JPH06350212A - 金属ベース回路基板とその製造方法 - Google Patents
金属ベース回路基板とその製造方法Info
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- JPH06350212A JPH06350212A JP14072693A JP14072693A JPH06350212A JP H06350212 A JPH06350212 A JP H06350212A JP 14072693 A JP14072693 A JP 14072693A JP 14072693 A JP14072693 A JP 14072693A JP H06350212 A JPH06350212 A JP H06350212A
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- resin
- circuit board
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 金属基板とその金属基板の少なくとも一面上
に設けられた絶縁層と該絶縁層上に設けた導電性金属箔
よりなる金属ベース回路基板において、該絶縁層が無機
物粉末50〜80体積%と消泡剤とを含有してなること
を特徴とする金属ベース回路基板。 【効果】 無機酸化物粉末50〜80体積%と樹脂とを
混合して絶縁材料とし、該絶縁材料を金属基板に塗布す
るに際し、消泡剤を添加して絶縁層を形成することによ
り、熱伝導性が良好で、優れた絶縁性能を併せ持つ金属
ベース基板とその製造方法を提供することができる。
に設けられた絶縁層と該絶縁層上に設けた導電性金属箔
よりなる金属ベース回路基板において、該絶縁層が無機
物粉末50〜80体積%と消泡剤とを含有してなること
を特徴とする金属ベース回路基板。 【効果】 無機酸化物粉末50〜80体積%と樹脂とを
混合して絶縁材料とし、該絶縁材料を金属基板に塗布す
るに際し、消泡剤を添加して絶縁層を形成することによ
り、熱伝導性が良好で、優れた絶縁性能を併せ持つ金属
ベース基板とその製造方法を提供することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は金属ベース回路基板、特
に熱放散性が良好で、優れた絶縁性能を有する金属ベー
ス回路基板に関する。
に熱放散性が良好で、優れた絶縁性能を有する金属ベー
ス回路基板に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、アルミニウム、鉄、鉄−ニッ
ケル合金等の金属基板上に厚さ数十μmのエポキシ樹脂
等の有機系高分子化合物からなる絶縁層を設け、その上
に銅箔等の導電性金属箔を張り合わせた金属ベース回路
用基板が知られている。実公昭46−25756号公報
及び特開昭56−62388号公報には絶縁性で良熱伝
導性の粉末をそれぞれ60重量%以下及び60〜80重
量%含有する絶縁材に導電性金属箔を設けた金属ベース
回路用基板が提案されている。しかし、このような充填
材を高充填した樹脂によって形成された絶縁層は、充填
材の充填率が高くなるにつれて、樹脂と充填材の界面で
の欠陥が多くなり、かつ、気泡の巻き込みが多くなるた
め、絶縁性が低下し、耐電圧が低下する。特に、充填率
が70体積%を越えると気泡の巻き込みが激しく基板と
しての絶縁性能を保持できなかった。
ケル合金等の金属基板上に厚さ数十μmのエポキシ樹脂
等の有機系高分子化合物からなる絶縁層を設け、その上
に銅箔等の導電性金属箔を張り合わせた金属ベース回路
用基板が知られている。実公昭46−25756号公報
及び特開昭56−62388号公報には絶縁性で良熱伝
導性の粉末をそれぞれ60重量%以下及び60〜80重
量%含有する絶縁材に導電性金属箔を設けた金属ベース
回路用基板が提案されている。しかし、このような充填
材を高充填した樹脂によって形成された絶縁層は、充填
材の充填率が高くなるにつれて、樹脂と充填材の界面で
の欠陥が多くなり、かつ、気泡の巻き込みが多くなるた
