JPH0562545A - 酸化物超電導体およびその製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体およびその製造方法Info
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- JPH0562545A JPH0562545A JP3245131A JP24513191A JPH0562545A JP H0562545 A JPH0562545 A JP H0562545A JP 3245131 A JP3245131 A JP 3245131A JP 24513191 A JP24513191 A JP 24513191A JP H0562545 A JPH0562545 A JP H0562545A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】配向性が高く、臨界電流密度が高い酸化物超電
導体薄膜超電導材料を得る。 【構成】酸化ジルコニウムの基板に、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａからなる群から選ばれた１種以上の元素の有機
酸塩の溶液を塗布して熱処理することにより、この酸化
物基板表面に（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＺｒＯ3 層を
形成し、この層上に希土類系超電導体の薄膜を生成させ
て、酸化物超電導体を製造する。
導体薄膜超電導材料を得る。 【構成】酸化ジルコニウムの基板に、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａからなる群から選ばれた１種以上の元素の有機
酸塩の溶液を塗布して熱処理することにより、この酸化
物基板表面に（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＺｒＯ3 層を
形成し、この層上に希土類系超電導体の薄膜を生成させ
て、酸化物超電導体を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物超電導体および
その製造方法に関するものである。
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の（ＲＥ
はＹ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕからなる群から選ばれた１種以
上）酸化物超電導体（以下、希土類系超電導体という）
が知られている。希土類系超電導体の薄膜の製造方法と
しては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、レーザー蒸着
法など種々の方法が試みられている。ＭｇＯやＳｒＴｉ
Ｏ3 などの単結晶基板上には、いずれの方法を用いて
も、７７Ｋ、０テスラの条件では１００万Ａ／cm2 以上
の臨界電流密度を有する試料が得られている。
はＹ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕからなる群から選ばれた１種以
上）酸化物超電導体（以下、希土類系超電導体という）
が知られている。希土類系超電導体の薄膜の製造方法と
しては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、レーザー蒸着
法など種々の方法が試みられている。ＭｇＯやＳｒＴｉ
Ｏ3 などの単結晶基板上には、いずれの方法を用いて
も、７７Ｋ、０テスラの条件では１００万Ａ／cm2 以上
の臨界電流密度を有する試料が得られている。
【０００３】超電導体をマグネットなどの用途に応用し
ようとすると、可撓性のある線状またはテープ状の超電
導体を得ることが必要と考えられている。薄膜法を利用
してテープ状の超電導体を得るには、可撓性のテープ状
の基体上に高い臨界電流密度を有する超電導体を形成す
ることが必須である。
ようとすると、可撓性のある線状またはテープ状の超電
導体を得ることが必要と考えられている。薄膜法を利用
してテープ状の超電導体を得るには、可撓性のテープ状
の基体上に高い臨界電流密度を有する超電導体を形成す
ることが必須である。
【０００４】これまでにハステロイ等の耐熱性の金属上
に、安定化ジルコニア等のバッファー層を介して、酸化
物超電導体の薄膜を形成することが試みられてきたが、
７７Ｋ、０テスラでの臨界電流密度は高々５×１０4 Ａ
／cm2 と線材として応用するには十分に高い臨界電流密
度は得られていない。
に、安定化ジルコニア等のバッファー層を介して、酸化
物超電導体の薄膜を形成することが試みられてきたが、
