JPH0634649A - 角速度センサー - Google Patents

角速度センサー

Info

Publication number
JPH0634649A
JPH0634649A JP5156337A JP15633793A JPH0634649A JP H0634649 A JPH0634649 A JP H0634649A JP 5156337 A JP5156337 A JP 5156337A JP 15633793 A JP15633793 A JP 15633793A JP H0634649 A JPH0634649 A JP H0634649A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tips
wafer
sensor
support
tip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5156337A
Other languages
English (en)
Inventor
Peter E M Frere
ピーター・エドワード・マイケル・フレア
Russell W Craddock
ラッセル・ウィリアム・クラドック
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ZF International UK Ltd
Original Assignee
Lucas Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lucas Industries Ltd filed Critical Lucas Industries Ltd
Publication of JPH0634649A publication Critical patent/JPH0634649A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5607Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating tuning forks
    • G01C19/5628Manufacturing; Trimming; Mounting; Housings
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5607Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating tuning forks
    • G01C19/5621Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating tuning forks the devices involving a micromechanical structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 角速度センサーとその製造方法を提供する。 【構成】 角速度センサーは組合された歯(14、1
6)と共に先端(5、6)を構成するためにエッチング
したシリコンウエハ(10)を備える。上記先端(5、
6)を先端(5、6)間に静電力をつくりだす上で好適
な駆動信号を付与することによってウエハ(10)面内
で励起振動させる。先端(5、6)のウエハ面からの回
転は、先端(5、6)のサポート(18)上の、例え
ば、圧抵抗器のような好適な検出器により検出される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は角速度センサーならびに
その製造方法に関する。
【0002】
【従来技術】角速度センサーを提供するためにジャイロ
スコープを使用することが可能である。そのようなセン
サーは“自動操縦”のような航空機誘導方式において用
途を見出している。ジャイロスコープは物理的に重た
く、そのため、それを支持するために使用するベアリン
グは衝撃や振動により損傷を受ける恐れがある。
【0003】今日、固体角速度センサーが知られてお
り、従来より解説されてきている。米国特許第4,65
4,633号(アルゼンツ他)は圧電材料製の音さより
構成される角速度センサーについて解説している。上記
圧電材料に対して交流を印加することにより音さの先端
は振動する。角運動によって先端の被駆動振動に対して
垂直な先端の周期的偏向が惹起される。上記周期的偏向
は音さのステムに検出される。米国特許第4,381,
671号(オコンナー外)は結晶性シリコンより構成さ
れた一本の片持ばりを有する角速度センサーについて解
説している。上記ビームは平面状で、はりの面に対して
垂直に振動する。
【0004】英国特許第2198231Aは、結晶性シ
リコンより構成された角速度センサーについて解説して
いる。積層体が緊張したフィラメントにより支持され
る。積層体は、フィラメント軸の周囲を振動する。積層
体が振動する間にフィラメントに対して垂直な第1の軸
の周囲に回転することによってフィラメントと第1の軸
に対して垂直なトルクが惹起されることになる。英国特
