CN115513222A - 显示装置及其制作方法 - Google Patents

显示装置及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115513222A
CN115513222A CN202210981648.6A CN202210981648A CN115513222A CN 115513222 A CN115513222 A CN 115513222A CN 202210981648 A CN202210981648 A CN 202210981648A CN 115513222 A CN115513222 A CN 115513222A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
driving substrate
led chip
display area
packaging layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210981648.6A
Other languages
English (en)
Inventor
赵永超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Original Assignee
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd filed Critical TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority to CN202210981648.6A priority Critical patent/CN115513222A/zh
Publication of CN115513222A publication Critical patent/CN115513222A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示装置及其制作方法,该显示装置包括:驱动基板,位于驱动基板上的LED芯片和电路板,以及包裹并密封驱动基板、LED芯片和电路板的封装层。其中,驱动基板包括显示区以及位于显示区至少一侧的非显示区,非显示区设置有金属走线,且金属走线自显示区延伸至驱动基板的边界处;LED芯片位于驱动基板的显示区内;金属走线位于驱动基板边界处的一端与封装层的内表面相接触。本发明实施例通过设置封装层将驱动基板、LED芯片和电路板完全密封起来,从而防止显示装置的金属走线裸露而导致线路腐蚀。

Description

显示装置及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示装置及其制作方法。
背景技术
Mini LED显示器具有高亮度、强灰阶表现、高色彩饱和度、高清晰动态画质的特性,加之便于收纳与安装的独特优势,可以取代传统显示器、投影仪。Mini LED有无源矩阵(passive matrix,PM)和有源矩阵(active matrix,AM)两种驱动方式,玻璃基直显一般采用AM驱动方式,同时为了保证器件稳定性,TFT(Thin Film Transistor)驱动器件有源层使用铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide,IGZO)。Mini直显COG(chip on glass)技术都需要封装工艺,固定LED芯片以及保护TFT和LED芯片。
如图1所示,在Mini直显工艺中,由于需要做cell test检测,显示面板的边缘处会设有检测区100,检测区100内会设置多条用于测试的金属走线200以及多个测试焊盘300,多条金属走线200的一端与测试焊盘300连接,多条金属走线200的另一端与显示区A的信号线(未标示)连接。待cell test检测结束后会沿切割线400对检测区100的测试焊盘300以及金属走线200进行切除,这会使得金属走线200在面板侧面露出,而金属走线200直接接触水汽和氧气,容易导致线路腐蚀。
因此,有必要提供一种技术方案以解决上述问题。
发明内容
本发明提供一种显示装置及其制作方法,能够解决现有的显示面板由于金属走线裸露而导致线路腐蚀的问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明实施例提供一种显示装置,包括:
驱动基板,包括显示区以及位于所述显示区至少一侧的非显示区,所述非显示区设置有金属走线,且所述金属走线自所述显示区延伸至所述驱动基板的边界处;
LED芯片,设置在所述驱动基板的显示区内;
电路板,绑定至所述驱动基板的非显示区;以及
封装层,包裹并密封所述驱动基板、所述LED芯片以及所述电路板;
