JPH0634853A - 光素子アレイと多心光ファイバの光結合装置 - Google Patents

光素子アレイと多心光ファイバの光結合装置

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JPH0634853A
JPH0634853A JP18813792A JP18813792A JPH0634853A JP H0634853 A JPH0634853 A JP H0634853A JP 18813792 A JP18813792 A JP 18813792A JP 18813792 A JP18813792 A JP 18813792A JP H0634853 A JPH0634853 A JP H0634853A
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伸一 青島
Hideyuki Iwata
秀行 岩田
Masaru Shimonaka
賢 下中
Tetsuo Yabuta
哲郎 藪田
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(57)【要約】 【目的】 超低接続損失の光結合ができる光素子アレイ
と多心光ファイバの光結合装置を提供すること。 【構成】 シリコン基板1上に半導体レーザアレイ2が
形成、または後付けされ、そのアレイの各光素子に対応
した複数のV溝3が形成され、これらV溝3を横断して
貫通する穴11が形成されている。V溝3内に多心光フ
ァイバ心線5が配置される。穴11から調心機構15の
調心部18を挿入し、光パワー測定器13の個々の出力
パワーが最大となるように圧電素子コントローラ14で
圧電素子16を制御することにより、半導体レーザアレ
イ2の個々の軸中心と光ファイバ心線5の軸中心とを一
致させ、その後に心線を接着剤で固定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光素子アレイの各光素子
と多心光ファイバとを個別に光結合する光素子アレイと
多心光ファイバの光結合装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の光結合装置の一例を図1
に示す。本図に示すように、シリコン基板1上に半導体
レーザアレイの如き光素子アレイ2を形成し、あるいは
後付けして、シリコン基板1の面に形成した複数本の平
行なV溝3内にそれぞれ多心光ファイバテープ4の各光
ファイバ心線5を配置し、接着剤により各光ファイバ心
線5をV溝3内に固定することにより光結合を実現して
いた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の光
結合装置でも、V溝3によってある程度の軸調心はでき
る。しかしながら、V溝3の寸法誤差、光ファイバ心線
5の偏心により軸ずれが生じるので、光損失が生じ超低
接続損失の光結合を実現することはできなかった。
【0004】本発明の目的は、上述の点に鑑みて、超低
接続損失の光結合ができる光素子アレイと多心光ファイ
バの光結合装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、光素子アレイが形成あるいは後付けさ
れ、V溝が形成され、V溝の中央に貫通穴が形成された
シリコン基板と、前記光素子アレイ用の電源と、前記V
溝に設置された光ファイバと、前記貫通穴を介して前記
光ファイバを個別に軸調心する多心光ファイバ個別軸調
心機と、光ファイバの片端から放射される光のパワーを
測定する光パワー測定器と、光パワー測定器の測定情報
に応じて前記多心光ファイバ個別軸調心機の軸調心制御
を行うコントローラとを具備することを特徴とする。
【0006】また、本発明は、好ましくは、光素子アレ
イが形成あるいは後付けされた第1のシリコン基板と、
V溝が形成され、V溝の中央に貫通穴が形成された第2
のシリコン基板と、前記第1と第2のシリコン基板を結
合するための補強板とを具備することを特徴とすること
ができる。
【0007】
【作用】本発明の光素子アレイと多心光ファイバの光結
合装置は、光素子アレイと多心光ファイバの軸中心同士
を、多心光ファイバ個別軸調心機を使うことにより、ほ
とんど軸ずれ誤差なく一致させることができるため、個
別軸調心していない従来の光結合に較べ、かなり低損失
