JPH06349118A - 光ディスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光ディスクの製造を簡単にするとともに、基
板の膜構造に悪影響を殆ど与えることのない光ディスク
の製造方法をを得る。 【構成】 記録すべき情報に対応した凹凸が形成された
基板上の前記凹凸に沿って相変化記録材料膜を形成する
工程と、前記相変化記録材料膜の凹凸部上に、表面がほ
ぼ水平になるように熱拡散層を形成する工程と、前記相
変化記録材料膜の凸部が露出するまで前記熱拡散層を均
一にエッチングすることにより前記相変化記録材料膜の
凹部に形成された前記熱拡散層を選択的に残す工程とを
含む光ディスクの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクの製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般的に、ＣＤ等の光ディスクの製造方
法は、先ず、ガラス基板上に金属薄膜を蒸着あるいはス
パッタによって一体形成する。これがいわゆる原盤とな
る。そして、前記金属薄膜を選択的に取り除いて前記原
盤上にピットを形成する。その後、前記原盤のピット面
上にニッケル・メッキすることにより原盤上のピットを
写し取り、マスタ盤を製造する。そして、このマスタ盤
がスタンパとなるように金型及びプレス装置に取付け、
加熱して柔らかくなった光ディスク基板の材料をプレス
することによりマスタ盤のピットを転写し、その上に保
護膜を形成することによりＣＤ等の光ディスクを製造し
ている。

【０００３】そして、このような方法で製造される光デ
ィスクにおいては、該光ディスクが有するピットを更に
小さく形成することは可能であるが、小さく形成された
ピットに対応するようにレーザ光を集光したスポット光
を照射することには、レーザー光の回折限界によりスポ
ット光の最小径が定められるという限界があった。

【０００４】そこで、回転している光ディスクの表面に
集光されたスポット光による温度分布と、該スポット光
との「ずれ」に着目し（回転している光ディスクの表面
にレーザー光を照射した場合、高温領域は時間的な遅れ
をもって生じる）、温度による光ディスクの結晶構造あ
るいは相構造の変化を利用することにより、スポット光
の径を小さくしなくても、情報の記録・再生を行うこと
ができる光ディスクが研究されている。

【０００５】このような光ディスクでは、温度によって
結晶構造または相構造が変化する記録層を基板上に形成
するとともに、該記録層の一方の面に隣接して選択的に
熱拡散層を設けて、一方の面に隣接して熱拡散層がある
記録層と、一方の面に隣接して熱拡散層がない記録層と
において、スポット光による加熱により、前記一方の面
に隣接して熱拡散層がない記録層の結晶構造または相構
造を変化させることにより情報の記録・再生を行うもの
である。

【０００６】このような光ディスクを製造する方法の一
例として、従来は一般的に、図７に示すような製造工程
を経て製造されている。図７は、前記光ディスクの製造
方法の工程を示す説明図である。図７に示すように、従
来は、平坦な基板１１上に第１の保護膜１２を形成する
工程ａと、前記第１の保護膜１２上に記録層（以下、相
変化膜と称す。）１３を形成する工程ｂと、前記相変化
膜１３上に熱拡散層１４を形成する工程ｃと、前記熱拡
散層１４上にレジスト１６を塗布する工程ｄと、該工程
ｄまでに形成されたものを露光・現像することにより前
記拡散層１４上のレジスト１６を選択的に残す工程ｅ
と、前記選択的に残されたレジスト１６に沿って前記拡
散層１４をエッチングする工程ｆと、前記工程ｆまでに
形成されたものを洗浄することにより前記選択的に残さ
れた熱拡散層１３上のレジスト１６を除去する工程ｇ
と、前記選択的に残された熱拡散層１４上に第２の保護
膜１５を形成する工程ｈを経て製造されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示す従来の光ディスクの製造方法では、製造工程が多く
光ディスクを製造するまで非常に手間がかかるという問
題点があった。特に、工程ｅ、ｆの際に、現像液によ
り、またはエッチングにより、相変化膜１３の部分的な
剥離や酸化等の悪影響が大きいという問題点があった。

【０００８】本発明は、上記各問題点を解決し、光ディ
スクの製造を簡単にするとともに、基板の膜構造に悪影
響を殆ど与えることのない光ディスクの製造方法を提供
することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
係る光ディスクの製造方法は、上記課題を解決するため
に、記録すべき情報に対応した凹凸が形成された基板上
の前記凹凸に添って相変化記録材料膜を形成する工程
と、前記相変化記録材料膜の凹凸部上に、表面がほぼ水
平になるように熱拡散層を形成する工程と、前記相変化
記録材料膜の凸部が露出するまで前記熱拡散層を均一に
エッチングすることにより前記相変化記録材料膜の凹部
に形成された前記熱拡散層を選択的に残す工程とを含む
ことを特徴とするものである。

【００１０】請求項２に記載の光ディスクの製造方法
は、記録すべき情報に対応した凹凸が形成された基板上
の前記凹凸に添って相変化記録材料膜を形成する工程
と、前記相変化記録材料膜の凹凸部上に、熱拡散層を形
成する工程と、前記熱拡散層の凹凸部上に、表面がほぼ
水平になるようにレジストを塗布する工程と、前記相変
化記録材料膜の凸部が露出するまで前記熱拡散層及び前
記レジスト部を均一にエッチングすることにより前記相
変化記録材料膜の凹部に形成された前記熱拡散層を選択
的に残す工程とを含むことを特徴とするものである。

