JPH06345428A - タリウム系超電導膜の合成方法 - Google Patents

タリウム系超電導膜の合成方法

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JPH06345428A
JPH06345428A JP5141737A JP14173793A JPH06345428A JP H06345428 A JPH06345428 A JP H06345428A JP 5141737 A JP5141737 A JP 5141737A JP 14173793 A JP14173793 A JP 14173793A JP H06345428 A JPH06345428 A JP H06345428A
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Japan
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thallium
synthesizing
superconducting film
based superconducting
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JP5141737A
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English (en)
Inventor
Toshihide Namatame
俊秀 生田目
Izumi Hirabayashi
泉 平林
Shuichi Koike
秀一 小池
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KOKUSAI CHODENDO SANGYO GIJUTS
KOKUSAI CHODENDO SANGYO GIJUTSU KENKYU CENTER
Chubu Electric Power Co Inc
Hitachi Ltd
Original Assignee
KOKUSAI CHODENDO SANGYO GIJUTS
KOKUSAI CHODENDO SANGYO GIJUTSU KENKYU CENTER
Chubu Electric Power Co Inc
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Abstract

(57)【要約】 【目的】高品質なタリウム系超電導膜を合成する合成方
法を提供すること。 【構成】アルカリ土類金属,銅の有機化合物を芳香族化
合物の溶媒に溶解した溶液を出発溶液として、基板に塗
布して750℃以下の温度で加熱を行った後、酸化タリ
ウムガス雰囲気中、750〜860℃の温度範囲で少な
くとも20時間以上熱処理する。 【効果】高品質なタリウム系超電導膜を合成できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、タリウム系超電導膜の
合成方法に関し、高品質なタリウム系超電導膜の合成方
法を提供しようとするものである。
【0002】
【従来の技術】臨界温度が液体窒素の沸点(77K)を
越える酸化物超電導体が発見されてから、超電導マグネ
ットあるいはエレクトロニクス分野での超電導体現象の
利用が期待されている。この中でタリウム系超電導体
は、臨界温度が最も高い127Kを示すため特に応用面
で注目されている。そして従来より、超電導マグネット
を作成するための線材化技術の一つとして成膜法による
テープ状線材化が知られている。また、SQUID,マ
イクロ波応答機器等のエレクトロニクスデバイスの作成
も成膜法に大きく依存している。これら一般的な成膜法
としては、スパッタリング法,MOCVD(化学気相成
長)法,レーザ蒸着法及びMBE法がよく知られてい
る。しかしながら、上記成膜法は真空容器を用いて行う
ため、大面積化,長尺化及び簡便さの点で問題があっ
た。そこで、常圧でしかも簡便な手法で行えるスピンコ
ート法,ディップコート法,塗布法による成膜法で、大
面積化,長尺化が期待されている。これら上記手法の出
発原料としては、超電導体を構成する各々の元素の酸化
物を硝酸溶液に溶解した場合及び各々の元素の有機化合
物をトルエン,ピリジン及びエタノール等の有機溶液に
溶解した場合がある。
【0003】タリウム系超電導体の合成方法としては、
例えば、特開平2−135617 号で説明されているような超
電導体を構成する各々の元素の酸化物微粉末と前記各元
素の有機化合物からなる溶液とを均一に混合した後、線
状に成形して焼成することで超電導セラミックス線材を