な光結合が実現できる。
【0008】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
【0009】図2は本発明の一実施例の光結合装置の構
成を示す。図2の(A)に示すように、この光結合装置
にはシリコン基板1上に半導体レーザアレイ2が形成、
あるいは後付けされ、半導体レーザアレイ2の発光素子
の位置と数に対応した複数本(本例では4本)の平行な
V溝3が形成されている。これら複数のV溝3の中央に
これらV溝を横切ってシリコン基板1を貫通する長方形
の穴11が形成されている。光ファイバテープ4の各光
ファイバ心線5がそのV溝3内に挿入され、その先端が
穴11を横断して半導体レーザアレイ2の各光素子に近
接して配置される。次に、本願人が先に提案した図2の
(B)に示すような多心光ファイバ心線接続装置(特願
平3−205763号)のような多心光ファイバ個別軸
調心機構を用いて、半導体レーザアレイ2の各光素子に
対して各光ファイバ心線5を個別に高精度に軸合せし、
その後に接着剤等で各光ファイバ心線5をシリコン基板
1に対して固定する。
【0010】図2の(B)において、12は半導体レー
ザアレイ用電源、13は光パワー測定器、14は圧電素
子コントローラである。15は多心光ファイバ個別軸調
心機構であり、圧電素子16,微調整板18および上下
微動台17等から構成される。
【0011】調整作業開始時において、シリコン基板1
は基台19上に本図に示すように、軸調心機構15の微
調整板18の先端がシリコン基板1の貫通穴11に挿入
され、光ファイバ心線5を支える状態で固定される。光
ファイバテープ4の片端は光パワー測定器13に結合さ
れている。圧電素子コントローラ14は光パワー測定器
13から得られるパワー測定情報を用いて軸調心機構1
5の圧電素子16を制御し、軸調心を行う。すなわち、
半導体レーザアレイ用電源12からの供給電源により半
導体レーザアレイ2の各光素子が発光し、これらのレー
ザ光が光ファイバ心線5を通って光パワー測定器13に
個別に受光され、電気的な測定信号に変換されて圧電素
子コントローラ14に伝達される。半導体レーザアレイ
2の光素子と光ファイバ心線5とが高精度に軸合せされ
た場合には上記測定信号のレベルは最大値となるから、
圧電素子コントローラ14はこれら測定信号のレベルが
それぞれ最大値となるように圧電素子16を駆動制御し
て光ファイバ心線5の位置を微調整することにより、高
精度な軸調心が各光ファイバ心線5毎に個別に達成され
る。この圧電素子16の駆動制御には、例えば自動焦点
調整などに良く用いられている所謂「山登り方式」など
が適用できる。
【0012】次に、図3および図4を参照して図2に示
す多心光ファイバ個別軸調心機構15の構成について詳
述する。図3の(A)は正面図、(B)は側面図、
(C)は(A)の上面図、(D)は微調整板18の内容
を示す説明図であり、図4は図3の(A)の一部を拡大
した図である。ここで、20はV溝基板であり、複数の
V溝により多心光ファイバの個々の心線5を支持してお
り、基台(上下微動台)17に結合されている。基台1
7には複数の圧電素子16が図3の(B)に示すように
光ファイバ心線5に沿って並列して固定されており、そ
の先端にはL字型の微調整板18が図4に示すように立
設状態で取り付けられてある。各微調整板18の底部に
は、図3の(D)に示すように突起181が各々間隔を
変えて形成されている。そして、この各微調整板18は
重ねられて基台17に取り付けられる。
【0013】このような構造にすることでコンパクトに
なり、圧電素子16が独立に駆動できるように配置でき
る。各微調整板18は各々に取り付けられた圧電素子1
6によって上下にサブミクロンオーダで微動できるよう
になっている。この2組の微調整板18の上下微動によ
って光ファイバ心線5を2次元的に微動させる。
【0014】図4に軸調心の原理を示す。図4の(a)
は光ファイバ心線5を上方に微動する場合で、左右2つ
の圧電素子16を両方伸ばす。図4の(b)は光ファイ
バ心線5を下方に微動する場合で、左右2つの圧電素子
16を両方縮める。図4の(c)は光ファイバ心線5を
右方向に微動する場合で、左の圧電素子16のみを伸ば
す。図4の(d)は光ファイバ心線5を左方向に微動す
る場合で、右の圧電素子16のみを伸ばす。このよう