【００１１】請求項３に記載の光ディスクの製造方法
は、記録すべき情報に対応した凹凸が形成された基板上
の前記凹凸上に保護膜を形成する工程と、前記保護膜の
凹凸部上に相変化記録材料膜を形成する工程と、前記相
変化記録材料膜の凹凸部上に、表面がほぼ水平になるよ
うにレジストを塗布する工程と、前記保護膜の凸部が露
出するまで前記レジスト部を均一にエッチングすること
により前記保護膜の凹部に形成された前記相変化記録材
料膜を選択的に残す工程と、前記保護膜の凸部及び凹部
に形成された前記相変化記録材料膜上に光磁気膜を形成
する工程とを含むことを特徴とするものである。

【００１２】請求項４に記載の光ディスクの製造方法
は、請求項１〜３のうちいずれか一項に記載の光ディス
クの製造方法において、前記基板が、スタンパーにより
作製した基板であることを特徴とするものである。

【００１３】請求項５に記載の光ディスクの製造方法
は、平坦な基板上に保護膜を形成する工程と、前記保護
膜上にレジストを塗布した後、露光及び現像をすること
により前記保護膜上のレジストを選択的に残す工程と、
前記保護膜をエッチングすることにより該保護膜に記録
すべき情報に対応する凹凸部を形成する工程と、前記保
護膜の凹凸部上のレジストを除去する工程と、前記保護
膜の凹凸部に沿って相変化記録材料膜を形成する工程
と、前記相変化記録材料膜の凹凸部上に、表面がほぼ水
平になるように熱拡散層を形成する工程と、前記相変化
記録材料膜の凸部が露出するまで前記熱拡散層を均一に
エッチングすることにより前記相変化記録材料膜の凹部
に形成された前記熱拡散層を選択的に残す工程とを含む
ことを特徴とするものである。

【００１４】請求項６に記載の光ディスクの製造方法
は、平坦な基板上に保護膜を形成する工程と、前記保護
膜上にレジストを塗布した後、露光及び現像をすること
により前記保護膜上のレジストを選択的に残す工程と、
前記保護膜をエッチングすることにより該保護膜に記録
すべき情報に対応する凹凸部を形成する工程と、前記保
護膜の凹凸部上のレジストを除去する工程と、前記保護
膜の凹凸部に沿って相変化記録材料膜を形成する工程
と、前記相変化記録材料膜の凹凸部上に、熱拡散層を形
成する工程と、前記熱拡散層の凹凸部上に、表面がほぼ
水平になるようにレジストを塗布する工程と、前記相変
化記録材料膜の凸部が露出するまで前記熱拡散層及び前
記レジスト部を均一にエッチングすることにより前記相
変化記録材料膜の凹部に敷設された前記熱拡散層を選択
的に残す工程とを含むことを特徴とするものである。

【００１５】請求項７に記載の光ディスクの製造方法
は、平坦な基板上に保護膜を形成する工程と、前記保護
膜上にレジストを塗布した後、露光及び現像をすること
により前記保護膜上のレジストを選択的に残す工程と、
前記保護膜をエッチングすることにより該保護膜に記録
すべき情報に対応する凹凸部を形成する工程と、前記保
護膜の凹凸部上のレジストを除去する工程と、前記保護
膜の凹凸部に沿って相変化記録材料膜を形成する工程
と、前記相変化記録材料膜の凹凸部上に、表面がほぼ水
平になるようにレジストを塗布する工程と、前記保護膜
の凸部が露出するまで前記レジスト部を均一にエッチン
グすることにより前記保護膜の凹部に形成された前記相
変化記録材料膜を選択的に残す工程と、前記保護膜の凸
部及び凹部に形成された前記相変化記録材料膜上に光磁
気膜を形成する工程とを含むことを特徴とするものであ
る。

【００１６】請求項８に記載の光ディスクの製造方法
は、請求項１〜７のうちいずれか一項に記載の光ディス
クの製造方法において、前記基板上に形成された凹凸又
は前記エッチングにより保護膜に形成された凹凸の深さ
が、照射されるレーザ光の波長のほぼ１／（２×光ディ
スク基板の屈折率）であることを特徴とするものであ
る。

【００１７】

【作用】上記請求項１のように構成された本発明の光デ
ィスクの製造方法においては、相変化記録材料膜は、記
録すべき情報に対応した凹凸が形成された基板上の前記
凹凸に添って形成される。熱拡散層は、前記相変化記録
材料膜の凹凸部上に表面がほぼ水平になるように形成さ
れる。更に、前記熱拡散層は、前記相変化記録材料膜の
凸部が露出するまで均一にエッチングされることにより
前記相変化記録材料膜の凹部に形成された該熱拡散層が
選択的に残される。

【００１８】上記請求項２のように構成された本発明の
光ディスクの製造方法においては、相変化記録材料膜
は、記録すべき情報に対応した凹凸が形成された基板上
の前記凹凸に添ってを形成される。熱拡散層は、前記相
変化記録材料膜の凹凸部上に形成される。レジストは、
前記熱拡散層の凹凸部上に表面がほぼ水平になるように
塗布される。更に、前記熱拡散層及びレジスト部は、前
記相変化記録材料膜の凸部が露出するまで均一にエッチ
ングされることにより前記相変化記録材料膜の凹部に形
成された前記熱拡散層が選択的に残される。