め、絶縁性が低下し、耐電圧が低下する。特に、充填率
が70体積%を越えると気泡の巻き込みが激しく基板と
しての絶縁性能を保持できなかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる問題点
に鑑みてなされたものであって、無機物粉末が高充填さ
れた絶縁材に消泡剤を添加することにより、気泡の少な
い絶縁層を形成し、良好な熱伝導性を有し、かつ絶縁性
能にも優れた金属ベース回路基板を提供するものであ
る。
に鑑みてなされたものであって、無機物粉末が高充填さ
れた絶縁材に消泡剤を添加することにより、気泡の少な
い絶縁層を形成し、良好な熱伝導性を有し、かつ絶縁性
能にも優れた金属ベース回路基板を提供するものであ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、
(1)金属基板とその金属基板の少なくとも一面上に設
けられた絶縁層と該絶縁層上に設けた導電性金属箔より
なる金属ベース回路基板において、該絶縁層が無機物粉
末50〜80体積%と消泡剤とを含有してなることを特
徴とする金属ベース回路基板、(2)無機物粉末50〜
80体積%と樹脂とを混合して絶縁材料とし、該絶縁材
料を金属基板上に塗布するに際し、消泡剤を添加して絶
縁層を形成することを特徴とする金属ベース回路基板の
製造方法である。
(1)金属基板とその金属基板の少なくとも一面上に設
けられた絶縁層と該絶縁層上に設けた導電性金属箔より
なる金属ベース回路基板において、該絶縁層が無機物粉
末50〜80体積%と消泡剤とを含有してなることを特
徴とする金属ベース回路基板、(2)無機物粉末50〜
80体積%と樹脂とを混合して絶縁材料とし、該絶縁材
料を金属基板上に塗布するに際し、消泡剤を添加して絶
縁層を形成することを特徴とする金属ベース回路基板の
製造方法である。
【0005】以下、図面により本発明を詳細に説明す
る。図1は、本発明の金属ベース回路基板の断面図であ
り、金属基板1に絶縁層2を介して導電性金属箔3を張
り合わせた構成よりなっており、この絶縁層は50〜8
0体積%の無機物粉末と消泡剤を含んだ樹脂からなって
いる。また、その厚みは、20μm以上である。
る。図1は、本発明の金属ベース回路基板の断面図であ
り、金属基板1に絶縁層2を介して導電性金属箔3を張
り合わせた構成よりなっており、この絶縁層は50〜8
0体積%の無機物粉末と消泡剤を含んだ樹脂からなって
いる。また、その厚みは、20μm以上である。
【0006】絶縁層を形成する絶縁材には、50〜80
体積%の無機物粉末と消泡剤が含まれている。この絶縁
材に使用される無機物粉末としては、酸化アルミニウ
ム、ベリリヤ、ボロンナイトライド、マグネシア、シリ
カ、窒化ケイ素、窒化アルミ等が用いられる。特に、無
機粉末を70体積%〜80体積%と高充填する場合に
は、特開平2−286768号に示された充填材の粒子
形状、粒子径、配合を用いると有効である。
体積%の無機物粉末と消泡剤が含まれている。この絶縁
材に使用される無機物粉末としては、酸化アルミニウ
ム、ベリリヤ、ボロンナイトライド、マグネシア、シリ
カ、窒化ケイ素、窒化アルミ等が用いられる。特に、無
機粉末を70体積%〜80体積%と高充填する場合に
は、特開平2−286768号に示された充填材の粒子
形状、粒子径、配合を用いると有効である。
【0007】また、絶縁層に用いる樹脂としては、耐熱
性、耐薬品性、耐湿性かつ可とう性の良好な樹脂、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
シリコーン樹脂、および各種エンジニアプラスチック等
が用いられる。70体積%〜80体積%と充填率が高い
場合は粘度の低い樹脂を用いるのが好ましい。
性、耐薬品性、耐湿性かつ可とう性の良好な樹脂、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
シリコーン樹脂、および各種エンジニアプラスチック等
が用いられる。70体積%〜80体積%と充填率が高い