其中,所述金属走线位于所述驱动基板边界处的一端与所述封装层的内表面接触。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述封装层包括第一封装层,所述第一封装层包裹所述驱动基板、所述LED芯片以及所述电路板,所述第一封装层包括位于所述LED芯片背向所述驱动基板一侧的第一面、位于所述驱动基板背向所述LED芯片一侧的第二面、以及连接所述第一面与所述第二面的侧面,所述第一面、所述第二面以及所述侧面形成密封包围圈。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述显示装置还包括第二封装层,所述第二封装层密封于所述第一封装层的内部,且所述第二封装层位于所述第一面与所述驱动基板之间,并覆盖所述LED芯片。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述封装层还包括第二封装层,所述第二封装层位于所述第一面背向所述LED芯片的一侧。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述第二封装层包括层叠设置的粘结层、阻隔层以及支撑层,所述阻隔层位于所述粘结层背向所述LED芯片的一侧,所述支撑层位于所述阻隔层背向所述LED芯片的一侧。
可选的,在本发明的一些实施例中,当所述第二封装层位于所述第一封装层的内部时,所述粘结层覆盖所述LED芯片,且所述粘结层的厚度大于或等于所述LED芯片的厚度;
所述粘结层的材料为光学胶,所述阻隔层的材料包括三氧化二铝、氮化硅和氧化硅中的至少一种,所述支撑层的材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种。
可选的,在本发明的一些实施例中,当所述第二封装层位于所述第一面背向所述LED芯片的一侧时,所述显示装置还包括第三封装层,所述第三封装层密封于所述第一封装层的内部,位于所述第一面与所述驱动基板之间,并且覆盖所述LED芯片;
其中,所述第三封装层的材料为环氧树脂或硅胶。
本发明实施例还提供一种显示装置的制作方法,包括以下步骤:
提供一驱动基板,所述驱动基板包括显示区以及位于所述显示区至少一侧的非显示区,所述非显示区设置有金属走线,且所述金属走线自所述显示区延伸至所述驱动基板的边界处;
将LED芯片焊接至所述驱动基板的显示区内;
将电路板绑定至所述驱动基板的非显示区;
在所述驱动基板、所述LED芯片以及所述电路板上形成封装层,所述封装层包裹并密封所述驱动基板、所述LED芯片以及所述电路板;
其中,所述金属走线位于所述驱动基板边界处的一端与所述封装层的内表面接触。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述非显示区设有绑定区,所述电路板与所述驱动基板在所述绑定区绑定,所述封装层包括第一封装层和第二封装层;
其中,在将电路板绑定至所述驱动基板的非显示区之前,所述制作方法还包括以下步骤:
在所述LED芯片以及所述驱动基板上形成第二封装层,所述第二封装层覆盖所述LED芯片并露出所述绑定区;
在所述LED芯片以及所述驱动基板上形成所述第二封装层之后,所述制作方法包括以下步骤:
采用派瑞林真空镀膜工艺在所述驱动基板和所述电路板以及所述第二封装层的表面上形成第一封装层,所述第一封装层密封所述第二封装层、所述驱动基板、所述LED芯片和所述电路板。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述非显示区设有绑定区,所述电路板与所述驱动基板在所述绑定区绑定,所述封装层包括第一封装层、第二封装层和第三封装层;
其中,在将电路板绑定至所述驱动基板的非显示区之前,所述制作方法还包括以下步骤:
在所述LED芯片以及所述驱动基板上形成第三封装层,所述第三封装层覆盖所述LED芯片并露出所述绑定区;
在所述LED芯片以及所述驱动基板上形成所述第三封装层之后,所述制作方法包括以下步骤:
采用派瑞林真空镀膜工艺在所述驱动基板和所述电路板以及所述第三封装层的表面形成第一封装层,所述第一封装层密封所述第三封装层、所述驱动基板、所述LED芯片和所述电路板;
在所述第一封装层制作完成后,所述制作方法还包括以下步骤:
所述第一封装层包括位于所述LED芯片背向所述驱动基板一侧的第一面,在所述第一封装层的第一面上形成第二封装层,所述第二封装层覆盖所述第一面。
本发明的有益效果为:本发明提供的显示装置及其制作方法,在将LED芯片焊接在驱动基板上,并且将电路板绑定在所述驱动基板上之后,通过进行派瑞林真空镀膜形成包裹并密封所述驱动基板、所述LED芯片以及所述电路板的第一封装层,从而防止显示装置的金属走线裸露而导致线路腐蚀。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中待检测的显示面板的平面示意图;
图2是本发明实施例一提供的显示装置的剖面示意图;
图3是本发明实施例一提供的驱动基板的平面示意图;
图4是本发明实施例一提供的显示装置的制作方法流程图;
图5A-5D是本发明实施例一提供的显示装置的制作过程示意图;