【００１９】上記請求項３のように構成された本発明の
光ディスクの製造方法においては、保護膜は、記録すべ
き情報に対応した凹凸が形成された基板上の前記凹凸上
に形成される。相変化記録材料膜は、前記保護膜の凹凸
部上に形成される。レジストは、前記相変化記録材料膜
の凹凸部上に表面がほぼ水平になるように塗布される。
更に、前記レジスト部は、前記保護膜の凸部が露出する
まで均一にエッチングされることにより前記保護膜の凹
部に形成された前記相変化記録材料膜が選択的に残され
る。そして、光磁気膜は、前記保護膜の凸部及び凹部に
形成された前記相変化記録材料膜上に形成される。

【００２０】上記請求項４のように構成された本発明の
光ディスクの製造方法においては、上記請求項１〜３の
いずれか一項に記載の基板は、スタンパーによって作製
される。

【００２１】上記請求項５のように構成された本発明の
光ディスクの製造方法においては、保護膜は、平坦な基
板上に形成される。そして、レジストが前記保護膜上に
塗布された後、該レジストが露光及び現像されることに
より前記保護膜上に前記レジストが選択的に残される。
そして、前記保護膜がエッチングされることにより、記
録すべき情報に対応する凹凸部が該保護膜に形成され
る。その後、前記保護膜の凹凸部上のレジストが除去さ
れる。そして、相変化記録材料膜が、前記保護膜の凹凸
部に沿って形成され、熱拡散層が、前記相変化記録材料
膜の凹凸部上に表面がほぼ水平になるように形成され
る。そして、前記熱拡散層は、前記相変化記録材料膜の
凸部が露出するまで均一にエッチングされることにより
前記相変化記録材料膜の凹部に形成された前記熱拡散層
が選択的に残される。

【００２２】上記請求項６のように構成された本発明の
光ディスクの製造方法においては、保護膜は、平坦な基
板上に形成される。そして、レジストが前記保護膜上に
塗布された後、該レジストが露光及び現像されることに
より前記保護膜上に前記レジストが選択的に残される。
そして、前記保護膜がエッチングされることにより、記
録すべき情報に対応する凹凸部が該保護膜に形成され
る。その後、前記保護膜の凹凸部上のレジストが除去さ
れる。そして、相変化記録材料膜が、前記保護膜の凹凸
部に沿って形成され、熱拡散層が、前記相変化記録材料
膜の凹凸部上に形成される。そして、再びレジストが、
前記熱拡散層の凹凸部上に表面がほぼ水平になるように
塗布される。その後、前記熱拡散層及び前記レジスト部
が、前記相変化記録材料膜の凸部が露出するまで均一に
エッチングされることにより前記相変化記録材料膜の凹
部に形成された前記熱拡散層が選択的に残される。

【００２３】上記請求項７のように構成された本発明の
光ディスクの製造方法においては、保護膜は、平坦な基
板上に形成される。そして、レジストが前記保護膜上に
塗布された後、該レジストが露光及び現像されることに
より前記保護膜上に前記レジストが選択的に残される。
そして、前記保護膜がエッチングされることにより、記
録すべき情報に対応する凹凸部を該保護膜に形成され
る。その後、前記保護膜の凹凸部上のレジストが除去さ
れる。そして、相変化記録材料膜が、前記保護膜の凹凸
部に沿って形成される。そして、再びレジストが、前記
相変化記録材料膜の凹凸部上に表面がほぼ水平になるよ
うに塗布される。更に、該レジスト部は、前記保護膜の
凸部が露出するまで均一にエッチングされることにより
前記保護膜の凹部に形成された前記相変化記録材料膜が
選択的に残される。そして、光磁気膜は、前記保護膜の
凸部及び凹部に形成された前記相変化記録材料膜上に形
成される。

【００２４】上記請求項８のように構成された本発明の
光ディスクの製造方法においては、上記請求項１〜７の
いずれか一項に記載の前記基板上又は保護膜がエッチン
グされることにより形成される凹凸の深さが、照射され
るレーザ光の波長のほぼ１／（２×光ディスク基板の屈
折率）にされると、レーザ光の干渉による情報の読み取
り精度（Ｓ／Ｎ比）の低下が防止される。

【００２５】

【実施例】図１は、本発明の第１の実施例に係る光ディ
スクの製造方法の工程を示す説明図である。図１に示す
ように、本実施例に係る光ディスクは、凹凸が形成され
た基板１上に沿って第１の保護膜２を形成する工程Ａ
と、前記保護膜２上に相変化膜３を形成する工程Ｂと、
前記相変化膜３上に、該相変化膜３の凹凸がなくなるよ
うに熱拡散層４を形成する工程Ｃと、前記相変化膜３の
凸部が露出するまで前記熱拡散層４を均一にエッチング
することにより前記相変化膜３の凹部に形成された前記
熱拡散層４を選択的に残す工程Ｄと、前記相変化膜３及
び相変化膜３の凹部に形成された前記熱拡散層４上に第
２の保護膜５を形成する工程Ｅを介して製造される。

【００２６】前記基板１は、ポリカーボネイト、ガラス
等からなり、該基板１の凹凸は、スタンパーにより形成
され、径０．４μｍ，深さ０．２μｍの円形の凹凸であ
り、記録すべき情報に対応している。また、前記基板１
の凹凸の深さは、照射されるレーザ光の波長のほぼ１／
（２×光ディスク基板の屈折率）である。