７７Ｋ、０テスラでの臨界電流密度は高々５×１０4 Ａ
／cm2 と線材として応用するには十分に高い臨界電流密
度は得られていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】可撓性基板上では、単
結晶上に形成された薄膜に比べて、臨界電流密度が低い
のは、酸化物超電導体の結晶配向性が低いのが原因であ
ると考えられている。そこで本発明は、基板上に酸化物
超電導体の配向性薄膜を形成した酸化物超電導体および
その製造方法を提供することを目的とする。
結晶上に形成された薄膜に比べて、臨界電流密度が低い
のは、酸化物超電導体の結晶配向性が低いのが原因であ
ると考えられている。そこで本発明は、基板上に酸化物
超電導体の配向性薄膜を形成した酸化物超電導体および
その製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｚｒ，Ｔｉ，
Ｓｎからなる群から選ばれた１種以上の元素を含む酸化
物の表面に、（１００）面が表面に平行に配向したＡＢ
Ｏ3 （ＡはＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａからなる群から選ば
れた１種以上、ＢはＺｒ，Ｔｉ，Ｓｎからなる群から選
ばれた１種以上）の層を介して、ＲＥ，Ｂａ，Ｃｕ，Ｏ
を含む超電導体（ＲＥはＹ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，
Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕからなる群
から選ばれた１種以上）の配向した薄膜が形成されたこ
とを特徴とする酸化物超電導体を提供するものである。
Ｓｎからなる群から選ばれた１種以上の元素を含む酸化
物の表面に、（１００）面が表面に平行に配向したＡＢ
Ｏ3 （ＡはＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａからなる群から選ば
れた１種以上、ＢはＺｒ，Ｔｉ，Ｓｎからなる群から選
ばれた１種以上）の層を介して、ＲＥ，Ｂａ，Ｃｕ，Ｏ
を含む超電導体（ＲＥはＹ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，
Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕからなる群
から選ばれた１種以上）の配向した薄膜が形成されたこ
とを特徴とする酸化物超電導体を提供するものである。
【０００７】Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｎからなる群から選ばれた
１種以上の元素を含む酸化物は、この群から選ばれた２
種以上、あるいはさらに他の元素を含む複合酸化物であ
ってもよいが、基体を形成するときの焼結性や強度の観
点から、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化スズなど
が好ましい。酸化ジルコニウムの場合は、構造を安定化
させるためＣａやＹを添加したいわゆる安定化ジルコニ
アが好ましい。酸化スズの場合は、酸化スズのみでは焼
結性が小さいので、酸化チタン等を焼結助剤として含有
するものが好ましい。
１種以上の元素を含む酸化物は、この群から選ばれた２
種以上、あるいはさらに他の元素を含む複合酸化物であ
ってもよいが、基体を形成するときの焼結性や強度の観
点から、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化スズなど
が好ましい。酸化ジルコニウムの場合は、構造を安定化
させるためＣａやＹを添加したいわゆる安定化ジルコニ
アが好ましい。酸化スズの場合は、酸化スズのみでは焼
結性が小さいので、酸化チタン等を焼結助剤として含有
するものが好ましい。
【０００８】この酸化物は、厚膜状などの成形体でも好
適に使用できるが、各種の耐熱合金等に、厚膜状または
薄膜状に酸化物を形成させたものを使用できる。この場
合は、可撓性のある超電導体が得られるので好ましい。
適に使用できるが、各種の耐熱合金等に、厚膜状または
薄膜状に酸化物を形成させたものを使用できる。この場
合は、可撓性のある超電導体が得られるので好ましい。
【０００９】この酸化物の表面には、（１００）面が膜
面と平行に配向したＡＢＯ3 の層が存在する。ＡＢＯ3
としては種々のものが使用できるが、表面に形成する酸
化物超電導体が希土類系酸化物超電導体である場合は、
ＢａＺｒＯ3 、ＢａＴｉＯ3、ＢａＳｎＯ3 、ＳｒＺｒ
Ｏ3 、ＳｒＴｉＯ3 、ＳｒＳｎＯ3 が超電導体との反応
性がきわめて小さいので、特に好ましい。
面と平行に配向したＡＢＯ3 の層が存在する。ＡＢＯ3
