JPH06350116A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPH06350116A JPH06350116A JP5160222A JP16022293A JPH06350116A JP H06350116 A JPH06350116 A JP H06350116A JP 5160222 A JP5160222 A JP 5160222A JP 16022293 A JP16022293 A JP 16022293A JP H06350116 A JPH06350116 A JP H06350116A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣｄＳ膜の面抵抗を下げることによって、高
効率 のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池を提供する。 【構成】 III族元素を含む酸化物薄膜／ＣｄＳ／Ｃｄ
ＴｅあるいはIII族元素を含む透明導電性酸化物薄膜／
ＺｎＯ／ＣｄＳ／ＣｄＴｅの構成の太陽電池。
効率 のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池を提供する。 【構成】 III族元素を含む酸化物薄膜／ＣｄＳ／Ｃｄ
ＴｅあるいはIII族元素を含む透明導電性酸化物薄膜／
ＺｎＯ／ＣｄＳ／ＣｄＴｅの構成の太陽電池。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エネルギー変換効率の
高い太陽電池の構成に関する。
高い太陽電池の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】全印刷方式のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池
は、すでに産業用として生産されており、技術的には完
成度の高いものである。その技術に関する詳細は、たと
えば、固体物理、第２４巻、第１０２４−１０５４頁
（１９８９）に述べられているが、ここでは図４ととも
にその概略を以下に説明する。図４はその太陽電池の構
造を示している。基板としては、ガラス基板１を用い
る。その上に焼結の際の融剤として働く少量のＣｄＣｌ
2とともにＣｄＳをプロピレングリコールに混練させた
ペーストをストライプ状にスクリーン印刷し、プロピレ
ングリコールを適当な熱処理で飛ばした後、６９０℃程
度の温度で焼結する。こうして得られるＣｄＳ焼結膜２
の厚さは、約１０〜３０μｍで、透明電極とｎ型半導体
の２つの役割を果たす。この島状に形成されたＣｄＳ焼
結膜２上に、ＣｄＳと同様の工程で膜厚５〜１０μｍの
ＣｄＴｅ焼結膜３を部分的に形成し、さらにその上にカ
ーボン電極４を印刷により形成する。カーボン電極に
は、ＣｄＴｅをｐ型にするようなアクセプタ不純物Ｃｕ
を含ませている。太陽電池モジュール作製の際には、太
陽電池セル間の接続電極として、ＣｄＳ上およびカーボ
ン電極上に（Ａｇ＋Ｉｎ）電極５を設ける。（Ａｇ＋Ｉ
ｎ）電極も同様なスクリーン印刷の工程で形成される。
は、すでに産業用として生産されており、技術的には完
成度の高いものである。その技術に関する詳細は、たと
えば、固体物理、第２４巻、第１０２４−１０５４頁
（１９８９）に述べられているが、ここでは図４ととも
にその概略を以下に説明する。図４はその太陽電池の構
造を示している。基板としては、ガラス基板１を用い
る。その上に焼結の際の融剤として働く少量のＣｄＣｌ
2とともにＣｄＳをプロピレングリコールに混練させた
ペーストをストライプ状にスクリーン印刷し、プロピレ
ングリコールを適当な熱処理で飛ばした後、６９０℃程
度の温度で焼結する。こうして得られるＣｄＳ焼結膜２
の厚さは、約１０〜３０μｍで、透明電極とｎ型半導体
の２つの役割を果たす。この島状に形成されたＣｄＳ焼
結膜２上に、ＣｄＳと同様の工程で膜厚５〜１０μｍの
ＣｄＴｅ焼結膜３を部分的に形成し、さらにその上にカ
ーボン電極４を印刷により形成する。カーボン電極に
は、ＣｄＴｅをｐ型にするようなアクセプタ不純物Ｃｕ
を含ませている。太陽電池モジュール作製の際には、太