【００２７】また、前記第１の保護膜２は、ＺｎＳ；Ｓ
ｉＯ₂ からなり、工程Ａにおいて、スパッタ法（ＲＦマ
グネトロンスパッタ）により、前記基板１上に約１００
ｎｍ形成する。尚、前記基板１上に前記第１の保護膜２
を形成する場合におけるスパッタ法では、ターゲット
に、ＺｎＳ：ＳｉＯ₂ ＝４：１の割合で混合された混合
ターゲットを使用し、スパッタ装置内のチャンバー内を
一旦、２×１０^-6Torr以下に排気した後、Ａｒガスを導
入して、チャンバー内のガス圧を５×１０^-3Torrにして
スパッタリングを行う。

【００２８】また、前記相変化膜３は、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔ
ｅ₅ からなり、工程Ｂにおいて、工程Ａと同様にスパッ
タ法により、前記第１の保護膜２上に約５０ｎｍ形成す
る。尚、前記第１の保護膜２上に前記相変化膜３を形成
する場合におけるスパッタ法では、ターゲットに、Ｇｅ
₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ ターゲットを使用し、スパッタ装置内の
チャンバー内を一旦、２×１０^-6Torr以下に排気した
後、Ａｒガスを導入して、チャンバー内のガス圧を５×
１０^-3Torrにしてスパッタを行う。つまり、ターゲット
以外は工程Ａと同様に行う。尚、前記相変化膜３上に、
更にＳｉＮ膜（図示せず）をスパッタ法により２０ｎｍ
形成する。これは、後の工程Ｄ（エッチング）におい
て、前記相変化膜３がエッチングされないようにするた
めである。また、前記ＳｉＮ膜を形成する際に使用する
ターゲットはＳｉターゲットを用い、ＡｒとＮ₂ の混合
ガスを用いリアクティブスパッタにより形成する。この
時の混合ガスの比率は、Ａｒ：Ｎ₂ ＝２：１であり、ガ
ス圧が、３×１０^-3Torrでスパッタリングを行う。

【００２９】また、前記熱拡散層４は、ＷＦ₆ を原料と
し、工程Ｃにおいて、キャリアガスＨ₂ を流し、減圧Ｃ
ＶＤ法により、前記相変化膜３の凹凸がなくなるよう
に、換言すれば、熱拡散層４の表面が、平坦になるよう
に形成する。尚、本実施例においては、前記熱拡散層４
の厚さは、約８００ｎｍである。しかし、基板１におけ
る凹凸の大きさ及び溝の深さによって、前記熱拡散層４
の形成膜厚は異なってくる。また、本実施例では、前記
熱拡散層４は、ＷＦ₆ としたが、これに限定されるもの
ではなく、熱を吸収するもの、あるいは熱を排出するこ
とが可能なものであれば種々のものでも良い。

【００３０】また、工程Ｄにおいて、ＣＦ₄ をエッチン
グガスに使用し、反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）
により、前記相変化膜３の凸部が露出するまで前記熱拡
散層４を均一にエッチングし、前記相変化膜３の凹部に
形成された前記熱拡散層４を選択的に残す。尚、本実施
例では、前記相変化膜３の凹部に形成された前記熱拡散
層４の厚さは、約５０ｎｍである。

【００３１】また、第２の保護膜５は、ＺｎＳ；ＳｉＯ
₂ からなり、工程Ｅにおいて、前記第１の保護膜２を前
記基板１に形成する工程Ａと同様にスパッタ法により、
前記相変化膜３及び該熱拡散層３の凹部に形成された前
記熱拡散層４上に第２の保護膜５を形成する。尚、本実
施例においては、前記第２の保護膜５の膜厚は、約２０
０ｎｍである。

【００３２】図２は、本発明の第２の実施例に係る光デ
ィスクの製造方法の工程を示す説明図である。図２に示
すように、本実施例に係る光ディスクは、凹凸が形成さ
れた基板１上に沿って第１の保護膜２を形成する工程Ａ
と、前記保護膜２上に沿って相変化膜３を形成する工程
Ｂと、前記相変化膜３上に沿って熱拡散層４を形成する
工程Ｃと、前記熱拡散層４上に、該熱拡散層４の凹凸が
なくなるようにレジスト６を塗布する工程Ｆと、前記相
変化膜３の凸部が露出するまで前記熱拡散層４及び前記
レジスト６を均一にエッチングすることにより前記相変
化膜３の凹部に形成された前記熱拡散層４を選択的に残
す工程Ｄと、前記相変化膜３及び相変化膜３の凹部に形
成された前記熱拡散層４上に第２の保護膜５を形成する
工程Ｅを介して製造される。

【００３３】前記基板１は、ポリカーボネイト、ガラス
等からなり、該基板１の凹凸は、スタンパーにより形成
され、径０．４μｍ，深さ０．２μｍの円形の凹凸であ
り、記録すべき情報、またはトラックに対応している。
また、前記基板１の凹凸の深さは、照射されるレーザ光
の波長のほぼ１／（２×光ディスク基板の屈折率）であ
る。

【００３４】また、前記第１の保護膜２は、ＺｎＳ；Ｓ
ｉＯ₂ からなり、工程Ａにおいて、スパッタ法（ＲＦマ
グネトロンスパッタ）により、前記基板１上に約１００
ｎｍ形成する。尚、前記基板１上に前記第１の保護膜２
を形成する場合におけるスパッタ法では、第１の実施例
と同様に行う。つまり、ターゲットに、ＺｎＳ：ＳｉＯ
₂ ＝４：１の割合で混合された混合ターゲットを使用
し、スパッタ装置内のチャンバー内を一旦、２×１０^-6
Torr以下に排気した後、Ａｒガスを導入して、チャンバ
ー内のガス圧を５×１０^-3Torrにしてスパッタリングを
行う。