許第2156523Aは、平面状部材が同部材と共面状
の一軸の周囲にねじり振動して駆動される。
【0005】米国特許第4,538,461号(ジャプ
トナー外)はクオーツウエハ形に構成された音さより成
る角速度センサーを開示している。米国特許第5,02
5,346号(タング外)は、基板に対して平行に駆動
されるポリシリコンマイクロブリッジ構造について開示
している。一例では振動要素が2個の電極間の中心部に
配置される。上記電極はそれぞれ電極と振動要素の一部
として構成された組合せ構造を介して振動要素に容量結
合する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】だが、この構成の欠点
は、振動要素がねじる時に整合が失われるために駆動連
結が低下することである。このため、センサーの感度が
低下することになる。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の一局面によれ
ば、第1と第2の組合せ先端部を形成するべくエッチン
グされたシリコンウエハと、前記第1と第2の先端を励
起してウエハと共面で互いに逆相に振動する手段と、先
端のウエハ面からの回転を検出する検出手段と、から成
る角速度センサーが提供される。上記シリコンは単結晶
シリコンであることが望ましい。上記先端は静電的に励
起させることが望ましい。上記先端は第1端を固定し、
第2端を自由にしてもよい。先端は、その第1端に先端
に対して平行に形成された第1のねじりサポートにより
支持することができる。
【0008】上記第1のねじりサポートは、第1と第2
の先端から等距離に形成することが望ましい。その代わ
り、上記先端は第1と第2の端に固定することもでき
る。上記第1のねじりサポートに加えて、第2のねじり
サポートを先端の第2端に形成し、第1のねじりサポー
トと同軸状とすることができる。更に、その代わりに、
先端をその第1端に先端に対して垂直かつウエハと共面
状に構成された第1のたわみサポートにより支持するこ
ともできる。更にもう一つのたわみサポートを設けるこ
ともできる。たわみサポートはウエハの面からたわむよ
うにすることが望ましい。前記検出手段は圧抵抗器や容
量センサーより構成することができる。導電路を先端と
その指上に構成することによって駆動信号が先端に付与
され、それらを静電的に励起させ振動させることができ
るようにすることが望ましい。
【0009】検出手段はサポートに取付けることができ
る。同手段は第1のねじりステム上に構成し、ステムの
ねじり変形を測定する。その代わりに、同手段を第1の
たわみサポート上に構成し、ウエハの面に対して垂直な
たわみを検出するようにすることもできる。別のねじり
又はたわみサポート上にもう一つの検出手段を構成する
こともできる。
【0010】ウエハはもう一枚のウエハにボンディング
することが望ましい。上記ボンディングはシリコン融着
ボンディングとすることができる。上記もう一枚のウエ
ハは、先端とウエハ内に形成されたサポートに隣接する
領域に相当する第1の面内に形成された凹所を備える。
ウエハ厚は、ほぼ10マイクロメートルであることが望
ましい。もう一枚のウエハはウエハのプラットホームと
しての働きを行う。ウエハは第1のドーパントにより、
ドープすることが望ましい。更に、第1のウエハは第2
のドーパントによりドープすることができる。ねじりサ
ポートを有する角速度センサーは<100>の結晶面に
対して平行に形成されたねじりサポートを備えることが
望ましい。たわみサポートを有する角速度センサーは<
110>の結晶面に対して平行に形成されたたわみサポ
ートを備えることが望ましい。
【0011】本発明の第2の局面によれば、以下の段階
より成る本発明の第1局面によるセンサー製造方法が提
供される。即ち、第2のドーパントをドープした薄いエ
ピタキシャル層を第1のドーパントにより軽くドープし
た第1の層上に形成する段階。第2のウエハ内にセンサ
ー形状に相当する凹所を形成する段階。凹所がエピタキ
シャル層に面するように第2のウエハをエピタキシャル
層にボンディングする段階。第1のウエハをエッチング
してエピタキシャル層を露出させる段階。センサー構造
をエピタキシャル層内に形成する段階。上記センサー構
造は光リソグラフィーとエッチングの組合せによりエピ
タキシャル層内に形成することが望ましい。第3のドー
パントをエピタキシャル層領域内に拡散させ、エッチン
グし、組合せ先端を形成し導電路を提供し先端を駆動す
ることが望ましい。
【0012】前記角速度センサーは可動部品を殆んど持
たずに製作可能である。同センサーは集積回路の製作の
ために確立された生産技術を使用することによって堅固
な高品質センサーを比較的安価に製作することができ
る。
【0013】
【実施例】以下、本発明を添附図面に即して例解する。
図1は、音さ1を略示したものである。音さ1は、音さ
1に対して固定された座標系X、Y、ZのX軸で隔った
第1と第2の先端2、3を備える。先端2、3はX軸に
沿って逆相で振動する。もし音さがZ軸に対して平行に
Z′軸の周囲に回転すると、コリオリ効果が作用して先
