JPH06349963A - 紫外線消去型半導体装置 - Google Patents

紫外線消去型半導体装置

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JPH06349963A
JPH06349963A JP13349393A JP13349393A JPH06349963A JP H06349963 A JPH06349963 A JP H06349963A JP 13349393 A JP13349393 A JP 13349393A JP 13349393 A JP13349393 A JP 13349393A JP H06349963 A JPH06349963 A JP H06349963A
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semiconductor device
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ultraviolet
ultraviolet ray
chip
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Yasuhisa Koike
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 EP−ROM半導体チップ搭載の半導体装置
において、何回でも再使用可能にし、実装するだけで外
部の紫外線を遮断しデータを保護する。 【構成】 プラスチックリードレスチップキャリア1の
内部にはEP−ROM半導体チップ86及び他の半導体
チップ10が搭載され、それらの上面が紫外線透過可能
な透明樹脂3により封止される。底面2側には外部接続
用電極5が形成されており、これにより実装基板6と透
明樹脂3とが対向するように実装される。このため、実
装と同時に外部の紫外線等の光が遮断される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
紫外線消去型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図4は従来の紫外線消去型半導体装置を
底面側から見た斜視図、図5は図4に示した紫外線消去
型半導体装置の基板への実装工程を示す斜視図、図6は
図4に示した紫外線消去型半導体装置が基板に実装され
た際の断面図である。
【0003】従来の紫外線消去型半導体装置は、図4に
示すようにセラミックパッケージ102の底面104側
に紫外線照射窓103を有している(特開昭63−16
1650号公報参照)。紫外線照射窓103は内部に搭
載されているEP−ROM半導体チップ101に紫外線
を照射しデータの消去に使用する目的で形成されてお
り、上部は透明な石英ガラス等のガラス板106で封印
されている。
【0004】このように構成された従来の紫外線消去型
半導体装置は、図5および図6に示すように実装基板1
08の部品孔107に端子105を差し込んで、このパ
ッケージの底面104と実装基板108が互いに対向す
るように実装される。
【0005】実装基板108とパッケージの底面104
とが互いに対向して実装される為、紫外線照射窓103
から外部の紫外線が入射されず内部のEP−ROM半導
体チップ101のデータが消去されない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
紫外線消去型半導体装置の場合において、以下のような
問題点があった。
【0007】(1)パッケージがセラミックパッケージで
あるため、デバイスの重量が重く、実装面積も大きい。
【0008】(2)1パッケージの中に他の半導体チップ
と混在するようにEP−ROM半導体チップを搭載した
マルチチップの半導体装置は存在しなかった。
【0009】(3)ハイブリッドIC等にEP−ROM半
導体チップを混載した場合には、光を透過させない樹脂
により封止するため一度データを書き込むと二度と書き
換えられない。
【0010】(4)何も書き込んでいない状態で出荷した
後に何らかの原因でおかしなデータが書き込まれたよう
な場合には、従来の半導体装置では使用できなくなる。
【0011】本発明は上記各問題点に鑑みてなされたも
のであって、EP−ROM半導体チップ搭載の半導体装
置において、何回でも再使用可能にし、実装するだけで
外部の紫外線を遮断しデータを保護する紫外線消去型半
導体装置を提供することを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の紫外線消去型半導体装置は、プラスチックリ
ードレスチップキャリアの底面に紫外線照射窓を形成
し、実装時に前記底面と対向する実装面によって前記紫
外線照射窓が遮光されるよう構成されていることを特徴
とする。
【0013】
【作用】上記構成のとおりの本発明では、プラスチック
リードレスチップキャリアの底面に形成された紫外線照
射窓は、紫外線消去型半導体装置を電気配線基板に装着
したときには基板実装面で遮光される。
【0014】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【0015】図1は本発明の紫外線消去型半導体装置の
一実施例の底面側から見た斜視図、図2は図1に示した
紫外線消去型半導体装置の基板への実装工程を示す斜視
図、図3は図1に示した紫外線消去型半導体装置が基板
に実装された際の断面図である。
【0016】本発明の紫外線消去型半導体装置は、図1
乃至図3に示すようにプラスチックリードレスチップキ
ャリアパッケージ1より構成され、その底面2側を開口
させた内部には紫外線消去型のEP−ROM半導体チッ
プ8および他の半導体チップ10が実装されるととも
に、金線9にてワイヤボンディングされて外部接続用電
極5と電気的に接続されている。EP−ROM半導体チ
ップ8および他の半導体チップ10が実装されたパッケ
ージ内部は、底面2側より紫外線透過可能な透明な樹脂
10にて封止される。プラスチックリードレスチップキ
ャリア1の樹脂封止側、つまり紫外線照射側には外部接
続電極5が形成されており、図2および図3に示すよう
に実装基板6にプラスチックリードレスチップキャリア
1の底面2が互いに対向するようにし、端面スルーホー
ル4と実装電極7を合わせて半田11により半田付けす
る。
【0017】このため、図3からも明らかなように、実
装時にEP−ROM半導体チップ8へは外部の光、紫外
線等がほとんど完全に遮断される。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、プラスチ
ックリードレスチップキャリアの底面側に外部接続用電
極を備え、内部のEP−ROMチップを紫外線透過可能
な透明な樹脂により封止し、前記パッケージ底面と実装
基板が対向するように実装するので、紫外線遮断用の防
護シール等を貼る必要がない。
【0019】また、実装基板の実装するまでの途中工程
で誤って何らかのデータが書き込まれたような場合には
透明な樹脂で封止しているため紫外線照射によりデータ
消去が可能である。
【0020】さらに、種々の半導体チップを1パッケー
ジに搭載したマルチチップの場合、その中にEP−RO
Mチップ等が含まれていても全く同様に書き込んだデー
タの保護、消去が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の紫外線消去型半導体装置の一実施例の
底面側から見た斜視図である。
【図2】図1に示した紫外線消去型半導体装置の基板へ
の実装工程を示す斜視図である。
【図3】図1に示した紫外線消去型半導体装置が基板に
実装された際の断面図である。
【図4】従来の紫外線消去型半導体装置を底面側から見
た斜視図である。
【図5】図4に示した紫外線消去型半導体装置の基板へ
の実装工程を示す斜視図である。
【図6】図4に示した紫外線消去型半導体装置が基板に
実装された際の断面図である。
【符号の説明】
1 プラスチックリードレスチップキャリア 2 底面 3 透明樹脂 4 端面スルーホール 5 外部接続用電極 6 実装基板 7 実装電極 8 EP−ROM半導体チップ 9 金線 10 他の半導体チップ 11 半田
【手続補正書】
【提出日】平成6年3月14日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の紫外線消去型半導体装置は、プラスチックリ
ードレスチップキャリアの底面に紫外線照射窓を形成
し、実装時に前記底面と対向する実装面によって前記紫
外線照射窓が遮光されるよう構成されていることを特徴
とする。そして、前記プラスチックリードレスチップキ
ャリアの内部には、少なくともEP−ROMチップが搭
載されており、前記EP−ROMチップは、紫外線透過
可能な透明樹脂により封止されていることを特徴とす
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プラスチックリードレスチップキャリア
    の底面に紫外線照射窓を形成し、実装時に前記底面と対
    向する実装面によって前記紫外線照射窓が遮光されるよ
    う構成されていることを特徴とする紫外線消去型半導体
    装置。
JP5133493A 1993-06-03 1993-06-03 紫外線消去型半導体装置 Expired - Fee Related JP2518516B2 (ja)

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JPH06349963A true JPH06349963A (ja) 1994-12-22
JP2518516B2 JP2518516B2 (ja) 1996-07-24

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