場合は粘度の低い樹脂を用いるのが好ましい。
【0008】本発明で用いる消泡剤とは絶縁層中の気泡
を取り除く作用のある薬剤を示し、一般的に、拡散係数
が高い値を有し、粘度の低い薬剤であり、表面粘度の低
下により気泡を破裂させる作用を有するものである。例
えば、シリコン樹脂溶液、アクリルポリマー溶液、ポリ
シロキサン共重合体溶液等が用いられる。また、樹脂と
の相溶性を良くするため、これらを有機溶剤等で希釈し
たものでも構わない。
を取り除く作用のある薬剤を示し、一般的に、拡散係数
が高い値を有し、粘度の低い薬剤であり、表面粘度の低
下により気泡を破裂させる作用を有するものである。例
えば、シリコン樹脂溶液、アクリルポリマー溶液、ポリ
シロキサン共重合体溶液等が用いられる。また、樹脂と
の相溶性を良くするため、これらを有機溶剤等で希釈し
たものでも構わない。
【0009】消泡剤を添加しない場合、70体積%以上
の無機物粉末を含有すると絶縁層中では、気泡を巻き込
み、所望の耐電圧を有する金属ベース回路基板を得るこ
とができなかった。ところが、消泡剤を使用することに
より、無機物粉末を高充填しても気泡の巻き込みの少な
い絶縁層を得ることができる。特に、無機物粉末70〜
80体積%のとき消泡剤の効果は著しく、気泡が少なく
熱伝導率の高い絶縁層を形成することができる。無機物
粉末の含有量が50体積%より少ないと、基板としての
熱伝導性が十分でない。また、80体積%を越えるとペ
ースト状とならず、基板上に塗布することが難しい。
の無機物粉末を含有すると絶縁層中では、気泡を巻き込
み、所望の耐電圧を有する金属ベース回路基板を得るこ
とができなかった。ところが、消泡剤を使用することに
より、無機物粉末を高充填しても気泡の巻き込みの少な
い絶縁層を得ることができる。特に、無機物粉末70〜
80体積%のとき消泡剤の効果は著しく、気泡が少なく
熱伝導率の高い絶縁層を形成することができる。無機物
粉末の含有量が50体積%より少ないと、基板としての
熱伝導性が十分でない。また、80体積%を越えるとペ
ースト状とならず、基板上に塗布することが難しい。
【0010】消泡剤の添加量については、絶縁材に用い
られる樹脂の種類、充填率、及び消泡剤の種類によって
異なるが、絶縁材に対し0.01〜1.0体積%添加す
ることが好ましい。添加量が0.01体積%未満では消
泡剤の効果が顕著に発現しない。また、1.0体積%を
越えると添加量との相関は認められなくなり、更に泡切
れも悪くなり効果が減少する。
られる樹脂の種類、充填率、及び消泡剤の種類によって
異なるが、絶縁材に対し0.01〜1.0体積%添加す
ることが好ましい。添加量が0.01体積%未満では消
泡剤の効果が顕著に発現しない。また、1.0体積%を
越えると添加量との相関は認められなくなり、更に泡切
れも悪くなり効果が減少する。
【0011】また、消泡剤の添加方法としては、絶縁材
を金属基板上へ塗布するに際し、添加し、混合すること
が好ましい。樹脂と無機粉末を混合する際に、消泡剤を
添加し、混合すると消泡剤がブリードし、更にこの絶縁
材を金属基板上へ塗布すると耐電圧など基板の物性のば
らつきが大きくなる。
を金属基板上へ塗布するに際し、添加し、混合すること
が好ましい。樹脂と無機粉末を混合する際に、消泡剤を
添加し、混合すると消泡剤がブリードし、更にこの絶縁
材を金属基板上へ塗布すると耐電圧など基板の物性のば
らつきが大きくなる。
【0012】本発明の回路基板に用いる金属基板1とし
ては、良熱伝導性を持つアルミニウム又はアルミニウム
合金、銅又は銅合金、鉄又は鉄合金等あるいは銅/鉄−
ニッケル系合金/銅、アルミニウム/鉄−ニッケル系合
金/アルミニウム等の複合材料等が使用可能である。ま
た、金属基板1の厚みとしては、特に制限はないが0.
5mm〜3.0mmが一般に用いられる。
ては、良熱伝導性を持つアルミニウム又はアルミニウム
合金、銅又は銅合金、鉄又は鉄合金等あるいは銅/鉄−
ニッケル系合金/銅、アルミニウム/鉄−ニッケル系合
金/アルミニウム等の複合材料等が使用可能である。ま
た、金属基板1の厚みとしては、特に制限はないが0.
