JPH07147422A - テルル化カドミウム太陽電池 - Google Patents
テルル化カドミウム太陽電池Info
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- JPH07147422A JPH07147422A JP5296377A JP29637793A JPH07147422A JP H07147422 A JPH07147422 A JP H07147422A JP 5296377 A JP5296377 A JP 5296377A JP 29637793 A JP29637793 A JP 29637793A JP H07147422 A JPH07147422 A JP H07147422A
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- JP
- Japan
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- cds
- electrode
- film
- sintered film
- cdte
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
(57)【要約】
【目的】 オーミック電極形成にあたり、スクリーン印
刷法による太陽電池製造費を低減させ、電極形成のため
の面積割合を小さくして実効変換効率を向上したテルル
化カドミウム太陽電池を提供する。 【構成】 透明ガラス基板上に、ｎ形ＣｄＳ焼結膜、ｐ
形ＣｄＴｅ焼結膜およびｎ形ＣｄＳ焼結膜の順序で積層
された電池素子が複数個形成され、隣合う上記電池素子
の該基板側ＣｄＳ焼結膜と上部ＣｄＳ焼結膜が接続され
て構成される。
刷法による太陽電池製造費を低減させ、電極形成のため
の面積割合を小さくして実効変換効率を向上したテルル
化カドミウム太陽電池を提供する。 【構成】 透明ガラス基板上に、ｎ形ＣｄＳ焼結膜、ｐ
形ＣｄＴｅ焼結膜およびｎ形ＣｄＳ焼結膜の順序で積層
された電池素子が複数個形成され、隣合う上記電池素子
の該基板側ＣｄＳ焼結膜と上部ＣｄＳ焼結膜が接続され
て構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体を用いた
太陽電池及びその製造方法に関し、さらに詳しくはｎ形
ＣｄＳ膜からなる光透過窓層とｐ形ＣｄＴｅ膜からなる
光吸収層によって構成されるテルル化カドミウム太陽電
池に関するものである。
太陽電池及びその製造方法に関し、さらに詳しくはｎ形
ＣｄＳ膜からなる光透過窓層とｐ形ＣｄＴｅ膜からなる
光吸収層によって構成されるテルル化カドミウム太陽電
池に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】石油の代替エネルギーとして、低コスト
且つ高効率の太陽電池の開発が強く求められている。化
合物半導体薄膜を用いた太陽電池は、材料費が安く大面
積化が容易で大量生産に適するため低コスト化が期待さ
れ、なかでも太陽光発電に最適な禁制帯幅を持つＣｄＴ
ｅを光吸収層に用いるものは、窓層にＣｄＴｅと良好な
ｐｎ接合を形成可能なＣｄＳを用いることで、高い変換
効率が期待できることから、近年積極的に研究開発がな
されている。
且つ高効率の太陽電池の開発が強く求められている。化
合物半導体薄膜を用いた太陽電池は、材料費が安く大面
積化が容易で大量生産に適するため低コスト化が期待さ
れ、なかでも太陽光発電に最適な禁制帯幅を持つＣｄＴ
ｅを光吸収層に用いるものは、窓層にＣｄＴｅと良好な
ｐｎ接合を形成可能なＣｄＳを用いることで、高い変換
効率が期待できることから、近年積極的に研究開発がな
されている。
【０００３】その構成及び製法としては、透明ガラス基
板上にスクリーン印刷と焼成とによってｎ形ＣｄＳ焼結
膜を形成し、次いで同様にスクリーン印刷と焼成とによ
ってｐ形ＣｄＴｅ焼結膜を形成する。このときＣｄＴｅ
焼結膜がＣｄＳ焼結膜への電極取り付けに必要な領域を
除いてＣｄＳ焼結膜を覆うようにする。そしてＣｄＴｅ
焼結膜上にはオーム性接触を得るためにＣ（カーボン）
膜を形成して素電池とする。最後にＣｄＳ焼結膜の露出
部とＣ膜上部にＡｇ−Ｉｎ電極を形成する。
板上にスクリーン印刷と焼成とによってｎ形ＣｄＳ焼結
膜を形成し、次いで同様にスクリーン印刷と焼成とによ
