CN219553662U - 一种发光装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种发光装置,包括基板、发光器件、覆盖窗以及密封组件,基板具有向上表面开口的凹部,发光器件收纳在凹部中,覆盖窗覆盖凹部的开口,密封组件用于将基板与覆盖窗之间进行密封,其中,密封组件包括位于覆盖窗与基板的上表面之间的第一粘合层以及围绕覆盖窗设置且与覆盖窗的四边粘合的第二粘合层;本实用新型提供的发光装置通过将第二粘合层围绕覆盖窗设置且与覆盖窗的四边粘合,以使第二粘合层完全粘合第一粘合层、覆盖窗以及基板三者形成的交界面,从而提高了发光装置的气密性,避免外部的水汽容易通过上述交界面渗透至发光装置的产品内部,进而避免影响发光器件的发光性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体光电领域,尤其涉及一种发光装置。
背景技术
近年来,输出波长更短的深紫外光的发光元件的开发正在被推进。因深紫外光具有较高的杀菌能力,所以能够输出深紫外光的半导体发光元件作为在医疗或食品加工现场的无水银的杀菌用光源而受到瞩目。目前,基于深紫外光的发光元件的封装结构主要是在具有凹槽的封装支架的上表面涂覆粘接胶,然后盖上覆盖窗,使封装支架与覆盖窗之间共同围成封闭的容纳空间,以使该容纳空间放置发光元件。然而,上述基于深紫外光发光元件的封装产品的气密性较差,外部的水汽容易渗透封装产品内部,进而影响发光元件的发光性能。
因此,亟需一种发光装置以解决上述技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,提供一种发光装置,用于改善现有技术的基于深紫外光发光元件的封装产品的气密性较差的技术问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种发光装置,包括基板、发光器件、覆盖窗以及密封组件,基板具有向上表面开口的凹部,发光器件收纳在凹部中,覆盖窗覆盖凹部的开口,密封组件用于将基板与覆盖窗之间进行密封;
其中,密封组件包括位于覆盖窗与基板的上表面之间的第一粘合层以及围绕覆盖窗设置且与覆盖窗的四边粘合的第二粘合层。
在本实用新型实施例提供的发光装置中,第二粘合层的粘度小于或者等于第一粘合层的粘度。
在本实用新型实施例提供的发光装置中,第二粘合层在基板上的正投影为矩形框型或者圆环型。
在本实用新型实施例提供的发光装置中,第一粘合层在覆盖窗上的正投影为位于覆盖窗内;
其中,第二粘合层设置于基板的上表面且与第一粘合层粘合,第二粘合层的厚度小于覆盖窗的厚度。
在本实用新型实施例提供的发光装置中,第二粘合层设置于第一粘合层上,第二粘合层与第一粘合层的厚度之和小于覆盖窗的厚度。
在本实用新型实施例提供的发光装置中,第二粘合层的厚度由靠近覆盖窗的一侧向远离覆盖窗的一侧梯度递减。
在本实用新型实施例提供的发光装置中,第二粘合层的粘度由靠近覆盖窗的一侧向远离覆盖窗的一侧梯度递减。
在本实用新型实施例提供的发光装置中,覆盖窗的热膨胀系数小于基板的热膨胀系数。
在本实用新型实施例提供的发光装置中,发光器件为输出深紫外光的发光元件。
在本实用新型实施例提供的发光装置中,基板包括底板以及位于底板边沿上的围坝,围坝为直角梯形结构,且围坝朝向发光器件的一面为斜面;
其中,底板还包括电路层,电路层用于将发光器件与外部电路电连接。
本实用新型的有益效果是:区别于现有技术的情况,本实用新型提供了一种发光装置,包括基板、发光器件、覆盖窗以及密封组件,基板具有向上表面开口的凹部,发光器件收纳在凹部中,覆盖窗覆盖凹部的开口,密封组件用于将基板与覆盖窗之间进行密封,其中,密封组件包括位于覆盖窗与基板的上表面之间的第一粘合层以及围绕覆盖窗设置且与覆盖窗的四边粘合的第二粘合层;本实用新型提供的发光装置通过将第二粘合层围绕覆盖窗设置且与覆盖窗的四边粘合,以使第二粘合层完全粘合第一粘合层、覆盖窗以及基板三者形成的交界面,从而提高了发光装置的气密性,避免外部的水汽容易通过上述交界面渗透至发光装置的产品内部,进而避免影响发光器件的发光性能。
附图说明
图1是本实用新型实施例所提供的发光装置的截面结构示意图;
图2是本实用新型实施例所提供的发光装置的俯视图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,均属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1至图2,实用新型提供了一种发光装置100,包括基板10、发光器件20、覆盖窗30以及密封组件40,基板10具有向上表面开口的凹部101,发光器件20收纳在凹部101中,覆盖窗30覆盖凹部101的开口,密封组件40用于将基板10与覆盖窗30之间进行密封;
其中,密封组件40包括位于覆盖窗30与基板10的上表面之间的第一粘合层41以及围绕覆盖窗30设置且与覆盖窗30的四边粘合的第二粘合层42。