5mm〜3.0mmが一般に用いられる。
【0013】また、本発明の導電性金属箔3としては、
銅箔、アルミニウム−銅クラッド箔等が用いられる。こ
の厚みは特に規定するものではないが、9μm〜500
μmのものが用いられる。
銅箔、アルミニウム−銅クラッド箔等が用いられる。こ
の厚みは特に規定するものではないが、9μm〜500
μmのものが用いられる。
【0014】
【実施例】以下、実施例について具体的に説明する。 〔実施例1〕図1には、金属基板1として厚さ1.5m
mのアルミニウム基板上に、絶縁層2として酸化アルミ
ニウム(平均粒子径;5μm、破砕粉)55体積%含有
したエポキシ樹脂を80μmの厚みで塗布し、100℃
で5分間保持してBステージ状態としたものの上に、3
5μm厚の銅箔3を張り合わせた後、150℃、5時間
で絶縁層を硬化させて作製した回路用基板の断面図であ
る。なお、絶縁層2には、消泡剤としてシリコーン樹脂
溶液(商品名:ディスパロン#1931、楠本化成製)
0.3体積%を塗布する際に混合し、金属基板1に塗布
し形成した。この基板を用いて、絶縁層の絶縁破壊電圧
及び熱抵抗を測定した。絶縁破壊電圧の測定法は、導電
箔をエッチングし、20mmφの電極を作製し、導電箔
とアルミニウムベース金属板との絶縁破壊電圧をJIS
C2110に基づき絶縁破壊電圧測定装置(型式;T
OS 8700、菊水電子工業製)を使用して測定し
た。また、沿面放電を防止するため、導電箔側をエポキ
シ樹脂で封止した。次に、この基板を用い、熱伝導率の
逆数である熱抵抗測定については、下記の方法にて測定
した。その結果を表1に示したが、絶縁破壊電圧は5.
8kVで、熱抵抗は0.69℃/Wであった。
mのアルミニウム基板上に、絶縁層2として酸化アルミ
ニウム(平均粒子径;5μm、破砕粉)55体積%含有
したエポキシ樹脂を80μmの厚みで塗布し、100℃
で5分間保持してBステージ状態としたものの上に、3
5μm厚の銅箔3を張り合わせた後、150℃、5時間
で絶縁層を硬化させて作製した回路用基板の断面図であ
る。なお、絶縁層2には、消泡剤としてシリコーン樹脂
溶液(商品名:ディスパロン#1931、楠本化成製)
0.3体積%を塗布する際に混合し、金属基板1に塗布
し形成した。この基板を用いて、絶縁層の絶縁破壊電圧
及び熱抵抗を測定した。絶縁破壊電圧の測定法は、導電
箔をエッチングし、20mmφの電極を作製し、導電箔
とアルミニウムベース金属板との絶縁破壊電圧をJIS
C2110に基づき絶縁破壊電圧測定装置(型式;T
OS 8700、菊水電子工業製)を使用して測定し
た。また、沿面放電を防止するため、導電箔側をエポキ
シ樹脂で封止した。次に、この基板を用い、熱伝導率の
逆数である熱抵抗測定については、下記の方法にて測定
した。その結果を表1に示したが、絶縁破壊電圧は5.