端を、一方は正のY方向に押し、他方を負のY方向へ押
す。このことによって一定のトルクが音さをZ軸周囲に
ねじる傾向が発生する。先端2、3がそれらの中央位置
の周囲に振動するとコリオリトルクの方向が変化する。
その結果、音さはZ軸の周囲にねじり振動を経験する。
ねじり振動の大きさは、音さ1のZ′軸の周囲での回転
速度に比例する。音さ1のねじり振動の位相を先端2、
3の振動位相と比較するとZ′軸の周囲の回転方向を決
定することができる。先端の振動周波数は、音さとその
サポートより成る共振系の自然周波数とマッチさせるこ
とによって音さ1のねじり振動が共振系の性能係数Qに
より増幅されるようにすることができる。
【0014】図2は角速度センサーの平面図である。同
角速度センサーはベース11上に支持される薄いシリコ
ン層10の形に構成する。ベース11もまたシリコン製
とする。薄いシリコン層をエッチングして包囲体12
と、歯14を有する第1のバー13より成る第1の先端
5と、歯16を有する第2のバー15より成る第2の先
端6を形成する。第1と第2の先端5、6の歯14、1
6は互い方向に延び、互いに組合される。第1と第2の
バー13、15は横断要素17により第1端で共に接続
される。バー13、15と横断要素17をねじりサポー
ト18により包囲体12に接続する。ベース11は、図
3に示すように先端5、6下方に形成された凹所を有す
る。
【0015】ねじりサポート18上には圧抵抗器22を
形成してサポート18のねじり変形を検出する。圧抵抗
器はバーの方向に対して45度に方向ずける。シリコン
層10をバー13、15が<100>の結晶軸と平行に
形成されるように方向ずける。このことによって圧抵抗
器22は最大応力の方向に平行になり、圧抵抗係数が最
大になるような軸に沿って方向ずけられる。シリコン層
10は、バー13、15と歯14、16の領域にP形ド
ープする。上記ドーパントによって電気ポテンシャルが
先端5、6に加えられ、それらが互いに引きつけられた
り反撥することになる。
【0016】図4は、第1のセンサーと同様な第2の角
速度センサーを示す。C形のアパーチャ41、42を2
個、薄いシリコン層40内に形成する。シリコン層40
をシリコンのベース上に支持する。それぞれ組合せ歯4
4、46を有するバー43、45より成る第1と第2の
先端35、36をアパーチャ41、42が境界を接する
領域内に構成する。ベース39内のアパーチャ41、4
2が境界を接する領域の下部には凹所が存在する。ベー
ス43、45を共に第1の横断部材47により第1端に
接続し、第2の横断部材48により第2端に接続する。
第1の横断部材47を第1のねじりサポート50により
アパーチャ41、42が境界を接する領域外部でシリコ
ン層40に接続する。第2の横断部材48を第2のねじ
りサポート51によりアパーチャ41、42が境界を接
する領域外部でシリコン層に接続する。かくして、先端
は第1実施例におけると同様に自由な一端を有すること
はない。バー43、45と歯44、46のシリコンはド
ープして駆動ポテンシャルが付与されて先端を振動させ
るようにする。圧抵抗器のようなトランスジューサ52
をねじりサポート50上に形成する。第1のセンサーと
同様に、バーを<100>の結晶軸により平行に形成
し、圧抵抗器52をねじりステム50に対して45°に
形成して感度を最大にする。その代わりに、例えば部材
47のドープ領域により形成された第1と第2のプレー
ト54、55と隣接シリコンベースをドープすることに
より形成された第3の電極とを有する差動コンデンサの
形をした容量性センサーを設けることもできる。
【0017】図5は第3の角速度センサーを示す。それ
ぞれ第1と第2のバー76、77と歯78、79を備え
る第1と第2の先端80、81をシリコン82の全体と
して“H”形の領域に形成する。上記構成は図4に示す
センサーと同様である。バーに対して垂直に走る第1と
第2のたわみサポート90、91によって取替えて第1
のねじりサポートを第1の横断部材47をシリコン83
の境界に接続する。同様に、第2のねじりサポートをそ
れぞれ第3と第4のたわみサポート93、94により取
替えて第2の横断部材48をシリコン境界83に接続す
る。バー76、77と各歯78、79をドープして駆動
電圧を先端に対して供給するために使用する導電路を与
える。先端を駆動するための接続部はわかりやすくする
ために省略してある。上記駆動電圧はたわみサポートを
介して先端に付与することができる。例えば、第2と第
4のサポート91、94をドープして第1と第2の先端
80、81と境界領域83に形成した第1と第2の電極
(図示せず)間に導電路を提供することができる。その
代わりに、駆動電圧を容量結合により先端80、81に
供給することもできる。第1と第3のたわみサポート上
には圧抵抗器96、97を構成し、コリオリ効果の結果
としてサポートのたわみを検出する。感度を向上させる
ためにたわみサポート<110>結晶面に対して平行に
形成し、圧抵抗器をたわみサポート上に長手方向に配置
する。
【0018】以上に述べた実施例は、それぞれ単結晶シ
リコンを使用している。単結晶シリコンにより多結晶シ
