Publication number
- JPH0635544A JPH0635544A JP21067792A JP21067792A JPH0635544A JP H0635544 A JPH0635544 A JP H0635544A JP 21067792 A JP21067792 A JP 21067792A JP 21067792 A JP21067792 A JP 21067792A JP H0635544 A JPH0635544 A JP H0635544A
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- Japan
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- gas
- flow rate
- raw material
- control valve
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Flow Control (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定した流量制御で混合ガス中のＯ2ガスの
流量を１ＣＣＭ以下の微小流量とする。 【構成】 流量制御弁１〜４、２７のフルスケールは１
００ＣＣＭであるとする。そして、今、ＣＦ4ガスとＯ2
ガスとを前者が９９％で後者が１％の割合で混合し、こ
の混合ガスをその中のＯ2ガスの流量を０．５ＣＣＭと
してチャンバ３０内に導入するとする。この場合、流量
制御弁２の流量を１０ＣＣＭに設定し、開閉弁６、１
４、２１を１分間だけ開け、Ｏ2ガスをガス溜め容器２
３内に１０ｃｃ導入し、流量制御弁１の流量を１００Ｃ
ＣＭに設定し、開閉弁５、１３、２１を９．９分間だけ
開け、ＣＦ4ガスをガス溜め容器２３内に９９０ｃｃ導
入する。次に、流量制御弁２７の流量を５０ＣＣＭに設
定し、開閉弁２４、２５、２８を開けると、ガス溜め容
器２３内から混合ガスが流量５０ＣＣＭでチャンバ３０
内に導入される。この場合、Ｏ2ガスの流量は０．５Ｃ
ＣＭとなる。
流量を１ＣＣＭ以下の微小流量とする。 【構成】 流量制御弁１〜４、２７のフルスケールは１
００ＣＣＭであるとする。そして、今、ＣＦ4ガスとＯ2
ガスとを前者が９９％で後者が１％の割合で混合し、こ
の混合ガスをその中のＯ2ガスの流量を０．５ＣＣＭと
してチャンバ３０内に導入するとする。この場合、流量
制御弁２の流量を１０ＣＣＭに設定し、開閉弁６、１
４、２１を１分間だけ開け、Ｏ2ガスをガス溜め容器２
３内に１０ｃｃ導入し、流量制御弁１の流量を１００Ｃ
ＣＭに設定し、開閉弁５、１３、２１を９．９分間だけ
開け、ＣＦ4ガスをガス溜め容器２３内に９９０ｃｃ導
入する。次に、流量制御弁２７の流量を５０ＣＣＭに設
定し、開閉弁２４、２５、２８を開けると、ガス溜め容
器２３内から混合ガスが流量５０ＣＣＭでチャンバ３０
内に導入される。この場合、Ｏ2ガスの流量は０．５Ｃ
ＣＭとなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は混合ガスの流量制御方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体製造技術におけるドライエ
ッチング装置やプラズマＣＶＤ装置等の実際の装置やあ
る種の実験用の装置では、複数の原料ガスをある割合で
混合してなる混合ガスをチャンバ内に導入することがあ
る。この場合、各原料ガスの流量をそれぞれ対応する流
量制御弁によって制御し、流量制御後の各原料ガスを直
接チャンバ内に導入している。
ッチング装置やプラズマＣＶＤ装置等の実際の装置やあ
る種の実験用の装置では、複数の原料ガスをある割合で
混合してなる混合ガスをチャンバ内に導入することがあ
る。この場合、各原料ガスの流量をそれぞれ対応する流
量制御弁によって制御し、流量制御後の各原料ガスを直
接チャンバ内に導入している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、流量制御弁
の流量制御可能な範囲は、一般に、フルスケールの１０
０％〜２％前後までの範囲である。このため、流量制御
弁のフルスケールが仮に１００ＣＣＭ（Cubic Centimet
er per Minute）であるとすると、安定した流量制御は
２ＣＣＭ程度が限界であり、したがってある原料ガスの