に、左右の圧電素子16の伸びの割合を変えることによ
り、光ファイバ心線5を2次元的に微動できる。
【0015】上下微動台17は軸調心部の全体の上下に
微動させ、シリコン基板1の穴11に調心部18を挿入
したり、取り出すことができる。
【0016】次に、超低損失の光結合を実現する本発明
の一実施例に係る調整工程を説明する。
【0017】プロセス(1) 図2に示すようにシリコン基板1を基台19の上に設置
する。
【0018】プロセス(2) 調心機構15の調心部(微調整板)18をシリコン基板
1の穴11から挿入し、光パワー測定器13によって測
定された個々の光ファイバ心線5の光パワーが最大にな
るように圧電素子コントローラ14で圧電素子16を制
御し、これにより半導体レーザアレイ2の個々の軸中心
と光ファイバ心線5の軸中心を一致させる。
【0019】プロセス(3) 全ての光ファイバ心線5の軸調心が終了したところで、
光ファイバ心線5を瞬間接着剤などで固定する。
【0020】以上のプロセスにより超低損失な光結合を
行うことができる光結合装置が得られる。
【0021】(他の実施例)なお、図5に示すようにシ
リコン基板1上にV溝が形成されておらず基板1の端に
光素子アレイ2が設置されている場合は、図6に示すよ
うにV溝基板31のV溝3と光素子アレイ2を位置決め
し、シリコン基板1とV溝基板31とを図7に示すよう
に補強板32等を用いて固定してから、上述した本発明
の手順により光結合を行えばよい。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来困難であった光素子アレイと多心光ファイバの高精
度の個別軸調心を実現することができるので、従来の光
結合に較べて非常に低損失な光結合を実現できるという
効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の光素子アレイと多心光ファイバの光結合
装置の構成例を示す平面図である。
【図2】本発明の一実施例の光素子アレイと多心光ファ
イバの光結合装置の構成を示す平面図(A)と側面図
(B)である。
【図3】図2の多心光ファイバ個別調心機構の構成を示
す正面図(A)、側面図(B)、上面図(C)および説
明図(D)である。
【図4】図3の調心機構による軸調心の原理を示す構成
図である。
【図5】本発明の他の実施例に用いる光素子アレイの設
置状態を示す平面図である。
【図6】図5のシリコン基板に接続するV溝基板を示す
平面図である。
【図7】図5のシリコン基板と図6のV溝基板を固定し
た状態を示す平面図である。
【符号の説明】
1 シリコン基板 2 光素子アレイ(半導体レーザアレイ) 3 V溝 4 光ファイバテープ 5 光ファイバ心線 11 穴 12 半導体レーザアレイ用電源 13 光パワー測定器 14 圧電素子コントローラ 15 多心光ファイバ個別軸調心機構 16 圧電素子 17 上下微動台(基台) 18 微調整板 19 基台 20 V溝基板 31 V溝基板 32 補強板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藪田 哲郎 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光素子アレイが形成あるいは後付けさ
    れ、V溝が形成され、V溝の中央に貫通穴が形成された
    シリコン基板と、 前記光素子アレイ用の電源と、 前記V溝に設置された光ファイバと、 前記貫通穴を介して前記光ファイバを個別に軸調心する
    多心光ファイバ個別軸調心機と、 光ファイバの片端から放射される光のパワーを測定する
    光パワー測定器と、 光パワー測定器の測定情報に応じて前記多心光ファイバ
    個別軸調心機の軸調心制御を行うコントローラとを具備
    することを特徴とする光素子アレイと多心光ファイバの
    光結合装置。
  2. 【請求項2】 光素子アレイが形成あるいは後付けされ
    た第1のシリコン基板と、 V溝が形成され、V溝の中央に貫通穴が形成された第2
    のシリコン基板と、 前記第1と第2のシリコン基板を結合するための補強板
    とを具備することを特徴とする請求項1に記載の光素子
    アレイと多心光ファイバの光結合装置。
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