JPH06349813A - サブストレートを加熱する装置 - Google Patents

サブストレートを加熱する装置

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JPH06349813A
JPH06349813A JP6031194A JP3119494A JPH06349813A JP H06349813 A JPH06349813 A JP H06349813A JP 6031194 A JP6031194 A JP 6031194A JP 3119494 A JP3119494 A JP 3119494A JP H06349813 A JPH06349813 A JP H06349813A
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JP
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heating
lamp
substrate
chamber
light
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JP6031194A
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Bernhard Dr Cord
コルト ベルンハルト
Karl-Heinz Schuller
シュラー カール−ハインツ
Jaroslav Zejda
ツァイダ ヤロスラフ
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Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
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Leybold AG
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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/0033—Heating devices using lamps
    • H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
    • H05B3/0047—Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 透明、不透明いずれのサブストレートをも、
装置外部にガラス板を隔てて配置されたランプにより、
出来るだけ僅かの所要エンルギーをもって加熱できるよ
うにする。 【構成】 ガラス製のサブストレート３をランプ６，７
から放射される波長の短い光線で加熱するため、サブス
トレートの両側の受容部１４，１５内に加熱ディスク１
６，１７を配置する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チャンバ内でガラス板
の背後のサブストレート保持体に配置されたサブストレ
ートを、チャンバ外部のガラス板の背後に配置されたラ
ンプの光線により加熱する装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の装置は、たとえばＵＳ−Ａ−５
０４７６１１に記載されている。この装置により、集積
回路上の透明な絶縁層が、次のようにすることにより内
方から外方へ向かって硬化される。すなわち、光線によ
り先ず回路基板が加熱され、その熱が回路基板から外方
へ絶縁層を通って流れるようにするのである。ランプ
は、この装置の場合、放物面鏡の焦点に配置されている
ので、ランプからは平行の光束がガラス板を通過してサ
ブストレートへ達する。通常の白熱灯の場合、ら旋フィ
ラメントの白熱温度は２０００゜Ｋを超える値である。
光の放射の最大値は、その場合、約１．１〜１．４μｍ
の波長を有している。このような短い波長の光は、ガラ
ス板によりほとんど吸収されないので、僅かの吸収損失
で被加熱サブストレートまで達することができる。
【０００３】チャンバ内で不透明のサブストレートでは
なく、透明のサブストレートが、外部に配置された光源
により加熱される場合には、光線の波長を選定するさ
い、サブストレートによる光線の吸収率が最大となるよ
うに選定せねばならない。サブストレートが、たとえば
比較的長い波長の光を吸収する場合、たとえばランプの
白熱フィラメントの白熱温度を引き下げ、それによって
放射最大値を、より長い波長に移すことができる。しか