流量を例えば１ＣＣＭ以下の微小流量とすることができ
ないことになる。このような場合、すなわち、ある原料
ガスの流量を１ＣＣＭ以下とするような場合には、従
来、その原料ガスをキャリアガスで希釈したガス（以
下、希釈ガスという）を予め用意しているが、その保管
が面倒であるという問題があった。また、混合すべき複
数の原料ガスの種類が同じであってもその割合が異なる
混合ガスを使用する場合には、その数だけの希釈ガスを
予め用意しておく必要があり、非常に不経済であるとい
う問題もあった。さらに、特に、実験でプロセスの最適
条件を選定するような場合には、対応性が悪いという問
題もあった。この発明の目的は、ある原料ガスの流量を
例えば１ＣＣＭ以下の微小流量としても安定した流量制
御を行なうことのできる混合ガスの流量制御方法を提供
することにある。
の流量制御可能な範囲は、一般に、フルスケールの１０
０％〜２％前後までの範囲である。このため、流量制御
弁のフルスケールが仮に１００ＣＣＭ（Cubic Centimet
er per Minute）であるとすると、安定した流量制御は
２ＣＣＭ程度が限界であり、したがってある原料ガスの
流量を例えば１ＣＣＭ以下の微小流量とすることができ
ないことになる。このような場合、すなわち、ある原料
ガスの流量を１ＣＣＭ以下とするような場合には、従
来、その原料ガスをキャリアガスで希釈したガス（以
下、希釈ガスという）を予め用意しているが、その保管
が面倒であるという問題があった。また、混合すべき複
数の原料ガスの種類が同じであってもその割合が異なる
混合ガスを使用する場合には、その数だけの希釈ガスを
予め用意しておく必要があり、非常に不経済であるとい
う問題もあった。さらに、特に、実験でプロセスの最適
条件を選定するような場合には、対応性が悪いという問
題もあった。この発明の目的は、ある原料ガスの流量を
例えば１ＣＣＭ以下の微小流量としても安定した流量制
御を行なうことのできる混合ガスの流量制御方法を提供
することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は、複数の原料
ガスを、それぞれ対応する原料ガス用の流量制御弁によ
って制御して各原料ガスを個々にガス溜め容器内に導入
する際、少なくとも１つの原料ガスは他とは異なる時間
ガス溜め容器内に導入することにより所定の割合に混合
した上、このガス溜め容器内の混合ガスを混合ガス用の
流量制御弁を介して取り出すようにしたものである。
ガスを、それぞれ対応する原料ガス用の流量制御弁によ
って制御して各原料ガスを個々にガス溜め容器内に導入
する際、少なくとも１つの原料ガスは他とは異なる時間
ガス溜め容器内に導入することにより所定の割合に混合
した上、このガス溜め容器内の混合ガスを混合ガス用の
流量制御弁を介して取り出すようにしたものである。
【０００５】
【作用】この発明によれば、混合の割合が極めて微小な
原料ガスを有する場合、各原料ガス用の流量制御弁の流
量を流量制御可能な範囲内に設定しても他の原料ガスを
ガス溜め容器内に長く導入することによりガス溜め容器
内における混合ガスを極めて正確な割合にすることが可
能となり、したがって、この後、このガス溜め容器内の
混合ガスを流量制御弁で流量を調整して取り出すことが
できる。
原料ガスを有する場合、各原料ガス用の流量制御弁の流
量を流量制御可能な範囲内に設定しても他の原料ガスを
ガス溜め容器内に長く導入することによりガス溜め容器
内における混合ガスを極めて正確な割合にすることが可
能となり、したがって、この後、このガス溜め容器内の
混合ガスを流量制御弁で流量を調整して取り出すことが
できる。
【０００６】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を説明するための
流量制御装置の概略構成を示したものである。この流量
制御装置は第１〜第４の原料ガス用の流量制御弁１〜４
を備えている。第１〜第４の原料ガス用の流量制御弁１
〜４の各流入側は、それぞれ開閉弁５〜８が介在された
各配管９〜１２を介して第１〜第４の原料ガス源（図示
せず）に接続されている。第１〜第４の原料ガス用の流
量制御弁１〜４の各流出側は、それぞれ開閉弁１３〜１
６が介在された各配管１７〜２０および開閉弁２１が介
在された共通配管２２を介してガス溜め容器２３の流入
側に接続されている。ガス溜め容器２３の流出側は、２
つの開閉弁２４、２５が介在された配管２６を介して混