【００３５】また、前記相変化膜３は、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔ
ｅ₅ からなり、工程Ｂにおいて、工程Ａと同様にスパッ
タ法により、前記第１の保護膜２上に約５０ｎｍ形成す
る。尚、前記第１の保護膜２上に前記相変化膜３を形成
する場合におけるスパッタ法では、ターゲットに、Ｇｅ
₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ ターゲットを使用し、スパッタ装置内の
チャンバー内を一旦、２×１０^-6Torr以下に排気した
後、Ａｒガスを導入して、チャンバー内のガス圧を５×
１０^-3Torrにしてスパッタを行う。つまり、ターゲット
以外は工程Ａと同様に行う。尚、前記相変化膜３上に、
更にＳｉＮ膜（図示せず）をスパッタ法により２０ｎｍ
形成する。これは、後の工程Ｄ（エッチング）におい
て、前記相変化膜３がエッチングされないようにするた
めである。また、前記ＳｉＮ膜を形成する際に使用する
ターゲットはＳｉターゲットを用い、ＡｒとＮ₂ の混合
ガスを用いリアクティブスパッタにより形成する。この
時の混合ガスの比率は、Ａｒ：Ｎ₂ ＝２：１であり、ガ
ス圧が、３×１０^-3Torrでスパッタリングを行う。

【００３６】また、前記熱拡散層４は、Ａｌからなり、
工程Ｃにおいて、スパッタ法にＡｌ膜を形成する。尚、
Ａｌ膜の形成の際には、凹凸の大きさ及び溝の深さによ
って異なってくるが、本実施例では前記Ａｌ膜は、約５
０ｎｍである。また、この工程Ｃにおいてスパッタ法を
行う場合には、ターゲットにＡｌターゲットを用い、Ａ
ｒガスを流し、ＲＦマグネトロンスパッタにより形成す
る。この時のガス圧は、５×１０^-3Torrである。また、
本実施例では、前記熱拡散層４は、Ａｌとしたが、これ
に限定されるものではなく、熱を吸収するもの、あるい
は熱を排出することが可能なものであれば種々のもので
も良い。

【００３７】また、工程Ｆにおいて、スピンコーター等
により、前記熱拡散層４の凹凸がなくなるように、換言
すれば、レジスト６の表面が平坦になるようにレジスト
６を塗布する。

【００３８】また、工程Ｄにおいて、ＣＦ₄ をエッチン
グガスに用い反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）によ
り、前記相変化膜３の凸部が露出するまで前記熱拡散層
４及びレジスト６を均一にエッチングすと共に、アセト
ン等で洗浄し、前記レジスト６を完全に除去し、前記相
変化膜３の凹部に形成された前記熱拡散層４を選択的に
残す。尚、本実施例では、前記相変化膜３の凹部に形成
された前記熱拡散層４の厚さは、約５０ｎｍである。

【００３９】また、第２の保護膜５は、ＺｎＳ；ＳｉＯ
₂ からなり、工程Ｅにおいて、前記第１の保護膜２を前
記基板１に形成する工程Ａと同様にスパッタ法により、
前記相変化膜３及び該熱拡散層３の凹部に形成された前
記熱拡散層４上に第２の保護膜５を形成する。尚、本実
施例においては、前記第２の保護膜５の膜厚は、約２０
０ｎｍである。

【００４０】図３は、本発明の第３の実施例に係る光デ
ィスクの製造方法の工程を示す説明図である。図３に示
すように、本実施例に係る光ディスクは、凹凸が形成さ
れた基板１上に沿って第１の保護膜２を形成する工程Ａ
と、前記保護膜２上に沿って相変化膜３を形成する工程
Ｂと、前記相変化膜３上に、該相変化膜３の凹凸がなく
なるようにレジスト６を塗布する工程Ｆと、前記保護膜
２の凸部が露出するまで前記相変化膜３及び前記レジス
ト６を均一にエッチングすることにより前記保護膜２の
凹部に形成された前記相変化膜３を選択的に残す工程Ｄ
と、前記保護膜２及び保護膜２の凹部に形成された前記
相変化膜３上に光磁気膜７を形成する工程Ｇと、前記光
磁気膜７上に第２の保護膜５を形成する工程Ｅを介して
製造される。

【００４１】前記基板１は、ポリカーボネイト、ガラス
等からなり、該基板１の凹凸は、スタンパーにより形成
され、径０．４μｍ，深さ０．２μｍの円形の凹凸であ
り、記録すべき情報に対応する凹凸として、トラッキン
グのための情報を表す凹凸を構成するものである。ま
た、前記基板１の凹凸の深さは、照射されるレーザ光の
波長のほぼ１／（２×光ディスク基板の屈折率）であ
る。

