JPH08327859A - 光半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
光半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH08327859A JPH08327859A JP13242795A JP13242795A JPH08327859A JP H08327859 A JPH08327859 A JP H08327859A JP 13242795 A JP13242795 A JP 13242795A JP 13242795 A JP13242795 A JP 13242795A JP H08327859 A JPH08327859 A JP H08327859A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザダイオードと光ファイバとの高精度な
光軸合わせを行うことができる光半導体装置を得ること
を目的とする。 【構成】 Ｓｉ基板７にダイシング法により、光ファイ
バ５を固定するためのＶ溝４、次いでマーカ用Ｖ溝８を
Ｖ溝４の両脇に形成し、次いで、光ファイバ５をＶ溝４
に樹脂等の接着剤で取付け、マーカ用Ｖ溝８を高精度マ
ーカとして認識し、レーザダイオード１と光ファイバ５
の平行出しと位置合わせを行った後に、レーザダイオー
ド１をＳｉ基板７にボンディングする。 【効果】 レーザダイオードと光ファイバとの高精度な
光軸合わせが可能である。
光軸合わせを行うことができる光半導体装置を得ること
を目的とする。 【構成】 Ｓｉ基板７にダイシング法により、光ファイ
バ５を固定するためのＶ溝４、次いでマーカ用Ｖ溝８を
Ｖ溝４の両脇に形成し、次いで、光ファイバ５をＶ溝４
に樹脂等の接着剤で取付け、マーカ用Ｖ溝８を高精度マ
ーカとして認識し、レーザダイオード１と光ファイバ５
の平行出しと位置合わせを行った後に、レーザダイオー
ド１をＳｉ基板７にボンディングする。 【効果】 レーザダイオードと光ファイバとの高精度な
光軸合わせが可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光部品（レーザダイ
オード、光変調器、フォトダイオード等）をボンディン
グする際に、基板に形成されたＶ溝を位置合わせマーカ
として用いる高精度な組立方法を利用した光半導体装置
及びその製造方法に関するものである。
オード、光変調器、フォトダイオード等）をボンディン
グする際に、基板に形成されたＶ溝を位置合わせマーカ
として用いる高精度な組立方法を利用した光半導体装置
及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来の光半導体装置を示す斜視図
である。図において、１はレーザダイオード、２はレー
ザダイオード１の発光部、３はＳｉ等の半導体又はガラ
スからなる基板、４は基板３上にエッチング又はダイシ
ングにより形成されたＶ溝、５はＶ溝４に固定される光
ファイバ、６は光ファイバ５の光導波路部である。この
ような従来の光半導体装置においては、レーザダイオー
ド１の発光部２から放射される光を効率よく光ファイバ
５の光導波路部６に導くため、光導波路部６とレーザダ
イオード１とは高い位置精度で固定する必要があった。
である。図において、１はレーザダイオード、２はレー
ザダイオード１の発光部、３はＳｉ等の半導体又はガラ
スからなる基板、４は基板３上にエッチング又はダイシ
ングにより形成されたＶ溝、５はＶ溝４に固定される光
ファイバ、６は光ファイバ５の光導波路部である。この
ような従来の光半導体装置においては、レーザダイオー
ド１の発光部２から放射される光を効率よく光ファイバ
５の光導波路部６に導くため、光導波路部６とレーザダ
イオード１とは高い位置精度で固定する必要があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の光半
導体装置では、光導波路部６とレーザダイオード１との
位置合わせは、レーザダイオード１を動作させ、光ファ
イバ５を導波してきたレーザ光の光量をモニタするとい
う方法で行っていたため、光軸調整に多大な時間が必要
とされ、コストがかかるという問題点があった。一方、
この位置合わせの方法として、レーザダイオード１は動
作させず、光ファイバ５を固定した基板３上に形成した
マーカと、レーザダイオード１のマーカとを認識し、機