陽電池セル間の接続電極として、ＣｄＳ上およびカーボ
ン電極上に（Ａｇ＋Ｉｎ）電極５を設ける。（Ａｇ＋Ｉ
ｎ）電極も同様なスクリーン印刷の工程で形成される。
【０００３】以上のようにして作製された太陽電池の特
性は図６及び図７にＢで示している。モジュールの変換
効率は、８．１％（３０×４０ｃｍ2）で、有効面積に
おける変換効率は、１０．１％である（Ｐｒｏｃ．ｏｆ
２１ｔｈ ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｖｏｌ．Ｓｐｅｃ．
Ｃｏｎｆ．，Ｐ９４６−９５１）。また、この太陽電池
は、５００ｎｍから８５０ｎｍの波長をもつ光にすぐれ
た感度を持っている。
性は図６及び図７にＢで示している。モジュールの変換
効率は、８．１％（３０×４０ｃｍ2）で、有効面積に
おける変換効率は、１０．１％である（Ｐｒｏｃ．ｏｆ
２１ｔｈ ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｖｏｌ．Ｓｐｅｃ．
Ｃｏｎｆ．，Ｐ９４６−９５１）。また、この太陽電池
は、５００ｎｍから８５０ｎｍの波長をもつ光にすぐれ
た感度を持っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述の全印刷方式のＣ
ｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池における課題は、有効面積にお
ける変換効率１０．１％とモジュールの変換効率８．１
％の差異が非常に大きい、すなわち有効面積率が約８０
％と面積のロスが多いことである。この原因は、主にＣ
ｄＳ膜が透明電極とｎ型半導体の２つの役割を果たして
いることにある。構成としては簡単でよいが、ＣｄＳ膜
の比抵抗が０．１−０．５Ω・ｃｍ程度であり、透明電
極としてはやや高抵抗である。その結果、ＣｄＳ膜の厚
さとして約１０〜３０μｍ必要であり、モジュール化に
際しても図４のＬに示したセルのピッチを４ｍｍ以下に
する必要を生じる。このことは、太陽電池のセル同志の
接続箇所が増え、有効面積率の低下につながる。さら
に、この太陽電池の構成ではＣｄＳ膜の厚さが厚いこと
から、５００ｎｍ以下の波長を持つ光をほとんど利用で
きない。
ｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池における課題は、有効面積にお
ける変換効率１０．１％とモジュールの変換効率８．１
％の差異が非常に大きい、すなわち有効面積率が約８０
％と面積のロスが多いことである。この原因は、主にＣ
ｄＳ膜が透明電極とｎ型半導体の２つの役割を果たして
いることにある。構成としては簡単でよいが、ＣｄＳ膜
の比抵抗が０．１−０．５Ω・ｃｍ程度であり、透明電
極としてはやや高抵抗である。その結果、ＣｄＳ膜の厚
さとして約１０〜３０μｍ必要であり、モジュール化に
際しても図４のＬに示したセルのピッチを４ｍｍ以下に
する必要を生じる。このことは、太陽電池のセル同志の
接続箇所が増え、有効面積率の低下につながる。さら
に、この太陽電池の構成ではＣｄＳ膜の厚さが厚いこと
から、５００ｎｍ以下の波長を持つ光をほとんど利用で
きない。
【０００５】以上の課題を解決する方法として、ＩＴＯ
やＳｎＯ2などの電気伝導度が１０3Ω-1・ｃｍ-1以上と
高い透明導電膜を利用して、ＣｄＳをｎ型の半導体とし
ての役割だけにとどめることが考えられる。そうすれ
ば、ＣｄＳ膜を０．５μｍ以下にでき、５００ｎｍ以下
の光も取り込める。しかし、この方法は、全印刷方式の
ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池には適当でない。印刷方式に
よるＣｄＳ焼結膜は、多孔質な膜であるため、ＩＴＯや
ＳｎＯ2の透明導電膜とＣｄＴｅ膜が短絡する不都合を
有するのである。
やＳｎＯ2などの電気伝導度が１０3Ω-1・ｃｍ-1以上と
高い透明導電膜を利用して、ＣｄＳをｎ型の半導体とし
ての役割だけにとどめることが考えられる。そうすれ
ば、ＣｄＳ膜を０．５μｍ以下にでき、５００ｎｍ以下
の光も取り込める。しかし、この方法は、全印刷方式の
ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池には適当でない。印刷方式に
よるＣｄＳ焼結膜は、多孔質な膜であるため、ＩＴＯや
ＳｎＯ2の透明導電膜とＣｄＴｅ膜が短絡する不都合を
有するのである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の太陽電池は、透
明絶縁基板上に形成されたIII族元素を含む酸化物薄
膜、前記酸化物薄膜上に形成されたＣｄＳ焼結膜、前記
ＣｄＳ焼結膜上にその一部を除いて形成されたＣｄＴｅ
膜、および前記ＣｄＴｅ膜の上部電極と前記ＣｄＳ焼結
膜とを接続する電極を具備することを特徴とする。ま
た、本発明の太陽電池は、透明絶縁基板上に形成された
III族元素を含む酸化物薄膜、前記酸化物薄膜上にその
一部を除いて形成されたＺｎＯ薄膜、前記ＺｎＯ薄膜上
に形成されたＣｄＳ焼結膜、前記ＣｄＳ焼結膜上にその
一部を除いて形成されたＣｄＴｅ膜、および前記ＣｄＴ
ｅ膜の上部電極と前記ＣｄＳ焼結膜とを接続する電極を
具備することを特徴とする。
明絶縁基板上に形成されたIII族元素を含む酸化物薄
膜、前記酸化物薄膜上に形成されたＣｄＳ焼結膜、前記
ＣｄＳ焼結膜上にその一部を除いて形成されたＣｄＴｅ
膜、および前記ＣｄＴｅ膜の上部電極と前記ＣｄＳ焼結
膜とを接続する電極を具備することを特徴とする。ま
た、本発明の太陽電池は、透明絶縁基板上に形成された
III族元素を含む酸化物薄膜、前記酸化物薄膜上にその
一部を除いて形成されたＺｎＯ薄膜、前記ＺｎＯ薄膜上
に形成されたＣｄＳ焼結膜、前記ＣｄＳ焼結膜上にその
一部を除いて形成されたＣｄＴｅ膜、および前記ＣｄＴ
ｅ膜の上部電極と前記ＣｄＳ焼結膜とを接続する電極を
具備することを特徴とする。
【０００７】前者の太陽電池に用いるIII族元素を含む
酸化物薄膜として、厚さ５００−５０００オングストロ
ームのＩｎ2Ｏ3あるいはＡｌ2Ｏ3を用いることが好適で
ある。また、後者の太陽電池におけるＣｄＳ焼結膜の代
わりに、真空蒸着法や熱壁蒸着法によるＣｄＳ膜を用い
てもよい。
酸化物薄膜として、厚さ５００−５０００オングストロ
ームのＩｎ2Ｏ3あるいはＡｌ2Ｏ3を用いることが好適で
ある。また、後者の太陽電池におけるＣｄＳ焼結膜の代
わりに、真空蒸着法や熱壁蒸着法によるＣｄＳ膜を用い
てもよい。
【０００８】
【作用】上記の構成にしたがって製造される本発明の太
陽電池においては、ＣｄＳ焼結膜の比抵抗は、従来０．
１−０．５Ω・ｃｍ程度であったものを、０．０５−
０．０１Ω・ｃｍ程度にまで下げることができる。それ
は、ＣｄＳ焼結膜を作製するための熱処理中に、III族
元素の酸化物薄膜から熱拡散によってIII族元素がＣｄ
Ｓ焼結膜中に導入されるからである。この程度の比抵抗
の焼結膜は、III族元素の導入によってＣｄＳ膜の結晶
性を損ねる程のものではないので、ＣｄＴｅ膜との良好
な接合を形成することが充分可能であるだけでなく、内
部起電力の増加も見込める。それ以下の比抵抗を示すほ
どにIII族元素を導入することは、ＣｄＳ焼結膜の結晶
性に悪影響を与えるので、III族元素の導入量を制御す
る必要が生じる。
陽電池においては、ＣｄＳ焼結膜の比抵抗は、従来０．
１−０．５Ω・ｃｍ程度であったものを、０．０５−
０．０１Ω・ｃｍ程度にまで下げることができる。それ
は、ＣｄＳ焼結膜を作製するための熱処理中に、III族
元素の酸化物薄膜から熱拡散によってIII族元素がＣｄ
Ｓ焼結膜中に導入されるからである。この程度の比抵抗
の焼結膜は、III族元素の導入によってＣｄＳ膜の結晶
性を損ねる程のものではないので、ＣｄＴｅ膜との良好
な接合を形成することが充分可能であるだけでなく、内
部起電力の増加も見込める。それ以下の比抵抗を示すほ
どにIII族元素を導入することは、ＣｄＳ焼結膜の結晶
性に悪影響を与えるので、III族元素の導入量を制御す
る必要が生じる。
【０００９】本発明では、その制御手段として、III族
元素の酸化物の膜厚を制御してIII族元素そのものの量
を制限する方法、およびＣｄＳ膜とそのIII族元素の酸
化物との間にＺｎＯ薄膜を挿入してIII族元素のＣｄＳ
膜中への熱拡散量を制限する方法を採用している。後者