得る方法がある。また、例えば、Jpn.J.Appl.Phys.27
(1988)L2314−L2316で説明されているよ
うなアルカリ土類金属,銅の有機化合物からなる溶液を
出発溶液として、基板上に成膜し、酸化タリウムガス雰
囲気中、895℃以上の高温度で1時間以下の短時間熱
処理することでタリウム系超電導膜を得られるとなって
いる。しかしながら、前者の方法によれば各元素の有機
化合物をアルコール,トルエン等の溶媒に溶解した溶液
に酸化物微粉末を混合するため、酸化物粉末が溶解せず
熱処理後の線材は、不均一な超電導粉末で構成されてい
る。しかも、熱処理前に線材の形状に成形するため、超
電導コイル等の使用に限られる。また、後者の方法によ
ればタリウム元素の蒸気中の熱処理を高温,短時間で行
うため、島状に成長したポーラスな膜質及び超電導相以
外の異相を含んだ超電導膜となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の超電導体を
構成する各々の元素の酸化物微粉末と前記各元素の有機
化合物からなる溶液とを均一に混合した後、線状に成形
して焼成することで得られた超電導セラミックス線材
は、超電導体の均一性が悪くなり、その結果粒子間の超
電導コンタクトが得難くなる問題点があった。しかも、
熱処理前に線状に成形するためSQUID,マイクロ波
応答機器等のエレクトロニクス分野への使用には適して
いない。また、アルカル土類金属,銅の有機化合物から
なる溶液を出発溶液として、基板上に成膜した後、酸化
タリウムガス雰囲気中、高温度で短時間熱処理すること
で得られた超電導膜の場合には超電導膜の緻密性が悪い
ため臨界電流密度等の超電導特性が低いと言う問題を有
している。
【0005】そこで本発明は、タリウム系超電導体を構
成する元素の有機化合物のみ及び/又はアルカル土類金
属,銅の有機化合物からなる有機化合物の溶液を出発溶
液として基板に塗布して、酸化タリウムガス雰囲気中、
低温度,長時間熱処理することで高品質なタリウム系超
電導膜を合成する合成方法を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、アルカリ
土類金属,銅の有機化合物を芳香族化合物の溶媒に溶解
した溶液を出発溶液として、基板に塗布して750℃以
下の温度で加熱を行った後、酸化タリウムガス雰囲気
中、750〜860℃の温度範囲で少なくとも20時間
以上熱処理する合成方法を用いること又はタリウム,ア
ルカリ土類金属,銅の有機化合物を芳香族化合物の溶媒
に溶解した溶液を出発溶液として、基板に塗布して75
0℃以下の温度で加熱を行った後、酸化タリウムガス雰
囲気中、750〜860℃の温度範囲で少なくとも20
時間以上熱処理する合成方法を用いること又はタリウ
ム,鉛,アルカリ土類金属,銅の有機化合物を芳香族化
合物の溶媒に溶解した溶液を出発溶液として、基板に塗
布して750℃以下の温度で加熱を行った後、酸化タリ
ウムガス雰囲気中、750〜860℃の温度範囲で少な
くとも20時間以上熱処理する合成方法を利用すること
で上記課題を解決した。
【0007】
【作用】酸化タリウムガス雰囲気中、750〜860℃
の温度範囲で少なくとも20時間以上熱処理するのは、
750℃より低温度及び860℃で20時間より短い熱
処理ではタリウム系超電導相への反応が十分に進まず超
電導特性の低い膜になるからである。すなわち、熱処理
温度が860℃から750℃へと低下するのに対応して
熱処理時間は増加する傾向を示し、750℃では240
時間の保持時間で77Kで105A/cm2以上の高い値を
持つ高品質なc軸配向したTl1Ba2Ca2Cu3Oy系超電導膜が
得られる。860℃より高温度の熱処理では、Ca1
2x 相の異相を含んだタリウム系超電導膜であり、
しかもポーラスな膜質であるため77KでのJc が10
4A/cm2 以下の低品質なタリウム系超電導膜になる。
【0008】
【実施例】以下、本発明を図示する実施例に基づいて具
体的に説明する。
【0009】〔実施例1〕Ba,Ca,Cuのナフテン酸
塩をBa2Ca2Cu3yの組成比になるように混合し、
トルエンを加えて溶解させて出発溶液とした。上記出発
溶液をSrTiO3基板上にスピンコート法(5000rp
m,10sec)により塗布し、空気中500℃で10min
仮焼成するという塗布−仮焼成プロセスを10回繰り返
して、膜厚約1μmのBa−Ca−Cu−O仮焼膜を得
た。次に前記Ba−Ca−Cu−O仮焼膜をTl23
BaO,CaO,CuOの混合(Tl:Ba:Ca:C
u=1:2:2:3)ペレットと共に密閉したアルミナ