ってｐ形ＣｄＴｅ焼結膜を形成する。このときＣｄＴｅ
焼結膜がＣｄＳ焼結膜への電極取り付けに必要な領域を
除いてＣｄＳ焼結膜を覆うようにする。そしてＣｄＴｅ
焼結膜上にはオーム性接触を得るためにＣ（カーボン）
膜を形成して素電池とする。最後にＣｄＳ焼結膜の露出
部とＣ膜上部にＡｇ−Ｉｎ電極を形成する。
【０００４】このＡｇ−Ｉｎ電極は外部へ電力を取り出
すための電極であるとともに、基板内部においては素電
池の直列接続のための配線を兼ねる。Ｃ膜とＡｇ−Ｉｎ
電極は、それぞれ高純度カーボンペースト及びＡｇ−Ｉ
ｎペーストを材料にして、ともにスクリーン印刷と焼成
とによって形成される。
すための電極であるとともに、基板内部においては素電
池の直列接続のための配線を兼ねる。Ｃ膜とＡｇ−Ｉｎ
電極は、それぞれ高純度カーボンペースト及びＡｇ−Ｉ
ｎペーストを材料にして、ともにスクリーン印刷と焼成
とによって形成される。
【０００５】スクリーン印刷法で製作する太陽電池に
は、例えば３０ｃｍ×４０ｃｍのような大面積であって
も比較的高い真性変換効率が得られるという優れた点が
ある。また、塗布、乾燥、焼成を繰り返す製造法は本来
製造コストが低く大量生産にへの移行も容易なため低コ
スト化が期待できる。しかもＣｄＴｅは吸収係数が大き
いので発電に必要な半導体部は薄膜で十分であり材料費
も安いという特長を備えている。
は、例えば３０ｃｍ×４０ｃｍのような大面積であって
も比較的高い真性変換効率が得られるという優れた点が
ある。また、塗布、乾燥、焼成を繰り返す製造法は本来
製造コストが低く大量生産にへの移行も容易なため低コ
スト化が期待できる。しかもＣｄＴｅは吸収係数が大き
いので発電に必要な半導体部は薄膜で十分であり材料費
も安いという特長を備えている。
【０００６】しかしながら現状では、高い変換効率を実
現するために、主として内部抵抗の低減を目的として、
高純度カーボンペーストやＡｇ−Ｉｎペースト等の高価
な材料を用いているため低コスト化が進まず、またこれ
らの材料を用いても製造工程において焼成条件など厳し
い管理が必要で、製造コストの削減を阻んでいる。
現するために、主として内部抵抗の低減を目的として、
高純度カーボンペーストやＡｇ−Ｉｎペースト等の高価
な材料を用いているため低コスト化が進まず、またこれ
らの材料を用いても製造工程において焼成条件など厳し
い管理が必要で、製造コストの削減を阻んでいる。
【０００７】電極形成のコストを増大させている原因
は、ＣｄＳ及びＣｄＴｅへのオーミック電極形成の困難
にある。特にｐ形ＣｄＴｅへのオーム性接触の形成は一
般に困難で、スクリーン印刷法においてはＣｄＴｅに対
するアクセプター不純物を微量に含む高純度カーボンペ
ーストを用い、カーボン膜の焼成時にＣｄＴｅ膜の表面
を強くｐ形化してオーム性接触を得ている。またＣｄＳ
膜への電極にはＡｇ−Ｉｎ焼結体を用いるが、これ以外
の電極材料としてはＰｔ等、より高価な選択しか残され
ていない。
は、ＣｄＳ及びＣｄＴｅへのオーミック電極形成の困難
にある。特にｐ形ＣｄＴｅへのオーム性接触の形成は一
般に困難で、スクリーン印刷法においてはＣｄＴｅに対
するアクセプター不純物を微量に含む高純度カーボンペ
ーストを用い、カーボン膜の焼成時にＣｄＴｅ膜の表面
を強くｐ形化してオーム性接触を得ている。またＣｄＳ
膜への電極にはＡｇ−Ｉｎ焼結体を用いるが、これ以外
の電極材料としてはＰｔ等、より高価な選択しか残され
ていない。
【０００８】Ａｇ−Ｉｎ電極の使用は変換効率の面でも
問題を持つ。太陽電池は複数個の素電池を基板上で直列
に接続するための接続部を必要とし、その領域は発電に
寄与しないため太陽電池の全面積に対する有効発電領域
の割合を減少させ、実効変換効率を低下させる。ＣｄＳ
焼結膜とＡｇ−Ｉｎ電極では、コンタクト抵抗が大きい
ので接触面積を大きくとる必要があり、高い実効変換効
率を持つ太陽電池の製作は困難であった。
問題を持つ。太陽電池は複数個の素電池を基板上で直列
に接続するための接続部を必要とし、その領域は発電に
寄与しないため太陽電池の全面積に対する有効発電領域
の割合を減少させ、実効変換効率を低下させる。ＣｄＳ
焼結膜とＡｇ−Ｉｎ電極では、コンタクト抵抗が大きい
ので接触面積を大きくとる必要があり、高い実効変換効
率を持つ太陽電池の製作は困難であった。