图6是本发明实施例二提供的显示装置的剖面示意图;
图7是本发明实施例二提供的显示装置的制作方法流程图;
图8是本发明实施例三提供的显示装置的剖面示意图;
图9是本发明实施例三提供的显示装置的制作方法流程图;
图10A-10D是本发明实施例三提供的显示装置的制作过程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。在本发明中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
请参阅图2、图3、图6和图8,本发明实施例提供一种显示装置,所述显示装置包括驱动基板10、LED芯片20、电路板30以及封装层。
所述驱动基板10包括显示区AA以及位于所述显示区AA至少一侧的非显示区NA,所述非显示区NA设置有金属走线101,且所述金属走线101自所述显示区AA延伸至所述驱动基板10的边界处。所述LED芯片20设置在所述驱动基板10的显示区AA内。所述电路板30绑定至所述驱动基板10的非显示区NA。所述封装层包裹并密封所述驱动基板10、所述LED芯片20以及所述电路板30,所述金属走线101位于所述驱动基板10边界处的一端与所述封装层的内表面相接触。
本发明实施例还提供一种显示装置的制作方法,包括以下步骤:
步骤1,提供一驱动基板,所述驱动基板包括显示区以及位于所述显示区至少一侧的非显示区,所述非显示区设置有金属走线,且所述金属走线自所述显示区延伸至所述驱动基板的边界处;
步骤2,将LED芯片焊接至所述驱动基板的显示区内;
步骤3,将电路板绑定至所述驱动基板的非显示区;
步骤4,在所述驱动基板、所述LED芯片以及所述电路板上形成封装层,所述封装层包裹并密封所述驱动基板、所述LED芯片以及所述电路板;
其中,所述金属走线位于所述驱动基板边界处的一端与所述封装层的内表面接触。
本发明实施例提供的显示装置及其制作方法,在将所述LED芯片20焊接在所述驱动基板10上,并且将所述电路板30绑定在所述驱动基板10上之后,通过真空镀膜形成包裹并密封所述驱动基板10、所述LED芯片20以及所述电路板30的封装层,封装层的材质具有优异的防水性能,从而防止所述显示装置的金属走线101裸露而导致线路腐蚀。
以下结合具体实施例对本发明的显示装置及其制作方法进行详细描述,具体阐述如下。
请参阅图2-图3,图2是本发明实施例一提供的显示装置的剖面示意图,图3是本发明实施例一提供的驱动基板的平面示意图。所述显示装置包括驱动基板10、LED芯片20、电路板30、封胶50以及封装层,所述封装层包括第一封装层40。其中,所述驱动基板10包括显示区AA以及位于所述显示区AA外围的非显示区NA,所述非显示区NA内设有绑定区C,且所述绑定区C靠近所述驱动基板10的边缘设置。所述驱动基板10的显示区AA内设有多条信号线(未标示),所述驱动基板10的非显示区NA设有多条金属走线101,每条所述金属走线101的一端与对应的一条所述信号线连接,每条所述金属走线101的相对另一端延伸至所述驱动基板10的边界处。
其中,多条所述金属走线101可以包括多条第一金属走线1011、多条第二金属走线1012以及多个绑定端子1013。多个所述绑定端子1013排布在所述绑定区C内,每条所述第一金属走线1011的一端与对应的所述信号线电连接,每条所述第一金属走线1011的相对另一端与对应的所述绑定端子1013电连接。多条所述第二金属走线1012用于显示装置的celltest检测,所述第二金属走线1012还可以根据实际需求设置在所述显示区AA的左侧和/或右侧,此处不做限制。
可以理解的是,所述驱动基板10上还包括用于驱动所述LED芯片20发光的驱动电路。
所述LED芯片20可以包括用于发射红光的红色LED芯片、用于发射绿光的绿色LED芯片以及用于发射蓝光的蓝色LED芯片。所述LED芯片20通过焊料焊接在所述驱动基板10的显示区AA内,并与对应的驱动电路电连接。其中,所述LED芯片20可以为Mini LED芯片、Micro LED芯片或其他类型的LED芯片。
所述电路板30可以为覆晶薄膜、柔性电路板或印刷电路板。所述电路板30与所述驱动基板10在所述绑定区C通过所述绑定端子1013绑定。
所述封胶50为常规的用于LED芯片封装的封胶,例如环氧树脂或硅胶。所述封胶50覆盖所述LED芯片20,且露出所述绑定区C,以便所述电路板30与所述驱动基板10电连接。由于所述金属走线101延伸至所述驱动基板10的边缘,以及所述封胶50需要避开所述绑定区C设置,因此所述封胶50不能完全覆盖住所述金属走线101,导致所述金属走线101的局部区域被裸露。
所述第一封装层40包括位于所述LED芯片20背向所述驱动基板10一侧的第一面40a、位于所述驱动基板10背向所述LED芯片20一侧的第二面40b、以及连接所述第一面40a与所述第二面40b的侧面40c,所述第一面40a、所述第二面40b以及所述侧面40c形成密封包围圈,用以密封所述驱动基板10、所述LED芯片20、所述封胶50以及所述电路板30。其中,所述第一封装层40的侧面40c紧贴所述显示装置的侧面设置,具体所述第一封装层40的侧面40c可根据所述显示装置的侧面的实际形貌由一个或多个面形成的连续膜层,如图2中右侧的所述侧面40c是由多个面形成的连续膜层。