容器に封入した。この前記アルミナ容器を電気炉内に挿
入し、850℃の温度で20時間保持した後徐冷して、
c軸配向したTl1Ba2Ca2Cu3y 系超電導膜を合
成した。前記Tl1Ba2Ca2Cu3y 系超電導膜は臨
界温度(Tc )が106K,77K、零磁場での臨界電
流密度(Jc )が6×105A/cm2 の値を示した。ま
た、前記Tl1Ba2Ca2Cu3y 系超電導膜の77
K,60K,40KにおけるJcの磁場依存性のデータ
を図1に示す。磁場を超電導膜面に対して平行に印加し
た場合であり、77K,7Tの磁場域で105A/cm2
上の高い値を持つ高品質なタリウム系超電導膜である。
また、保持時間が20時間より短い場合にはTl1Ba2
Ca1Cu2x 系超電導相を含み保持時間が短くなるに
つれてこのTl1Ba2Ca1Cu2x 系超電導相は増加
する傾向を示し、77KでのJc が104A/cm2以下の
低品質なタリウム系超電導膜であった。860℃の熱処
理は850℃の場合と同様に20時間の保持時間で77
Kで105A/cm2以上の高い値を持つ高品質なc軸配向
したTl1Ba2Ca2Cu3y 系超電導膜を合成した。
さらに、熱処理温度が低下するのに対応して熱処理時間
は増加する傾向を示し、750℃では240時間の保持
時間で77Kで105A/cm2以上の高い値を持つ高品質
なc軸配向したTl1Ba2Ca2Cu3y 系超電導膜を
得た。しかし、860℃より高温度の熱処理では、Tl
1Ba2Ca1Cu2x 系超電導相及びCa1Cu2x
の異相を含んだTl1Ba2Ca2Cu3y 系超電導膜で
あり、しかもポーラスな膜質であるため77KでのJc
が104A/cm2以下の低品質なタリウム系超電導膜であ
る。また、750℃より低温度では前記Tl1Ba2Ca2Cu3Oy
系超電導相への反応が十分に進まず超電導特性の悪い膜
である。
【0010】〔実施例2〕Ba2Ca1Cu25の組成比
になるようにBa,Ca,Cuのナフテン酸塩を混合し、
トルエンを加えて溶解させて出発溶液とした場合におい
ても、上記と同様のスピンコート法を用いて基板上に塗
布し上記と同様の750〜860℃の温度範囲で20時
間以上の熱処理を行えば、77Kで105A/cm2以上の
高い値を持つ高品質なc軸配向したTlxBa2Ca1
28(x=1or2)系超電導膜を形成することができ
る。
【0011】〔実施例3〕Sr2CaxCux+12x+3(x
=1,2)の組成比になるようにSr,Ca,Cuのナ
フテン酸塩を混合し、トルエンを加えて溶解させて出発
溶液とした場合においても、上記と同様のスピンコート
法を用いて基板上に塗布し上記と同様の750〜860
℃の温度範囲で20時間以上の熱処理を行えば、77K
で105A/cm2以上の高い値を持つ高品質なc軸配向し
た(Tl/Pb)1Sr2CaxCux+1O2x+6(x=1,2)系超電導
膜を形成することができる。
【0012】〔実施例4〕出発原料にBa又はSr,C
a,Cuのアルコキシド,オレイン酸塩,グリコン酸
塩,ステアリン酸塩,オクタン酸塩,プロピオン酸塩,
ギ酸塩のうちいずれか一つあるいは前記のうち二つ以上
の組み合わせを用いた場合でも、上記と同様のトルエン
或いは/又はピリジンを加えて溶解させて出発溶液とし
て上記と同様のスピンコート法を用いて基板上に塗布し
上記と同様の750〜860℃の温度範囲で20時間以
上の熱処理を行えば、77Kで105A/cm2以上の高い
値を持つ高品質なc軸配向したTlxBa2CayCuy+1
2y+6(x=1or2,y=1,2),(Tl/Pb)1
2CaxCux+12x+6(x=1,2)系超電導膜を形
成することができる。
【0013】〔実施例5〕Tl,Ba,Ca,Cuのナ
フテン酸塩をTl1Ba2Ca2Cu3y の組成比になる
ように混合し、トルエンを加えて溶解させて出発溶液と
した。上記出発溶液をSrTiO3 基板上にスピンコー
ト法(5000rpm,10sec)により塗布し、密閉した
反応管で500℃で10min 仮焼成するという塗布−仮
焼成プロセスを10回繰り返して、膜厚約1μmのTl
−Ba−Ca−Cu−O仮焼膜を得た。次に前記Tl−
Ba−Ca−Cu−O仮焼膜をTl23,BaO,Ca
O,CuOの混合(Tl:Ba:Ca:Cu=1:2:
2:3)ペレットと共に密閉したアルミナ容器に封入し
た。この前記アルミナ容器を実施例1と同様の熱処理方
法を行うことで図1に示したデータと同様の77K,7
Tの磁場域で105 A/cm2 以上の高い値を持つ高品質
なタリウム系超電導膜を形成することができる。
【0014】〔実施例6〕また、TlxBa2CayCu