合ガス用の流量制御弁２７の流入側に接続されている。
混合ガス用の流量制御弁２７の流出側は、開閉弁２８が
介在された配管２９を介してチャンバ３０の流入側に接
続されている。チャンバ３０の流出側は、配管３１を介
して真空ポンプ３２に接続されている。
流量制御装置の概略構成を示したものである。この流量
制御装置は第１〜第４の原料ガス用の流量制御弁１〜４
を備えている。第１〜第４の原料ガス用の流量制御弁１
〜４の各流入側は、それぞれ開閉弁５〜８が介在された
各配管９〜１２を介して第１〜第４の原料ガス源（図示
せず）に接続されている。第１〜第４の原料ガス用の流
量制御弁１〜４の各流出側は、それぞれ開閉弁１３〜１
６が介在された各配管１７〜２０および開閉弁２１が介
在された共通配管２２を介してガス溜め容器２３の流入
側に接続されている。ガス溜め容器２３の流出側は、２
つの開閉弁２４、２５が介在された配管２６を介して混
合ガス用の流量制御弁２７の流入側に接続されている。
混合ガス用の流量制御弁２７の流出側は、開閉弁２８が
介在された配管２９を介してチャンバ３０の流入側に接
続されている。チャンバ３０の流出側は、配管３１を介
して真空ポンプ３２に接続されている。
【０００７】次に、この流量制御装置の動作について説
明するに、前提条件として、すべての流量制御弁１〜
４、２７のフルスケールが１００ＣＣＭ（Cubic Centim
eter per Minute）となっているとする。そして、今、
第１の原料ガス源に貯えられたＣＦ4ガスと第２の原料
ガス源に貯えられたＯ2ガスとを前者が９９％で後者が
１％の割合で混合し、この混合ガスをその中のＯ2ガス
の流量を０．５ＣＣＭとしてチャンバ３０内に導入する
とする。
明するに、前提条件として、すべての流量制御弁１〜
４、２７のフルスケールが１００ＣＣＭ（Cubic Centim
eter per Minute）となっているとする。そして、今、
第１の原料ガス源に貯えられたＣＦ4ガスと第２の原料
ガス源に貯えられたＯ2ガスとを前者が９９％で後者が
１％の割合で混合し、この混合ガスをその中のＯ2ガス
の流量を０．５ＣＣＭとしてチャンバ３０内に導入する
とする。
【０００８】この場合には、まず、開閉弁５〜８、１３
〜１６、２１を閉じ、開閉弁２４、２５、２８を開け、
真空ポンプ３２を駆動させてチャンバ３０内およびガス
溜め容器２３内を真空状態とする。この後、開閉弁２
４、２５、２８を閉じる。次に、第２の原料ガス用の流
量制御弁２の流量を１０ＣＣＭに設定し、開閉弁６、１
４、２１を１分間だけ開け、第２の原料ガス源からＯ2
ガスをガス溜め容器２３内に１０ｃｃ導入する。この
後、開閉弁６、１４、２１を閉じる。次に、第１の原料
ガス用の流量制御弁１の流量を１００ＣＣＭに設定し、
開閉弁５、１３、２１を９．９分間だけ開け、第１の原
料ガス源からＣＦ4ガスをガス溜め容器２３内に９９０
ｃｃ導入する。この後、開閉弁５、１３、２１を閉じ
る。この状態では、ＣＦ4ガスが９９％でＯ2ガスが１％
の割合の混合ガスがガス溜め容器２３内に貯えられる。
次に、混合ガス用の流量制御弁２７の流量を５０ＣＣＭ
に設定し、開閉弁２４、２５、２８を開けると、ガス溜
め容器２３内から混合ガスが流量５０ＣＣＭでチャンバ
３０内に導入される。この場合、混合ガスの流量が５０
ＣＣＭであるので、その中のＯ2ガスの流量は０．５Ｃ
ＣＭとなる。
〜１６、２１を閉じ、開閉弁２４、２５、２８を開け、
真空ポンプ３２を駆動させてチャンバ３０内およびガス
溜め容器２３内を真空状態とする。この後、開閉弁２
４、２５、２８を閉じる。次に、第２の原料ガス用の流
量制御弁２の流量を１０ＣＣＭに設定し、開閉弁６、１
４、２１を１分間だけ開け、第２の原料ガス源からＯ2
ガスをガス溜め容器２３内に１０ｃｃ導入する。この
後、開閉弁６、１４、２１を閉じる。次に、第１の原料
ガス用の流量制御弁１の流量を１００ＣＣＭに設定し、
開閉弁５、１３、２１を９．９分間だけ開け、第１の原
料ガス源からＣＦ4ガスをガス溜め容器２３内に９９０
ｃｃ導入する。この後、開閉弁５、１３、２１を閉じ
る。この状態では、ＣＦ4ガスが９９％でＯ2ガスが１％
の割合の混合ガスがガス溜め容器２３内に貯えられる。
次に、混合ガス用の流量制御弁２７の流量を５０ＣＣＭ
に設定し、開閉弁２４、２５、２８を開けると、ガス溜
め容器２３内から混合ガスが流量５０ＣＣＭでチャンバ
３０内に導入される。この場合、混合ガスの流量が５０