械的に位置合わせを行う方法があるが、基板３上に形成
するマーカの位置精度が出ない、すなわち、光ファイバ
５の光導波路部６に対し、位置精度の高いマーカが必要
であるという問題点があった。
導体装置では、光導波路部６とレーザダイオード１との
位置合わせは、レーザダイオード１を動作させ、光ファ
イバ５を導波してきたレーザ光の光量をモニタするとい
う方法で行っていたため、光軸調整に多大な時間が必要
とされ、コストがかかるという問題点があった。一方、
この位置合わせの方法として、レーザダイオード１は動
作させず、光ファイバ５を固定した基板３上に形成した
マーカと、レーザダイオード１のマーカとを認識し、機
械的に位置合わせを行う方法があるが、基板３上に形成
するマーカの位置精度が出ない、すなわち、光ファイバ
５の光導波路部６に対し、位置精度の高いマーカが必要
であるという問題点があった。
【０００４】この発明は、このような課題を解決するた
めになされたもので、第一の目的は、光ファイバを固定
した基板上に高精度なマーカを形成し、光素子との高精
度な光軸合わせができる光半導体装置を得るものであ
る。また、このような光半導体装置の製造方法を得るこ
とを第二の目的としている。
めになされたもので、第一の目的は、光ファイバを固定
した基板上に高精度なマーカを形成し、光素子との高精
度な光軸合わせができる光半導体装置を得るものであ
る。また、このような光半導体装置の製造方法を得るこ
とを第二の目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる光半導
体装置においては、Ｖ溝及びその近傍にマーカ用Ｖ溝を
設けた基板上のＶ溝に取付けられた光ファイバと、マー
カ用Ｖ溝によって位置決めされ、光ファイバと光結合す
るように基板上に取付けられた光素子を備えたものであ
る。また、光素子は、レーザダイオードとするものであ
る。また、レーザダイオードは、アレイ型レーザダイオ
ードとするものである。さらに、レーザダイオードは、
二次元アレイ型レーザダイオードとするものである。
体装置においては、Ｖ溝及びその近傍にマーカ用Ｖ溝を
設けた基板上のＶ溝に取付けられた光ファイバと、マー
カ用Ｖ溝によって位置決めされ、光ファイバと光結合す
るように基板上に取付けられた光素子を備えたものであ
る。また、光素子は、レーザダイオードとするものであ
る。また、レーザダイオードは、アレイ型レーザダイオ
ードとするものである。さらに、レーザダイオードは、
二次元アレイ型レーザダイオードとするものである。
【０００６】また、二枚の基板と、これらの各基板に設
けられたＶ溝と、基板の少なくともいずれか一方の基板
のＶ溝の近傍に設けられたマーカ用Ｖ溝と、このマーカ
用Ｖ溝によって互いに光結合するように位置決めされて
各基板のＶ溝に配置された光ファイバーを備えたもので
ある。加えて、マーカ用Ｖ溝は、ダイシングにより形成
されているものである。また、マーカ用Ｖ溝は、Ｖ溝の
両側に、Ｖ溝に平行に形成されているものである。ま
た、マーカ用Ｖ溝は、Ｖ溝に直交して形成されているも
のである。さらにまた、基板表面には、高反射率金属を
メタライズしたものである。また、高反射率金属は、金
であるものである。
けられたＶ溝と、基板の少なくともいずれか一方の基板
のＶ溝の近傍に設けられたマーカ用Ｖ溝と、このマーカ
用Ｖ溝によって互いに光結合するように位置決めされて
各基板のＶ溝に配置された光ファイバーを備えたもので
ある。加えて、マーカ用Ｖ溝は、ダイシングにより形成
されているものである。また、マーカ用Ｖ溝は、Ｖ溝の
両側に、Ｖ溝に平行に形成されているものである。ま
た、マーカ用Ｖ溝は、Ｖ溝に直交して形成されているも
のである。さらにまた、基板表面には、高反射率金属を
メタライズしたものである。また、高反射率金属は、金
であるものである。
【０００７】この発明に係わる光半導体装置の製造方法
においては、半導体基板にダイシングにより、光ファイ
バを固定するためのＶ溝を形成する工程と、このＶ溝の
近傍にマーカ用Ｖ溝をダイシングにより形成する工程
と、Ｖ溝に光ファイバを取付ける工程と、マーカ用Ｖ溝
の反射率の差により位置決めし、レーザダイオードを基
板にボンディングする工程を含むものである。
においては、半導体基板にダイシングにより、光ファイ
バを固定するためのＶ溝を形成する工程と、このＶ溝の
近傍にマーカ用Ｖ溝をダイシングにより形成する工程