の方法は、ＣｄＳ膜を０．５μｍ以下にしてＣｄＳ／Ｃ
ｄＴｅ太陽電池を構成する場合において特に有効で、Ｚ
ｎＯ薄膜がIII族元素のＣｄＳ膜中への熱拡散量を制限
する役割とＩｎ2Ｏ3やＩＴＯとＣｄＴｅ膜との短絡を防
ぐ役割をする。その結果、ＣｄＳ膜を０．５μｍ以下に
しても優れたＣｄＴｅ膜との接合を形成することがで
き、５００ｎｍ以下の波長の光を取り込めるようになる
利点がある。この場合のＣｄＳ膜は、ｎ型半導体として
の役割を果たすだけでよく、透明電極としての役割は、
Ｉｎ2Ｏ3やＩＴＯが果たすことになる。
元素の酸化物の膜厚を制御してIII族元素そのものの量
を制限する方法、およびＣｄＳ膜とそのIII族元素の酸
化物との間にＺｎＯ薄膜を挿入してIII族元素のＣｄＳ
膜中への熱拡散量を制限する方法を採用している。後者
の方法は、ＣｄＳ膜を０．５μｍ以下にしてＣｄＳ／Ｃ
ｄＴｅ太陽電池を構成する場合において特に有効で、Ｚ
ｎＯ薄膜がIII族元素のＣｄＳ膜中への熱拡散量を制限
する役割とＩｎ2Ｏ3やＩＴＯとＣｄＴｅ膜との短絡を防
ぐ役割をする。その結果、ＣｄＳ膜を０．５μｍ以下に
しても優れたＣｄＴｅ膜との接合を形成することがで
き、５００ｎｍ以下の波長の光を取り込めるようになる
利点がある。この場合のＣｄＳ膜は、ｎ型半導体として
の役割を果たすだけでよく、透明電極としての役割は、
Ｉｎ2Ｏ3やＩＴＯが果たすことになる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 ［実施例１］本実施例の太陽電池の製造工程を図１に示
している。まず、ガラス基板１上にたとえばＩｎ2Ｏ3あ
るいはＡｌ2Ｏ3の膜６をスパッタリング蒸着により５０
０−５０００オングストロームの厚さでストライプ状に
形成する。次に、ＣｄＳ粉末と少量のＣｄＣｌ2をプロ
ピレングリコールとともによく混練したペーストをスク
リーン印刷機を用いて前記酸化物薄膜上に印刷し、低温
乾燥炉で乾燥した後、Ｎ2ガス雰囲気中において６９０
℃で焼成して膜厚約１０〜３０μｍのＣｄＳ膜２を形成
する（図１（ａ））。
している。まず、ガラス基板１上にたとえばＩｎ2Ｏ3あ
るいはＡｌ2Ｏ3の膜６をスパッタリング蒸着により５０
０−５０００オングストロームの厚さでストライプ状に
形成する。次に、ＣｄＳ粉末と少量のＣｄＣｌ2をプロ
ピレングリコールとともによく混練したペーストをスク
リーン印刷機を用いて前記酸化物薄膜上に印刷し、低温
乾燥炉で乾燥した後、Ｎ2ガス雰囲気中において６９０
℃で焼成して膜厚約１０〜３０μｍのＣｄＳ膜２を形成
する（図１（ａ））。
【００１１】ＣｄＳ膜２上に、セル間の接続用の部分を
残し、ＣｄＳ膜の場合と同様のスクリーン印刷、低温乾
燥の後、Ｎ2ガス雰囲気中において６２０℃で焼成して
膜厚約１０μｍのＣｄＴｅ焼結膜３を形成する（図１
（ｂ））。さらに、印刷、乾燥、熱処理によりカーボン
電極４と（Ａｇ＋Ｉｎ）電極５を順次形成することによ
って図１（ｃ）に示したような太陽電池を作製する。
残し、ＣｄＳ膜の場合と同様のスクリーン印刷、低温乾
燥の後、Ｎ2ガス雰囲気中において６２０℃で焼成して
膜厚約１０μｍのＣｄＴｅ焼結膜３を形成する（図１
（ｂ））。さらに、印刷、乾燥、熱処理によりカーボン
電極４と（Ａｇ＋Ｉｎ）電極５を順次形成することによ
って図１（ｃ）に示したような太陽電池を作製する。
【００１２】［実施例２］図２に示すように、まず、ガ
ラス基板１上に、たとえばＩｎ2Ｏ3あるいはＡｌ2Ｏ3の
膜６をスパッタリング蒸着などにより５０００−２００
００オングストロームの厚さでストライプ状に形成した
後、その酸化物薄膜上にスパッタリング蒸着などにより
ＺｎＯ薄膜８を約５０００オングストロームの厚さに形
成し、さらにその酸化物薄膜をおおうように、かつスト
ライプ状に、実施例１と同様の方法で膜厚約１０〜３０
μｍのＣｄＳ膜２を印刷、焼成により形成する（図２
（ａ））。なお、ＣｄＳ膜のうち太陽電池セル間の接続
に用いる部分には上記ＺｎＯ薄膜がない構成でもよい。
次に、実施例１と同様にして、ＣｄＴｅ燃結膜３を形成
し（図２（ｂ））、さらにカーボン電極４と（Ａｇ＋Ｉ
ｎ）電極５を形成する（図２（ｃ））。
ラス基板１上に、たとえばＩｎ2Ｏ3あるいはＡｌ2Ｏ3の