リコンの構造と比較して優れたQを有する共振構造を形
成することができる。だが、その代わりに、多結晶シリ
コンを使用する実施例を構成することも可能である。更
に、シリコン10、40、83の層と共面内にある先端
が振動することによってシリコン面に対して垂直な振動
と比較して小さな空気緩衝が発生する。同空気緩衝は更
に、先端付近にほぼ排気された領域を構成することによ
って、例えば、凹所領域を有するカバーをセンサーに対
して接着させることによって少なくすることができる。
上記凹所は先端付近に包囲体を形成するように先端近傍
に存在する。その後、上記包囲体を実質上排気すること
ができる。
【0019】各実施例において、バーに対して平行に軸
周囲に回転しながら先端が振動すると先端はシリコン層
の面周囲に振動することになる。先端が振動する結果、
第1と第2の実施例ではねじりサポートが振動ねじり変
形し、第3の実施例ではたわみサポートが振動たわみを
起こす。上記振動は、先端の共面振動と同一の周波数で
発生する。センサー内の共振は振動の振幅を大きくする
ために活用することができる。振動の振幅は、先端と平
行な軸の周囲のセンサーの回転速度に比例する。振動位
相を先端の振動の位相と比較することによって回転方向
を判断することができる。圧抵抗器は上記の如く容量セ
ンサーにより取替えることができる。上記センサーの製
造方法を図6a〜6eに関して説明する。第1のシリコ
ンウエハ100をエッチングしてウエハ100の上面に
ピット102を形成する。第2の軽くp形ドープしたウ
エハ105は、ウエハ105の下面上に形成されたn形
ドープシリコン106のエピタキシャル層を有する。層
106はほぼ10マイクロメートルの厚さである。第1
と第2の層100、105は、第1のウエハ100に面
するエピタキシャル層106と共にシリコン融着する。
第2のウエハ105をエッチングして図6cに示すよう
に第1のウエハ100にボンディングしたエピタキシャ
ル層106を露出させる。層106を、その後、例えば
反応性イオンエッチングによりエッチングして図6eに
示すようにセンサーの機械的構造を構成する。かくし
て、第1層100内の凹所102上に懸吊する形で先端
が形成される。
【0020】
【発明の効果】かくして確立された製造技術を使用して
安価な角速度センサーを構成することができる。上記セ
ンサーは圧抵抗係数を改善し多結晶シリコンと比較して
高い機械的性能係数Qを有する単結晶シリコンを使用す
ることによる利点を有する。更に、センサーの先端を共
面振動して駆動することにより、センサー面に対して垂
直な従来の振動と比較して粘性抗力と緩衝力を少なくす
ることができる。更に、両方の組の先端が逆相でねじら
れるが実質上整合状態にとどまるために、先端は回転に
かかわらず常に実質上一定の最大駆動力を受けることに
なる。そのため、センサーの感度は回転によっても実質
上影響を受けることはない。
【図面の簡単な説明】
【図1】音さの概略線図である。
【図2】本発明の第1の実施例を構成する角速度センサ
ーの概略図である。
【図3】図2に示す線A−Aに沿った断面図である。
【図4】本発明の第2の実施例を構成する角速度センサ
ーの概略図である。
【図5】本発明の第3の実施例を構成する角速度センサ
ーの概略図である。
【図6】図6のaは、本発明の実施例を構成する角速度
センサーの製造時における処理段階である。図6のb
は、本発明の実施例を構成する角速度センサーの製造時
における処理段階である。図6のcは、本発明の実施例
を構成する角速度センサーの製造時における処理段階で
ある。図6のdは、本発明の実施例を構成する角速度セ
ンサーの製造時における処理段階である。図6のeは、
本発明の実施例を構成する角速度センサーの製造時にお
ける処理段階である。
【符号の説明】
5,6 先端 10 ウエハ 14,16 歯 18 サポート 22 圧抵抗器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ピーター・エドワード・マイケル・フレア イギリス国 イングランド、ビー30 2キ ュー・エイチ、バーミンガム、ミルヘヴ ン・アヴェニュー 22 (72)発明者 ラッセル・ウィリアム・クラドック イギリス国 イングランド、ニア・ナニー トン、ストーク・ゴールディング、ウィッ キン・レーン 11、パーク・ヴュー・コッ テイジ

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1と第2の組合せ先端を構成するため
    にエッチングしたシリコンウエハと、前記第1と第2の
    先端をウエハと共面内でかつ互いに逆相の振動に励起す
    る手段と、前記第1と第2の先端のウエハ面からの回転
    を検出する検出手段と、から成る角速度センサー。
  2. 【請求項2】 前記励起手段が静電励起手段より成る請
    求項1のセンサー。
  3. 【請求項3】 前記第1と第2の先端の各々がその第一
    端で固定され、その第2端で自由である請求項1又は2
    記載のセンサー。
  4. 【請求項4】 前記第1と第2の先端の第1端が第1と