と、Ｖ溝に光ファイバを取付ける工程と、マーカ用Ｖ溝
の反射率の差により位置決めし、レーザダイオードを基
板にボンディングする工程を含むものである。
【０００８】
【作用】上記のように構成された光半導体装置及びその
製造方法においては、基板上のＶ溝に取付けられた光フ
ァイバと、マーカ用Ｖ溝によって位置決めされ、光ファ
イバと光結合するように基板上に取付けられた光素子を
備え、マーカ用Ｖ溝は暗線として認識される。また、二
枚の基板と、これらの各基板に設けられたＶ溝と、基板
の少なくともいずれか一方の基板のＶ溝の近傍に設けら
れたマーカ用Ｖ溝と、このマーカ用Ｖ溝によって互いに
光結合するように位置決めされて各基板のＶ溝に配置さ
れた光ファイバーを備え、マーカ用Ｖ溝は暗線として認
識され、光ファイバ同志の光結合の位置決め用のマーカ
として用いる。
製造方法においては、基板上のＶ溝に取付けられた光フ
ァイバと、マーカ用Ｖ溝によって位置決めされ、光ファ
イバと光結合するように基板上に取付けられた光素子を
備え、マーカ用Ｖ溝は暗線として認識される。また、二
枚の基板と、これらの各基板に設けられたＶ溝と、基板
の少なくともいずれか一方の基板のＶ溝の近傍に設けら
れたマーカ用Ｖ溝と、このマーカ用Ｖ溝によって互いに
光結合するように位置決めされて各基板のＶ溝に配置さ
れた光ファイバーを備え、マーカ用Ｖ溝は暗線として認
識され、光ファイバ同志の光結合の位置決め用のマーカ
として用いる。
【０００９】加えて、マーカ用Ｖ溝は、ダイシングによ
り高精度に形成される。また、マーカ用Ｖ溝は、Ｖ溝の
両側に、Ｖ溝に平行に形成され、光軸方向に形成され
る。また、マーカ用Ｖ溝は、Ｖ溝に直交して形成され、
光軸に直交する方向に形成される。さらにまた、基板表
面には、高反射率金属をメタライズし、基板とマーカ用
Ｖ溝との反射率の差を大きくする。
り高精度に形成される。また、マーカ用Ｖ溝は、Ｖ溝の
両側に、Ｖ溝に平行に形成され、光軸方向に形成され
る。また、マーカ用Ｖ溝は、Ｖ溝に直交して形成され、
光軸に直交する方向に形成される。さらにまた、基板表
面には、高反射率金属をメタライズし、基板とマーカ用
Ｖ溝との反射率の差を大きくする。
【００１０】また、半導体基板にダイシングにより、光
ファイバを固定するためのＶ溝を形成する工程と、この
Ｖ溝の近傍にマーカ用Ｖ溝をダイシングにより形成する
工程と、Ｖ溝に光ファイバを取付ける工程と、マーカ用
Ｖ溝の反射率の差により位置決めし、レーザダイオード
を基板にボンディングする工程を含み、ダイシングによ
りマーカ用Ｖ溝を高精度に形成できる。
ファイバを固定するためのＶ溝を形成する工程と、この
Ｖ溝の近傍にマーカ用Ｖ溝をダイシングにより形成する
工程と、Ｖ溝に光ファイバを取付ける工程と、マーカ用
Ｖ溝の反射率の差により位置決めし、レーザダイオード
を基板にボンディングする工程を含み、ダイシングによ
りマーカ用Ｖ溝を高精度に形成できる。
【００１１】
実施例１．図１〜３は、この発明の実施例１によるレー
ザダイオードの実装方法を示す斜視図である。図におい
て、１、２、４〜６は上記従来装置と同一のものであ
り、その説明を省略する。７はＶ溝４を形成したＳｉ基
板、８は、Ｓｉ基板７上のＶ溝４の両脇に形成されたマ
ーカ用Ｖ溝である。実施例１のレーザダイオードの実装
は、次により行われる。図１のように、まずＳｉ基板７
に、ダイシング法により光ファイバ５を固定するための
Ｖ溝４を形成する。次にレーザダイオード１をボンディ
ングする際に、マーカとして使用する目的で、同じくダ
イシング法によりマーカ用Ｖ溝８を、光ファイバ固定用
のＶ溝４の両脇に形成する。ここで、ダイシング法によ
り形成したＶ溝４及びマーカ用Ｖ溝８は、相互の間隔及
びその深さともに、±０．５μｍの非常に高い精度で加
工が可能である。次に図２のように、光ファイバ固定用
のＶ溝４に、光ファイバ５を樹脂等の接着剤で取り付け
る。
ザダイオードの実装方法を示す斜視図である。図におい
て、１、２、４〜６は上記従来装置と同一のものであ
り、その説明を省略する。７はＶ溝４を形成したＳｉ基
板、８は、Ｓｉ基板７上のＶ溝４の両脇に形成されたマ
ーカ用Ｖ溝である。実施例１のレーザダイオードの実装
は、次により行われる。図１のように、まずＳｉ基板７
に、ダイシング法により光ファイバ５を固定するための
Ｖ溝４を形成する。次にレーザダイオード１をボンディ
ングする際に、マーカとして使用する目的で、同じくダ