ＣＣＭであるので、その中のＯ2ガスの流量は０．５Ｃ
ＣＭとなる。
【０００９】このように、この流量制御装置では、第１
と第２の原料ガス用の流量制御弁１、２の各流量を流量
制御可能な範囲内に設定してもその各作動時間を異なら
せることにより、ガス溜め容器２３内に導入された混合
ガス中のＯ2ガスの割合を１％とすることができ、そし
て混合ガス用の流量制御弁２７の流量をフルスケール
（１００ＣＣＭ）の半分（５０ＣＣＭ）に設定すると、
混合ガスの流量が５０ＣＣＭとなり、Ｏ2ガスの流量を
０．５ＣＣＭとすることができ、したがってＯ2ガスの
流量を１ＣＣＭ以下の微小流量としても安定した流量制
御を行なうことができる。したがって、従来のような希
釈ガスを予め用意しておく必要がなく、その保管も不要
となる。
と第２の原料ガス用の流量制御弁１、２の各流量を流量
制御可能な範囲内に設定してもその各作動時間を異なら
せることにより、ガス溜め容器２３内に導入された混合
ガス中のＯ2ガスの割合を１％とすることができ、そし
て混合ガス用の流量制御弁２７の流量をフルスケール
（１００ＣＣＭ）の半分（５０ＣＣＭ）に設定すると、
混合ガスの流量が５０ＣＣＭとなり、Ｏ2ガスの流量を
０．５ＣＣＭとすることができ、したがってＯ2ガスの
流量を１ＣＣＭ以下の微小流量としても安定した流量制
御を行なうことができる。したがって、従来のような希
釈ガスを予め用意しておく必要がなく、その保管も不要
となる。
【００１０】なお、ＣＦ4ガスとＯ2ガスとを前者が９８
％で後者が２％の割合で混合し、この混合ガスをその中
のＯ2ガスの流量を０．５ＣＣＭとしてチャンバ３０内
に導入する場合には、上記実施例において、開閉弁６、
１８、２１を２分間だけ開けてＯ2ガスをガス溜め容器
２３内に２０ｃｃ導入し、開閉弁５、１３、２１を９．
８分間だけ開けてＣＦ4ガスをガス溜め容器２３内に９
８０ｃｃ導入し、混合ガス用の流量制御弁２７の流量を
２５ＣＣＭに設定すればよい。このようなことから、混
合すべき複数の原料ガスの種類が同じであってもその割
合が異なる混合ガスを使用する場合には、その数だけの
希釈ガスを予め用意しておく必要がないばかりでなく、
特に実験でプロセスの最適条件を選定するような場合で
も、容易に対応することができる。
％で後者が２％の割合で混合し、この混合ガスをその中
のＯ2ガスの流量を０．５ＣＣＭとしてチャンバ３０内
に導入する場合には、上記実施例において、開閉弁６、
１８、２１を２分間だけ開けてＯ2ガスをガス溜め容器
２３内に２０ｃｃ導入し、開閉弁５、１３、２１を９．
８分間だけ開けてＣＦ4ガスをガス溜め容器２３内に９
８０ｃｃ導入し、混合ガス用の流量制御弁２７の流量を
２５ＣＣＭに設定すればよい。このようなことから、混
合すべき複数の原料ガスの種類が同じであってもその割
合が異なる混合ガスを使用する場合には、その数だけの
希釈ガスを予め用意しておく必要がないばかりでなく、
特に実験でプロセスの最適条件を選定するような場合で
も、容易に対応することができる。
【００１１】また、図１に示す流量制御装置では、第１
〜第４の原料ガス用の流量制御弁１〜４を備えているの
で、２〜４種類の原料ガスをある割合で混合してなる混
合ガスを得ることができるが、この発明はこれに限定さ
れないことはもちろんである。また、チャンバ３０が複
数である場合には、混合ガス用の流量制御弁２７の流出
側の配管２９を分岐してもよく、また各チャンバ３０ご
とに混合ガス用の流量制御弁２７を設けてもよい。
〜第４の原料ガス用の流量制御弁１〜４を備えているの
で、２〜４種類の原料ガスをある割合で混合してなる混
合ガスを得ることができるが、この発明はこれに限定さ
れないことはもちろんである。また、チャンバ３０が複
数である場合には、混合ガス用の流量制御弁２７の流出
側の配管２９を分岐してもよく、また各チャンバ３０ご
とに混合ガス用の流量制御弁２７を設けてもよい。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、混合の割合が極めて微小な原料ガスを有する場合、
各原料ガス用の流量制御弁の流量を流量制御可能な範囲
内に設定しても他の原料ガスをガス溜め容器内に長く導
入することによりガス溜め容器内における混合ガスを極
めて正確な割合にすることが可能となり、したがって、
この後、このガス溜め容器内の混合ガスを流量制御弁で
流量を調整して取り出すことができる。
ば、混合の割合が極めて微小な原料ガスを有する場合、
各原料ガス用の流量制御弁の流量を流量制御可能な範囲
内に設定しても他の原料ガスをガス溜め容器内に長く導
入することによりガス溜め容器内における混合ガスを極
めて正確な割合にすることが可能となり、したがって、
この後、このガス溜め容器内の混合ガスを流量制御弁で
流量を調整して取り出すことができる。
【図１】この発明の一実施例を説明するための流量制御
装置の概略構成図。
装置の概略構成図。
１〜４ 原料ガス用の流量制御弁 ２３ ガス溜め容器 ２７ 混合ガス用の流量制御弁 ３０ チャンバ ３１ 真空ポンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の原料ガスを、それぞれ対応する原
料ガス用の流量制御弁によって制御して各原料ガスを個
々にガス溜め容器内に導入する際、少なくとも１つの原
料ガスは他とは異なる時間ガス溜め容器内に導入するこ
とにより所定の割合に混合した上、このガス溜め容器内
の混合ガスを混合ガス用の流量制御弁を介して取り出す
ようにしたことを特徴とする混合ガスの流量制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21067792A JPH0635544A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 混合ガスの流量制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21067792A JPH0635544A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 混合ガスの流量制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0635544A true JPH0635544A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16593285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21067792A Pending JPH0635544A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 混合ガスの流量制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0635544A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009226408A (ja) * | 2009-06-30 | 2009-10-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理ガス供給装置及び成膜装置 |
| KR101010072B1 (ko) * | 2004-06-21 | 2011-01-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 처리용 성막 장치, 성막 방법 및 컴퓨터로 판독 가능한 매체 |
-
1992
- 1992-07-16 JP JP21067792A patent/JPH0635544A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101010072B1 (ko) * | 2004-06-21 | 2011-01-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 처리용 성막 장치, 성막 방법 및 컴퓨터로 판독 가능한 매체 |
| US7959733B2 (en) | 2004-06-21 | 2011-06-14 | Tokyo Electron Limited | Film formation apparatus and method for semiconductor process |
| JP2009226408A (ja) * | 2009-06-30 | 2009-10-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理ガス供給装置及び成膜装置 |
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