も、白熱温度をこのように引き下げることにより、放射
量は著しく低下するので、所望の効果、すなわちサブス
トレートの加熱速度を高める効果は達せられない。加え
て、光線をより長い波長にすることによって、光線はチ
ャンバを制限するガラス板に吸収される率が高いため、
熱損失の値が高い。それゆえ、透明なサブストレートを
コーティングする高真空のコーティング装置内には、そ
れに適するランプが真空チャンバ内に配置されるため、
真空チャンバの容積が不都合に大きなもとなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の根底をなす課
題は、冒頭に述べた形式の装置を次のように構成するこ
とにある。すなわち、透明、不透明いずれのサブストレ
ートをも、装置外部に、ガラス板の背後に配置されたラ
ンプにより、出来るだけ僅かの所要エネルギーをもって
装置内で加熱できるようにすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明によ
れば次のようにすることにより解決された。すなわち、
チャンバ内のガラス板とサブストレート保持体との間
に、ランプから放射される光線の波長域で高い吸収率
と、高いスペクトル放射率とを有する材料製の加熱ディ
スクを備えた受容部を設けるようにするのである。
【０００６】この装置により、透明なサブストレートを
加熱するさいには、サブストレートの前方で、この場合
に用いられる加熱ディスクを介して短い波長の光が長い
波長の光に変換される。これは、加熱ディスクが短い波
長の光を吸収して、加熱され、長い波長の光を放出する
からである。たとえばランプのタングステン線のら旋フ
ィラメントが、２０００゜Ｋの温度で、１．１〜１．３
μｍの光を放射する場合、加熱ディスクの配置及び構成
は次のようにする。すなわち、加熱ディスクが約１００
０゜Ｋに加熱されることによって、１．１μｍで透明の
サブストレートを加熱するのに十分な長い波長の光を放
射するようにするのである。
【０００７】本発明による装置を用いて、短い波長
（１．１μｍ以下）の光の場合に最大吸収率を有するサ
ブストレート、たとえばアルミニウム製又はシリコン製
のディスクを加熱でき、引続きハードディスクとしてコ
ーティングする場合には、簡単に加熱ディスクを除去
し、サブストレートをランプの短い波長の光で直接に加
熱することができる。
【０００８】加熱ディスクがインコネル製の場合には、
特に高いスペクトル放射率が得られる。
【０００９】また、加熱ディスクがグラファイト製の場
合には、費用の点で有利である。
【００１０】本発明の特に有利な別の構成によれば、ラ
ンプが収束された光を放射するようにされ、そのさいこ
の光の焦点がチャンバのガラス板の近くに位置するよう
にする。このような実施形式の場合、チャンバ内へ達す
る光の通過するガラス板区域は、特に小さくなる。これ
に応じ、ガラス板が形成するチャンバの窓も相応に小さ
くすることができる。窓の寸法を小さくすることによ
り、チャンバの内部と外部との圧力差が大きい場合に
も、薄手のガラス板を用いることが可能になる。これに
よって、ガラス板の吸光度も僅かとなり、それによりま
た熱損失が低減される。
【００１１】収束された光は、特に、磁性ハードディス
ク用のサブストレートの加熱に有利である。ハードディ
スクは収束された光の照射強度が低い中心部に穴を有し
ているからである。更に、収束された光の場合、光源を
サブストレートの種々の直径に、ランプとサブストレー
トとの間隔を変更することによって簡単に適合させるこ
とができる。ランプの光は、たとえば収束レンズにより
収束できる。しかし、利用するランプに光を特に損失を
僅かに抑えて収束し、サブストレートに向けるには、白
熱ら旋フィラメントを有するランプを用い、このフィラ
メントが、だ円形反射器の焦点に配置しておく。
【００１２】コーティングされるサブストレートの両側
を同時に加熱するために、本発明の別の構成によれば、
サブストレート保持体の両側に、加熱ディスクの受容部
と、チャンバを制限するガラス板と、その背後のランプ
とを配置しておく。
【００１３】各加熱ディスクの温度を簡単に安定維持で
きるようにするには、各加熱ディスクに温度センサを配
置しておき、この温度センサを調整器を介してランプの
電源に接続しておく。
【００１４】加熱ディスクは両側に放熱するので、各ガ
ラス板も加熱される。この加熱は、本発明の更に別の構
成によれば、ガラス板と加熱ディスクとの間に各１個の
光線反射器を配置し、この反射器が各ランプの照射用中
心穴を有するようにする。この反射器は各ランプの外焦
点の少なくとも近くに配置されているので、それぞれ小
さい穴を有していればよい。それによって最大の反射作
用が得られ、しかも各ランプからの入射光を阻害するこ
とがない。
【００１５】
【実施例】本発明には数多くの実施形式が可能である。
本発明の基本原理を更に明らかにするため、多くの実施
形式のうちから２つの形式が図面に示されている。
【００１６】図１に示したチャンバ１内では、サブスト
レート保持体２が円板形状のサブストレート３を保持し
ている。この場合のサブストレート３はガラス製のディ
スクであり、このディスクがコーティング後に磁性ハー
ドディスクを形成する。チャンバ１はサブストレート３
の加熱に役立っている。サブストレート３は、次いで、
図示されていないチャンバに搬送され、そこでコーティ
ングされる。
【００１７】チャンバ１は、両側が各１個のガラス板
４，５によって大気と遮断されている。各ガラス板４，
５の背後にはランプ６，７が配置され、これらのランプ
からサブストレート３を加熱する収束された光が放射さ
れる。この目的のために、各ランプには、だ円形の反射
器８が備えられている。この反射器は、白熱ら旋フィラ
メントが反射器８の第１焦点ｆ1 に位置するように寸法
づけされている。第２焦点ｆ2 はガラス板４ないし５の
区域に位置しており、この実施例の場合には、チャンバ
１内の、サブストレート３とガラス板４ないし５との間
に位置している。これにより、チャンバ１内への入射光
には、チャンバ１の側方制限壁１２，１３内の比較的小
さい窓１０，１１で十分となる。それゆえ、ガラス板
４，５は比較的薄手のものでよく、したがって光線がほ
とんど吸収されることがない。
【００１８】白熱ら旋フィラメント９は通常のタングス
テン白熱ら旋フィラメントでよい。この種のら旋フィラ
メント９の２０００゜Ｋを超える通常の使用温度の場
合、放射最大値は約１．１〜１．４μｍである。この波
長の光線は、ガラスではほとんど吸収されない。このこ
とは、光線をガラス板４，５に通す場合、好都合であ
り、チャンバ１内での、アルミニウム製又はシリコン製
のサブストレート３の加熱を可能にする。しかし、ガラ
ス製のサブストレート３を加熱する場合には、そうした
短い波長の光線は用いない。したがって、チャンバ１
は、サブストレート３の各側にそれぞれ受容部１４，１
５を有し、これら受容部に加熱ディスク１６，１７が交
換可能にはめ込まれている。これらの加熱ディスク１
６，１７はランプ６，７の放射を効果的に吸収し、高い
放射率を有する材料製、有利にはグラファイト製又はイ
ンコネル製である。これらの加熱ディスク１６，１７
は、約１０００゜Ｋに加熱され、２．５μｍを超える波
長の光を放射する。したがって、波長の短い光を長い波
長の光に変換する。
【００１９】チャンバ１内で不透明の材料製の、たとえ
ばアルミニウム製のサブストレート３を加熱する場合に
は、予めこの加熱ディスク１６，１７を除去しておく。
【００２０】図２の実施例の場合、各加熱ディスクの外
側に温度センサ１８が配置されている。温度センサ１８
は調整器１９と接続され、調整器１９は各ランプ６，７
の給電部２０を調整することにより各加熱ディスク１
６，１７の温度を安定的に維持する。
【００２１】更に、図２から分かる点は、ガラス板４と
加熱ディスク１６との間に、また同じくガラス板５と加
熱ディスク１７との間に、それぞれ光線反射器２１，２
２が配置されている。これらの反射器２１，２２は、左
側の図部分に示されているように湾曲形状に構成するこ
とができる。しかしながら、図の右側に示したように平
らな構成も可能である。重要な点は、光線反射器２１，
２２が各ランプ６，７の光線を通す穴２３，２４を有し
ている点である。光線反射器は、それぞれ、各ランプ
６，７の焦点区域に配置されているので、穴２３，２４
は小さくてよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明により構成された、高真空コーティング
装置の一部分の断面図。
【図２】別の実施例の、図１同様の断面図。
【符号の説明】
１ チャンバ、 ２ サブストレート保持体、 ３ サ
ブストレート、 ４，５ ガラス板、 ６，７ ラン
プ、 ８ 反射器、 ９ 白熱ら旋フィラメント、 １
０，１１ 窓、 １２，１３ 制限壁、 １４，１５
受容部、 １６，１７ 加熱ディスク、 １８ 温度セ
ンサ、 １９ 調整器、 ２０ 給電部、２１，２２
光線反射器、 ２３，２４ 穴
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヤロスラフ ツァイダ ドイツ連邦共和国 ローデンバッハ リー メスシュトラーセ 11

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 チャンバ内でガラス板の背後のサブスト
    レート保持体上に配置されたサブストレートを、チャン
    バ外部でガラス板の背後に配置されたランプの照射によ
    って加熱する装置において、チャンバ（１）内部の、ガ
    ラス板（４，５）とサブストレート保持体（２）との間
    に、ランプ（６，７）による照射の波長域で高い吸収率
    と、高いスペクトル率とを有する材料製の加熱ディスク
    （１６，１７）を備えた受容部（１４，１５）が設けら
    れていることを特徴とする、サブストレートを加熱する
    装置。
  2. 【請求項２】 加熱ディスク（１６，１７）がインコネ
    ル（Ｉｎｃｏｎｅｌ）製であることを特徴とする、請求
    項１記載の装置。
  3. 【請求項３】 加熱ディスク（１６，１７）がグラファ
    イト製であることを特徴とする、請求項１記載の装置。
  4. 【請求項４】 ランプ（６，７）が収束された光を発す
    るように構成されており、しかも、この収束された光の
    焦点（ｆ2 ）がチャンバのガラス板（４，５）の近くに
    位置することを特徴とする、請求項１から３までのいず
    れか１項記載の装置。
  5. 【請求項５】 ランプ（６，７）が、ら旋フィラメント
    （９）を有し、このフィラメント（９）が、だ円形の反
    射器（８）の焦点（ｆ1 ）に配置されていることを特徴
    とする、請求項４記載の装置。
  6. 【請求項６】 サブストレート保持体（２）の両側に、
    加熱ディスク（１６，１７）の受容部（１４，１５）
    と、チャンバ（１）を制限するガラス板（１２，１３）
    と、その後方のランプ（６，７）とが配置されているこ
    とを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記
    載の装置。
  7. 【請求項７】 各加熱ディスク（１６，１７）に温度セ
    ンサ（１８）が配置され、この温度センサ（１８）が、
    調整器（１９）を介してランプ（６，７）の給電部と接
    続されていることを特徴とする、請求項１から６までの
    いずれか１項記載の装置。
  8. 【請求項８】 ガラス板（４，５）と加熱ディスク（１
    ６，１７）との間に各１つの光線反射器（２１，２２）
    が配置されており、この反射器が各ランプ（６，７）の
    光線を通過させる中心穴（２３，２４）を有することを
    特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項記載の
    装置。
JP6031194A 1993-03-02 1994-03-01 サブストレートを加熱する装置 Pending JPH06349813A (ja)