【０００９】以上のように、従来のＣｄＴｅ太陽電池の
構成及び製造法では、材料費と製造コストの両面から低
コスト化が期待されながら、実際には電極形成の困難が
低コスト化を妨げていた。また、大面積で高い真性変換
効率の太陽電池が得られるにも関わらず、電極形成領域
のために高い実効変換効率が得られないという技術的課
題を持っていた。
構成及び製造法では、材料費と製造コストの両面から低
コスト化が期待されながら、実際には電極形成の困難が
低コスト化を妨げていた。また、大面積で高い真性変換
効率の太陽電池が得られるにも関わらず、電極形成領域
のために高い実効変換効率が得られないという技術的課
題を持っていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はオーミ
ック電極形成に当りスクリーン印刷法による太陽電池の
製造コストを低減させ、また、電極形成のための面積の
割合を小さくして実効変換効率を高くすることである。
ック電極形成に当りスクリーン印刷法による太陽電池の
製造コストを低減させ、また、電極形成のための面積の
割合を小さくして実効変換効率を高くすることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、透明ガラス基板上に、ｎ形ＣｄＳ焼結
膜、ｐ形ＣｄＴｅ焼結膜およびｎ形ＣｄＳ焼結膜の順序
で積層された電池素子が複数個形成され、隣合う上記電
池素子の該基板側ＣｄＳ焼結膜と上部ＣｄＳ焼結膜が接
続されて構成されたことを特徴とする。
決するために、透明ガラス基板上に、ｎ形ＣｄＳ焼結
膜、ｐ形ＣｄＴｅ焼結膜およびｎ形ＣｄＳ焼結膜の順序
で積層された電池素子が複数個形成され、隣合う上記電
池素子の該基板側ＣｄＳ焼結膜と上部ＣｄＳ焼結膜が接
続されて構成されたことを特徴とする。
【００１２】
【作用】裏面電極としてのｎ形ＣｄＳ焼結膜を形成する
際には、配線として機能するに十分低抵抗な膜が、Ｃｄ
Ｔｅ焼結膜との間に結晶欠陥の多いヘテロ接合を形成す
るように、材料と焼成条件を選ぶ。そうすることで再結
合電流の大きいｐｎ接合を形成し、これを従来のオーミ
ック接触に代えて用いる。低抵抗のｎ形ＣｄＳ焼結膜を
形成するにはドナー不純物を含んだ材料を用いればよ
く、あるいは裏面電極で光の透過率が高い必要もないの
で膜を厚くしてシート抵抗を下げてもよい。再結合電流
の大きいｐｎ接合を形成するのは容易である。
際には、配線として機能するに十分低抵抗な膜が、Ｃｄ
Ｔｅ焼結膜との間に結晶欠陥の多いヘテロ接合を形成す
るように、材料と焼成条件を選ぶ。そうすることで再結
合電流の大きいｐｎ接合を形成し、これを従来のオーミ
ック接触に代えて用いる。低抵抗のｎ形ＣｄＳ焼結膜を
形成するにはドナー不純物を含んだ材料を用いればよ
く、あるいは裏面電極で光の透過率が高い必要もないの
で膜を厚くしてシート抵抗を下げてもよい。再結合電流
の大きいｐｎ接合を形成するのは容易である。
【００１３】この構成では一つの電池素子の中に２つの
ｐｎ接合が存在する。透明電極と光吸収層との間のｐｎ
接合の役割は従来の太陽電池の場合と同じであり、光吸
収によって生成されたキャリアの分離を担う。分離され
たキャリアのうち電子は透明電極に集荷され電極には負
の電位が生じる。一方正孔はＣｄＴｅ層内を移動して、
裏面電極として設けたｎ形ＣｄＳとの接合界面すなわち
第二のｐｎ接合に到達する。ここで結晶欠陥が作る再結
合中心を介してＣｄＳの多数キャリアである電子と再結
合する。その結果、裏面電極内では電子が不足してここ
に正の電位が生じる。
ｐｎ接合が存在する。透明電極と光吸収層との間のｐｎ
接合の役割は従来の太陽電池の場合と同じであり、光吸
収によって生成されたキャリアの分離を担う。分離され
たキャリアのうち電子は透明電極に集荷され電極には負
の電位が生じる。一方正孔はＣｄＴｅ層内を移動して、
裏面電極として設けたｎ形ＣｄＳとの接合界面すなわち
第二のｐｎ接合に到達する。ここで結晶欠陥が作る再結
合中心を介してＣｄＳの多数キャリアである電子と再結
合する。その結果、裏面電極内では電子が不足してここ
に正の電位が生じる。
【００１４】電池素子が直列に接続された構成では、透
明電極に集荷された電子は隣接する素電池の裏面電極ま
で移動し、ＣｄＴｅ層内に発生した正孔との再結合によ
って生じた電子の不足を補う。接続された透明電極と裏
面電極はこうして同電位となり、その結果直列接続の両
端には各素電池に生じた電圧の和に等しい電圧が発生す
る。
明電極に集荷された電子は隣接する素電池の裏面電極ま
で移動し、ＣｄＴｅ層内に発生した正孔との再結合によ
って生じた電子の不足を補う。接続された透明電極と裏
面電極はこうして同電位となり、その結果直列接続の両
端には各素電池に生じた電圧の和に等しい電圧が発生す
る。
【００１５】内部配線にＣｄＳ焼結膜を使用することで
有効発電領域の割合を増やすことができる。電池素子を
ストライプ状に形成するとき従来法では、有効発電領域
の幅２．８ｍｍ、非発電領域の幅１．２ｍｍのとき最高
の実効変換効率が得られている。非発電領域幅のうち
０．６ｍｍはＡｇ−Ｉｎ電極とＣｄＳ焼結膜との接触面
に使われている。これに対して本発明では同種の材料を
接触させるのでコンタクト抵抗はごく小さく、接触面の
幅を小さくして有効発電領域の割合を増すことが可能と
なる。
有効発電領域の割合を増やすことができる。電池素子を
ストライプ状に形成するとき従来法では、有効発電領域
の幅２．８ｍｍ、非発電領域の幅１．２ｍｍのとき最高
の実効変換効率が得られている。非発電領域幅のうち
０．６ｍｍはＡｇ−Ｉｎ電極とＣｄＳ焼結膜との接触面
に使われている。これに対して本発明では同種の材料を
接触させるのでコンタクト抵抗はごく小さく、接触面の
幅を小さくして有効発電領域の割合を増すことが可能と
なる。
【００１６】
〔実施例１〕以下に図面を参照しながら本発明の実施例
を示す。図１は本実施例において製作した太陽電池の断
面の概略を示している。平均粒径２μｍ、純度５ＮのＣ
ｄＳ粉末に１０重量％の無水ＣｄＣｌ2 粉末と適量のプ
ロピレングリコールを混合してＣｄＳペーストを作り、
スクリーン印刷装置で１０ｃｍ×１０ｃｍの硼硅酸ガラ
ス基板１の上面に塗布した。これを大気中、１２０℃、
１時間の乾燥を行いプロピレングリコールを蒸発させた
後、アルミナ匣鉢に入れ窒素雰囲気中６５０℃、１時間
の焼成を行った。さらに匣鉢から出した状態で窒素雰囲
気中６５０℃、３０分間の熱処理を行って残留するＣｄ
Ｃｌ2 を蒸発させた。こうして厚さ約１５μｍのＣｄＳ
焼結膜２ａを得た。次に、平均粒径４μｍ、純度５Ｎの
ＣｄＴｅ粉末に５重量％の無水ＣｄＣｌ2 粉末と適量の
プロピレングリコールを混合してＣｄＴｅペーストを作
り、同様に塗布、乾燥、６２０℃の焼成及び熱処理を行
って、ＣｄＳ焼結膜上に厚さ約２０μｍのＣｄＴｅ焼結
膜３を形成した。さらに、純度３ＮのＣｄＳに約０．２
重量％のＩｎを含ませた平均粒径１０μｍの粉末に適量
のプロピレングリコールを混合してｎ−ＣｄＳペースト
を作り、塗布、乾燥の後、窒素雰囲気中５００℃、１時
間の焼成を行って、厚さ約５０μｍのＣｄＳ焼結膜２ｂ
を形成した。最後に直列接続の両端の電極となっている
２ヶ所のＣｄＳ焼結膜にＡｇ−Ｉｎペーストを塗布し、
この場合加熱すべき面積が小さいので、従来の焼成工程
に代えてホットエア加熱を行って電力取り出し用電極４
ａを形成した。こうして太陽電池を完成した。
を示す。図１は本実施例において製作した太陽電池の断
面の概略を示している。平均粒径２μｍ、純度５ＮのＣ
ｄＳ粉末に１０重量％の無水ＣｄＣｌ2 粉末と適量のプ
ロピレングリコールを混合してＣｄＳペーストを作り、
スクリーン印刷装置で１０ｃｍ×１０ｃｍの硼硅酸ガラ
ス基板１の上面に塗布した。これを大気中、１２０℃、
１時間の乾燥を行いプロピレングリコールを蒸発させた
後、アルミナ匣鉢に入れ窒素雰囲気中６５０℃、１時間
の焼成を行った。さらに匣鉢から出した状態で窒素雰囲
気中６５０℃、３０分間の熱処理を行って残留するＣｄ
Ｃｌ2 を蒸発させた。こうして厚さ約１５μｍのＣｄＳ
焼結膜２ａを得た。次に、平均粒径４μｍ、純度５Ｎの
ＣｄＴｅ粉末に５重量％の無水ＣｄＣｌ2 粉末と適量の
プロピレングリコールを混合してＣｄＴｅペーストを作
り、同様に塗布、乾燥、６２０℃の焼成及び熱処理を行
って、ＣｄＳ焼結膜上に厚さ約２０μｍのＣｄＴｅ焼結
膜３を形成した。さらに、純度３ＮのＣｄＳに約０．２
重量％のＩｎを含ませた平均粒径１０μｍの粉末に適量
のプロピレングリコールを混合してｎ−ＣｄＳペースト
を作り、塗布、乾燥の後、窒素雰囲気中５００℃、１時
間の焼成を行って、厚さ約５０μｍのＣｄＳ焼結膜２ｂ
を形成した。最後に直列接続の両端の電極となっている
２ヶ所のＣｄＳ焼結膜にＡｇ−Ｉｎペーストを塗布し、
この場合加熱すべき面積が小さいので、従来の焼成工程
に代えてホットエア加熱を行って電力取り出し用電極４
ａを形成した。こうして太陽電池を完成した。
【００１７】比較のため裏面電極２ｂの膜厚と焼成温度
を変えて、実施例と同様の太陽電池を製作した。また、
従来の方法すなわち図２に示すようにＣｄＴｅ焼結膜上
にＣ焼結膜を設け電極兼内部配線材としてＡｇ−Ｉｎ焼
結体用いた太陽電池を製作した。尚、これら比較例及び
従来法ではＣｄＴｅ焼結膜の形成までは前記実施例と同
一の手順によっている。
を変えて、実施例と同様の太陽電池を製作した。また、
従来の方法すなわち図２に示すようにＣｄＴｅ焼結膜上
にＣ焼結膜を設け電極兼内部配線材としてＡｇ−Ｉｎ焼
結体用いた太陽電池を製作した。尚、これら比較例及び
従来法ではＣｄＴｅ焼結膜の形成までは前記実施例と同
一の手順によっている。
【００１８】これらの太陽電池のＡＭ１．５（８４ｍＷ
／ｃｍ2 ）の照射光に対する真性変換効率を表１に示
す。実施例において従来法とほぼ同程度の変換効率が得
られている。比較例のうち裏面電極の焼成温度が低いも
ので効率が落ちるのは、焼結が不十分で膜の抵抗が高い
ためと考えられ、同じ低温焼結膜でも膜厚が厚いもので
は効率がやや向上していることがその傍証となってい
る。一方、裏面電極の焼成温度が高いものではその膜厚
によらず変換効率が低い。これは焼成時にドナー不純物
のＩｎがＣｄＴｅ側に拡散してｐｎ接合がヘテロ接合部
からＣｄＴｅ層内部に移動し、その結果再結合電流の小
さいいわゆる良質なｐｎ接合が形成されたためと説明で
きる。本実施例の真性変換効率が従来法のものに若干劣
るのも同様の原因によると考えられる。
／ｃｍ2 ）の照射光に対する真性変換効率を表１に示
す。実施例において従来法とほぼ同程度の変換効率が得
られている。比較例のうち裏面電極の焼成温度が低いも
ので効率が落ちるのは、焼結が不十分で膜の抵抗が高い
ためと考えられ、同じ低温焼結膜でも膜厚が厚いもので
は効率がやや向上していることがその傍証となってい
る。一方、裏面電極の焼成温度が高いものではその膜厚
によらず変換効率が低い。これは焼成時にドナー不純物
のＩｎがＣｄＴｅ側に拡散してｐｎ接合がヘテロ接合部
からＣｄＴｅ層内部に移動し、その結果再結合電流の小
さいいわゆる良質なｐｎ接合が形成されたためと説明で
きる。本実施例の真性変換効率が従来法のものに若干劣
るのも同様の原因によると考えられる。
【００１９】〔実施例２〕実施例１と同様の手順によ
り、透明電極と裏面電極との接触面の幅を変えて、断面
の概略を図１に示す太陽電池を製作した。有効発電領域
６の幅を２．８ｍｍとし、接触面８ａの幅を０．６〜
０．２ｍｍの範囲から選んだ。非発電領域７の幅は、接
触面の幅８ａとスクリーン印刷のパターン精度とから決
定された。比較のため製作した従来法の太陽電池では接
触面８ｂの幅は０．６ｍｍ、非発電領域７の幅は１．２
ｍｍとなっている。
り、透明電極と裏面電極との接触面の幅を変えて、断面
の概略を図１に示す太陽電池を製作した。有効発電領域
６の幅を２．８ｍｍとし、接触面８ａの幅を０．６〜
０．２ｍｍの範囲から選んだ。非発電領域７の幅は、接
触面の幅８ａとスクリーン印刷のパターン精度とから決
定された。比較のため製作した従来法の太陽電池では接
触面８ｂの幅は０．６ｍｍ、非発電領域７の幅は１．２
ｍｍとなっている。
【００２０】これらの太陽電池のＡＭ１．５の照射光に
対する真性変換効率と実効変換効率を表２に示す。本実
施例においては、接触面８ａの幅を縮小しても真性変換
効率の低下は見られず、有効発電領域の割合の増加によ
って従来法以上の実効変換効率が得られている。
対する真性変換効率と実効変換効率を表２に示す。本実
施例においては、接触面８ａの幅を縮小しても真性変換
効率の低下は見られず、有効発電領域の割合の増加によ
って従来法以上の実効変換効率が得られている。
【００２１】上記二つの実施例において、裏面電極とし
てのＣｄＳ焼結膜を形成するための材料費は、膜が厚い
にもかかわらず出発材料の純度が低いこととＣｄＣｌ2
を使用しないことから、透明電極用ＣｄＳペーストとの
比較でも相当安く、電極形成にカーボンペーストとＡｇ
−Ｉｎペーストを使用する従来法の場合の約３分の１に
抑えられている。また、従来法では都合４回の焼成が必