【００４２】また、前記第１の保護膜２は、ＺｎＳ；Ｓ
ｉＯ₂ からなり、工程Ａにおいて、スパッタ法（ＲＦマ
グネトロンスパッタ）により、前記基板１上に約１００
ｎｍ形成する。尚、前記基板１上に前記第１の保護膜２
を形成する場合におけるスパッタ法では、第１の実施例
と同様に行う。つまり、ターゲットに、ＺｎＳ：ＳｉＯ
₂ ＝４：１の割合で混合された混合ターゲットを使用
し、スパッタ装置内のチャンバー内を一旦、２×１０^-6
Torr以下に排気した後、Ａｒガスを導入して、チャンバ
ー内のガス圧を５×１０^-3Torrにしてスパッタリングを
行う。尚、前記保護膜２上に、更にＳｉＮ膜（図示せ
ず）をスパッタ法により２０ｎｍ形成する。これは、後
の工程Ｄ（エッチング）において、前記保護膜２がエッ
チングされないようにするためである。また、前記Ｓｉ
Ｎ膜を形成する際に使用するターゲットはＳｉターゲッ
トを用い、ＡｒとＮ₂ の混合ガスを用いリアクティブス
パッタにより形成する。この時の混合ガスの比率は、Ａ
ｒ：Ｎ₂ ＝２：１であり、ガス圧が、３×１０^-3Torrで
スパッタリングを行う。

【００４３】また、前記相変化膜３は、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔ
ｅ₅ からなり、工程Ｂにおいて、工程Ａと同様にスパッ
タ法により、前記第１の保護膜２上に約５０ｎｍ形成す
る。尚、前記第１の保護膜２上に前記相変化膜３を形成
する場合におけるスパッタ法では、ターゲットに、Ｇｅ
₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ ターゲットを使用し、スパッタ装置内の
チャンバー内を一旦、２×１０^-6Torr以下に排気した
後、Ａｒガスを導入して、チャンバー内のガス圧を５×
１０^-3Torrにしてスパッタを行う。つまり、ターゲット
以外は工程Ａと同様に行う。

【００４４】また、工程Ｆにおいて、スピンコーター等
により、前記相変化膜３の凹凸がなくなるように、換言
すれば、レジスト６の表面が平坦になるようにレジスト
６を塗布する。

【００４５】また、工程Ｄにおいて、ＣＣｌ₄ をエッチ
ングガスに用い反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）に
より、前記保護膜２の凸部が露出するまで前記相変化膜
３及びレジスト６を均一にエッチングすと共に、アセト
ン等で洗浄し、前記レジスト６を完全に除去し、前記保
護膜２の凹部に形成された前記相変化膜３を選択的に残
す。尚、本実施例では、前記保護膜２の凹部に形成され
た前記相変化膜３の厚さは、約５０ｎｍである。

【００４６】また、前記光磁気膜７は、ＣｏＦｅＣｒか
らなり、工程Ｇにおいて、工程Ａと同様にスパッタ法に
より、前記第１の保護膜２及第１の保護膜２の凹部に形
成された前記相変化膜３上に約５０ｎｍ形成する。尚、
前記光磁気膜７を形成する場合におけるスパッタ法で
は、ターゲットに、ＣｏＦｅＣｒターゲットを使用し、
スパッタ装置内のチャンバー内を一旦、２×１０^-6Torr
以下に排気した後、Ａｒガスを導入して、チャンバー内
のガス圧を５×１０^-3Torrにしてスパッタを行う。つま
り、ターゲット以外は工程Ａと同様に行う。

【００４７】また、第２の保護膜５は、ＺｎＳ；ＳｉＯ
₂ からなり、工程Ｅにおいて、前記第１の保護膜２を前
記基板１に形成する工程Ａと同様にスパッタ法により、
前記光磁気膜７上に第２の保護膜５を形成する。尚、本
実施例においては、前記第２の保護膜５の膜厚は、約２
００ｎｍである。

【００４８】図４は、本発明の第４の実施例に係る光デ
ィスクの製造方法の工程を示す説明図であるが、本第４
の実施例は、前記第１の実施例において示した工程と同
一工程を含んで光ディスクを製造するため、前記第１の
実施例において示した工程と同一工程は図示を省略し、
違う工程を図４に基づき以下に説明する。

【００４９】本実施例は、図４に示すように、平坦な基
板１上に第１の保護膜２を形成する工程Ａ₁ と、前記第
１の保護膜２上にレジスト６を塗布する工程Ａ₂ と、露
光及び現像をすることにより前記第１の保護膜２上のレ
ジスト６を選択的に残す工程Ａ₃ と、前記第１の保護膜
２をエッチングすることにより該保護膜２に記録すべき
情報に対応する凹凸部を形成する工程Ａ₄ と、前記第１
の保護膜２の凹凸部上のレジスト６を洗浄することによ
り除去する工程Ａ₅ までが、前記第１の実施例と違う工
程であり、前記工程Ａ₅ 以降の工程は、前記第１の実施
例において示した図１における工程Ｂ〜Ｅの工程を行う
ことにより光ディスクが製造される。

【００５０】つまり、前記第１の実施例における基板１
は、記録すべき情報に対応する凹凸がスタンパーによっ
て形成されていたが、本第４の実施例における基板１ａ
は平坦な基板であり、該平坦な基板１ａに記録すべき情
報に対応する凹凸を形成する工程（Ａ₁ 〜Ａ₅ ）までが
前記第１の実施例と違う工程である。従って、第４の実
施例のような工程を介することにより平坦な基板１ａに
記録すべき情報に対応する凹凸を形成することができ、
そして、光ディスクを製造することができる。尚、前記
工程Ａ₁ 〜Ａ₅ までの具体的手法は前記第１〜第３の実
施例において示した手法と同様である。また、前記平坦
な基板１ａ上に形成される凹凸の深さも、照射されるレ
ーザ光の波長のほぼ１／（２×光ディスク基板の屈折
率）である。