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DE4306398A DE4306398A1 (de) 1993-03-02 1993-03-02 Vorrichtung zum Erwärmen eines Substrates
DE4306398.5 1993-03-02

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JPH06349813A true JPH06349813A (ja) 1994-12-22

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007305926A (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Alpha Oikos:Kk 基板加熱装置
JP2016207505A (ja) * 2015-04-23 2016-12-08 日本碍子株式会社 赤外線ヒーター及び赤外線処理装置
TWI686100B (zh) * 2014-11-28 2020-02-21 日商日本碍子股份有限公司 紅外線加熱器及紅外線處理裝置
WO2020105345A1 (ja) * 2018-11-20 2020-05-28 日本電気硝子株式会社 ガラス物品の製造方法、及び薄板ガラスの加熱方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5551985A (en) * 1995-08-18 1996-09-03 Torrex Equipment Corporation Method and apparatus for cold wall chemical vapor deposition
US5861609A (en) * 1995-10-02 1999-01-19 Kaltenbrunner; Guenter Method and apparatus for rapid thermal processing
US6071351A (en) * 1996-05-02 2000-06-06 Research Triangle Institute Low temperature chemical vapor deposition and etching apparatus and method
US6035100A (en) * 1997-05-16 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Reflector cover for a semiconductor processing chamber
US6771895B2 (en) 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
US6970644B2 (en) 2000-12-21 2005-11-29 Mattson Technology, Inc. Heating configuration for use in thermal processing chambers
US7015422B2 (en) 2000-12-21 2006-03-21 Mattson Technology, Inc. System and process for heating semiconductor wafers by optimizing absorption of electromagnetic energy
DE10146652A1 (de) * 2001-09-21 2003-04-10 Ikarus Solar Ag Verfahren zum Verbinden von Metallteilen
US20090078202A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Neocera, Llc Substrate heater for material deposition
DE102007048564A1 (de) * 2007-10-09 2009-04-23 Heraeus Noblelight Gmbh Vorrichtung für eine Bestrahlungseinheit
WO2014134746A1 (en) * 2013-03-04 2014-09-12 Oerlikon Advanced Technologies Ag Apparatus for improved substrate heating

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4081313A (en) * 1975-01-24 1978-03-28 Applied Materials, Inc. Process for preparing semiconductor wafers with substantially no crystallographic slip
FR2532783A1 (fr) * 1982-09-07 1984-03-09 Vu Duy Phach Machine de traitement thermique pour semiconducteurs
JPS603124A (ja) * 1983-06-20 1985-01-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体のアニ−ル法
JPS60236216A (ja) * 1984-05-09 1985-11-25 Toshiba Mach Co Ltd 気相成長装置
JPS60239398A (ja) * 1984-05-11 1985-11-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体のアニ−ル法
US4654509A (en) * 1985-10-07 1987-03-31 Epsilon Limited Partnership Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus
JPS6294925A (ja) * 1985-10-21 1987-05-01 Nec Corp 熱処理装置
JPS63257221A (ja) * 1987-04-14 1988-10-25 Nec Corp ランプアニ−ル装置
JPH01110726A (ja) * 1987-10-23 1989-04-27 Fujitsu Ltd ランプアニール方法
SU1571796A1 (ru) * 1988-04-05 1990-06-15 Харьковский Институт Механизации И Электрификации Сельского Хозяйства Способ микроволновой обработки биологической среды
JP2698818B2 (ja) * 1988-06-07 1998-01-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5047611A (en) * 1990-03-23 1991-09-10 Peak Systems, Inc. Method for selectively curing a film on a substrate
JPH0413088A (ja) * 1990-04-27 1992-01-17 Mitsubishi Electric Corp リング電極型静電浮遊炉
JPH04243126A (ja) * 1991-01-17 1992-08-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置及びその制御方法
JPH0510677A (ja) * 1991-06-26 1993-01-19 Shimadzu Corp 脱脂炉

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007305926A (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Alpha Oikos:Kk 基板加熱装置
JP4582804B2 (ja) * 2006-05-15 2010-11-17 株式会社アルファ・オイコス 基板加熱装置
TWI686100B (zh) * 2014-11-28 2020-02-21 日商日本碍子股份有限公司 紅外線加熱器及紅外線處理裝置
US10757760B2 (en) 2014-11-28 2020-08-25 Ngk Insulators, Ltd. Infrared heater and infrared processing device
JP2016207505A (ja) * 2015-04-23 2016-12-08 日本碍子株式会社 赤外線ヒーター及び赤外線処理装置
WO2020105345A1 (ja) * 2018-11-20 2020-05-28 日本電気硝子株式会社 ガラス物品の製造方法、及び薄板ガラスの加熱方法
JP2020083679A (ja) * 2018-11-20 2020-06-04 日本電気硝子株式会社 ガラス物品の製造方法、及び薄板ガラスの加熱方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE4306398A1 (de) 1994-09-08
US5970213A (en) 1999-10-19

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