y+12y+6(x=1or2,y=1,2), (Tl
/Pb)1Sr2CaxCux+12x+6(x=1,2)の組成
比になるようにTl又はTlとPb,Ba又はSr,C
a,Cuのナフテン酸塩を混合し、トルエンを加えて溶
解させて出発溶液とした場合においても、実施例1と同
様のスピンコート法を用いて基板上に塗布し実施例1と
同様の750〜860℃の温度範囲で20時間以上の熱
処理を行えば、各々、77Kで105A/cm2以上の高い
値を持つ高品質なc軸配向したTlxBa2CayCuy+1
2y+6(x=1or2,y=1,2),(Tl/Pb)1
2CaxCux+12x+6(x=1,2)系超電導膜を形
成することができる。
【0015】〔実施例7〕出発原料にTl又はTlとP
b,Ba又はSr,Ca,Cuのアルコキシド,オレイン
酸塩,グリコン酸塩,ステアリン酸塩,オクタン酸塩,
プロピオン酸塩,ギ酸塩のうちいずれか一つあるいは前
記のうち二つ以上の組み合わせを用いた場合でも、実施
例1と同様のトルエン及び/又はピリジンを加えて溶解
させて出発溶液として実施例1と同様のスピンコート法
を用いて基板上に塗布し実施例1と同様の750〜86
0℃の温度範囲で20時間以上の熱処理を行えば、77
Kで105A/cm2以上の高い値を持つ高品質なc軸配向
したTlxBa2CayCuy+1O2y+6(x=1or2,y=1,2),
(Tl/Pb)1Sr2CaxCux+12x+6(x=1,2)
系超電導膜を形成することができる。
【0016】〔実施例8〕基板にMgO,LaAl
3,BaTiO3,NdGaO3 及びペロブスカイト構
造である物質を用いた場合でも、実施例1,2と同様の
合成方法を用いることで77Kで105A/cm2以上の高
い値を持つ高品質なc軸配向したTlxBa2CayCu
y+12y+6(x=1or2,y=1,2),(Tl/Pb)1
Sr2CaxCux+12x+6(x=1,2)系超電導膜を
形成することができる。
【0017】〔実施例9〕スピンコート法の代りにディ
ップコート法或いは塗布法を用いてSrTiO3 基板上に
塗布した場合でも、実施例1,2と同様の熱処理方法を
行うことで77Kで105A/cm2 以上の高い値を持つ
高品質なc軸配向したTlxBa2CayCuy+1O2y+6(x=1or
2,y=1,2),(Tl/Pb)1Sr2CaxCux+1
2x+6(x=1,2)系超電導膜を形成することができ
る。
【0018】〔実施例10〕基板にMgO,LaAlO
3,BaTiO3,NdGaO3 及びペロブスカイト構造
である物質を用いた場合でも、上記と同様の合成方法を
用いることで77Kで105A/cm2以上の高い値を持つ
高品質なc軸配向したTlxBa2CayCuy+1O2y+6(x=1or
2,y=1,2),(Tl/Pb)1Sr2CaxCux+1
2x+6(x=1,2)系超電導膜を形成することができ
る。
【0019】〔実施例11〕基板にAg,Cu,Au,
ハステロイX,可とう性YSZおよび延性,てん性を有
する物質を用いた場合でも、上記と同様の合成方法を用
いることで77Kで105A/cm2以上の高い値を持つ高
品質なTlxBa2CayCuy+12y+6(x=1or2,y
=1,2),(Tl/Pb)1Sr2CaxCux+1
2x+6(x=1,2)系超電導膜を形成することができ
る。
【0020】〔実施例12〕ディップコート法或いは塗
布法を用いてSrTiO3 基板の両面に塗布した場合で
も、実施例1,2と同様の熱処理方法を行うことで77
Kで105A/cm2以上の高い値を持つ高品質なc軸配向
したTlxBa2CayCuy+12y+6(x=1or2,y=
1,2),(Tl/Pb)1Sr2CaxCux+12x+6(x=
1,2)系超電導膜を基板の両面に形成することができ
る。
【0021】〔実施例13〕基板にMgO,LaAlO
3,BaTiO3,NdGaO3 及びペロブスカイト構造
である物質を用いた場合でも、上記と同様の合成方法を
用いることで77Kで105A/cm2以上の高い値を持つ
高品質なc軸配向したTlxBa2CayCuy+1O2y+6(x=1or
2,y=1,2),(Tl/Pb)1Sr2CaxCux+1
2x+6(x=1,2)系超電導膜を基板の両面に形成する
ことができる。
【0022】〔実施例14〕基板にAg,Cu,Au,
ハステロイX,可とう性YSZおよび延性,てん性を有
する物質を用いた場合でも、上記と同様の合成方法を用
いることで77Kで105A/cm2以上の高い値を持つ高
品質なTlxBa2CayCuy+12y+6(x=1or2,y
=1,2),(Tl/Pb)1Sr2CaxCux+1
2x+6(x=1,2)系超電導膜を基板の両面に形成する