要であったが、本実施例ではそのうちの１回をホットエ
アによる局所的な加熱に置き換えており大量生産時にお
ける焼成に関わる製造コストの削減が期待できる。
てのＣｄＳ焼結膜を形成するための材料費は、膜が厚い
にもかかわらず出発材料の純度が低いこととＣｄＣｌ2
を使用しないことから、透明電極用ＣｄＳペーストとの
比較でも相当安く、電極形成にカーボンペーストとＡｇ
−Ｉｎペーストを使用する従来法の場合の約３分の１に
抑えられている。また、従来法では都合４回の焼成が必
要であったが、本実施例ではそのうちの１回をホットエ
アによる局所的な加熱に置き換えており大量生産時にお
ける焼成に関わる製造コストの削減が期待できる。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば実効
変換効率の高い太陽電池を低価格で製造することができ
る。
変換効率の高い太陽電池を低価格で製造することができ
る。
【図１】図１は本発明の太陽電池の実施例を摸式的に示
した断面図である。
した断面図である。
【図２】図２は従来法の太陽電池を摸式的に示した断面
図である。
図である。
１ ガラス基板 ２ａ ＣｄＳ焼結膜（透明電極） ２ｂ ＣｄＳ焼結膜（裏面電極） ３ ＣｄＴｅ焼結膜 ４ａ Ａｇ−Ｉｎ電極 ４ｂ Ａｇ−Ｉｎ電極 ５ カーボン膜 ６ 有効発電領域 ７ 非発電領域 ８ａ 透明電極と裏面電極との接触面 ８ｂ 透明電極とＡｇ−Ｉｎ電極との接触面
Claims (1)
- 【請求項１】 透明ガラス基板上に、ｎ形ＣｄＳ焼結
膜、ｐ形ＣｄＴｅ焼結膜およびｎ形ＣｄＳ焼結膜の順序
で積層された電池素子が複数個形成され、隣合う上記電
池素子の該基板側ＣｄＳ焼結膜と上部ＣｄＳ焼結膜が接
続されて構成されたことを特徴とするテルル化カドミウ
ム太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5296377A JPH07147422A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | テルル化カドミウム太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5296377A JPH07147422A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | テルル化カドミウム太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07147422A true JPH07147422A (ja) | 1995-06-06 |
Family
ID=17832766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5296377A Pending JPH07147422A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | テルル化カドミウム太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07147422A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011072269A2 (en) * | 2009-12-10 | 2011-06-16 | Uriel Solar Inc. | HIGH POWER EFFICIENCY POLYCRYSTALLINE CdTe THIN FILM SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC CELL STRUCTURES FOR USE IN SOLAR ELECTRICITY GENERATION |
| US8298856B2 (en) | 2008-07-17 | 2012-10-30 | Uriel Solar, Inc. | Polycrystalline CDTE thin film semiconductor photovoltaic cell structures for use in solar electricity generation |