进一步的,所述第一封装层40的材料为对二苯聚合物材料,即派瑞林(parylene)材料。所述第一封装层40用于阻断水分和气体。具体地,形成所述第一封装层40的派瑞林材料可包括聚对二甲苯-N(parylene-N)、聚对二甲苯-C(parylene-C)、聚对二甲苯-D(parylene-D)和聚对二甲苯-HT(parylene-HT)中的至少一种。其中,优选的是具有低气体渗透性的聚对二甲苯-C(parylene-C)或聚对二甲苯-D(parylene-D)。
进一步的,所述第一封装层40的厚度范围为10微米~30微米,示例性的,所述第一封装层40的厚度范围为10微米、15微米、20微米、25微米或30微米。
本实施例通过设置完全包裹所述驱动基板10、所述LED芯片20、所述电路板30以及所述封胶50的所述第一封装层40,所述第一封装层40为密闭的密封包围圈,其透湿性(Water Vapor Transmission Rate,WVTR)较佳,WVTR<1*10-2g/m2*24h,可以很好的防止所述显示装置的金属走线101裸露而导致线路腐蚀。另外,当所述显示装置应用于拼接屏时,由于所述第一封装层40的厚度较薄,可以不影响所述显示装置的拼接。
请参阅图4和图5A-图5D,本发明还提供一种上述实施例一中的显示装置的制作方法,所述方法包括以下步骤:
步骤101,提供一驱动基板10。
其中,所述驱动基板10具体结构请参照上文中的描述,此处不再赘述。
步骤102,如图5A所示,将LED芯片20焊接至所述驱动基板10的显示区AA内。
其中,所述LED芯片20的焊接方式可以选择常规工艺,此处不再赘述。
步骤103,如图5B所示,在所述LED芯片20上制作封胶50。
其中,所述封胶50用于封装所述LED芯片20,所述封胶50在所述驱动基板10上的正投影覆盖所述显示区,且所述封胶50露出所述绑定区C。
步骤104,如图5C所示,将电路板30绑定至所述驱动基板10的所述绑定区C。
步骤105,如图5D所示,在所述驱动基板10、所述封胶50以及所述电路板30的表面形成第一封装层40,所述第一封装层40包裹并密封所述驱动基板10、所述LED芯片20、所述封胶50以及所述电路板30。
其中,所述第一封装层40的制作使用派瑞林真空镀膜工艺,所述第一封装层40制作完成后,原本裸露于外界的金属走线101(如图5C中所示)的裸露部分能够被所述第一封装层40所覆盖。采用上述方法制作的所述显示装置封装性能良好,可以防止所述显示装置的金属走线裸露而导致线路腐蚀,并且还可以增强对所述LED芯片20的封装效果。
请参阅图6,图6是本发明实施例二提供的显示装置的剖面示意图。本实施例提供的显示装置与上述实施例一提供的显示装置的结构相似,区别仅在于:本实施例的显示装置的封装层还包括第二封装层60,所述第二封装层60位于所述第一封装层40的第一面40a背向所述LED芯片20的一侧。
其中,所述第二封装层60包括层叠设置的粘结层601、阻隔层602以及支撑层603,所述阻隔层602位于所述粘结层601背向所述LED芯片20的一侧,所述支撑层603位于所述阻隔层602背向所述LED芯片20的一侧。所述粘结层601与所述第一面40a粘合。
所述粘结层601的材料为光学胶(Optically Clear Adhesive,OCA),所述光学胶的厚度为25微米~500微米,具体可根据实际情况选择所述光学胶的厚度。
所述阻隔层602的材料包括三氧化二铝、氮化硅和氧化硅中的至少一种,厚度可以为500埃~10000埃,具体可根据实际情况而定。所述阻隔层602具有优异的防水汽性能。
所述支撑层603的材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的至少一种。所述支撑层603的厚度可以为25微米~100微米,例如可以为30微米、50微米、70微米或90微米,具体可根据实际情况而定。
其中,所述第二封装层60在所述驱动基板10上的正投影至少覆盖所述显示区,所述第二封装层60的防护水汽性能较强,其透湿性WVTR<1*10-4g/m2*24h,可以有效防止水汽从显示装置的正面侵入显示装置的内部。进一步的,所述第二封装层60在所述驱动基板10上的正投影覆盖所述封胶50在所述驱动基板10上的正投影。
本实施例的显示装置的其他结构与上述实施例一的显示装置的结构相同,具体请参照上述实施例一中的描述,此处不再赘述。
在本实施例的显示装置中,所述封胶50可作为第三封装层,用于封装所述LED芯片20,在此基础上设置所述第一封装层40和所述第二封装层60,所述第三封装层密封于所述第一封装层40的内部,并且位于所述第一封装层40的第一面40a与所述驱动基板10之间,本实施例的显示装置不仅可以进一步增强对所述LED芯片20的封装效果,而且还可以对所述显示装置上的金属走线进行防护,尤其是可以对显示装置侧面裸露的金属走线进行有效防护,提升显示装置的信赖性。