ことができる。
【0023】
【発明の効果】以上の本発明によれば、高品質なSQU
ID,マイクロ波応答機器及び超電導マグネットを作成
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明で得られたTl1Ba2Ca2Cu3y
超電導膜のJc の磁場依存性を表わす特性図。
フロントページの続き (72)発明者 生田目 俊秀 愛知県名古屋市熱田区六野二丁目4番1号 財団法人 国際超電導産業技術研究セン ター 超電導工学研究所 名古屋研究室内 (72)発明者 平林 泉 愛知県名古屋市熱田区六野二丁目4番1号 財団法人 国際超電導産業技術研究セン ター 超電導工学研究所 名古屋研究室内 (72)発明者 小池 秀一 愛知県名古屋市熱田区六野二丁目4番1号 財団法人 国際超電導産業技術研究セン ター 超電導工学研究所 名古屋研究室内

Claims (39)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】アルカリ土類金属及び銅の有機化合物を芳
    香族化合物の溶媒に溶解する工程と、該溶解液を基板に
    塗布する工程と、該基板を750℃以下の温度で加熱す
    る工程と、酸化タリウムガス雰囲気中、750〜860
    ℃の温度範囲で少なくとも20時間以上熱処理する工程
    とからなることを特徴とするタリウム系超電導膜の合成
    方法。
  2. 【請求項2】請求項1の該アルカリ土類金属は、バリウ
    ム,カルシウム,ストロンチウムのうちカルシウムとバ
    リウムあるいはカルシウムとストロンチウムの組み合わ
    せであることを特徴とするタリウム系超電導膜の合成方
    法。
  3. 【請求項3】請求項1の該芳香族化合物は、トルエン,
    ピリジンのうちいずれか一つであることを特徴とするタ
    リウム系超電導膜の合成方法。
  4. 【請求項4】請求項1の該タリウム系超電導膜を基板の
    両面に合成することを特徴とするタリウム系超電導膜の
    合成方法。
  5. 【請求項5】請求項1の該有機化合物を含む溶解液は熱
    処理により、超電導体となるように配合されていること
    を特徴とするタリウム系超電導膜の合成方法。
  6. 【請求項6】請求項1の該有機化合物は、ナフテン酸
    塩,アルコキシド,オレイン酸塩,グリコン酸塩,ステ
    アリン酸塩,オクタン酸塩,プロピオン酸塩,ギ酸塩の
    うちいずれか一つあるいは上記のうち二つ以上の組み合
    わせであることを特徴とするタリウム系超電導膜の合成
    方法。
  7. 【請求項7】請求項1の該塗布として、スピンコート
    法,ディップコート法で塗布することを特徴とするタリ
    ウム系超電導膜の合成方法。
  8. 【請求項8】請求項1の該基板がMgO,SrTi
    3,LaAlO3,BaTiO3,NdGaO3 及びペ
    ロブスカイト構造であることを特徴とするタリウム系超
    電導膜の合成方法。
  9. 【請求項9】請求項1の該基板がAg,Cu,Au,ハ
    ステロイX,可とう性YSZおよび延性,てん性を有す
    る物質であることを特徴とするタリウム系超電導膜の合
    成方法。
  10. 【請求項10】アルカリ土類金属及び銅の有機化合物を
    芳香族化合物の溶媒に溶解する工程と、該溶解液を基板
    に塗布する工程と、該基板を750℃以下の温度で加熱
    する工程と、酸化タリウムガス雰囲気中、860℃で2
    0時間,850℃で20〜40時間,840℃で40〜
    60時間,830℃で60〜80時間,820℃で80
    〜100時間,810℃で100〜120時間,800
    ℃で120〜140時間,790℃で140〜160時
    間,780℃で160〜180時間,770℃で180
    〜200時間,760℃で200〜240時間,750
    ℃で240時間以上の熱処理する工程によりTlxBa2
    Ca2Cu310(x=1or2)系超電導膜を合成するこ
    とを特徴とするタリウム系超電導膜の合成方法。
  11. 【請求項11】アルカリ土類金属及び銅の有機化合物を
    芳香族化合物の溶媒に溶解する工程と、該溶解液を基板
    に塗布する工程と、該基板を750℃以下の温度で加熱
    する工程と、酸化タリウムガス雰囲気中、840℃で2
    0〜40時間,830℃で40〜60時間,820℃で
    60〜80時間,810℃で80〜100時間,800