    第2の先端の長手軸に対して平行に延びる第1のねじり
    サポートにより支えられる請求項3記載のセンサー。
  5. 【請求項5】 前記第1のねじりサポートが第1と第2
    の先端から等距離である請求項4記載のセンサー。
  6. 【請求項6】 第1と第2の先端の各々がその第1と第
    2の端で固定される請求項1又は2いずれか1項記載の
    センサー。
  7. 【請求項7】 第1と第2の先端の第1端が第1のねじ
    りサポートにより支持され、第1と第2の先端の第2端
    が第1のねじりサポートと同軸の第2のねじりサポート
    により支持され、第1と第2のねじりサポートが第1と
    第2の先端の長手方向に対して平行に延びる請求項6記
    載のセンサー。
  8. 【請求項8】 第1と第2の先端の第1と第2の端が、
    第1と第2の先端に対して垂直でウエハと共面内に延び
    るそれぞれのたわみサポートにより支持される請求項6
    記載のセンサー。
  9. 【請求項9】 前記検出手段が少なくとも一つの圧抵抗
    器より成る請求項1〜8の何れか1項記載のセンサー。
  10. 【請求項10】 検出手段が容量トランスジューサより
    成る請求項1〜8の何れか1項記載のセンサー。
  11. 【請求項11】 前記励起手段が駆動信号を受取るため
    に第1と第2の先端上に形成された導電路を備える請求
    項1〜10の何れか1項記載のセンサー。
  12. 【請求項12】 第1と第2の先端がそれぞれ互いに組
    合された第1と第2の組の歯を有する請求項1〜11の
    何れか1項記載のセンサー。
  13. 【請求項13】 検出手段が第1のねじりサポート上に
    配置されたねじり変形測定手段より成る請求項4、5、
    7の何れか1項記載のセンサー。
  14. 【請求項14】 検出手段がたわみサポートの少なくと
    も1つの上に配置されウエハに対して垂直なたわみを検
    出する手段より成る請求項8のセンサー。
  15. 【請求項15】 ウエハが単結晶シリコンより成る請求
    項1〜14の何れか1項記載のセンサー。
  16. 【請求項16】 請求項1〜15の何れか一のセンサー
    を製造する方法において、 第1のドーパントをドープした第1のウエハ上に第2の
    ドーパントをドープしたエピタキシャル層を形成し;第
    2のウエハ内に凹所を形成し、 前記エピタキシャル層に面する凹所と共に第2のウエハ
    をエピタキシャル層にボンディングし;第1のウエハを
    エッチングしてエピタキシャル層を露出させ;センサー
    構造をエピタキシャル層内に形成する;段階より成る前
    記センサー製造方法。
  17. 【請求項17】 前記センサー構造形成段階が光リソグ
    ラフィー段階とエッチング段階より成る請求項16の方
    法。
  18. 【請求項18】 第3のドーパントをエピタキシャル層
    の一領域内へ拡散させて少なくとも一つの導電路を形成
    する請求項16又は17の方法。
JP5156337A 1992-06-06 1993-06-03 角速度センサー Pending JPH0634649A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9212099-7 1992-06-06
GB929212099A GB9212099D0 (en) 1992-06-06 1992-06-06 Angular rate sensor and method of production thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0634649A true JPH0634649A (ja) 1994-02-10

Family

ID=10716715

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5156337A Pending JPH0634649A (ja) 1992-06-06 1993-06-03 角速度センサー

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5537872A (ja)
EP (1) EP0574143B1 (ja)
JP (1) JPH0634649A (ja)
DE (1) DE69306314T2 (ja)
ES (1) ES2098663T3 (ja)
GB (1) GB9212099D0 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09512904A (ja) * 1994-03-08 1997-12-22 ニューカーマンズ、アーモンド、ピー. 一体化センサを備えたモノリシックシリコン・レートジャイロ

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5861705A (en) * 1994-11-01 1999-01-19 Fujitsu Limited Tuning-fork vibratory gyro and sensor system using the same