本实用新型提供的发光装置100通过将第二粘合层42围绕覆盖窗30设置且与覆盖窗30的四边粘合,以使第二粘合层42完全粘合第一粘合层41、覆盖窗30以及基板10三者形成的交界面,从而提高了发光装置100的气密性,避免外部的水汽容易通过上述交界面渗透至发光装置100的产品内部,进而避免影响发光器件20的发光性能。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图1,图1是本实用新型实施例所提供的发光装置100的截面结构示意图;其中,发光装置100包括基板10、发光器件20、覆盖窗30以及密封组件40,基板10具有向上表面开口的凹部101,发光器件20收纳在凹部101中,覆盖窗30覆盖凹部101的开口,密封组件40用于将基板10与覆盖窗30之间进行密封;
其中,密封组件40包括位于覆盖窗30与基板10的上表面之间的第一粘合层41以及围绕覆盖窗30设置且与覆盖窗30的四边粘合的第二粘合层42。
在本实用新型实施例中,基板10包括底板11以及位于底板11边沿上的围坝12,围坝12为直角梯形结构,且围坝12朝向发光器件20的一面为斜面;
其中,底板11还包括基底111以及电路层112,电路层112用于将发光器件20与外部电路电连接。
具体地,基底111为包含氧化铝或氮化铝等的陶瓷材料,并且是所谓的高温共烧陶瓷多层材料,或者基底111为环氧塑胶材料。
在本实用新型实施例中,当围坝12的材料与基底111的材料相同时,围坝12与基底111一体成型;当围坝12的材料与基底111的材料不同时,围坝12与基底111一体成型;当围坝12的材料与基底111的材料不同时,围坝12为不透光材料制成。
进一步地,围坝12的材质包括第一绝缘材料以及第一金属材料中的任意一种,第一绝缘陶瓷材料包括氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷中的任意一种,第一金属材料包括铁、铝、镍、锌、金以及银中的至少一种。
进一步地,基板10的上表面上设置有用于收纳发光器件20的凹部101。凹部101的底面上设置有用于安装发光器件20的电路层112,电路层112用于将发光器件20与外部电路电连接。
在本实用新型实施例中,电路层112材料包括锡、锡铅合金、锡铋合金、锡锑合金、锡银铜合金以及锡银合金中的任意一种。
在本实用新型实施例中,发光器件20为构成为发出中心波长λ约在360nm以下的深紫外光发光二极管芯片。为输出上述波长的深紫外光,发光器件20由禁带宽度约为3.4eV以上的氮化铝镓(AlGaN)系半导体材料构成。在本实施方式中尤其示出发出中心波长λ约为240nm~350nm的深紫外光的情形。
在本实用新型实施例中,覆盖窗30为设置为覆盖凹部101的开口的板状保护部件。覆盖窗30由透过发光器件20输出的紫外光的材料构成,例如可使用玻璃、石英、水晶、蓝宝石等构成的透镜。覆盖窗30特别优选为由深紫外光的透射率高,耐热性以及气密性高的材料构成,优选为由比基板10的热膨胀系数小的材料构成。作为具备上述特性的材料,优选将石英玻璃用于覆盖窗30。发光器件20发出的紫外光经由覆盖窗30从覆盖窗30的外表面被输出到封装的外部。
在本实用新型实施例中,密封组件40包括位于覆盖窗30与基板10的上表面之间的第一粘合层41以及围绕覆盖窗30设置且与覆盖窗30的四边粘合的第二粘合层42。
需要说明的是,第一粘合层41与第二粘合层42的材料可以是同一种材料,材料的种类可以为有机高分子粘合材料或者金属焊接材料。其中,第一粘合层41与第二粘合层42的材料可以选用AB硅胶,AB硅胶是有由乙烯基单体加入二氧化硅等助剂由AB两组分1:1比例由注射成型机注射出各种硅胶产品为注射成型硅胶。
请参阅图1以及图2,图2是本实用新型实施例所提供的发光装置100的俯视图;其中,第二粘合层42在基板10上的正投影为矩形框型。
在本实用新型的另一种实施例中,第二粘合层42在基板10上的正投影为圆环型;第二粘合层42在基板10上的正投影形状主要由第二粘合层42的粘度决定,第二粘合层42的粘度越大,第二粘合层42越不容易流动。
进一步地,第二粘合层42的粘度小于或者等于第一粘合层41的粘度。这样设计主要是因为第一粘合层41位于基板10与覆盖窗30之间,第一粘合层41用于将覆盖窗30固定于基板10的上表面上,防止外界拉力导致覆盖窗30发生偏移。
其中,第一粘合层41通过点胶工艺涂布于基板10的上表面;当第一粘合层41涂覆过多时,会溢到基板10内部,影响产品的性能;当第一粘合层41涂覆过少时,粘接性差,容易导致覆盖窗30相对于基板10发生偏移。
在本实用新型提供的一种实施例中,第一粘合层41在覆盖窗30上的正投影为位于覆盖窗30内,这样设置可以避免第一粘合层41涂覆过多。
进一步地,第二粘合层42设置于基板10的上表面,第二粘合层42的厚度小于覆盖窗30的厚度;这样设计可以避免在涂覆第二粘合层42时,部分第二粘合层42的封胶材料溢出到覆盖窗30的上表面,从而影响覆盖窗30的出光性能。
在本实用新型提供的另一种实施例中,第二粘合层42设置于第一粘合层41上,第二粘合层42与第一粘合层41的厚度之和小于覆盖窗30的厚度;这样设计可以避免在涂覆第二粘合层42时,部分第二粘合层42的封胶材料溢出到覆盖窗30的上表面,从而影响覆盖窗30的出光性能。
在本实用新型提供的另一种实施例中,第二粘合层42的厚度由靠近覆盖窗30的一侧向远离覆盖窗30的一侧梯度递减;这样设计可以在靠近第一粘合层41、覆盖窗30以及基板10三者形成的交界面增加密封材料,从而提高了发光装置100的气密性,同时在远离第一粘合层41、覆盖窗30以及基板10三者形成的交界面减少第二密封材料,从而节省封装成本。
在本实用新型提供的另一种实施例中,第二粘合层42的粘度由靠近覆盖窗30的一侧向远离覆盖窗30的一侧梯度递减;这样设计可以在靠近第一粘合层41、覆盖窗30以及基板10三者形成的交界面增加密封材料的粘度,从而提高了发光装置100的气密性,同时在远离第一粘合层41、覆盖窗30以及基板10三者形成的交界面减少密封材料的粘度,从而有利于密封材料的流平。
综上,区别于现有技术的情况,本实用新型提供了一种发光装置100,包括基板10、发光器件20、覆盖窗30以及密封组件40,基板10具有向上表面开口的凹部101,发光器件20收纳在凹部101中,覆盖窗30覆盖凹部101的开口,密封组件40用于将基板10与覆盖窗30之间进行密封,其中,密封组件40包括位于覆盖窗30与基板10的上表面之间的第一粘合层41以及围绕覆盖窗30设置且与覆盖窗30的四边粘合的第二粘合层42;本实用新型提供的发光装置100通过将第二粘合层42围绕覆盖窗30设置且与覆盖窗30的四边粘合,以使第二粘合层42完全粘合第一粘合层41、覆盖窗30以及基板10三者形成的交界面,从而提高了发光装置100的气密性,避免外部的水汽容易通过上述交界面渗透至发光装置100的产品内部,进而避免影响发光器件20的发光性能。
需要说明的是,以上各实施例均属于同一实用新型构思,各实施例的描述各有侧重,在个别实施例中描述未详尽之处,可参考其他实施例中的描述。
以上实施例仅表达了本实用新型的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种发光装置,其特征在于,包括:
基板,其具有向上表面开口的凹部;
发光器件,其收纳在所述凹部中;
覆盖窗,其配置为覆盖所述凹部的开口;以及
密封组件,所述密封组件用于将所述基板与所述覆盖窗之间进行密封;
其中,所述密封组件包括位于所述覆盖窗与所述基板的上表面之间的第一粘合层以及围绕所述覆盖窗设置且与所述覆盖窗的四边粘合的第二粘合层。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述第二粘合层的粘度小于或者等于所述第一粘合层的粘度。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述第二粘合层在所述基板上的正投影为矩形框型或者圆环型。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述第一粘合层在所述覆盖窗上的正投影为位于所述覆盖窗内;
其中,所述第二粘合层设置于所述基板的上表面且与所述第一粘合层粘合,所述第二粘合层的厚度小于所述覆盖窗的厚度。
5.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述第二粘合层设置于所述第一粘合层上,所述第二粘合层与所述第一粘合层的厚度之和小于所述覆盖窗的厚度。
6.根据权利要求4或者5所述的发光装置,其特征在于,所述第二粘合层的厚度由靠近所述覆盖窗的一侧向远离所述覆盖窗的一侧梯度递减。
7.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述第二粘合层的粘度由靠近所述覆盖窗的一侧向远离所述覆盖窗的一侧梯度递减。
8.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述覆盖窗的热膨胀系数小于所述基板的热膨胀系数。
9.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述发光器件为输出深紫外光的发光元件。
10.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述基板包括底板以及位于所述底板边沿上的围坝,所述围坝为直角梯形结构,且所述围坝朝向所述发光器件的一面为斜面;
其中,所述底板还包括电路层,所述电路层用于将所述发光器件与外部电路电连接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202320345913.1U CN219553662U (zh) | 2023-02-24 | 2023-02-24 | 一种发光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202320345913.1U CN219553662U (zh) | 2023-02-24 | 2023-02-24 | 一种发光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN219553662U true CN219553662U (zh) | 2023-08-18 |
Family
ID=87730403
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202320345913.1U Active CN219553662U (zh) | 2023-02-24 | 2023-02-24 | 一种发光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN219553662U (zh) |
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