【００５１】図５は、本発明の第５の実施例に係る光デ
ィスクの製造方法の工程を示す説明図であるが、本第５
の実施例は、前記第２の実施例において示した工程と同
一工程を含んで光ディスクを製造するため、前記第２の
実施例において示した工程と同一工程は図示を省略し、
違う工程を図５に基づき以下に説明する。

【００５２】本実施例は、図５に示すように、平坦な基
板１上に第１の保護膜２を形成する工程Ａ₁ と、前記第
１の保護膜２上にレジスト６を塗布する工程Ａ₂ と、露
光及び現像をすることにより前記第１の保護膜２上のレ
ジスト６を選択的に残す工程Ａ₃ と、前記第１の保護膜
２をエッチングすることにより該保護膜２に記録すべき
情報に対応する凹凸部を形成する工程Ａ₄ と、前記第１
の保護膜２の凹凸部上のレジスト６を洗浄することによ
り除去する工程Ａ₅ までが、前記第２の実施例と違う工
程であり、前記工程Ａ₅ 以降の工程は、前記第２の実施
例において示した図２における工程Ｂ〜Ｅの工程を行う
ことにより光ディスクが製造される。

【００５３】つまり、前記第２の実施例における基板１
は、記録すべき情報に対応する凹凸がスタンパーによっ
て形成されていたが、本第５の実施例における基板１ａ
は平坦な基板であり、該平坦な基板１ａに記録すべき情
報に対応する凹凸を形成する工程（Ａ₁ 〜Ａ₅ ）までが
前記第２の実施例と違う工程である。従って、第５の実
施例のような工程を介することにより平坦な基板１ａに
記録すべき情報に対応する凹凸を形成することができ、
そして、光ディスクを製造することができる。尚、前記
工程Ａ₁ 〜Ａ₅ までの具体的手法は前記第１〜第３の実
施例において示した手法と同様である。また、前記平坦
な基板１ａ上に形成される凹凸の深さも、照射されるレ
ーザ光の波長のほぼ１／（２×光ディスク基板の屈折
率）である。

【００５４】図６は、本発明の第６の実施例に係る光デ
ィスクの製造方法の工程を示す説明図であるが、本第６
の実施例は、前記第３の実施例において示した工程と同
一工程を含んで光ディスクを製造するため、前記第３の
実施例において示した工程と同一工程は図示を省略し、
違う工程を図６に基づき以下に説明する。

【００５５】本実施例は、図６に示すように、平坦な基
板１上に第１の保護膜２を形成する工程Ａ₁ と、前記第
１の保護膜２上にレジスト６を塗布する工程Ａ₂ と、露
光及び現像をすることにより前記第１の保護膜２上のレ
ジスト６を選択的に残す工程Ａ₃ と、前記第１の保護膜
２をエッチングすることにより該保護膜２に記録すべき
情報に対応する凹凸部を形成する工程Ａ₄ と、前記第１
の保護膜２の凹凸部上のレジスト６を洗浄することによ
り除去する工程Ａ₅ までが、前記第３の実施例と違う工
程であり、前記工程Ａ₅ 以降の工程は、前記第３の実施
例において示した図３における工程Ｂ〜Ｅの工程を行う
ことにより光ディスクが製造される。

【００５６】つまり、前記第３の実施例における基板１
は、記録すべき情報に対応する凹凸がスタンパーによっ
て形成されていたが、本第６の実施例における基板１ａ
は平坦な基板であり、該平坦な基板１ａに記録すべき情
報に対応する凹凸を形成する工程（Ａ₁ 〜Ａ₅ ）までが
前記第３の実施例と違う工程である。従って、第６の実
施例のような工程を介することにより平坦な基板１ａに
記録すべき情報に対応する凹凸を形成することができ、
そして、光ディスクを製造することができる。尚、前記
工程Ａ₁ 〜Ａ₅ までの具体的手法は前記第１〜第３の実
施例において示した手法と同様である。また、前記平坦
な基板１ａ上に形成される凹凸の深さも、照射されるレ
ーザ光の波長のほぼ１／（２×光ディスク基板の屈折
率）である。

【００５７】

【発明の効果】本発明は以上説明したように、光ディス
クの製造について、その製造工程を簡単にするととも
に、基板上の膜構造に悪影響を殆ど与えることなく製造
することができるという効果がある。また、露光の際
に、露光光の波長に依存して回折限界から露光できるピ
ットの大きさが定まってくるのに対し、スタンパー等に
より光ディスク基板に凹凸を形成する方法では、露光よ
りも小さなピットが形成され、高密度な光ディスクの製
造が可能になるとともに、現像工程を行う必要がないの
で、現像の際、現像液に光ディスクを浸す事により相変
化膜等の部分的な剥離や酸化等の悪影響を与え光ディス
クの特性を著しく低下させてしまうことがなくなるとい
う効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る光ディスクの製造
方法の工程を示す説明図である。