イシング法によりマーカ用Ｖ溝８を、光ファイバ固定用
のＶ溝４の両脇に形成する。ここで、ダイシング法によ
り形成したＶ溝４及びマーカ用Ｖ溝８は、相互の間隔及
びその深さともに、±０．５μｍの非常に高い精度で加
工が可能である。次に図２のように、光ファイバ固定用
のＶ溝４に、光ファイバ５を樹脂等の接着剤で取り付け
る。
【００１２】次に図３のように、レーザダイオード１を
Ｓｉ基板７にボンディングする。この時、Ｓｉ基板７の
上方より光を照射し、Ｓｉ基板７をモニタリングする。
マーカ用Ｖ溝８が形成された部分は、Ｓｉ基板７の上面
部と比較し、光の反射率の違いから暗く映り、暗線とし
て認識される。マーカ用Ｖ溝８は、上記のように光ファ
イバ固定用のＶ溝４に対し、±０．５μｍの精度で形成
されていることから、マーカ用Ｖ溝８の反射率の違いに
よる暗線を、±０．５μｍ精度の高精度マーカとして使
用することができる。レーザダイオード１のボンディン
グは、２本のマーカ用Ｖ溝８を認識し、平行出しと位置
合わせをした後に行う。この方法により、レーザダイオ
ード１を動作させながら光軸合わせを行う必要がなく、
光ファイバ５とレーザダイオード１との高精度な光軸合
わせが可能となる。
Ｓｉ基板７にボンディングする。この時、Ｓｉ基板７の
上方より光を照射し、Ｓｉ基板７をモニタリングする。
マーカ用Ｖ溝８が形成された部分は、Ｓｉ基板７の上面
部と比較し、光の反射率の違いから暗く映り、暗線とし
て認識される。マーカ用Ｖ溝８は、上記のように光ファ
イバ固定用のＶ溝４に対し、±０．５μｍの精度で形成
されていることから、マーカ用Ｖ溝８の反射率の違いに
よる暗線を、±０．５μｍ精度の高精度マーカとして使
用することができる。レーザダイオード１のボンディン
グは、２本のマーカ用Ｖ溝８を認識し、平行出しと位置
合わせをした後に行う。この方法により、レーザダイオ
ード１を動作させながら光軸合わせを行う必要がなく、
光ファイバ５とレーザダイオード１との高精度な光軸合
わせが可能となる。
【００１３】実施例２．図４は、この発明の実施例２に
よるアレイ型レーザダイオードの実装方法を示す斜視図
である。図４は、実施例１において、レーザダイオード
１をアレイ型レーザダイオード１１（例として４点アレ
イ）とした場合を示している。１２は、アレイ型レーザ
ダイオード１１の発光部である。実施例２でも、光軸合
わせの調整が不要で、アレイ型レーザダイオード１１の
組立が容易にできる。
よるアレイ型レーザダイオードの実装方法を示す斜視図
である。図４は、実施例１において、レーザダイオード
１をアレイ型レーザダイオード１１（例として４点アレ
イ）とした場合を示している。１２は、アレイ型レーザ
ダイオード１１の発光部である。実施例２でも、光軸合
わせの調整が不要で、アレイ型レーザダイオード１１の
組立が容易にできる。
【００１４】実施例３．図５は、この発明の実施例３に
よるレーザダイオードの実装方法を示す斜視図である。
図５は、実施例１において、Ｓｉ基板７の上面をＡｕ等
の金属でメタライズしたメタライズ面１３を形成後に、
Ｖ溝４及びマーカ用Ｖ溝８のＶ溝加工をしたものであ
る。Ｓｉ基板７の上面とマーカ用Ｖ溝８との反射率の差
を大きくとれるため、認識精度が向上する。
よるレーザダイオードの実装方法を示す斜視図である。
図５は、実施例１において、Ｓｉ基板７の上面をＡｕ等
の金属でメタライズしたメタライズ面１３を形成後に、
Ｖ溝４及びマーカ用Ｖ溝８のＶ溝加工をしたものであ
る。Ｓｉ基板７の上面とマーカ用Ｖ溝８との反射率の差
を大きくとれるため、認識精度が向上する。
【００１５】実施例４．図６は、この発明の実施例４に
よる二次元アレイ型レーザダイオードの実装方法を示す
斜視図である。図６は、実施例１において、光ファイバ
５を積層し、二次元アレイ型レーザダイオード１４（例
として４×４点）に適用したものを示している。１５
は、二次元アレイ型レーザダイオード１４の発光部であ
る。容易に、二次元アレイ型レーザダイオード１４と二
次元アレイ光ファイバとの光軸合わせができる。
よる二次元アレイ型レーザダイオードの実装方法を示す
斜視図である。図６は、実施例１において、光ファイバ
５を積層し、二次元アレイ型レーザダイオード１４（例
として４×４点）に適用したものを示している。１５
は、二次元アレイ型レーザダイオード１４の発光部であ
る。容易に、二次元アレイ型レーザダイオード１４と二