    ℃で100〜120時間,790℃で120〜140時
    間,780℃で140〜160時間,770℃で160
    〜180時間,760℃で180〜200時間,750
    ℃で200〜240時間の熱処理する工程によりTlx
    Ba2Ca1Cu28(x=1or2)系超電導膜を合成す
    ることを特徴とするタリウム系超電導膜の合成方法。
  12. 【請求項12】アルカリ土類金属及び銅の有機化合物を
    芳香族化合物の溶媒に溶解する工程と、該溶解液を基板
    に塗布する工程と、該基板を750℃以下の温度で加熱
    する工程と、酸化タリウムガス雰囲気中、860℃で2
    0時間,850℃で20〜40時間,840℃で40〜
    60時間,830℃で60〜80時間,820℃で80
    〜100時間,810℃で100〜120時間,800
    ℃で120〜140時間,790℃で140〜160時
    間,780℃で160〜180時間,770℃で180
    〜200時間,760℃で200〜240時間,750
    ℃で240時間以上熱処理する工程とから(Tl/Pb)1
    Sr2Ca2Cu310系超電導膜を合成することを特徴
    とするタリウム系超電導膜の合成方法。
  13. 【請求項13】アルカリ土類金属及び銅の有機化合物を
    芳香族化合物の溶媒に溶解する工程と、該溶解液を基板
    に塗布する工程と、該基板を750℃以下の温度で加熱
    する工程と、酸化タリウムガス雰囲気中、840℃で2
    0〜40時間,830℃で40〜60時間,820℃で
    60〜80時間,810℃で80〜100時間,800
    ℃で100〜120時間,790℃で120〜140時
    間,780℃で140〜160時間,770℃で160
    〜180時間,760℃で180〜200時間,750
    ℃で200〜240時間の熱処理する工程により(Tl/P
    b)1Sr2Ca1Cu2O8系超電導膜を合成することを特徴とする
    タリウム系超電導膜の合成方法。
  14. 【請求項14】タリウム,アルカリ土類金属及び銅の有
    機化合物を芳香族化合物の溶媒に溶解する工程と、該溶
    解液を基板に塗布する工程と、該基板を750℃以下の
    温度で加熱する工程と、酸化タリウムガス雰囲気中、7
    50〜860℃の温度範囲で少なくとも20時間以上熱
    処理する工程とからなることを特徴とするタリウム系超
    電導膜の合成方法。
  15. 【請求項15】請求項14の該アルカリ土類金属は、バ
    リウム,カルシウム,ストロンチウムのうちカルシウム
    とバリウムあるいはカルシウムとストロンチウムの組み
    合わせであることを特徴とするタリウム系超電導膜の合
    成方法。
  16. 【請求項16】請求項14の該芳香族化合物は、トルエ
    ン,ピリジンのうちいずれか一つであることを特徴とす
    るタリウム系超電導膜の合成方法。
  17. 【請求項17】請求項14の該タリウム系超電導膜を基
    板の両面に合成することを特徴とするタリウム系超電導
    膜の合成方法。
  18. 【請求項18】請求項14の該有機化合物を含む溶解液
    は熱処理により、超電導体となるように配合されている
    ことを特徴とするタリウム系超電導膜の合成方法。
  19. 【請求項19】請求項14の該有機化合物は、ナフテン
    酸塩,アルコキシド,オレイン酸塩,グリコン酸塩,ス
    テアリン酸塩,オクタン酸塩,プロピオン酸塩,ギ酸塩
    のうちいずれか一つあるいは上記のうち二つ以上の組み
    合わせであることを特徴とするタリウム系超電導膜の合
    成方法。
  20. 【請求項20】請求項14の該塗布として、スピンコー
    ト法,ディップコート法で塗布することを特徴とするタ
    リウム系超電導膜の合成方法。
  21. 【請求項21】請求項14の該基板がMgO,SrTi
    3,LaAlO3,BaTiO3,NdGaO3及びペロ
    ブスカイト構造であることを特徴とするタリウム系超電
    導膜の合成方法。
  22. 【請求項22】請求項14の該基板がAg,Cu,A
    u,ハステロイX,可とう性YSZおよび延性,てん性
    を有する物質であることを特徴とするタリウム系超電導
    膜の合成方法。
  23. 【請求項23】タリウム,アルカリ土類金属及び銅の有
    機化合物を芳香族化合物の溶媒に溶解する工程と、該溶
    解液を基板に塗布する工程と、該基板を750℃以下の