JP3392959B2 (ja) * 1994-11-01 2003-03-31 富士通株式会社 音叉形振動ジャイロ及びこれを用いたセンサシステム
DE19528961C2 (de) * 1995-08-08 1998-10-29 Daimler Benz Ag Mikromechanischer Drehratensensor (DRS) und Sensoranordnung
JP3811304B2 (ja) * 1998-11-25 2006-08-16 株式会社日立製作所 変位センサおよびその製造方法
US6257057B1 (en) * 1998-12-16 2001-07-10 L-3 Communications Corporation Epitaxial coriolis rate sensor
US6433401B1 (en) 1999-04-06 2002-08-13 Analog Devices Imi, Inc. Microfabricated structures with trench-isolation using bonded-substrates and cavities
US6189381B1 (en) 1999-04-26 2001-02-20 Sitek, Inc. Angular rate sensor made from a structural wafer of single crystal silicon
EP1472507B1 (en) * 2002-02-06 2011-05-11 Analog Devices, Inc. Micromachined gyroscope
US7089792B2 (en) * 2002-02-06 2006-08-15 Analod Devices, Inc. Micromachined apparatus utilizing box suspensions
US6865945B2 (en) * 2002-06-10 2005-03-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Angular velocity sensor
US7091451B2 (en) * 2003-06-20 2006-08-15 Northrop Grumman Corporation Heating element induction of time-varying thermal gradient in elongated beam to cause one or more elongated beam oscillations
WO2005103620A1 (en) * 2004-04-14 2005-11-03 Analog Devices, Inc. Inertial sensor with a linear array of sensor elements
US7478557B2 (en) * 2004-10-01 2009-01-20 Analog Devices, Inc. Common centroid micromachine driver
US7421897B2 (en) 2005-04-14 2008-09-09 Analog Devices, Inc. Cross-quad and vertically coupled inertial sensors
DE102005045378A1 (de) * 2005-09-22 2007-03-29 Eads Deutschland Gmbh Drehratensensor
DE102005045379A1 (de) * 2005-09-22 2007-03-29 Eads Deutschland Gmbh Drehratensensor
EP1783094A1 (en) * 2005-11-04 2007-05-09 Infineon Technologies SensoNor AS Excitation in micromechanical devices
WO2008011185A2 (en) * 2006-07-21 2008-01-24 Meco Corporation Folding table and chiar
DE102007018834A1 (de) 2007-04-20 2008-10-23 Eads Deutschland Gmbh Drehratensensor
US20100109341A1 (en) * 2008-11-06 2010-05-06 Cedar Ridge Research Llc System and method for generating power using angular kinetic energy
CN105158582B (zh) * 2015-09-29 2018-03-09 北京工业大学 一种变间距叉指型相邻电容传感器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4381672A (en) * 1981-03-04 1983-05-03 The Bendix Corporation Vibrating beam rotation sensor