【図２】本発明の第２の実施例に係る光ディスクの製造
方法の工程を示す説明図である。

【図３】本発明の第３の実施例に係る光ディスクの製造
方法の工程を示す説明図である。

【図４】本発明の第４の実施例に係る光ディスクの製造
方法の工程を示す説明図である。

【図５】本発明の第５の実施例に係る光ディスクの製造
方法の工程を示す説明図である。

【図６】本発明の第６の実施例に係る光ディスクの製造
方法の工程を示す説明図である。

【図７】従来の光ディスクの製造方法の工程を示す説明
図である。

【符号の説明】

１：基板 ２：第１の保護膜 ３：相変化膜 ４：熱拡散層 ５：第２の保護膜 ６：レジスト ７：光磁気膜

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録すべき情報に対応した凹凸が形成さ
   れた基板上の前記凹凸に沿って相変化記録材料膜を形成
   する工程と、 前記相変化記録材料膜の凹凸部上に、表面がほぼ水平に
   なるように熱拡散層を形成する工程と、 前記相変化記録材料膜の凸部が露出するまで前記熱拡散
   層を均一にエッチングすることにより前記相変化記録材
   料膜の凹部に形成された前記熱拡散層を選択的に残す工
   程と、を含むことを特徴とする光ディスクの製造方法。
2. 【請求項２】 記録すべき情報に対応した凹凸が形成さ
   れた基板上の前記凹凸に沿って相変化記録材料膜を形成
   する工程と、 前記相変化記録材料膜の凹凸部上に、熱拡散層を形成す
   る工程と、 前記熱拡散層の凹凸部上に、表面がほぼ水平になるよう
   にレジストを塗布する工程と、 前記相変化記録材料膜の凸部が露出するまで前記熱拡散
   層及び前記レジスト部を均一にエッチングすることによ
   り前記相変化記録材料膜の凹部に形成された前記熱拡散
   層を選択的に残す工程と、を含むことを特徴とする光デ
   ィスクの製造方法。
3. 【請求項３】 記録すべき情報に対応した凹凸が形成さ
   れた基板上の前記凹凸上に保護膜を形成する工程と、 前記保護膜の凹凸部上に相変化記録材料膜を形成する工
   程と、 前記相変化記録材料膜の凹凸部上に、表面がほぼ水平に
   なるようにレジストを塗布する工程と、 前記保護膜の凸部が露出するまで前記レジスト部を均一
   にエッチングすることにより前記保護膜の凹部に形成さ
   れた前記相変化記録材料膜を選択的に残す工程と、 前記保護膜の凸部及び凹部に形成された前記相変化記録
   材料膜上に光磁気膜を形成する工程と、を含むことを特
   徴とする光ディスクの製造方法。
4. 【請求項４】 前記基板が、スタンパーにより作製した
   基板であることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれ
   か一項に記載の光ディスクの製造方法。
5. 【請求項５】 平坦な基板上に保護膜を形成する工程
   と、 前記保護膜上にレジストを塗布した後、露光及び現像を
   することにより前記保護膜上のレジストを選択的に残す
   工程と、 前記保護膜をエッチングすることにより該保護膜に記録
   すべき情報に対応する凹凸部を形成する工程と、 前記保護膜の凹凸部上のレジストを除去する工程と、 前記保護膜の凹凸部に沿って相変化記録材料膜を形成す
   る工程と、 前記相変化記録材料膜の凹凸部上に、表面がほぼ水平に
   なるように熱拡散層を形成する工程と、 前記相変化記録材料膜の凸部が露出するまで前記熱拡散
   層を均一にエッチングすることにより前記相変化記録材
   料膜の凹部に形成された前記熱拡散層を選択的に残す工
   程と、を含むことを特徴とする光ディスクの製造方法。
6. 【請求項６】 平坦な基板上に保護膜を形成する工程
   と、 前記保護膜上にレジストを塗布した後、露光及び現像を
   することにより前記保護膜上のレジストを選択的に残す
   工程と、 前記保護膜をエッチングすることにより該保護膜に記録
   すべき情報に対応する凹凸部を形成する工程と、 前記保護膜の凹凸部上のレジストを除去する工程と、 前記保護膜の凹凸部に沿って相変化記録材料膜を形成す
   る工程と、 前記相変化記録材料膜の凹凸部上に、熱拡散層を形成す
   る工程と、 前記熱拡散層の凹凸部上に、表面がほぼ水平になるよう
   にレジストを塗布する工程と、 前記相変化記録材料膜の凸部が露出するまで前記熱拡散
   層及び前記レジスト部を均一にエッチングすることによ
   り前記相変化記録材料膜の凹部に形成された前記熱拡散
   層を選択的に残す工程と、を含むことを特徴とする光デ
   ィスクの製造方法。
7. 【請求項７】 平坦な基板上に保護膜を形成する工程
   と、 前記保護膜上にレジストを塗布した後、露光及び現像を
   することにより前記保護膜上のレジストを選択的に残す
   工程と、 前記保護膜をエッチングすることにより該保護膜に記録
   すべき情報に対応する凹凸部を形成する工程と、 前記保護膜の凹凸部上のレジストを除去する工程と、 前記保護膜の凹凸部に沿って相変化記録材料膜を形成す
   る工程と、 前記相変化記録材料膜の凹凸部上に、表面がほぼ水平に
   なるようにレジストを塗布する工程と、 前記保護膜の凸部が露出するまで前記レジスト部を均一
   にエッチングすることにより前記保護膜の凹部に形成さ
   れた前記相変化記録材料膜を選択的に残す工程と、 前記保護膜の凸部及び凹部に敷設された前記相変化記録
   材料膜上に光磁気膜を形成する工程と、を含むことを特
   徴とする光ディスクの製造方法。
8. 【請求項８】 前記基板上に形成された凹凸又は前記エ
   ッチングにより保護膜に形成された凹凸の深さが、照射
   されるレーザ光の波長のほぼ１／（２×光ディスク基板
   の屈折率）であることを特徴とする請求項１〜７のうち
   いずれか一項に記載の光ディスクの製造方法。