请参阅图5A-图5D、图6和图7,本发明还提供一种上述实施例二的显示装置的制作方法,该制作方法与上述实施例一中的显示装置的制作方法相似,即本实施例的制作方法包括上述步骤101-步骤105,具体请参照上文中的描述,此处不再赘述;区别仅在于:本实施例的显示装置的制作方法在上述步骤105之后还包括以下步骤:
步骤106,在所述第一封装层40的第一面40a上形成第二封装层60,所述第二封装层60覆盖所述第一面40a。
以此完成本实施例的显示装置的制作。其中,所述第二封装层60包括层叠设置的粘结层601、阻隔层602以及支撑层603,所述粘结层601的材料为光学胶,所述阻隔层602的材料包括三氧化二铝、氮化硅和氧化硅中的至少一种,所述支撑层603的材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种;所述第三封装层的材料为环氧树脂和/或硅胶。
请参阅图3和图8,图8是本发明实施例三提供的显示装置的剖面示意图。本实施例提供的显示装置与上述实施例一提供的显示装置的结构相似,区别仅在于:本实施例的显示装置采用第二封装层60代替传统的封胶(第三封装层)50,所述第二封装层60密封于所述第一封装层40的内部,且所述第二封装层60位于所述第一封装层40的第一面40a与所述驱动基板10之间,用于封装所述LED芯片20。所述驱动基板10的非显示区NA设有绑定区C,所述电路板30与所述驱动基板10在所述绑定区C绑定,所述第二封装层60覆盖所述LED芯片20并露出所述绑定区C。其中,所述第二封装层60的具体结构请参照上述实施例二中的描述,此处不再赘述。
其中,所述粘结层601覆盖所述LED芯片20,且所述粘结层601的厚度大于或等于所述LED芯片20的厚度。
进一步的,所述粘结层601的厚度为25微米~500微米,可根据使用LED芯片20的大小不同,选择相应的所述粘结层601的厚度。例如,micro-LED芯片所述粘结层601的厚度为25微米~50微米,mini-LED芯片所述粘结层601的厚度为300微米~500微米。
本实施例的显示装置的其他结构与上述实施例一的显示装置的结构相同,具体请参照上述实施例一中的描述,此处不再赘述。
本实施例中,所述第二封装层60中的粘结层(光学胶)601代替传统的封胶材料,由于所述第二封装层60防护水汽能力较强,光学胶只需要具有填平段差的功能,不需要考虑防水氧能力。在所述第二封装层60贴合之后,进行派瑞林真空镀膜形成能够对绑定后的显示装置进行完全包裹的第一封装层40,从而对侧面金属走线也进行防护。同时,所述第一封装层40和所述第二封装层60的防水性能都较佳,并且膜厚较薄,在实现信赖性改善的基础上同时保证较好的拼接效果。
需要说明的是,传统的封装方式一般包括胶膜模压、液态胶模压以及喷涂等方式,采用的材料包括环氧树脂和硅胶。但是这两种材料都有很多问题,环氧树脂材料的接着力较好,交联密度较高,透湿性表现较好,可以较好的阻挡水汽进入器件,保证器件在做高温高湿测试中可以保持较好的信赖性。但是环氧树脂材料有一个比较大的缺陷,高温或者短波长的光照射,会产生黄化的问题,从而影响产品的光学品味,影响显示效果。硅胶材料可以耐高温和耐短波长的光照射,不会出现黄化问题,但是硅胶材料也有明显的缺点,硅胶材料的接着力比较差,容易和界面剥离,同时硅胶的交联密度相对环氧树脂材料小很多,透湿性表现较差,不能很好的阻挡水汽进入器件,导致高温高湿测试容易失效。
申请人通过实验对作为封装材料的环氧树脂、硅胶以及光学胶在各参数性能上进行了比较,具体如表1所示:
表1
Figure BDA0003799336630000111
Figure BDA0003799336630000121
由上表可知,本实施例采用光学胶代替传统的环氧树脂和硅胶作为封装材料,具有内应力低、翘曲小、附着力较好、防水性能优异以及耐老化性能优异的效果。虽然所述第二封装层60中的光学胶在硬度和刚性方面不及环氧树脂,但是所述第二封装层60中的支撑层603具有良好的硬度和刚性,能够起到较好的保护效果。
请参阅图9和图10A-图10D,本发明实施例还提供一种实施例三的显示装置的制作方法,所述方法包括以下步骤:
步骤101’,提供一驱动基板10。
其中,所述驱动基板10具体结构请参照上文中的描述,此处不再赘述。
步骤102’,如图10A所示,将LED芯片20焊接至所述驱动基板10的显示区AA内。
步骤103’,如图10B所示,在所述LED芯片20以及所述驱动基板10上形成第二封装层60,所述第二封装层60覆盖所述LED芯片20并露出所述绑定区C。
步骤104’,如图10C所示,将电路板30绑定至所述驱动基板10的所述绑定区C。
步骤105’,如图10D所示,在所述驱动基板10和所述电路板30以及所述第二封装层60的表面形成第一封装层40,所述第一封装层40密封所述第二封装层60、所述驱动基板10、所述LED芯片20和所述电路板30。