次元アレイ光ファイバとの光軸合わせができる。
【００１６】実施例５．図７は、この発明の実施例５に
よる光ファイバアレイ同志の光結合方法を示す斜視図で
ある。図７は、実施例２においてアレイ型レーザダイオ
ード１１に代えてアレイ型光ファイバを用い、アレイ型
光ファイバ同志の結合に適用したものである。実施例５
でも、光軸合わせの調整が不要で、アレイ型ファイバ同
志の高効率結合ができる。
よる光ファイバアレイ同志の光結合方法を示す斜視図で
ある。図７は、実施例２においてアレイ型レーザダイオ
ード１１に代えてアレイ型光ファイバを用い、アレイ型
光ファイバ同志の結合に適用したものである。実施例５
でも、光軸合わせの調整が不要で、アレイ型ファイバ同
志の高効率結合ができる。
【００１７】実施例６．図８は、この発明の実施例６に
よるマーカ用Ｖ溝を示す斜視図である。図８は、光ファ
イバ５を固定するＶ溝４と直交する方向にマーカとして
使用するマーカ用Ｖ溝８を形成した場合を示している。
光ファイバ端とレーザダイオード端の間隔の調整が容易
にできる。また、実施例１において、Ｖ溝４を形成する
工程で、Ｖ溝４の両端にもマーカ用Ｖ溝８を形成してお
き、次にウエハを９０°回転させ、Ｖ溝４に直交するマ
ーカ用Ｖ溝８を形成することもできる。
よるマーカ用Ｖ溝を示す斜視図である。図８は、光ファ
イバ５を固定するＶ溝４と直交する方向にマーカとして
使用するマーカ用Ｖ溝８を形成した場合を示している。
光ファイバ端とレーザダイオード端の間隔の調整が容易
にできる。また、実施例１において、Ｖ溝４を形成する
工程で、Ｖ溝４の両端にもマーカ用Ｖ溝８を形成してお
き、次にウエハを９０°回転させ、Ｖ溝４に直交するマ
ーカ用Ｖ溝８を形成することもできる。
【００１８】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。基板上
のＶ溝に取付けられた光ファイバと、マーカ用Ｖ溝によ
って位置決めされ、光ファイバと光結合するように基板
上に取付けられた光素子を備え、マーカ用Ｖ溝は暗線と
して認識され、マーカとして用いることができるので、
レーザダイオードを動作させて光軸合わせを行う必要が
なく、レーザダイオードと光ファイバとの高精度な光軸
合わせが可能であり、低コスト化が図れる。また、二枚
の基板と、これらの各基板に設けられたＶ溝と、基板の
少なくともいずれか一方の基板のＶ溝の近傍に設けられ
たマーカ用Ｖ溝と、このマーカ用Ｖ溝によって互いに光
結合するように位置決めされて各基板のＶ溝に配置され
た光ファイバーを備え、マーカ用Ｖ溝は暗線として認識
され、マーカとして用いることができるので、光ファイ
バ同志の高精度な光軸合わせが可能である。加えて、マ
ーカ用Ｖ溝を、ダイシングにより高精度に形成されるの
で、高精度の位置合わせが可能である。
れているので、以下に示すような効果を奏する。基板上
のＶ溝に取付けられた光ファイバと、マーカ用Ｖ溝によ
って位置決めされ、光ファイバと光結合するように基板
上に取付けられた光素子を備え、マーカ用Ｖ溝は暗線と
して認識され、マーカとして用いることができるので、
レーザダイオードを動作させて光軸合わせを行う必要が
なく、レーザダイオードと光ファイバとの高精度な光軸
合わせが可能であり、低コスト化が図れる。また、二枚
の基板と、これらの各基板に設けられたＶ溝と、基板の
少なくともいずれか一方の基板のＶ溝の近傍に設けられ
たマーカ用Ｖ溝と、このマーカ用Ｖ溝によって互いに光
結合するように位置決めされて各基板のＶ溝に配置され
た光ファイバーを備え、マーカ用Ｖ溝は暗線として認識
され、マーカとして用いることができるので、光ファイ
バ同志の高精度な光軸合わせが可能である。加えて、マ
ーカ用Ｖ溝を、ダイシングにより高精度に形成されるの
で、高精度の位置合わせが可能である。
【００１９】また、マーカ用Ｖ溝は、Ｖ溝の両側に、Ｖ
溝に平行に形成され、光軸方向に形成されるので、光軸
合わせが容易にできる。また、マーカ用Ｖ溝は、Ｖ溝に
直交して形成され、光軸に直交する方向に形成されるの
で、レーザダイオード端と光ファイバ端の間隔の調整が
容易にできる。さらにまた、基板表面には、高反射率金
属をメタライズし、基板とマーカ用Ｖ溝との反射率の差
を大きくするので、認識精度が向上する。また、半導体
基板にダイシングにより、光ファイバを固定するための
Ｖ溝を形成する工程と、このＶ溝の近傍にマーカ用Ｖ溝
をダイシングにより形成する工程と、Ｖ溝に光ファイバ