8kVで、熱抵抗は0.69℃/Wであった。
【0015】(熱抵抗の測定法)金属ベース基板の導電
箔をエッチングにて10×15mmのパッド部を形成
し、この上にトランジスター(TO220、株式会社東
芝製)をはんだ付けする。金属板面側を冷却し、トラン
ジスターに通電して、絶縁層を挟んだトランジスター側
と金属板側の温度差と通電量より熱抵抗を測定した(電
気化学工業(株)製デンカHITTプレートのカタログ
に記載されている方法)。
箔をエッチングにて10×15mmのパッド部を形成
し、この上にトランジスター(TO220、株式会社東
芝製)をはんだ付けする。金属板面側を冷却し、トラン
ジスターに通電して、絶縁層を挟んだトランジスター側
と金属板側の温度差と通電量より熱抵抗を測定した(電
気化学工業(株)製デンカHITTプレートのカタログ
に記載されている方法)。
【0016】〔実施例2〕厚さ1.5mmのアルミニウ
ム基板上に、絶縁層2として酸化アルミニウム(平均粒
子径;9μm、球状粉)75体積%含有したエポキシ樹
脂を80μmの厚みで塗布し、100℃で5分間保持し
てBステージ状態としたものの上に、35μm厚の銅箔
3を張り合わせた後、150℃、5時間で絶縁層を硬化
させて回路用基板を作製した。なお、絶縁層2には、消
泡剤としてシリコーン樹脂溶液(商品名:ディスパロン
#1931、楠本化成製)を0.3体積%を塗布する際
に混合し、金属基板1に塗布し形成した。実施例1と同
じ方法で、この絶縁層の絶縁破壊電圧測定、熱抵抗測定
を行った。その結果を表1に示したが、絶縁破壊電圧は
5.7kVで、熱抵抗は0.37℃/Wであった。
ム基板上に、絶縁層2として酸化アルミニウム(平均粒
子径;9μm、球状粉)75体積%含有したエポキシ樹
脂を80μmの厚みで塗布し、100℃で5分間保持し
てBステージ状態としたものの上に、35μm厚の銅箔
3を張り合わせた後、150℃、5時間で絶縁層を硬化
させて回路用基板を作製した。なお、絶縁層2には、消
泡剤としてシリコーン樹脂溶液(商品名:ディスパロン
#1931、楠本化成製)を0.3体積%を塗布する際
に混合し、金属基板1に塗布し形成した。実施例1と同
じ方法で、この絶縁層の絶縁破壊電圧測定、熱抵抗測定
を行った。その結果を表1に示したが、絶縁破壊電圧は
5.7kVで、熱抵抗は0.37℃/Wであった。
【0017】〔実施例3〕厚さ1.5mmのアルミニウ
ム基板上に、絶縁層2として酸化アルミニウム(平均粒
子径;9μm、球状粉)75体積%含有したエポキシ樹
脂を80μmの厚みで塗布し、100℃で5分間保持し
てBステージ状態としたものの上に、35μm厚の銅箔
3を張り合わせた後、150℃、5時間で絶縁層を硬化
させて回路用基板を作製した。なお、絶縁層2には、消
泡剤としてシリコーン樹脂溶液(商品名:BYK30
0、ビック・ケミー製)を0.2体積%を塗布する際に
混合し、金属基板1に塗布し形成した。実施例1と同じ
方法で、この絶縁層の絶縁破壊電圧測定、熱抵抗測定を
行った。その結果を表1に示したが、絶縁破壊電圧は
5.8kVで、熱抵抗は0.38℃/Wであった。
ム基板上に、絶縁層2として酸化アルミニウム(平均粒
子径;9μm、球状粉)75体積%含有したエポキシ樹
脂を80μmの厚みで塗布し、100℃で5分間保持し
てBステージ状態としたものの上に、35μm厚の銅箔
3を張り合わせた後、150℃、5時間で絶縁層を硬化
させて回路用基板を作製した。なお、絶縁層2には、消
泡剤としてシリコーン樹脂溶液(商品名:BYK30
0、ビック・ケミー製)を0.2体積%を塗布する際に
混合し、金属基板1に塗布し形成した。実施例1と同じ
方法で、この絶縁層の絶縁破壊電圧測定、熱抵抗測定を
行った。その結果を表1に示したが、絶縁破壊電圧は
5.8kVで、熱抵抗は0.38℃/Wであった。
【0018】〔比較例1〕実施例1と同じ構成の回路用
基板において、絶縁材に消泡剤を添加しないで基板を作
製した。この基板の絶縁層を実施例1と同じ方法で絶縁
破壊電圧測定、熱抵抗測定を行った。その結果を表1に
示したが、絶縁破壊電圧は3.7kVで、熱抵抗は0.
71℃/Wあった。
基板において、絶縁材に消泡剤を添加しないで基板を作
製した。この基板の絶縁層を実施例1と同じ方法で絶縁
破壊電圧測定、熱抵抗測定を行った。その結果を表1に
示したが、絶縁破壊電圧は3.7kVで、熱抵抗は0.