    温度で加熱する工程と、酸化タリウムガス雰囲気中、8
    60℃で20時間,850℃で20〜40時間,840
    ℃で40〜60時間,830℃で60〜80時間,820
    ℃で80〜100時間,810℃で100〜120時
    間,800℃で120〜140時間,790℃で140
    〜160時間,780℃で160〜180時間,770
    ℃で180〜200時間,760℃で200〜240時
    間,750℃で240時間以上の熱処理する工程により
    TlxBa2Ca2Cu310(x=1or2)系超電導膜を合
    成することを特徴とするタリウム系超電導膜の合成方
    法。
  24. 【請求項24】タリウム,アルカリ土類金属及び銅の有
    機化合物を芳香族化合物の溶媒に溶解する工程と、該溶
    解液を基板に塗布する工程と、該基板を750℃以下の
    温度で加熱する工程と、酸化タリウムガス雰囲気中、8
    40℃で20〜40時間,830℃で40〜60時間,8
    20℃で60〜80時間,810℃で80〜100時
    間,800℃で100〜120時間,790℃で120
    〜140時間,780℃で140〜160時間,770
    ℃で160〜180時間,760℃で180〜200時
    間,750℃で200〜240時間の熱処理する工程に
    よりTlxBa2Ca1Cu2O8(x=1or2)系超電導膜を合成す
    ることを特徴とするタリウム系超電導膜の合成方法。
  25. 【請求項25】タリウム,アルカリ土類金属及び銅の有
    機化合物を芳香族化合物の溶媒に溶解する工程と、該溶
    解液を基板に塗布する工程と、該基板を750℃以下の
    温度で加熱する工程と、酸化タリウムガス雰囲気中、8
    60℃で20時間,850℃で20〜40時間,840
    ℃で40〜60時間,830℃で60〜80時間,820
    ℃で80〜100時間,810℃で100〜120時
    間,800℃で120〜140時間,790℃で140
    〜160時間,780℃で160〜180時間,770
    ℃で180〜200時間,760℃で200〜240時
    間,750℃で240時間以上熱処理する工程とから
    (Tl/Pb)1Sr2Ca2Cu310系超電導膜を合成す
    ることを特徴とするタリウム系超電導膜の合成方法。
  26. 【請求項26】タリウム,アルカリ土類金属及び銅の有
    機化合物を芳香族化合物の溶媒に溶解する工程と、該溶
    解液を基板に塗布する工程と、該基板を750℃以下の
    温度で加熱する工程と、酸化タリウムガス雰囲気中、8
    40℃で20〜40時間,830℃で40〜60時間,8
    20℃で60〜80時間,810℃で80〜100時
    間,800℃で100〜120時間,790℃で120
    〜140時間,780℃で140〜160時間,770
    ℃で160〜180時間,760℃で180〜200時
    間,750℃で200〜240時間の熱処理する工程に
    より(Tl/Pb)1Sr2Ca1Cu28 系超電導膜を合
    成することを特徴とするタリウム系超電導膜の合成方
    法。
  27. 【請求項27】タリウム,鉛,アルカリ土類金属及び銅
    の有機化合物を芳香族化合物の溶媒に溶解する工程と、
    該溶解液を基板に塗布する工程と、該基板を750℃以
    下の温度で加熱する工程と、酸化タリウムガス雰囲気
    中、750〜860℃の温度範囲で少なくとも20時間
    以上熱処理する工程とからなることを特徴とするタリウ
    ム系超電導膜の合成方法。
  28. 【請求項28】請求項27の該アルカリ土類金属は、バ
    リウム,カルシウム,ストロンチウムのうちカルシウム
    とバリウムあるいはカルシウムとストロンチウムの組み
    合わせであることを特徴とするタリウム系超電導膜の合
    成方法。
  29. 【請求項29】請求項27の該芳香族化合物は、トルエ
    ン,ピリジンのうちいずれか一つであることを特徴とす
    るタリウム系超電導膜の合成方法。
  30. 【請求項30】請求項27の該タリウム系超電導膜を基
    板の両面に合成することを特徴とするタリウム系超電導
    膜の合成方法。
  31. 【請求項31】請求項27の該有機化合物を含む該溶解
    液は熱処理により、超電導体となるように配合されてい
    ることを特徴とするタリウム系超電導膜の合成方法。
  32. 【請求項32】請求項27の該有機化合物は、ナフテン