を取付ける工程と、マーカ用Ｖ溝の反射率の差により位
置決めし、レーザダイオードを基板にボンディングする
工程を含み、ダイシングによりマーカ用Ｖ溝を高精度に
形成できるので、高精度の位置合わせが可能である。
溝に平行に形成され、光軸方向に形成されるので、光軸
合わせが容易にできる。また、マーカ用Ｖ溝は、Ｖ溝に
直交して形成され、光軸に直交する方向に形成されるの
で、レーザダイオード端と光ファイバ端の間隔の調整が
容易にできる。さらにまた、基板表面には、高反射率金
属をメタライズし、基板とマーカ用Ｖ溝との反射率の差
を大きくするので、認識精度が向上する。また、半導体
基板にダイシングにより、光ファイバを固定するための
Ｖ溝を形成する工程と、このＶ溝の近傍にマーカ用Ｖ溝
をダイシングにより形成する工程と、Ｖ溝に光ファイバ
を取付ける工程と、マーカ用Ｖ溝の反射率の差により位
置決めし、レーザダイオードを基板にボンディングする
工程を含み、ダイシングによりマーカ用Ｖ溝を高精度に
形成できるので、高精度の位置合わせが可能である。
【図１】 この発明の実施例１によるレーザダイオード
の実装方法を示すＶ溝形成後の斜視図である。
の実装方法を示すＶ溝形成後の斜視図である。
【図２】 この発明の実施例１によるレーザダイオード
の実装方法を示す光ファイバ固定後の斜視図である。
の実装方法を示す光ファイバ固定後の斜視図である。
【図３】 この発明の実施例１によるレーザダイオード
の実装方法を示す斜視図である。
の実装方法を示す斜視図である。
【図４】 この発明の実施例２によるアレイ型レーザダ
イオードの実装方法を示す斜視図である。
イオードの実装方法を示す斜視図である。
【図５】 この発明の実施例３によるレーザダイオード
の実装方法を示す斜視図である。
の実装方法を示す斜視図である。
【図６】 この発明の実施例４による二次元アレイ型レ
ーザダイオードの実装方法を示す斜視図である。
ーザダイオードの実装方法を示す斜視図である。
【図７】 この発明の実施例５による光ファイバアレイ
同志の光結合方法を示す斜視図である。
同志の光結合方法を示す斜視図である。
【図８】 この発明の実施例６によるマーカ用Ｖ溝を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図９】 従来の光半導体装置を示す斜視図である。
１ レーザダイオード、４ Ｖ溝、５ 光ファイバ、７
Ｓｉ基板、８ マーカ用Ｖ溝、１１ アレイ型レーザ
ダイオード、１３ メタライズ面、１４ 二次元アレイ
型レーザダイオード
Ｓｉ基板、８ マーカ用Ｖ溝、１１ アレイ型レーザ
ダイオード、１３ メタライズ面、１４ 二次元アレイ
型レーザダイオード
Claims (11)
- 【請求項１】 Ｖ溝及びその近傍にマーカ用Ｖ溝を設け
た基板、この基板上のＶ溝に取付けられた光ファイバ、
上記マーカ用Ｖ溝によって位置決めされ、上記光ファイ
バと光結合するように上記基板上に取付けられた光素子
を備えたことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 光素子は、レーザダイオードであること
を特徴とする請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項３】 レーザダイオードは、アレイ型レーザダ
イオードであることを特徴とする請求項２記載の光半導
体装置。 - 【請求項４】 レーザダイオードは、二次元アレイ型レ
ーザダイオードであることを特徴とする請求項２記載の
光半導体装置。 - 【請求項５】 二枚の基板、これらの各基板に設けられ
たＶ溝、上記基板の少なくともいずれか一方の基板のＶ
溝の近傍に設けられたマーカ用Ｖ溝、このマーカ用Ｖ溝
によって互いに光結合するように位置決めされて上記各
基板のＶ溝に配置された光ファイバーを備えたことを特
徴とする光半導体装置。 - 【請求項６】 マーカ用Ｖ溝は、ダイシングにより形成
されていることを特徴とする請求項１ないし請求項５の
いずれか一項記載の光半導体装置。 - 【請求項７】 マーカ用Ｖ溝は、Ｖ溝の両側に、Ｖ溝に
平行に形成されていることを特徴とする請求項１ないし
請求項６のいずれか一項記載の光半導体装置。 - 【請求項８】 マーカ用Ｖ溝は、Ｖ溝に直交して形成さ
れていることを特徴とする請求項１ないし請求項７のい
ずれか一項記載の光半導体装置。 - 【請求項９】 基板表面には、高反射率金属をメタライ
ズしたことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいず
れか一項記載の光半導体装置。 - 【請求項１０】 高反射率金属は、金であることを特徴
とする請求項９記載の光半導体装置。 - 【請求項１１】 半導体基板にダイシングにより、光フ
ァイバを固定するためのＶ溝を形成する工程、このＶ溝
の近傍にマーカ用Ｖ溝をダイシングにより形成する工
程、上記Ｖ溝に光ファイバを取付ける工程、上記マーカ
用Ｖ溝の反射率の差により位置決めし、レーザダイオー
ドを上記基板にボンディングする工程を含むことを特徴
とする光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13242795A JPH08327859A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 光半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13242795A JPH08327859A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 光半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08327859A true JPH08327859A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15081129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13242795A Pending JPH08327859A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 光半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08327859A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004336025A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-25 | Fujikura Ltd | 光モジュール、光モジュール実装基板、光伝送モジュール、双方向光伝送モジュール、光モジュールの製造方法 |
| JP2007250650A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子とその製造方法 |
| DE10144207B4 (de) * | 2001-04-30 | 2008-05-15 | Mergeoptics Gmbh | Anordnung mit mindestens zwei unterschiedlichen elektronischen Halbleiterschaltungen und Verwendung der Anordnung zur schnellen Datenübertragung |
-
1995
- 1995-05-30 JP JP13242795A patent/JPH08327859A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4660400B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2011-03-30 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
| US8059691B2 (en) | 2006-03-14 | 2011-11-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device and method of producing the same |
| US8124431B2 (en) | 2006-03-14 | 2012-02-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device and method of producing the same |
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