US4654663A (en) * 1981-11-16 1987-03-31 Piezoelectric Technology Investors, Ltd. Angular rate sensor system
US4538461A (en) * 1984-01-23 1985-09-03 Piezoelectric Technology Investors, Inc. Vibratory angular rate sensing system
US4598585A (en) * 1984-03-19 1986-07-08 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Planar inertial sensor
US4744248A (en) * 1985-07-25 1988-05-17 Litton Systems, Inc. Vibrating accelerometer-multisensor
GB2198231B (en) * 1986-11-28 1990-06-06 Stc Plc Rotational motion sensor
GB8716047D0 (en) * 1987-07-08 1987-08-12 Thorn Emi Electronics Ltd Rate sensor
US5025346A (en) * 1989-02-17 1991-06-18 Regents Of The University Of California Laterally driven resonant microstructures
WO1993000589A1 (en) * 1991-06-25 1993-01-07 Sundstrand Corporation Coriolis rate sensor using tunnel-effect displacement sensor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09512904A (ja) * 1994-03-08 1997-12-22 ニューカーマンズ、アーモンド、ピー. 一体化センサを備えたモノリシックシリコン・レートジャイロ

Also Published As

Publication number Publication date
US5537872A (en) 1996-07-23
EP0574143B1 (en) 1996-12-04
DE69306314D1 (de) 1997-01-16
EP0574143A1 (en) 1993-12-15
GB9212099D0 (en) 1992-07-22
DE69306314T2 (de) 1997-04-10
ES2098663T3 (es) 1997-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0634649A (ja) 角速度センサー
US5505084A (en) Micromechanical tuning fork angular rate sensor
JP4392246B2 (ja) マイクロ加工されたジャイロスコープ
EP0419596B1 (en) Accelerometer with coplanar push-pull force transducers
EP0767915B1 (en) Monolithic silicon rate-gyro with integrated sensors
JP3973742B2 (ja) 振動型ジャイロスコープ
US7188525B2 (en) Angular velocity sensor
JP2006053152A (ja) 振動数検出を用いたマイクロジャイロメーター
JPH09119942A (ja) 回転角速度センサ
JPH11337345A (ja) 振動するマイクロジャイロメータ
JP2010169684A (ja) 歪みゲージによる面外検出を用いた表面技術におけるジャイロメーター
JPH10170275A (ja) 振動型角速度センサ
JPH0791958A (ja) 角速度センサ
JP2012149961A (ja) 振動ジャイロ
JPH10318758A (ja) 圧電マイクロ角速度センサおよびその製造方法
KR100277425B1 (ko) 박막 이동파 회전 센서의 전극 구조물 및 그 센서
JPH1038578A (ja) 角速度センサ
JP2009264863A (ja) ジャイロセンサ振動体
JPH10300476A (ja) 角速度検出装置
JP3310029B2 (ja) 振動子
JPH07190782A (ja) 振動角速度計
JPH05322579A (ja) ジャイロ装置
JP3306965B2 (ja) 振動型角速度センサ
JPH09166442A (ja) 振動ジャイロ
KR100233829B1 (ko) 마이크로 자이로스코프 및 그 제조 방법과 이를 이용한 각속도 측정 방법