    酸塩,アルコキシド,オレイン酸塩,グリコン酸塩,ス
    テアリン酸塩,オクタン酸塩,プロピオン酸塩,ギ酸塩
    のうちいずれか一つあるいは上記のうち二つ以上の組み
    合わせであることを特徴とするタリウム系超電導膜の合
    成方法。
  33. 【請求項33】請求項27の該塗布として、スピンコー
    ト法,ディップコート法,塗布法で塗布することを特徴
    とするタリウム系超電導膜の合成方法。
  34. 【請求項34】請求項27の該基板がMgO,SrTi
    3,LaAlO3,BaTiO3,NdGaO3及びペロ
    ブスカイト構造であることを特徴とするタリウム系超電
    導膜の合成方法。
  35. 【請求項35】請求項27の該基板がAg,Cu,A
    u,ハステロイX,可とう性YSZおよび延性,てん性
    を有する物質であることを特徴とするタリウム系超電導
    膜の合成方法。
  36. 【請求項36】タリウム,鉛,アルカリ土類金属及び銅
    の有機化合物を芳香族化合物の溶媒に溶解する工程と、
    該溶解液を基板に塗布する工程と、該基板を750℃以
    下の温度で加熱する工程と、酸化タリウムガス雰囲気
    中、860℃で20時間,850℃で20〜40時間,
    840℃で40〜60時間,830℃で60〜80時
    間,820℃で80〜100時間,810℃で100〜
    120時間,800℃で120〜140時間,790℃
    で140〜160時間,780℃で160〜180時
    間,770℃で180〜200時間,760℃で200
    〜240時間,750℃で240時間以上の熱処理する
    工程によりTlxBa2Ca2Cu310(x=1or2)系超
    電導膜を合成することを特徴とするタリウム系超電導膜
    の合成方法。
  37. 【請求項37】タリウム,鉛,アルカリ土類金属及び銅
    の有機化合物を芳香族化合物の溶媒に溶解する工程と、
    該溶解液を基板に塗布する工程と、該基板を750℃以
    下の温度で加熱する工程と、酸化タリウムガス雰囲気
    中、840℃で20〜40時間,830℃で40〜60
    時間,820℃で60〜80時間,810℃で80〜10
    0時間,800℃で100〜120時間,790℃で1
    20〜140時間,780℃で140〜160時間,7
    70℃で160〜180時間,760℃で180〜20
    0時間,750℃で200〜240時間の熱処理する工
    程によりTlxBa2Ca1Cu28(x=1or2)系超電
    導膜を合成することを特徴とするタリウム系超電導膜の
    合成方法。
  38. 【請求項38】タリウム,鉛,アルカリ土類金属及び銅
    の有機化合物を芳香族化合物の溶媒に溶解する工程と、
    該溶解液を基板に塗布する工程と、該基板を750℃以
    下の温度で加熱する工程と、酸化タリウムガス雰囲気
    中、860℃で20時間,850℃で20〜40時間,
    840℃で40〜60時間,830℃で60〜80時
    間,820℃で80〜100時間,810℃で100〜
    120時間,800℃で120〜140時間,790℃
    で140〜160時間,780℃で160〜180時
    間,770℃で180〜200時間,760℃で200
    〜240時間,750℃で240時間以上の熱処理する
    工程により(Tl/Pb)1Sr2Ca2Cu310系超電導膜
    を合成することを特徴とするタリウム系超電導膜の合成
    方法。
  39. 【請求項39】タリウム,鉛,アルカリ土類金属及び銅
    の有機化合物を芳香族化合物の溶媒に溶解する工程と、
    該溶解液を基板に塗布する工程と、該基板を750℃以
    下の温度で加熱する工程と、酸化タリウムガス雰囲気
    中、840℃で20〜40時間,830℃で40〜60
    時間,820℃で60〜80時間,810℃で80〜10
    0時間,800℃で100〜120時間,790℃で1
    20〜140時間,780℃で140〜160時間,7
    70℃で160〜180時間,760℃で180〜20
    0時間,750℃で200〜240時間の熱処理する工
    程により(Tl/Pb)1Sr2Ca1Cu28系超電導膜
    を合成することを特徴とするタリウム系超電導膜の合成
    方法。
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