至此完成本实施例的显示装置的制作,其中,所述第一封装层40的制作工艺可采用派瑞林真空镀膜工艺。
本发明的显示装置可以为Mini LED显示装置、Micro LED显示装置或其他类型的LED显示装置。另外,本发明的显示装置可以应用于手机、电视、平板、智能穿戴设备等电子产品中。
以上对本发明实施例进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种显示装置,其特征在于,包括:
驱动基板,包括显示区以及位于所述显示区至少一侧的非显示区,所述非显示区设置有金属走线,且所述金属走线自所述显示区延伸至所述驱动基板的边界处;
LED芯片,设置在所述驱动基板的显示区内;
电路板,绑定至所述驱动基板的非显示区;以及
封装层,包裹并密封所述驱动基板、所述LED芯片以及所述电路板;
其中,所述金属走线位于所述驱动基板边界处的一端与所述封装层的内表面接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述封装层包括第一封装层,所述第一封装层包裹所述驱动基板、所述LED芯片以及所述电路板,所述第一封装层包括位于所述LED芯片背向所述驱动基板一侧的第一面、位于所述驱动基板背向所述LED芯片一侧的第二面、以及连接所述第一面与所述第二面的侧面,所述第一面、所述第二面以及所述侧面形成密封包围圈。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述封装层还包括第二封装层,所述第二封装层密封于所述第一封装层的内部,且所述第二封装层位于所述第一面与所述驱动基板之间,并覆盖所述LED芯片。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述封装层还包括第二封装层,所述第二封装层位于所述第一面背向所述LED芯片的一侧。
5.根据权利要求3或4所述的显示装置,其特征在于,所述第二封装层包括层叠设置的粘结层、阻隔层以及支撑层,所述阻隔层位于所述粘结层背向所述LED芯片的一侧,所述支撑层位于所述阻隔层背向所述LED芯片的一侧。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,当所述第二封装层位于所述第一封装层的内部时,所述粘结层覆盖所述LED芯片,且所述粘结层的厚度大于或等于所述LED芯片的厚度;
所述粘结层的材料为光学胶,所述阻隔层的材料包括三氧化二铝、氮化硅和氧化硅中的至少一种,所述支撑层的材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,当所述第二封装层位于所述第一面背向所述LED芯片的一侧时,所述显示装置还包括第三封装层,所述第三封装层密封于所述第一封装层的内部,位于所述第一面与所述驱动基板之间,并且覆盖所述LED芯片;
其中,所述第三封装层的材料为环氧树脂或硅胶。
8.一种显示装置的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一驱动基板,所述驱动基板包括显示区以及位于所述显示区至少一侧的非显示区,所述非显示区设置有金属走线,且所述金属走线自所述显示区延伸至所述驱动基板的边界处;
将LED芯片焊接至所述驱动基板的显示区内;
将电路板绑定至所述驱动基板的非显示区;
在所述驱动基板、所述LED芯片以及所述电路板上形成封装层,所述封装层包裹并密封所述驱动基板、所述LED芯片以及所述电路板;
其中,所述金属走线位于所述驱动基板边界处的一端与所述封装层的内表面接触。
9.根据权利要求8所述的显示装置的制作方法,其特征在于,所述非显示区设有绑定区,所述电路板与所述驱动基板在所述绑定区绑定,所述封装层包括第一封装层和第二封装层;
其中,在将电路板绑定至所述驱动基板的非显示区之前,所述制作方法还包括以下步骤:
在所述LED芯片以及所述驱动基板上形成第二封装层,所述第二封装层覆盖所述LED芯片并露出所述绑定区;
在所述LED芯片以及所述驱动基板上形成所述第二封装层之后,所述制作方法包括以下步骤:
采用派瑞林真空镀膜工艺在所述驱动基板和所述电路板以及所述第二封装层的表面形成第一封装层,所述第一封装层密封所述第二封装层、所述驱动基板、所述LED芯片和所述电路板。
10.根据权利要求8所述的显示装置的制作方法,其特征在于,所述非显示区设有绑定区,所述电路板与所述驱动基板在所述绑定区绑定,所述封装层包括第一封装层、第二封装层和第三封装层;
其中,在将电路板绑定至所述驱动基板的非显示区之前,所述制作方法还包括以下步骤:
在所述LED芯片以及所述驱动基板上形成第三封装层,所述第三封装层覆盖所述LED芯片并露出所述绑定区;
在所述LED芯片以及所述驱动基板上形成所述第三封装层之后,所述制作方法包括以下步骤:
采用派瑞林真空镀膜工艺在所述驱动基板和所述电路板以及所述第三封装层的表面形成第一封装层,所述第一封装层密封所述第三封装层、所述驱动基板、所述LED芯片和所述电路板;