としては種々のものが使用できるが、表面に形成する酸
化物超電導体が希土類系酸化物超電導体である場合は、
ＢａＺｒＯ3 、ＢａＴｉＯ3、ＢａＳｎＯ3 、ＳｒＺｒ
Ｏ3 、ＳｒＴｉＯ3 、ＳｒＳｎＯ3 が超電導体との反応
性がきわめて小さいので、特に好ましい。
【００１０】このＡＢＯ3 層には、希土類系超電導体薄
膜が形成される。希土類系超電導体はＡＢＯ3 の影響で
配向性が向上する。このため、臨界電流密度などの特性
が良好である。希土類系超電導体は、REBa2Cu3Oy（ｙは
酸素量）の組成式で表されるものであることが好まし
い。
膜が形成される。希土類系超電導体はＡＢＯ3 の影響で
配向性が向上する。このため、臨界電流密度などの特性
が良好である。希土類系超電導体は、REBa2Cu3Oy（ｙは
酸素量）の組成式で表されるものであることが好まし
い。
【００１１】本発明の超電導体は、次に示すような方法
で製造するのが好ましい。まず、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｎから
なる群から選ばれた１種以上（Ｂ成分）を含む酸化物の
基板を作成する。この酸化物は、厚膜状に成形するのが
好ましく、金属等の基材の上に形成しても良い。成形方
法としては、ドクターブレード法、キャスティング法、
ディップコート法等を採用することができる。
で製造するのが好ましい。まず、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｎから
なる群から選ばれた１種以上（Ｂ成分）を含む酸化物の
基板を作成する。この酸化物は、厚膜状に成形するのが
好ましく、金属等の基材の上に形成しても良い。成形方
法としては、ドクターブレード法、キャスティング法、
ディップコート法等を採用することができる。
【００１２】次に、この酸化物基板に、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａからなる群から選ばれた１種以上の元素（Ａ成
分）を含む溶液を塗布して、熱処理する。このとき、基
板のＢ成分と塗布したＡ成分とが反応して、酸化物基板
表面にＡＢＯ3 層を形成する。熱処理は、空気中で行う
ことが好ましい。
ｒ，Ｂａからなる群から選ばれた１種以上の元素（Ａ成
分）を含む溶液を塗布して、熱処理する。このとき、基
板のＢ成分と塗布したＡ成分とが反応して、酸化物基板
表面にＡＢＯ3 層を形成する。熱処理は、空気中で行う
ことが好ましい。
【００１３】ＡＢＯ3 の粉末、ＡおよびＢの酸化物の混
合物、あるいはＡとＢの酸化物の前駆体の混合物を基体
の表面に塗布して焼成した場合は、（１００）に配向し
たＡＢＯ3 層を形成できない。Ａの有機酸塩を基体上に
塗布し、一定の温度範囲で熱処理することにより、（１
００）配向したＡＢＯ3 層が形成できる。
合物、あるいはＡとＢの酸化物の前駆体の混合物を基体
の表面に塗布して焼成した場合は、（１００）に配向し
たＡＢＯ3 層を形成できない。Ａの有機酸塩を基体上に
塗布し、一定の温度範囲で熱処理することにより、（１
００）配向したＡＢＯ3 層が形成できる。
【００１４】Ｂ成分を含む溶液としては、Ｂの有機酸塩
溶液が好ましい。有機酸塩としては、オクチル酸などの
長鎖のカルボン酸の塩や、ナフテン酸などの環式炭化水
素基を有するカルボン酸の塩が好ましい。熱処理する温
度範囲は、Ａ成分とＢ成分の組み合わせにより厳密には
決定されるが、１１００℃〜１４００℃程度が好まし
い。これより低い温度ではＡＢＯ3 層が形成されず、こ
れより高い温度では無配向のＡＢＯ3 層が形成される。
溶液が好ましい。有機酸塩としては、オクチル酸などの
長鎖のカルボン酸の塩や、ナフテン酸などの環式炭化水
素基を有するカルボン酸の塩が好ましい。熱処理する温
度範囲は、Ａ成分とＢ成分の組み合わせにより厳密には
決定されるが、１１００℃〜１４００℃程度が好まし
い。これより低い温度ではＡＢＯ3 層が形成されず、こ
れより高い温度では無配向のＡＢＯ3 層が形成される。
【００１５】ＡＢＯ3 層の上層に希土類系超電導体薄膜
を形成する方法は、特に限定されず種々の方法を採用す
ることができる。たとえば、蒸着法、ＣＶＤ法、スパッ
タ法、レーザー蒸着法等が使用できる。ＡＢＯ3 層が
（１００）配向をしている場合は、いずれの方法によっ
ても配向した超電導体薄膜が形成できる。
を形成する方法は、特に限定されず種々の方法を採用す
ることができる。たとえば、蒸着法、ＣＶＤ法、スパッ
タ法、レーザー蒸着法等が使用できる。ＡＢＯ3 層が
（１００）配向をしている場合は、いずれの方法によっ
ても配向した超電導体薄膜が形成できる。
【００１６】
実施例１ ５重量％のＹを含む平均粒径１μｍの安定化ジルコニア
粉末を用いて、テープキャスティング法により厚さ０.
２６mm、幅１２cmのグリーンテープを作製した。これを
幅１４mm、長さ４０mmの大きさに切断し、大気中、１５
００℃で５時間焼成して基板を得た。焼成後、試料は幅
１０mm、長さ３０mmに収縮していた。
粉末を用いて、テープキャスティング法により厚さ０.
２６mm、幅１２cmのグリーンテープを作製した。これを
幅１４mm、長さ４０mmの大きさに切断し、大気中、１５
００℃で５時間焼成して基板を得た。焼成後、試料は幅
１０mm、長さ３０mmに収縮していた。
【００１７】次に、この基板に、Ｂａを５重量％含むオ
クチル酸バリウムのトルエン溶液をスピンコーターを用
いてコーティングした。この操作により、安定化ジルコ
ニア基板の幅１０mm、長さ３０mmの面に、３ｍｇのオク
チル酸バリウムが塗布された。さらに、大気中、１０５
０〜１４５０℃で１時間加熱処理した。
クチル酸バリウムのトルエン溶液をスピンコーターを用
いてコーティングした。この操作により、安定化ジルコ
ニア基板の幅１０mm、長さ３０mmの面に、３ｍｇのオク
チル酸バリウムが塗布された。さらに、大気中、１０５
０〜１４５０℃で１時間加熱処理した。
【００１８】これらの試料の表面をＸ線回折装置を用い
て分析したところ、いずれも表面にＢａＺｒＯ3 の薄膜
が形成されていた。図１に、それらのＸ線回折図を示
す。図１の最上段は上記ジルコニア基板表面の、Ｘ線回
折図である。
て分析したところ、いずれも表面にＢａＺｒＯ3 の薄膜
が形成されていた。図１に、それらのＸ線回折図を示
す。図１の最上段は上記ジルコニア基板表面の、Ｘ線回
折図である。
【００１９】図１の２段目は、１０５０℃で処理した場
合の表面Ｘ線回折図である。熱処理温度が１０５０℃で
は、ジルコニア基板の回折ピークとともに、ＢａＺｒＯ
3 の（２００）面（２θ＝４３°）のピークが存在する
が、ピークの高さは小さく、ＢａＺｒＯ3 は、完全には
生成していなかった。２θ＝１０°および２０°付近に
は、安定化ジルコニアおよびＢａＺｒＯ3 以外の相のピ
ーク（△印）が認められた。
合の表面Ｘ線回折図である。熱処理温度が１０５０℃で
は、ジルコニア基板の回折ピークとともに、ＢａＺｒＯ
3 の（２００）面（２θ＝４３°）のピークが存在する
が、ピークの高さは小さく、ＢａＺｒＯ3 は、完全には
生成していなかった。２θ＝１０°および２０°付近に
は、安定化ジルコニアおよびＢａＺｒＯ3 以外の相のピ
ーク（△印）が認められた。
【００２０】図１の３段目は、１２００℃で処理した場
合の表面Ｘ線回折図である。ジルコニア基板の回折ピー
クとともに、２θ＝２１°、４３°、５３°にＢａＺｒ
Ｏ3特有のピーク（●印）が観察される。それぞれ（１
００）面、（２００）面、（２１１）面に対応する。Ｂ
ａＺｒＯ3 の（１００）面および（２００）面のピーク
強度が、粉末の試料に比べ相対的に大きく、（１００）
面が膜に平行に配向したＢａＺｒＯ3 層が形成されてい
ることがわかった。
合の表面Ｘ線回折図である。ジルコニア基板の回折ピー
クとともに、２θ＝２１°、４３°、５３°にＢａＺｒ
Ｏ3特有のピーク（●印）が観察される。それぞれ（１
００）面、（２００）面、（２１１）面に対応する。Ｂ
ａＺｒＯ3 の（１００）面および（２００）面のピーク
強度が、粉末の試料に比べ相対的に大きく、（１００）
面が膜に平行に配向したＢａＺｒＯ3 層が形成されてい
ることがわかった。
【００２１】図１の４段目に、１４５０℃で処理した場
合のＸ線回折図を示す。１４５０℃ではＢａＺｒＯ3 の
（２００）面、（２１１）面、（１１１）面（２θ＝３
７°）のピーク（●印）が認められた。しかし、そのピ
ーク強度比は粉末のＢａＺｒＯ3 のピーク強度比とほぼ
同じで、ＢａＺｒＯ3 が配向していないことがわかっ
た。図１の５段目には、参考のためにＢａＺｒＯ3 の粉
末Ｘ線回折図を示す。
合のＸ線回折図を示す。１４５０℃ではＢａＺｒＯ3 の
（２００）面、（２１１）面、（１１１）面（２θ＝３
７°）のピーク（●印）が認められた。しかし、そのピ
ーク強度比は粉末のＢａＺｒＯ3 のピーク強度比とほぼ
同じで、ＢａＺｒＯ3 が配向していないことがわかっ
た。図１の５段目には、参考のためにＢａＺｒＯ3 の粉
末Ｘ線回折図を示す。
【００２２】ＢａＺｒＯ3 の（２００）面と（２１１）
面のピーク強度比を、熱処理温度に対してプロットした
のが図２である。１１００℃〜１４００℃では、ピーク
強度比が粉末試料の値より大きくなっており、この温度
範囲で熱処理することにより、（１００）に配向したＢ
ａＺｒＯ3 層が形成されることがわかった。
面のピーク強度比を、熱処理温度に対してプロットした
のが図２である。１１００℃〜１４００℃では、ピーク
強度比が粉末試料の値より大きくなっており、この温度
範囲で熱処理することにより、（１００）に配向したＢ
ａＺｒＯ3 層が形成されることがわかった。
【００２３】次に、１２００℃で処理した（１００）面
配向したＢａＺｒＯ3 層を有する安定化ジルコニア基板
と、１４５０℃で処理した無配向のＢａＺｒＯ3 層を有
する安定化ジルコニア基板を用い、ＢａＺｒＯ3 層を形
成させた面にＣＶＤ成膜装置を用いてＹ系酸化物超電導
体薄膜層を形成させた。
配向したＢａＺｒＯ3 層を有する安定化ジルコニア基板
と、１４５０℃で処理した無配向のＢａＺｒＯ3 層を有
する安定化ジルコニア基板を用い、ＢａＺｒＯ3 層を形
成させた面にＣＶＤ成膜装置を用いてＹ系酸化物超電導
体薄膜層を形成させた。
【００２４】原料にはＢａ、Ｙ、 Ｃｕのジピバロイルメ
タン錯体を用い、基板を８５０℃に加熱しながら成膜
し、厚さ０. ４μｍの YBa2Cu3Oy層を形成した。成膜時
の圧力は２０mmHg（Ａｒ：Ｏ2 ＝１：１）とし、成膜後
１気圧の酸素中で冷却した。試料を幅１ｍｍに切り出
し、液体窒素中に浸漬し、４端子法により、７７Ｋ、０
テスラで臨界電流密度を測定したところ、表１に示す結
果を得た。
タン錯体を用い、基板を８５０℃に加熱しながら成膜
し、厚さ０. ４μｍの YBa2Cu3Oy層を形成した。成膜時
の圧力は２０mmHg（Ａｒ：Ｏ2 ＝１：１）とし、成膜後
１気圧の酸素中で冷却した。試料を幅１ｍｍに切り出
し、液体窒素中に浸漬し、４端子法により、７７Ｋ、０
テスラで臨界電流密度を測定したところ、表１に示す結
果を得た。
【００２５】
【表１】
【００２６】実施例２ 実施例１のオクチル酸バリウムに代えて、表２に示すＡ
の塩を用いた以外は実施例１と同様にして、安定化ジル
コニアの表面を処理した。１２００℃で処理した場合
は、いずれも表面に（１００）配向したＡＺｒＯ3 相が
生成し、１４５０℃で処理した場合には、無配向のＡＺ
ｒＯ3 が生成した。これらの基板を用いて、実施例１と
同様に YBa2Cu3Oy薄膜を形成させ、４端子法により、７
７Ｋ、０テスラで臨界電流密度を測定した結果を表２に
示す。
の塩を用いた以外は実施例１と同様にして、安定化ジル
コニアの表面を処理した。１２００℃で処理した場合
は、いずれも表面に（１００）配向したＡＺｒＯ3 相が
生成し、１４５０℃で処理した場合には、無配向のＡＺ
ｒＯ3 が生成した。これらの基板を用いて、実施例１と
同様に YBa2Cu3Oy薄膜を形成させ、４端子法により、７
７Ｋ、０テスラで臨界電流密度を測定した結果を表２に
示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】
【発明の効果】本発明では、配向性の高い酸化物超電導
体薄膜が得られ、臨界電流密度が高い超電導材料が得ら
れる。
体薄膜が得られ、臨界電流密度が高い超電導材料が得ら
れる。
【図１】実施例の試料のＸ線回折図
【図２】ＢａＺｒＯ3 層の（２００）面と（２１１）面
のピーク強度比の熱処理温度依存性を示す図
のピーク強度比の熱処理温度依存性を示す図
Claims (4)
- 【請求項１】Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｎからなる群から選ばれた
１種以上の元素を含む酸化物の表面に、（１００）面が
表面に平行に配向したＡＢＯ3 （ＡはＭｇ，Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａからなる群から選ばれた１種以上、ＢはＺｒ，
Ｔｉ，Ｓｎからなる群から選ばれた１種以上）の層を介
して、ＲＥ，Ｂａ，Ｃｕ，Ｏを含む超電導体（ＲＥは
Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕからなる群から選ばれた１種以
上）の配向した薄膜が形成されたことを特徴とする酸化
物超電導体。 - 【請求項２】Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｎからなる群から選ばれた
１種以上の元素を含む酸化物が、金属のテープ上に形成
された厚膜である請求項１の酸化物超電導体。 - 【請求項３】Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｎからなる群から選ばれた
１種以上の元素を含む酸化物の基板に、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａからなる群から選ばれた１種以上の元素を含む
溶液を塗布して熱処理することにより、この基板表面に
ＡＢＯ3 層を形成し、このＡＢＯ3 層上にＲＥ，Ｂａ，
Ｃｕ，Ｏを含む超電導体の薄膜を生成させることを特徴
とする酸化物超電導体の製造方法。 - 【請求項４】Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａからなる群から選
ばれた１種以上の元素を含む溶液が、有機酸塩の溶液で
ある請求項３の超電導体テープ線材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3245131A JPH0562545A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3245131A JPH0562545A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562545A true JPH0562545A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=17129093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3245131A Withdrawn JPH0562545A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0562545A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007257872A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Sharp Corp | Ｙｂｃｏ系高温超電導体成膜用複合基材およびｙｂｃｏ系高温超電導体膜の作製方法 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP3245131A patent/JPH0562545A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007257872A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Sharp Corp | Ｙｂｃｏ系高温超電導体成膜用複合基材およびｙｂｃｏ系高温超電導体膜の作製方法 |
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