膜６をスパッタリング蒸着などにより５０００−２００
００オングストロームの厚さでストライプ状に形成した
後、その酸化物薄膜上にスパッタリング蒸着などにより
ＺｎＯ薄膜８を約５０００オングストロームの厚さに形
成し、さらにその酸化物薄膜をおおうように、かつスト
ライプ状に、実施例１と同様の方法で膜厚約１０〜３０
μｍのＣｄＳ膜２を印刷、焼成により形成する（図２
（ａ））。なお、ＣｄＳ膜のうち太陽電池セル間の接続
に用いる部分には上記ＺｎＯ薄膜がない構成でもよい。
次に、実施例１と同様にして、ＣｄＴｅ燃結膜３を形成
し（図２（ｂ））、さらにカーボン電極４と（Ａｇ＋Ｉ
ｎ）電極５を形成する（図２（ｃ））。
【００１３】［実施例３］図３に示すように、まずガラ
ス基板１上に、たとえばＩｎ2Ｏ3あるいはＩＴＯ膜７を
スパッタリング蒸着などにより５０００−２００００オ
ングストロームの厚さでストライプ状に形成した後、そ
の酸化物薄膜上にその一部を除いてスパッタリング蒸着
などによりＺｎＯ薄膜８を約５０００オングストローム
の厚さで形成し、さらにその酸化物薄膜をおおうよう
に、かつストライプ状に、被覆性のすぐれた方法、たと
えば真空蒸着法や熱壁蒸着法（ホットウォール法）を用
いてＣｄＳ膜２を０．５μｍ以下の膜厚で形成する（図
３（ａ））。次に、実施例１と同様にして、ＣｄＴｅ焼
結膜３を形成し（図３（ｂ））、さらにカーボン電極４
と（ＡＧ＋Ｉｎ）電極５を形成する（図３（ｃ））。
ス基板１上に、たとえばＩｎ2Ｏ3あるいはＩＴＯ膜７を
スパッタリング蒸着などにより５０００−２００００オ
ングストロームの厚さでストライプ状に形成した後、そ
の酸化物薄膜上にその一部を除いてスパッタリング蒸着
などによりＺｎＯ薄膜８を約５０００オングストローム
の厚さで形成し、さらにその酸化物薄膜をおおうよう
に、かつストライプ状に、被覆性のすぐれた方法、たと
えば真空蒸着法や熱壁蒸着法（ホットウォール法）を用
いてＣｄＳ膜２を０．５μｍ以下の膜厚で形成する（図
３（ａ））。次に、実施例１と同様にして、ＣｄＴｅ焼
結膜３を形成し（図３（ｂ））、さらにカーボン電極４
と（ＡＧ＋Ｉｎ）電極５を形成する（図３（ｃ））。
【００１４】図５は、実施例１、２におけるＣｄＳ焼結
膜と従来方法による焼結膜の比抵抗の膜厚依存性を示し
ている。本発明によるＣｄＳ焼結膜（Ａ）は、従来のも
の（Ｂ）に比べ比抵抗が１桁以上低くなっている。その
結果、セル幅を広くして有効面積率を９０％に向上させ
て作製した太陽電池の特性は、４０×３０ｃｍ2で変換
効率９．１％に向上させることができた（図６のＡ参
照）。また、実施例３で作製した本発明の太陽電池は、
５００ｎｍ以下の光の取り込みの効果のために、光電流
として従来のものより１０％多く獲得でき、Ｉｎ2Ｏ3お
よびＩＴＯを透明電極とする大きさ４０×３０ｃｍ2、
有効面積率９０％で作製した太陽電池の特性は、１０％
の変換効率を示した（図７のＡ参照）。
膜と従来方法による焼結膜の比抵抗の膜厚依存性を示し
ている。本発明によるＣｄＳ焼結膜（Ａ）は、従来のも
の（Ｂ）に比べ比抵抗が１桁以上低くなっている。その
結果、セル幅を広くして有効面積率を９０％に向上させ
て作製した太陽電池の特性は、４０×３０ｃｍ2で変換
効率９．１％に向上させることができた（図６のＡ参
照）。また、実施例３で作製した本発明の太陽電池は、
５００ｎｍ以下の光の取り込みの効果のために、光電流
として従来のものより１０％多く獲得でき、Ｉｎ2Ｏ3お
よびＩＴＯを透明電極とする大きさ４０×３０ｃｍ2、
有効面積率９０％で作製した太陽電池の特性は、１０％
の変換効率を示した（図７のＡ参照）。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、エネルギー変換効率が
高い太陽電池を得ることができる。
高い太陽電池を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例の太陽電池の製造工程を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】本発明の他の実施例の太陽電池の製造工程を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図３】本発明の他の実施例の太陽電池の製造工程を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図４】従来の太陽電池の構成を示す縦断面図である。