71℃/Wあった。
【0019】〔比較例2〕実施例2と同じ構成の回路用
基板において、絶縁材に消泡剤を添加しないで基板を作
製した。この基板の絶縁層を実施例1と同じ方法で絶縁
破壊電圧測定、熱抵抗測定を行った。その結果を表1に
示したが、絶縁破壊電圧は2.3kVで、熱抵抗は0.
39℃/Wであった。
基板において、絶縁材に消泡剤を添加しないで基板を作
製した。この基板の絶縁層を実施例1と同じ方法で絶縁
破壊電圧測定、熱抵抗測定を行った。その結果を表1に
示したが、絶縁破壊電圧は2.3kVで、熱抵抗は0.
39℃/Wであった。
【0020】〔比較例3〕厚さ1.5mmのアルミニウ
ム基板上に、絶縁層2として酸化アルミニウム(平均粒
子径;3μm、板状粉)45体積%含有エポキシ樹脂を
80μmの厚みで塗布し、90℃で5分間保持してBス
テージ状態としたものの上に、35μm厚の銅箔3を張
り合わせた後、150℃、5時間で絶縁層を硬化させて
回路用基板を作製した。なお、絶縁層2には、消泡剤と
してシリコーン樹脂溶液(商品名:ディスパロン#19
31、楠本化成製)0.3体積%を塗布する際に混合
し、金属基板1へ塗布し形成した。この基板の絶縁層を
実施例1と同じ方法で絶縁破壊電圧測定、熱抵抗測定を
行った。その結果を表1に示したが、絶縁破壊電圧は
6.3kVで、熱抵抗は1.19℃/Wであった。
ム基板上に、絶縁層2として酸化アルミニウム(平均粒
子径;3μm、板状粉)45体積%含有エポキシ樹脂を
80μmの厚みで塗布し、90℃で5分間保持してBス
テージ状態としたものの上に、35μm厚の銅箔3を張
り合わせた後、150℃、5時間で絶縁層を硬化させて
回路用基板を作製した。なお、絶縁層2には、消泡剤と
してシリコーン樹脂溶液(商品名:ディスパロン#19
31、楠本化成製)0.3体積%を塗布する際に混合
し、金属基板1へ塗布し形成した。この基板の絶縁層を
実施例1と同じ方法で絶縁破壊電圧測定、熱抵抗測定を
行った。その結果を表1に示したが、絶縁破壊電圧は
6.3kVで、熱抵抗は1.19℃/Wであった。
【0021】〔比較例4〕実施例2の絶縁材として酸化
アルミニウム(平均粒子径;9μm、球状粉)の含有率
が85体積%のものを用い基板を作製した。実施例2と
同じ消泡剤を0.3体積%添加した。その結果を表1に
示したが、この絶縁材はペースト状でなく、うまく基板
を作製することができなかった。
アルミニウム(平均粒子径;9μm、球状粉)の含有率
が85体積%のものを用い基板を作製した。実施例2と
同じ消泡剤を0.3体積%添加した。その結果を表1に
示したが、この絶縁材はペースト状でなく、うまく基板
を作製することができなかった。
【0022】〔比較例5〕厚さ1.5mmのアルミニウ
ム基板上に、絶縁層2として酸化アルミニウム(平均粒
子径;9μm、板状粉)75体積%含有エポキシ樹脂を
80μmの厚みで塗布し、100℃で5分間保持してB
ステージ状態としたものの上に、35μm厚の銅箔3を
張り合わせた後、150℃、5時間で絶縁層を硬化させ
て回路用基板を作製した。なお、絶縁層2には、消泡剤
としてシリコーン樹脂溶液(商品名:ディスパロン#1
931、楠本化成製)0.3体積%をエポキシ樹脂と酸
化アルミニウムと共に混合し、金属基板1に塗布し形成
した。この基板の絶縁層を実施例1と同じ方法で絶縁破
壊電圧測定、熱抵抗測定を行った。その結果を表1に示
したが、絶縁破壊電圧は4.7kVで、熱抵抗は0.3
7℃/Wであった。
ム基板上に、絶縁層2として酸化アルミニウム(平均粒
子径;9μm、板状粉)75体積%含有エポキシ樹脂を
80μmの厚みで塗布し、100℃で5分間保持してB
ステージ状態としたものの上に、35μm厚の銅箔3を
張り合わせた後、150℃、5時間で絶縁層を硬化させ
て回路用基板を作製した。なお、絶縁層2には、消泡剤
としてシリコーン樹脂溶液(商品名:ディスパロン#1
931、楠本化成製)0.3体積%をエポキシ樹脂と酸
化アルミニウムと共に混合し、金属基板1に塗布し形成
した。この基板の絶縁層を実施例1と同じ方法で絶縁破
壊電圧測定、熱抵抗測定を行った。その結果を表1に示
したが、絶縁破壊電圧は4.7kVで、熱抵抗は0.3
7℃/Wであった。
【0023】
【表1】
【0024】
【発明の効果】以上のとおり本発明は、無機物粉末50
〜80体積%と樹脂とを混合して絶縁材料とし、該絶縁
材料を金属基板に塗布するに際し、消泡剤を添加して絶
縁層を形成することにより、熱伝導性が良好で、優れた
絶縁性能を有する金属ベース回路基板を提供することが
できる。
〜80体積%と樹脂とを混合して絶縁材料とし、該絶縁
材料を金属基板に塗布するに際し、消泡剤を添加して絶
縁層を形成することにより、熱伝導性が良好で、優れた
絶縁性能を有する金属ベース回路基板を提供することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の金属ベース回路基板の断面図であ
る。
る。
1 :金属基板 2 :絶縁層 3 :導電箔 4 :樹脂 5 :無機物粉末
Claims (2)