| JP2013110340A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP2022085206A (ja) * | 2020-11-27 | 2022-06-08 | 株式会社リコー | 光電変換モジュール、電子機器、及び電源モジュール |
-
1993
- 1993-11-26 JP JP5296377A patent/JPH07147422A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8298856B2 (en) | 2008-07-17 | 2012-10-30 | Uriel Solar, Inc. | Polycrystalline CDTE thin film semiconductor photovoltaic cell structures for use in solar electricity generation |
| US8580602B2 (en) | 2008-07-17 | 2013-11-12 | Uriel Solar, Inc. | Polycrystalline CDTE thin film semiconductor photovoltaic cell structures for use in solar electricity generation |
| US8664524B2 (en) | 2008-07-17 | 2014-03-04 | Uriel Solar, Inc. | High power efficiency, large substrate, polycrystalline CdTe thin film semiconductor photovoltaic cell structures grown by molecular beam epitaxy at high deposition rate for use in solar electricity generation |
| US8828783B2 (en) | 2008-07-17 | 2014-09-09 | Uriel Solar, Inc. | Polycrystalline CDTE thin film semiconductor photovoltaic cell structures for use in solar electricity generation |
| US9190555B2 (en) | 2008-07-17 | 2015-11-17 | Uriel Solar, Inc. | Polycrystalline CdTe thin film semiconductor photovoltaic cell structures for use in solar electricity generation |
| WO2011072269A2 (en) * | 2009-12-10 | 2011-06-16 | Uriel Solar Inc. | HIGH POWER EFFICIENCY POLYCRYSTALLINE CdTe THIN FILM SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC CELL STRUCTURES FOR USE IN SOLAR ELECTRICITY GENERATION |
| WO2011072269A3 (en) * | 2009-12-10 | 2011-11-17 | Uriel Solar Inc. | HIGH POWER EFFICIENCY POLYCRYSTALLINE CdTe THIN FILM SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC CELL STRUCTURES FOR USE IN SOLAR ELECTRICITY GENERATION |
| JP2013110340A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP2022085206A (ja) * | 2020-11-27 | 2022-06-08 | 株式会社リコー | 光電変換モジュール、電子機器、及び電源モジュール |
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