【図５】本発明の実施例および従来例におけるＣｄＳ薄
膜の膜厚と比抵抗の関係を比較した図である。
膜の膜厚と比抵抗の関係を比較した図である。
【図６】本発明の実施例および従来例の太陽電池の電流
−電圧特性を比較した図である。
−電圧特性を比較した図である。
【図７】本発明の実施例および従来例の太陽電池の量子
効率を比較した図である。
効率を比較した図である。
１ 透明絶縁基板 ２ ＣｄＳ膜 ３ ＣｄＴｅ膜 ４ カーボン電極膜 ５ （Ａｇ＋Ｉｎ）電極膜 ６ III元素を含む酸化物薄膜 ７ III元素を含む酸化物透明導電薄膜 ８ ＺｎＯ薄膜
Claims (5)
- 【請求項１】 透明絶縁基板上に形成されたIII族元素
を含む酸化物薄膜、前記酸化物薄膜上に形成されたＣｄ
Ｓ焼結膜、前記ＣｄＳ焼結膜上にその一部を除いて形成
されたＣｄＴｅ膜、および前記ＣｄＴｅ膜の上部電極と
前記ＣｄＳ焼結膜とを接続する電極を具備することを特
徴とする太陽電池。 - 【請求項２】 前記III族元素を含む酸化物薄膜が、厚
さ５００−５０００オングストロームのＩｎ2Ｏ3または
Ａｌ2Ｏ3からなる請求項１記載の太陽電池。 - 【請求項３】 透明絶縁基板上に形成されたIII族元素
を含む酸化物薄膜、前記酸化物薄膜上にその一部を除い
て形成されたＺｎＯ薄膜、前記ＺｎＯ薄膜上に形成され
たＣｄＳ焼結膜、前記ＣｄＳ焼結膜上にその一部を除い
て形成されたＣｄＴｅ膜、および前記ＣｄＴｅ膜の上部
電極と前記ＣｄＳ焼結膜とを接続する電極を具備するこ
とを特徴とする太陽電池。 - 【請求項４】 透明絶縁基板上に形成されたIII族元素
を含む酸化物薄膜、前記酸化物薄膜上にその一部を除い
て形成されたＺｎＯ薄膜、前記ＺｎＯ薄膜上に形成され
たＣｄＳ薄膜、前記ＣｄＳ薄膜上にその一部を除いて形
成されたＣｄＴｅ膜、および前記ＣｄＴｅ膜の上部電極
と前記ＣｄＳ薄膜とを接続する電極を具備することを特
徴とする太陽電池。 - 【請求項５】 前記III族元素を含む酸化物薄膜が、Ｉ
ｎ2Ｏ3またはＩＴＯからなる請求項３または４記載の太
陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5160222A JPH06350116A (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5160222A JPH06350116A (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06350116A true JPH06350116A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15710363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5160222A Pending JPH06350116A (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06350116A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012533178A (ja) * | 2009-07-10 | 2012-12-20 | ファースト ソーラー インコーポレイテッド | 亜鉛を含む光電変換装置 |
-
1993
- 1993-06-04 JP JP5160222A patent/JPH06350116A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012533178A (ja) * | 2009-07-10 | 2012-12-20 | ファースト ソーラー インコーポレイテッド | 亜鉛を含む光電変換装置 |
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