- 【請求項1】 金属基板とその金属基板の少なくとも一
面上に設けられた絶縁層と該絶縁層上に設けた導電性金
属箔よりなる金属ベース回路基板において、該絶縁層が
無機物粉末50〜80体積%と消泡剤とを含有してなる
ことを特徴とする金属ベース回路基板。 - 【請求項2】 無機物粉末50〜80体積%と樹脂とを
混合して絶縁材料とし、該絶縁材料を金属基板に塗布す
るに際し、消泡剤を添加して絶縁層を形成することを特
徴とする金属ベース回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14072693A JPH06350212A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | 金属ベース回路基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14072693A JPH06350212A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | 金属ベース回路基板とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06350212A true JPH06350212A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15275284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14072693A Pending JPH06350212A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | 金属ベース回路基板とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06350212A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001019145A1 (en) * | 1999-09-06 | 2001-03-15 | Suzuki Sogyo Co., Ltd. | Substrate of circuit board |
JP2002193444A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 供給方法と供給装置 |
WO2007139195A1 (ja) | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Led光源ユニット |
WO2008093440A1 (ja) | 2007-01-30 | 2008-08-07 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Led光源ユニット |
CN111527797A (zh) * | 2018-03-23 | 2020-08-11 | 三菱综合材料株式会社 | 绝缘电路基板及绝缘电路基板的制造方法 |
-
1993
- 1993-06-11 JP JP14072693A patent/JPH06350212A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001019145A1 (en) * | 1999-09-06 | 2001-03-15 | Suzuki Sogyo Co., Ltd. | Substrate of circuit board |
US6479136B1 (en) | 1999-09-06 | 2002-11-12 | Suzuki Sogyo Co., Ltd. | Substrate of circuit board |
JP2002193444A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 供給方法と供給装置 |
WO2007139195A1 (ja) | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Led光源ユニット |
JPWO2007139195A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2009-10-15 | 電気化学工業株式会社 | Led光源ユニット |
WO2008093440A1 (ja) | 2007-01-30 | 2008-08-07 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Led光源ユニット |
JP5410098B2 (ja) * | 2007-01-30 | 2014-02-05 | 電気化学工業株式会社 | Led光源ユニット |
CN111527797A (zh) * | 2018-03-23 | 2020-08-11 | 三菱综合材料株式会社 | 绝缘电路基板及绝缘电路基板的制造方法 |
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