在所述第一封装层制作完成后,所述制作方法还包括以下步骤:
所述第一封装层包括位于所述LED芯片背向所述驱动基板一侧的第一面,在所述第一封装层的第一面上形成第二封装层,所述第二封装层覆盖所述第一面。
CN202210981648.6A 2022-08-16 2022-08-16 显示装置及其制作方法 Pending CN115513222A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210981648.6A CN115513222A (zh) 2022-08-16 2022-08-16 显示装置及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210981648.6A CN115513222A (zh) 2022-08-16 2022-08-16 显示装置及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115513222A true CN115513222A (zh) 2022-12-23

Family

ID=84502582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210981648.6A Pending CN115513222A (zh) 2022-08-16 2022-08-16 显示装置及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115513222A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20070018191A1 (en) Side view LED with improved arrangement of protection device
US20060121184A1 (en) Photocurable-resin application method and bonding method
US20080093725A1 (en) Semiconductor package preventing warping and wire severing defects, and method of manufacturing the semiconductor package
JP2010141295A (ja) 基板上シュリンクパッケージ
US6784534B1 (en) Thin integrated circuit package having an optically transparent window
TWI648848B (zh) 光學元件封裝結構
TW201304212A (zh) 發光裝置及其製造方法
US20090166831A1 (en) Sensor semiconductor package and method for fabricating the same
TW200822315A (en) Sensor type semiconductor package and fabrication method thereof
KR20160001169A (ko) 마킹층을 포함하는 반도체 패키지
TW201633468A (zh) 封裝模組及其基板結構
CN115513222A (zh) 显示装置及其制作方法
US20060081833A1 (en) Package structure of light-emitting device
JP3065753B2 (ja) 半導体集積回路ベアチップの樹脂封止方法、半導体装置
US10831073B1 (en) Liquid crystal on silicon display and a method of forming the same
TW201330220A (zh) 具凹槽之封裝結構及其製造方法
CN112234093A (zh) 显示屏模组的制造方法、显示屏模组和电子装置
CN219553662U (zh) 一种发光装置
CN114973979B (zh) 显示模组及显示装置
US20080277770A1 (en) Semiconductor device
WO2020037719A1 (zh) 倒装式发光二极管封装模块及其制造方法
KR102511747B1 (ko) Led 패키지, 상기 led 패키지에 실장되는 반도체 칩 및 그의 제조 방법
CN217009196U (zh) Cis芯片封装
US20240136376A1 (en) Chip package structure and method for fabricating the same
KR19980025890A (ko) 리드 프레임을 이용한 멀티 칩 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination