JPH05262597A - Ｂｉ系酸化物超電導膜の製造方法 - Google Patents
Ｂｉ系酸化物超電導膜の製造方法Info
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- JPH05262597A JPH05262597A JP4060351A JP6035192A JPH05262597A JP H05262597 A JPH05262597 A JP H05262597A JP 4060351 A JP4060351 A JP 4060351A JP 6035192 A JP6035192 A JP 6035192A JP H05262597 A JPH05262597 A JP H05262597A
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-
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｂｉ系酸化物超電導膜の生成相およびその結
晶配向を制御する。 【構成】 各金属元素を含むナフテン酸塩をＢｉ：Ｓ
ｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：２：１：２のモル比で混合し、Ａ
ｇ基板上に塗布した後、仮焼して厚膜を形成する。この
厚膜に帯状パターンを有するレーザビームを照射し、ビ
ームの走査速度と基板温度を変化させて、その生成相お
よびその結晶配向を制御する。
晶配向を制御する。 【構成】 各金属元素を含むナフテン酸塩をＢｉ：Ｓ
ｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：２：１：２のモル比で混合し、Ａ
ｇ基板上に塗布した後、仮焼して厚膜を形成する。この
厚膜に帯状パターンを有するレーザビームを照射し、ビ
ームの走査速度と基板温度を変化させて、その生成相お
よびその結晶配向を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は超電導膜の製造方法に係
り、特にレーザビームの照射により、膜体の結晶配合を
容易に制御することができるＢｉ系酸化物超電導膜の製
造方法に関する。
り、特にレーザビームの照射により、膜体の結晶配合を
容易に制御することができるＢｉ系酸化物超電導膜の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系（Ｂｉ
系）の超電導体は、その臨界温度（Ｔｃ）が高く、Ｙ−
Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系（Ｙ系）の超電導体に比較して安定性
および加工性に優れ、また非希土類系の組成からなるた
め、その素材の供給や取扱いに有利である上、Ｔｌ−Ｂ
ａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系（Ｔｌ系）の超電導体のように毒
性もないことから酸化物超電導体の実用材料として期待
されており、線材化や厚膜化技術の開発が活発に進めら
れている。
系）の超電導体は、その臨界温度（Ｔｃ）が高く、Ｙ−
Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系（Ｙ系）の超電導体に比較して安定性
および加工性に優れ、また非希土類系の組成からなるた
め、その素材の供給や取扱いに有利である上、Ｔｌ−Ｂ
ａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系（Ｔｌ系）の超電導体のように毒
性もないことから酸化物超電導体の実用材料として期待
されており、線材化や厚膜化技術の開発が活発に進めら
れている。
【０００３】しかしながら、酸化物超電導体は結晶方位
によりその特性が大きく異なり、異方性を有することが
知られており、特に結晶の垂直方向（ｃ軸）は水平面
（ａ−ｂ面）内に比べ電気抵抗値が遥かに大きく、酸化
物超電導体の特性はａ−ｂ面の構造が支配していると考
えられている。従って、線材や厚膜を製造する場合には
その結晶配向を制御することが必要となる。
によりその特性が大きく異なり、異方性を有することが
知られており、特に結晶の垂直方向（ｃ軸）は水平面
（ａ−ｂ面）内に比べ電気抵抗値が遥かに大きく、酸化
物超電導体の特性はａ−ｂ面の構造が支配していると考
えられている。従って、線材や厚膜を製造する場合には
その結晶配向を制御することが必要となる。
【０００４】従来、厚膜の製造方法として、酸化物超電
導物質やその前駆体にレーザビームを照射して再結晶化
または結晶化するものが知られており、この方法は、温
度勾配を比較的大きくすることができ、また、結晶成長
速度に対応するスキャンスピードを大きくすることがで
きる等の利点を有する。このような方法として、例え
ば、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｕを２：２：２：３の比率で
配合した粉末を用いてペーストを作製し、このペースト
をＭｇＯ基板上スクリーン印刷して厚膜を作製した後、
この厚膜にレーザビームを照射して超電導膜を製造する
方法（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５５（１
６），１６ Ｏｃｔｏｂｅｒ １９８９）やコーティン
グ膜あるいはスラリーの厚膜等にレーザビームを照射し
て超電導膜を製造する方法（特願平１−８２１４９号、
特願平１−８００４８号）が公知である。
導物質やその前駆体にレーザビームを照射して再結晶化
または結晶化するものが知られており、この方法は、温
度勾配を比較的大きくすることができ、また、結晶成長
速度に対応するスキャンスピードを大きくすることがで
きる等の利点を有する。このような方法として、例え
ば、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｕを２：２：２：３の比率で
配合した粉末を用いてペーストを作製し、このペースト
をＭｇＯ基板上スクリーン印刷して厚膜を作製した後、
この厚膜にレーザビームを照射して超電導膜を製造する
方法（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５５（１
６），１６ Ｏｃｔｏｂｅｒ １９８９）やコーティン
グ膜あるいはスラリーの厚膜等にレーザビームを照射し
て超電導膜を製造する方法（特願平１−８２１４９号、
特願平１−８００４８号）が公知である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
製造方法においてはレーザビームの照射により超電導膜
を製造しているものの、ａ軸またはｂ軸配向膜（それぞ
れ基板面に対して膜のａ軸またはｂ軸が垂直に結晶配向
している場合を示す。以下同様。）あるいはｃ軸配向膜
を制御し、さらにその生成相を制御することはできな
い。従って、任意に生成相およびその結晶配向が制御さ
れた膜体を得ることはできないという問題がある。
製造方法においてはレーザビームの照射により超電導膜
を製造しているものの、ａ軸またはｂ軸配向膜（それぞ
れ基板面に対して膜のａ軸またはｂ軸が垂直に結晶配向
している場合を示す。以下同様。）あるいはｃ軸配向膜
を制御し、さらにその生成相を制御することはできな
い。従って、任意に生成相およびその結晶配向が制御さ
れた膜体を得ることはできないという問題がある。
【０００６】本発明は、Ｂｉ系の酸化物超電導膜の生成
相の分率およびその結晶配向が帯状パターンを有するレ
ーザビームの走査速度と基板温度に依存するという知見
に基づいてなされたもので、生成相およびその結晶配向
を任意に制御することのできるＢｉ系酸化物超電導膜の
製造方法を提供することをその目的とする。
相の分率およびその結晶配向が帯状パターンを有するレ
ーザビームの走査速度と基板温度に依存するという知見
に基づいてなされたもので、生成相およびその結晶配向
を任意に制御することのできるＢｉ系酸化物超電導膜の
製造方法を提供することをその目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のＢｉ系酸化物超電導膜の製造方法は、基板
上に形成したＢｉ系酸化物超電導体を構成する元素を所
定の比率で含有する膜体にレーザビームを照射して結晶
化または再結晶化するにあたり、レーザビームとして帯
状パターンを有するビームを用いるとともに、レーザビ
ームの走査速度と基板の温度を変化させることにより、
超電導膜の生成相およびその結晶配向を任意に制御し得
るようにしたものである。
に、本発明のＢｉ系酸化物超電導膜の製造方法は、基板
上に形成したＢｉ系酸化物超電導体を構成する元素を所
定の比率で含有する膜体にレーザビームを照射して結晶
化または再結晶化するにあたり、レーザビームとして帯
状パターンを有するビームを用いるとともに、レーザビ
ームの走査速度と基板の温度を変化させることにより、
超電導膜の生成相およびその結晶配向を任意に制御し得
るようにしたものである。
【０００８】本発明における膜体は，Ｂｉ系酸化物超電
導体を構成する元素を所定の比率で含有する物質により
形成されるが，このような物質としては，オクチル
酸、、ネオデカン酸、ナフテン酸等の金属有機酸塩また
は金属アルコキシド、金属アセチルアセトナート等の有
機金属化合物を炭化水素系、エーテル系、アルコール系
等の有機溶剤や水等の単独または混合した溶媒に溶解し
た混合液が用いられる他、固相粉、共沈粉またはゾル−
ゲル粉末等の仮焼粉末をオレフィン系等の有機物バイン
ダーに混合した混合物を用いることができる。
導体を構成する元素を所定の比率で含有する物質により
形成されるが，このような物質としては，オクチル
酸、、ネオデカン酸、ナフテン酸等の金属有機酸塩また
は金属アルコキシド、金属アセチルアセトナート等の有
機金属化合物を炭化水素系、エーテル系、アルコール系
等の有機溶剤や水等の単独または混合した溶媒に溶解し
た混合液が用いられる他、固相粉、共沈粉またはゾル−
ゲル粉末等の仮焼粉末をオレフィン系等の有機物バイン
ダーに混合した混合物を用いることができる。
【０００９】上記の混合物または混合液中の構成元素
は、例えば（２２２３）相や（２２１２）相等を対象と
する場合、Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕを２：２：２：３ま
たは２：２：１：２の比率で配合される。また、基板と
しては銀、ジルコニウム等の金属板や金属板上に酸化マ
グネシウム、イリウム安定化ジルコニウム（ＹＳＺ）ま
たはチタン酸ストロンチウム等のバッファ層を設けたも
の、あるいは酸化マグネシゥム、ＹＳＺ等からなる絶縁
性基板等の超電導体と非反応性の材料が用いられる。
は、例えば（２２２３）相や（２２１２）相等を対象と
する場合、Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕを２：２：２：３ま
たは２：２：１：２の比率で配合される。また、基板と
しては銀、ジルコニウム等の金属板や金属板上に酸化マ
グネシウム、イリウム安定化ジルコニウム（ＹＳＺ）ま
たはチタン酸ストロンチウム等のバッファ層を設けたも
の、あるいは酸化マグネシゥム、ＹＳＺ等からなる絶縁
性基板等の超電導体と非反応性の材料が用いられる。
【００１０】超電導膜の形成は、基板上に上記の混合物
または混合液を通常の方法により塗布し、有機成分を熱
分解させる仮焼処理を施すことにより行われる。この熱
分解のため熱処理は、熱処理温度が低いと熱分解が不十
分となり、また、温度が高過ぎると熱分解が急速に生じ
て基板から膜が剥離するため、４００〜７００℃の温度
範囲で施工される。
または混合液を通常の方法により塗布し、有機成分を熱
分解させる仮焼処理を施すことにより行われる。この熱
分解のため熱処理は、熱処理温度が低いと熱分解が不十
分となり、また、温度が高過ぎると熱分解が急速に生じ
て基板から膜が剥離するため、４００〜７００℃の温度
範囲で施工される。
【００１１】また、レーザビームはその走査方向に温度
勾配を形成するために、帯状パターンを有するビームが
用いられる。通常は、レーザビームの走査方向に垂直な
帯状パターンを有するビームが使用され、このようなビ
ームを用いることにより、その結晶配向を制御すること
が容易となる。スポット状のビームを用いた場合には、
ビームの中心部から放射状に温度勾配が形成されるた
め、ビームを一方向に走査しても結晶配向を制御するこ
とは困難である。レーザビームとしてはＹＡＧ，Ａｒ，
ＣＯ2 等のＣＷ（連続）レーザが用いられる。
勾配を形成するために、帯状パターンを有するビームが
用いられる。通常は、レーザビームの走査方向に垂直な
帯状パターンを有するビームが使用され、このようなビ
ームを用いることにより、その結晶配向を制御すること
が容易となる。スポット状のビームを用いた場合には、
ビームの中心部から放射状に温度勾配が形成されるた
め、ビームを一方向に走査しても結晶配向を制御するこ
とは困難である。レーザビームとしてはＹＡＧ，Ａｒ，
ＣＯ2 等のＣＷ（連続）レーザが用いられる。
【００１２】本発明の方法によれば、レーザビームの走
査速度と基板の温度を変化させることにより、その走査
方向に生成相の分率と結晶配向を任意に制御することが
できるが、例えば（２２１２）組成の場合、基板温度を
７２０℃以上、レーザビームの走査速度を０．５ｍｍ／
ｍｉｎ以下とすることによりｃ軸配向の分率の著しく高
い膜体を得ることができる。
査速度と基板の温度を変化させることにより、その走査
方向に生成相の分率と結晶配向を任意に制御することが
できるが、例えば（２２１２）組成の場合、基板温度を
７２０℃以上、レーザビームの走査速度を０．５ｍｍ／
ｍｉｎ以下とすることによりｃ軸配向の分率の著しく高
い膜体を得ることができる。
【００１３】この場合、基板温度が７２０℃未満である
とａ軸配向の分率が増大し、また走査速度が０．５ｍｍ
／ｍｉｎを越えると非超電導相である（２２０１）相が
生成され易くなる。このようにｃ軸配向分率の高い膜体
を得る方法は、本願第２の発明、即ち、基板上に形成し
たＢｉ系酸化物超電導体を構成する元素を所定の比率で
含有する膜体にレーザビームを照射して結晶化または再
結晶化するにあたり、レーザビームとして帯状パターン
を有するビームを用いるとともに、基板を７２０℃以上
の温度に加熱してレーザビームを０．５ｍｍ／ｍｉｎ以
下の走査速度で照射するＢｉ系酸化物超電導膜の製造方
法として記述される。
とａ軸配向の分率が増大し、また走査速度が０．５ｍｍ
／ｍｉｎを越えると非超電導相である（２２０１）相が
生成され易くなる。このようにｃ軸配向分率の高い膜体
を得る方法は、本願第２の発明、即ち、基板上に形成し
たＢｉ系酸化物超電導体を構成する元素を所定の比率で
含有する膜体にレーザビームを照射して結晶化または再
結晶化するにあたり、レーザビームとして帯状パターン
を有するビームを用いるとともに、基板を７２０℃以上
の温度に加熱してレーザビームを０．５ｍｍ／ｍｉｎ以
下の走査速度で照射するＢｉ系酸化物超電導膜の製造方
法として記述される。
【００１４】
【作用】本発明の方法においては、帯状パターンを有す
るレーザビームの使用により、ビームの走査方向に温度
勾配を形成され、このようなビームを用いて基板上に形
成した膜体を走査した場合に、主として超電導体の生成
相がビームの走査速度により、またその結晶配向が基板
の温度に依存するため、これらを変えることにより生成
相の分率と結晶配向を任意に制御することが可能とな
る。
るレーザビームの使用により、ビームの走査方向に温度
勾配を形成され、このようなビームを用いて基板上に形
成した膜体を走査した場合に、主として超電導体の生成
相がビームの走査速度により、またその結晶配向が基板
の温度に依存するため、これらを変えることにより生成
相の分率と結晶配向を任意に制御することが可能とな
る。
【００１５】
【実施例】以下本発明の実施例および比較例について説
明する。Ｂｉ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕをそれぞれ含むナフテ
ン酸塩のトルエン溶液（日本化学産業株式会社製）を下
記の量比で配合し、金属分のモル比がＢｉ：Ｓｒ：Ｃ
ａ：Ｃｕ＝２：２：１：２の混合液を作製した。
明する。Ｂｉ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕをそれぞれ含むナフテ
ン酸塩のトルエン溶液（日本化学産業株式会社製）を下
記の量比で配合し、金属分のモル比がＢｉ：Ｓｒ：Ｃ
ａ：Ｃｕ＝２：２：１：２の混合液を作製した。
【００１６】 ナフテン酸Ｂｉ（７．０７ｗｔ％Ｂｉ）…１１．８２ｇ ナフテン酸Ｓｒ（２．０４ｗｔ％Ｓｒ）…１７．１８ｇ ナフテン酸Ｃａ（３．００ｗｔ％Ｃａ）… ２．６７ｇ ナフテン酸Ｃｕ（５．１１ｗｔ％Ｃｕ）… ４．９８ｇ この混合液を厚さ０．６ｍｍのＡｇ基板上に塗布し、室
温で１０分間乾燥した後、１２０℃で１０分間乾燥し、
さらに５００℃で１０分間仮焼した。以上の塗布→室温
乾燥→高温乾燥→仮焼の工程を５回繰り返して施し、厚
さ２０μｍの厚膜を基板上に形成して被照射膜を作製し
た。この被照射膜はＸＲＤ（Ｘ線回折；以下同じ。）測
定の結果、ペロブスカイト構造を有しておらず、また電
気的測定の結果、非超電導相であることを示した。
温で１０分間乾燥した後、１２０℃で１０分間乾燥し、
さらに５００℃で１０分間仮焼した。以上の塗布→室温
乾燥→高温乾燥→仮焼の工程を５回繰り返して施し、厚
さ２０μｍの厚膜を基板上に形成して被照射膜を作製し
た。この被照射膜はＸＲＤ（Ｘ線回折；以下同じ。）測
定の結果、ペロブスカイト構造を有しておらず、また電
気的測定の結果、非超電導相であることを示した。
【００１７】次ぎに、上記の被照射膜を移動可能なホッ
トステージ上に固定し、これに下記の条件でレーザビー
ムを照射するとともに、垂直に配置されたホットステー
ジをビームの幅方向と垂直な上方に移動させて帯域溶融
を行った。 レーザ…Ｎｄ：ＹＡＧレーザ（連続発信のマルチモード
タイプ） ビーム形…帯状パターン（幅０．２ｍｍ） レーザ出力…５０Ｗ 以上のレーザビームの照射システムを図２に示す。
トステージ上に固定し、これに下記の条件でレーザビー
ムを照射するとともに、垂直に配置されたホットステー
ジをビームの幅方向と垂直な上方に移動させて帯域溶融
を行った。 レーザ…Ｎｄ：ＹＡＧレーザ（連続発信のマルチモード
タイプ） ビーム形…帯状パターン（幅０．２ｍｍ） レーザ出力…５０Ｗ 以上のレーザビームの照射システムを図２に示す。
【００１８】実施例１ 上記の被照射膜および照射システムにより、ホットステ
ージを０．４〜９０ｍｍ／ｍｉｎの移動速度（レーザビ
ームの走査速度）で変化させて帯域溶融を行った後、Ｘ
ＲＤで測定した結果を図３に、また各速度における生成
相を表１に示す。尚、この場合、ホットステージは特に
加熱していないが、被照射膜はレーザビームの照射によ
り約３００℃程度まで上昇する。
ージを０．４〜９０ｍｍ／ｍｉｎの移動速度（レーザビ
ームの走査速度）で変化させて帯域溶融を行った後、Ｘ
ＲＤで測定した結果を図３に、また各速度における生成
相を表１に示す。尚、この場合、ホットステージは特に
加熱していないが、被照射膜はレーザビームの照射によ
り約３００℃程度まで上昇する。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１において（２２０１）相は半導体相で
あるＢｉ2 Ｓｒ2 ＣｕＯ5 相を表し、また（２２１２）
相は臨界温度 Ｔｃ＝８０ＫであるＢｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣ
ｕ2ＯX 相を表わしている。また、図４はレーザビーム
の走査速度が０．４および０．９ｍｍ／ｍｉｎの場合の
直流磁化率の温度依存性を示したものであるが、共にａ
ｓ−ｇｒｏｗｎの状態で（２２１２）相が生成されてい
ることを示している。
あるＢｉ2 Ｓｒ2 ＣｕＯ5 相を表し、また（２２１２）
相は臨界温度 Ｔｃ＝８０ＫであるＢｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣ
ｕ2ＯX 相を表わしている。また、図４はレーザビーム
の走査速度が０．４および０．９ｍｍ／ｍｉｎの場合の
直流磁化率の温度依存性を示したものであるが、共にａ
ｓ−ｇｒｏｗｎの状態で（２２１２）相が生成されてい
ることを示している。
【００２１】以上の結果から、レーザビームを１８ｍｍ
／ｍｉｎ以下の走査速度で照射すると（２２１２）相が
生成し、また、０．９ｍｍ／ｍｉｎ以下の走査速度で照
射した場合に（２２１２）相が優先的に生成することが
明らかである。尚、この（２２１２）相はａ軸配向して
いる。 実施例２ 上記実施例で用いた被照射膜および照射システムによ
り、（２２１２）相が優先的に生成するレーザビームの
走査速度として０．２ｍｍ／ｍｉｎを選択し、基板温度
（ホットステージの温度）を３００〜７３０℃の範囲で
変化させた場合の結晶配合とＸＲＤの測定結果から計算
したｃ軸配合度を表２と図１に示す。尚、この場合のｃ
軸配合度は（００１０）／［（００１０）＋（２０
０）］を指標として表わした。
／ｍｉｎ以下の走査速度で照射すると（２２１２）相が
生成し、また、０．９ｍｍ／ｍｉｎ以下の走査速度で照
射した場合に（２２１２）相が優先的に生成することが
明らかである。尚、この（２２１２）相はａ軸配向して
いる。 実施例２ 上記実施例で用いた被照射膜および照射システムによ
り、（２２１２）相が優先的に生成するレーザビームの
走査速度として０．２ｍｍ／ｍｉｎを選択し、基板温度
（ホットステージの温度）を３００〜７３０℃の範囲で
変化させた場合の結晶配合とＸＲＤの測定結果から計算
したｃ軸配合度を表２と図１に示す。尚、この場合のｃ
軸配合度は（００１０）／［（００１０）＋（２０
０）］を指標として表わした。
【００２２】
【表２】
【００２３】図１から明らかなように、基板温度が７２
０℃以上、特に７３０℃以上でｃ軸配合度の非常に高い
超電導膜が得られ、また７００℃以下ではａ軸配合度の
非常に高い超電導膜が形成される。また、図５は基板温
度が７３０℃のばあいの交流磁化率の温度依存性を示し
たものであるが、ａｓ−ｇｒｏｗｎの状態で（２２１
２）相が生成されていることを示している。
０℃以上、特に７３０℃以上でｃ軸配合度の非常に高い
超電導膜が得られ、また７００℃以下ではａ軸配合度の
非常に高い超電導膜が形成される。また、図５は基板温
度が７３０℃のばあいの交流磁化率の温度依存性を示し
たものであるが、ａｓ−ｇｒｏｗｎの状態で（２２１
２）相が生成されていることを示している。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように本発明のＢｉ系酸化物
超電導膜の製造方法によれば、レーザビームの走査速度
と基板の温度を変化させることにより、その走査方向に
生成相の分率と結晶配向を任意に制御することができ、
またその結果、特定の軸配向に優れた膜体を得ることが
できる。更に、本発明の方法により、長尺の膜体にレー
ザビームを照射して軸方向にその結晶配向を変化させる
ことも可能になる。
超電導膜の製造方法によれば、レーザビームの走査速度
と基板の温度を変化させることにより、その走査方向に
生成相の分率と結晶配向を任意に制御することができ、
またその結果、特定の軸配向に優れた膜体を得ることが
できる。更に、本発明の方法により、長尺の膜体にレー
ザビームを照射して軸方向にその結晶配向を変化させる
ことも可能になる。
【図１】ｃ軸配合度の温度依存性を示すグラフ。
【図２】レーザビームの照射システムの概略図。
【図３】レーザビームの走査速度を変化させた場合のＸ
ＲＤ測定結果を示すグラフ。
ＲＤ測定結果を示すグラフ。
【図４】直流磁化率の温度依存性を示すグラフ。
【図５】交流磁化率の温度依存性を示すグラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 13/00 ５６５ Ｄ 8936−5Ｇ Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｂ 8728−4Ｍ (72)発明者 仲本 隆男 愛知県名古屋市熱田区六野２丁目４番１号 財団法人 国際超電導産業技術研究セン ター 超電導工学研究所 名古屋研究室 内 (72)発明者 宮島 正道 愛知県名古屋市熱田区六野２丁目４番１号 財団法人 国際超電導産業技術研究セン ター 超電導工学研究所 名古屋研究室 内 (72)発明者 平林 泉 愛知県名古屋市熱田区六野２丁目４番１号 財団法人 国際超電導産業技術研究セン ター 超電導工学研究所 名古屋研究室 内 (72)発明者 塩原 融 東京都江東区東雲１丁目10番13号 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超 電導工学研究所 内 (72)発明者 田中 昭二 東京都江東区東雲１丁目10番13号 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超 電導工学研究所 内
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に形成したＢｉ系酸化物超電導体を
構成する元素を所定の比率で含有する膜体にレーザビー
ムを照射して結晶化または再結晶化するにあたり、前記
レーザビームとして帯状パターンを有するビームを用い
るとともに、前記レーザビームの走査速度と前記基板の
温度を変化させることにより、前記超電導体の生成相お
よびその結晶配向を制御することを特徴とするＢｉ系酸
化物超電導膜の製造方法。 - 【請求項２】基板上に形成したＢｉ系酸化物超電導体を
構成する元素を所定の比率で含有する膜体にレーザビー
ムを照射して結晶化または再結晶化するにあたり、前記
レーザビームとして帯状パターンを有するビームを用い
るとともに、前記基板を７２０℃以上の温度に加熱して
前記レーザビームを０．５ｍｍ／ｍｉｎ以下の走査速度
で照射することを特徴とするＢｉ系酸化物超電導膜の製
造方法。 - 【請求項３】膜体は、Ｂｉ系酸化物超電導体を構成する
元素を含有する金属有機酸塩または有機金属化合物を所
定の比率で配合した混合液を基板上に塗布した後、熱分
解させることにより形成されてなる請求項１または２記
載のＢｉ系酸化物超電導膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4060351A JPH05262597A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | Ｂｉ系酸化物超電導膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4060351A JPH05262597A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | Ｂｉ系酸化物超電導膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05262597A true JPH05262597A (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=13139655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4060351A Withdrawn JPH05262597A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | Ｂｉ系酸化物超電導膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05262597A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008018314A1 (fr) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Procédé de production d'un matériau de type oxyde superconducteur |
| JP2009252641A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 超電導酸化物材料の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP4060351A patent/JPH05262597A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008018314A1 (fr) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Procédé de production d'un matériau de type oxyde superconducteur |
| JP2008037726A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 超電導酸化物材料の製造方法 |
| JP4729766B2 (ja) * | 2006-08-10 | 2011-07-20 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 超電導酸化物材料の製造方法 |
| US9096440B2 (en) | 2006-08-10 | 2015-08-04 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method of producing superconductive oxide material |
| JP2009252641A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 超電導酸化物材料の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |