JPH06340491A - 大量生産型単結晶引き上げシステム - Google Patents
大量生産型単結晶引き上げシステムInfo
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- JPH06340491A JPH06340491A JP5673994A JP5673994A JPH06340491A JP H06340491 A JPH06340491 A JP H06340491A JP 5673994 A JP5673994 A JP 5673994A JP 5673994 A JP5673994 A JP 5673994A JP H06340491 A JPH06340491 A JP H06340491A
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Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高純度のシリコン単結晶を大量に効率良く生
産するため、単結晶取得率および装置稼働率の良い大量
生産型単結晶引き上げシステムを提供する。 【構成】 メルトレシーブ１４の外縁に設けた切り欠き
部をフォークリフトトラック１６で持ち上げることによ
り、るつぼ軸と電極とを残して単結晶引き上げ装置１か
ら一括取り外し可能なホットゾーンパーツ２を、１基の
単結晶引き上げ装置に対して複数組用意する。単結晶１
５の引き上げ完了後、上部チャンバ８、下部チャンバ７
を上昇、旋回させて使用済みホットゾーンパーツ２ａを
搬出し、入れ代わりに清掃、整備済みのホットゾーンパ
ーツ２ｂを取り付ける。使用済みホットゾーンパーツ２
ａは、単結晶引き上げ装置１から隔離された作業室１７
で清掃および点検整備を行い、原料多結晶を充填した
上、保管する。本システムにより、単結晶引き上げ装置
の汚染防止と休止時間の大幅短縮ができる。
産するため、単結晶取得率および装置稼働率の良い大量
生産型単結晶引き上げシステムを提供する。 【構成】 メルトレシーブ１４の外縁に設けた切り欠き
部をフォークリフトトラック１６で持ち上げることによ
り、るつぼ軸と電極とを残して単結晶引き上げ装置１か
ら一括取り外し可能なホットゾーンパーツ２を、１基の
単結晶引き上げ装置に対して複数組用意する。単結晶１
５の引き上げ完了後、上部チャンバ８、下部チャンバ７
を上昇、旋回させて使用済みホットゾーンパーツ２ａを
搬出し、入れ代わりに清掃、整備済みのホットゾーンパ
ーツ２ｂを取り付ける。使用済みホットゾーンパーツ２
ａは、単結晶引き上げ装置１から隔離された作業室１７
で清掃および点検整備を行い、原料多結晶を充填した
上、保管する。本システムにより、単結晶引き上げ装置
の汚染防止と休止時間の大幅短縮ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶引き上げ装置の
稼働率ならびに単結晶取得率の向上を目的とする大量生
産型単結晶引き上げシステムに関する。
稼働率ならびに単結晶取得率の向上を目的とする大量生
産型単結晶引き上げシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路素子の基盤には主として
高純度シリコンが用いられているが、この高純度シリコ
ンの製造方法として、るつぼ内の原料融液から円柱状の
単結晶を引き上げるチョクラルスキー法（以下ＣＺ法と
いう）あるいは磁場を印加して融液の動粘性率を高めた
状態で単結晶を引き上げる磁場中引き上げ法（以下ＭＣ
Ｚ法という）が用いられている。ＣＺ法またはＭＣＺ法
において従来から用いられている単結晶引き上げ装置
は、単一の引き上げ炉の内部にるつぼ、ヒータ、保温材
等を設置したものである。単結晶の引き上げに当たり、
るつぼ内に単結晶の原料である多結晶を充填し、前記る
つぼの外周を取り巻くヒータによって原料を加熱溶解し
た上、単結晶引き上げワイヤの先端に取り付けた種子結
晶を融液に浸漬し、前記引き上げワイヤおよびるつぼを
同方向または逆方向に回転しつつ引き上げワイヤを引き
上げて単結晶を成長させる。
高純度シリコンが用いられているが、この高純度シリコ
ンの製造方法として、るつぼ内の原料融液から円柱状の
単結晶を引き上げるチョクラルスキー法（以下ＣＺ法と
いう）あるいは磁場を印加して融液の動粘性率を高めた
状態で単結晶を引き上げる磁場中引き上げ法（以下ＭＣ
Ｚ法という）が用いられている。ＣＺ法またはＭＣＺ法
において従来から用いられている単結晶引き上げ装置
は、単一の引き上げ炉の内部にるつぼ、ヒータ、保温材
等を設置したものである。単結晶の引き上げに当たり、
るつぼ内に単結晶の原料である多結晶を充填し、前記る
つぼの外周を取り巻くヒータによって原料を加熱溶解し
た上、単結晶引き上げワイヤの先端に取り付けた種子結
晶を融液に浸漬し、前記引き上げワイヤおよびるつぼを
同方向または逆方向に回転しつつ引き上げワイヤを引き
上げて単結晶を成長させる。
【０００３】ＣＺ法またはＭＣＺ法によるシリコン単結
晶に対する高品質化の要求は、半導体集積回路素子の集
積度の向上とともにますます厳しいものとなっている
が、その一方で低価格化への要求もまた厳しい。低価格
化すなわちシリコン単結晶の製造原価を低減するには、
単結晶取得率および装置稼働率を向上させることが重要
である。
晶に対する高品質化の要求は、半導体集積回路素子の集
積度の向上とともにますます厳しいものとなっている
が、その一方で低価格化への要求もまた厳しい。低価格
化すなわちシリコン単結晶の製造原価を低減するには、
単結晶取得率および装置稼働率を向上させることが重要
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】シリコン単結晶の引き
上げ時に石英るつぼから融液内に溶け込んだ酸素は、熱
対流により融液内を移動し、その９０％以上は融液表面
からＳｉＯとして蒸発する。単結晶引き上げ装置内に付
着した粉状付着物、すなわち融液から蒸発したＳｉ
Ｏ2 ，ＳｉＯ，Ｓｉ等は、単結晶の引き上げ完了後、次
回の引き上げに備えて極力除去しなければならない。前
記粉状付着物が引き上げ装置内に残存すると、次の単結
晶引き上げ時に融液に落下して単結晶化を阻害する。し
かしながら、粉状付着物の除去の方法については、それ
が単結晶製造工程の主要業務の一つであるという認識に
欠ける点があるため、従来からほとんど研究されていな
い。僅かに特公昭５７−４０１１９に、発明の応用例と
して述べられている程度である。しかし前記特許におい
ても、炉内で発生する粉塵の抑制効果について述べてい
るのみで、炉内に蓄積した粉状付着物の除去方法につい
ては記載がない。また、従来は単結晶引き上げ装置が小
型であり、粉状付着物の除去は人手によって容易に行い
得るものであったため、上記炉内清掃が研究や開発の対
象とならなかったものと考えられる。これについては、
科学の分野で最も権威あるテーブルとして引用されるＬ
ＡＮＤＯＲＴ−ＢＥＲＮＳＴＥＩＮ（１９８４）ｖｏ
ｌ．１７，ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＳに記述がない
ことから見ても明らかである。
上げ時に石英るつぼから融液内に溶け込んだ酸素は、熱
対流により融液内を移動し、その９０％以上は融液表面
からＳｉＯとして蒸発する。単結晶引き上げ装置内に付
着した粉状付着物、すなわち融液から蒸発したＳｉ
Ｏ2 ，ＳｉＯ，Ｓｉ等は、単結晶の引き上げ完了後、次
回の引き上げに備えて極力除去しなければならない。前
記粉状付着物が引き上げ装置内に残存すると、次の単結
晶引き上げ時に融液に落下して単結晶化を阻害する。し
かしながら、粉状付着物の除去の方法については、それ
が単結晶製造工程の主要業務の一つであるという認識に
欠ける点があるため、従来からほとんど研究されていな
い。僅かに特公昭５７−４０１１９に、発明の応用例と
して述べられている程度である。しかし前記特許におい
ても、炉内で発生する粉塵の抑制効果について述べてい
るのみで、炉内に蓄積した粉状付着物の除去方法につい
ては記載がない。また、従来は単結晶引き上げ装置が小
型であり、粉状付着物の除去は人手によって容易に行い
得るものであったため、上記炉内清掃が研究や開発の対
象とならなかったものと考えられる。これについては、
科学の分野で最も権威あるテーブルとして引用されるＬ
ＡＮＤＯＲＴ−ＢＥＲＮＳＴＥＩＮ（１９８４）ｖｏ
ｌ．１７，ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＳに記述がない
ことから見ても明らかである。
【０００５】上記粉状付着物は、単結晶を複数回引き上
げた後、すなわち単結晶引き上げ装置内に堆積した粉状
付着物が一定量に達した後、引き上げ装置および装置内
の部品を機械的に研磨、清掃することによって除去して
いる。また、引き上げ装置内への浮遊粉塵の侵入を防ぐ
ため、引き上げ装置をクリーンルーム内に設置すること
が行われているが、引き上げ装置の設置場所と炉体を清
掃する場所とが同一であるため，炉体清掃時に浮遊する
粉塵の炉内部品への再付着や、炉内への侵入を防ぐこと
は極めて困難である。また、近年ウェーハの大径化要求
により単結晶引き上げ装置が大型化し、重量が増大した
ため、炉体および炉内部品のハンドリングを人手で直接
行うことは安全面、能率面から好ましくない。本発明は
上記従来の問題点に着目してなされたもので、大径のシ
リコン単結晶を大量に効率良く生産するため、単結晶取
得率および装置稼働率の良い大量生産型単結晶引き上げ
システムを提供することを目的としている。
げた後、すなわち単結晶引き上げ装置内に堆積した粉状
付着物が一定量に達した後、引き上げ装置および装置内
の部品を機械的に研磨、清掃することによって除去して
いる。また、引き上げ装置内への浮遊粉塵の侵入を防ぐ
ため、引き上げ装置をクリーンルーム内に設置すること
が行われているが、引き上げ装置の設置場所と炉体を清
掃する場所とが同一であるため，炉体清掃時に浮遊する
粉塵の炉内部品への再付着や、炉内への侵入を防ぐこと
は極めて困難である。また、近年ウェーハの大径化要求
により単結晶引き上げ装置が大型化し、重量が増大した
ため、炉体および炉内部品のハンドリングを人手で直接
行うことは安全面、能率面から好ましくない。本発明は
上記従来の問題点に着目してなされたもので、大径のシ
リコン単結晶を大量に効率良く生産するため、単結晶取
得率および装置稼働率の良い大量生産型単結晶引き上げ
システムを提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る大量生産型単結晶引き上げシステム
は、１基の単結晶引き上げ装置に対して複数組のホット
ゾーンパーツまたは複数組の上部チャンバ、下部チャン
バおよび前記チャンバ内に収容したホットゾーンパーツ
と、使用済みホットゾーンパーツまたは使用済み上部チ
ャンバ、下部チャンバおよびホットゾーンパーツの清掃
ならびに点検、交換、多結晶の充填を行う作業室と、前
記単結晶引き上げ装置と作業室とを往復または循環する
前記ホットゾーンパーツまたは上部チャンバ、下部チャ
ンバおよび前記チャンバ内に収容したホットゾーンパー
ツの搬送手段とを備える構成とし、このような構成にお
いて、単結晶の引き上げ完了後、使用済みのホットゾー
ンパーツまたは使用済みの上部チャンバ、下部チャンバ
およびホットゾーンパーツを単結晶引き上げ装置から一
括して取り外し、入れ代わりに清掃ならびに点検整備済
みのホットゾーンパーツまたは上部チャンバ、下部チャ
ンバおよび前記チャンバ内に収容したホットゾーンパー
ツを単結晶引き上げ装置に一括して取り付け、前記取り
外した使用済み部品を作業室に搬入して清掃ならびに点
検整備を行うことを特徴としている。ホットゾーンパー
ツを単結晶引き上げ装置から一括して取り外す手段とし
ては、メルトレシーブの外縁部下面にフォークリフトト
ラックのフォークを当接させる切り欠き部を設け、黒鉛
ヒータを担持するヒータ固定ブロックをヒータ電極上端
に螺着されたテーパ軸に着脱自在に挿嵌するとともに、
るつぼを担持するペディスタルをるつぼ軸に着脱自在に
挿嵌し、前記メルトレシーブ下面を担持してメルトレシ
ーブおよび保温筒を持ち上げ、次にメルトレシーブの上
面がヒータ固定ブロックに当接してヒータ固定ブロック
をテーパ軸から抜き取り、更にメルトレシーブの上面が
前記ペディスタルに当接してペディスタルをるつぼ軸か
ら抜き取る構成とした。また、上部チャンバ、下部チャ
ンバおよび前記チャンバ内に収容したホットゾーンパー
ツを単結晶引き上げ装置から一括して取り外す手段とし
ては、フォークリフトトラックによって担持されるブラ
ケットを下部チャンバの外周に取着するとともに、メル
トレシーブの外縁部下面に前記下部チャンバの下端を取
着し、各配線、配管を上部チャンバ、下部チャンバに着
脱容易に接続するものとし、単結晶引き上げ装置から取
り外したホットゾーンパーツまたは上部チャンバ、下部
チャンバおよびホットゾーンパーツの清掃作業室が、扉
もしくは制御された空気流により隔離され、前記取り外
し部品の清掃時に飛散する粉塵が他の場所に侵入しない
構造になっていることを特徴としている。
め、本発明に係る大量生産型単結晶引き上げシステム
は、１基の単結晶引き上げ装置に対して複数組のホット
ゾーンパーツまたは複数組の上部チャンバ、下部チャン
バおよび前記チャンバ内に収容したホットゾーンパーツ
と、使用済みホットゾーンパーツまたは使用済み上部チ
ャンバ、下部チャンバおよびホットゾーンパーツの清掃
ならびに点検、交換、多結晶の充填を行う作業室と、前
記単結晶引き上げ装置と作業室とを往復または循環する
前記ホットゾーンパーツまたは上部チャンバ、下部チャ
ンバおよび前記チャンバ内に収容したホットゾーンパー
ツの搬送手段とを備える構成とし、このような構成にお
いて、単結晶の引き上げ完了後、使用済みのホットゾー
ンパーツまたは使用済みの上部チャンバ、下部チャンバ
およびホットゾーンパーツを単結晶引き上げ装置から一
括して取り外し、入れ代わりに清掃ならびに点検整備済
みのホットゾーンパーツまたは上部チャンバ、下部チャ
ンバおよび前記チャンバ内に収容したホットゾーンパー
ツを単結晶引き上げ装置に一括して取り付け、前記取り
外した使用済み部品を作業室に搬入して清掃ならびに点
検整備を行うことを特徴としている。ホットゾーンパー
ツを単結晶引き上げ装置から一括して取り外す手段とし
ては、メルトレシーブの外縁部下面にフォークリフトト
ラックのフォークを当接させる切り欠き部を設け、黒鉛
ヒータを担持するヒータ固定ブロックをヒータ電極上端
に螺着されたテーパ軸に着脱自在に挿嵌するとともに、
るつぼを担持するペディスタルをるつぼ軸に着脱自在に
挿嵌し、前記メルトレシーブ下面を担持してメルトレシ
ーブおよび保温筒を持ち上げ、次にメルトレシーブの上
面がヒータ固定ブロックに当接してヒータ固定ブロック
をテーパ軸から抜き取り、更にメルトレシーブの上面が
前記ペディスタルに当接してペディスタルをるつぼ軸か
ら抜き取る構成とした。また、上部チャンバ、下部チャ
ンバおよび前記チャンバ内に収容したホットゾーンパー
ツを単結晶引き上げ装置から一括して取り外す手段とし
ては、フォークリフトトラックによって担持されるブラ
ケットを下部チャンバの外周に取着するとともに、メル
トレシーブの外縁部下面に前記下部チャンバの下端を取
着し、各配線、配管を上部チャンバ、下部チャンバに着
脱容易に接続するものとし、単結晶引き上げ装置から取
り外したホットゾーンパーツまたは上部チャンバ、下部
チャンバおよびホットゾーンパーツの清掃作業室が、扉
もしくは制御された空気流により隔離され、前記取り外
し部品の清掃時に飛散する粉塵が他の場所に侵入しない
構造になっていることを特徴としている。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、１基の単結晶引き上げ装置
に対して着脱容易な構造を有する複数組のホットゾーン
パーツまたは上部チャンバ、下部チャンバおよびホット
ゾーンパーツを備えたので、使用済みの前記各部品は単
結晶引き上げ完了のつど極めて短時間で整備済み部品と
交換することができる。一括して取り外した使用済み部
品は、単結晶引き上げ装置から隔離された作業室で清掃
および点検、整備し、次回の単結晶引き上げ作業に備え
ることにしたので、ホットゾーンパーツ等の清掃および
点検、整備のために単結晶引き上げ装置が休止すること
はなく、従って装置稼働率が向上する。また、清掃作業
室は隔離されているので、ホットゾーンパーツ等の清掃
時に飛散する粉塵は他の場所に侵入せず、単結晶化を阻
害する要因を減らすことができる。従って単結晶取得率
の向上が可能となる。
に対して着脱容易な構造を有する複数組のホットゾーン
パーツまたは上部チャンバ、下部チャンバおよびホット
ゾーンパーツを備えたので、使用済みの前記各部品は単
結晶引き上げ完了のつど極めて短時間で整備済み部品と
交換することができる。一括して取り外した使用済み部
品は、単結晶引き上げ装置から隔離された作業室で清掃
および点検、整備し、次回の単結晶引き上げ作業に備え
ることにしたので、ホットゾーンパーツ等の清掃および
点検、整備のために単結晶引き上げ装置が休止すること
はなく、従って装置稼働率が向上する。また、清掃作業
室は隔離されているので、ホットゾーンパーツ等の清掃
時に飛散する粉塵は他の場所に侵入せず、単結晶化を阻
害する要因を減らすことができる。従って単結晶取得率
の向上が可能となる。
【０００８】
【実施例】以下に本発明に係る大量生産型単結晶引き上
げシステムの実施例について、図面を参照して説明す
る。図１は、本システムにおいて単結晶引き上げ装置か
ら一括して取り外したホットゾーンパーツを作業室に搬
入し、整備する場合の概略構成を示す説明図である。単
結晶引き上げ装置１は、ホットゾーンパーツ２すなわち
石英るつぼ３、黒鉛るつぼ４、黒鉛ヒータ５、保温筒６
などを収納する下部チャンバ７と、下部チャンバ７の上
端に取り付けられた上部チャンバ８と、ゲートバルブ９
を介して前記上部チャンバ８の上端に取り付けられたプ
ルチャンバ１０と、単結晶引き上げワイヤ１１を上下動
および回転させる結晶引き上げ機構１２と、るつぼ軸１
３を上下動および回転させる図示しないるつぼ駆動機構
と、温度制御、単結晶の直径制御および前記結晶引き上
げ機構、るつぼ駆動機構を制御する図示しない制御装置
等を備えている。なお、１４はメルトレシーブ、１５は
引き上げ中の単結晶である。
げシステムの実施例について、図面を参照して説明す
る。図１は、本システムにおいて単結晶引き上げ装置か
ら一括して取り外したホットゾーンパーツを作業室に搬
入し、整備する場合の概略構成を示す説明図である。単
結晶引き上げ装置１は、ホットゾーンパーツ２すなわち
石英るつぼ３、黒鉛るつぼ４、黒鉛ヒータ５、保温筒６
などを収納する下部チャンバ７と、下部チャンバ７の上
端に取り付けられた上部チャンバ８と、ゲートバルブ９
を介して前記上部チャンバ８の上端に取り付けられたプ
ルチャンバ１０と、単結晶引き上げワイヤ１１を上下動
および回転させる結晶引き上げ機構１２と、るつぼ軸１
３を上下動および回転させる図示しないるつぼ駆動機構
と、温度制御、単結晶の直径制御および前記結晶引き上
げ機構、るつぼ駆動機構を制御する図示しない制御装置
等を備えている。なお、１４はメルトレシーブ、１５は
引き上げ中の単結晶である。
【０００９】単結晶１５の引き上げが完了した後、搬送
機械たとえばフォークリフトトラック１６によって単結
晶引き上げ装置１から一括して取り外された使用済みホ
ットゾーンパーツ２ａは、作業室１７に搬入されて分解
・清掃・点検・石英るつぼ交換・再組立・原料多結晶充
填等が行われる。前記各作業に必要なクレーン、吊り
具、作業台、工具等および真空掃除システムは、すべて
作業室１７内に配設され、特に使用済みホットゾーンパ
ーツ２ａの分解・清掃を行う区画は、他の作業区画に粉
塵等が侵入しないよう扉またはエアカーテンで遮断され
ている。前記作業が終了したホットゾーンパーツは、整
備済みホットゾーンパーツ２ｂとして保管される。下部
チャンバ７、上部チャンバ８、るつぼ軸１３などは単結
晶引き上げ装置の近傍に備えられた真空掃除システムを
用いて清掃される。また、既に作業室１７に保管されて
いた整備済みホットゾーンパーツ２ｂは、フォークリフ
トトラック１６によって単結晶引き上げ装置１に搬送さ
れ、前記使用済みホットゾーンパーツ２ａの代わりに単
結晶引き上げ装置１に装着される。
機械たとえばフォークリフトトラック１６によって単結
晶引き上げ装置１から一括して取り外された使用済みホ
ットゾーンパーツ２ａは、作業室１７に搬入されて分解
・清掃・点検・石英るつぼ交換・再組立・原料多結晶充
填等が行われる。前記各作業に必要なクレーン、吊り
具、作業台、工具等および真空掃除システムは、すべて
作業室１７内に配設され、特に使用済みホットゾーンパ
ーツ２ａの分解・清掃を行う区画は、他の作業区画に粉
塵等が侵入しないよう扉またはエアカーテンで遮断され
ている。前記作業が終了したホットゾーンパーツは、整
備済みホットゾーンパーツ２ｂとして保管される。下部
チャンバ７、上部チャンバ８、るつぼ軸１３などは単結
晶引き上げ装置の近傍に備えられた真空掃除システムを
用いて清掃される。また、既に作業室１７に保管されて
いた整備済みホットゾーンパーツ２ｂは、フォークリフ
トトラック１６によって単結晶引き上げ装置１に搬送さ
れ、前記使用済みホットゾーンパーツ２ａの代わりに単
結晶引き上げ装置１に装着される。
【００１０】図２は、請求項３に記載した一括取り外し
可能なホットゾーンパーツの断面図である。るつぼを昇
降ならびに回転させる下軸１３ａの上端にカーボンシャ
フト１３ｂが挿嵌され、カーボンシャフト１３ｂ上端の
スプライン軸部にペディスタル１８が挿嵌されている。
このペディスタル１８は、るつぼ受１９を介して黒鉛る
つぼ４と、黒鉛るつぼ４に収容された石英るつぼ３とを
担持している。電極２０の先端にはテーパ軸２１が螺着
され、テーパ軸２１に挿嵌されたヒータ固定ブロック２
２によって黒鉛ヒータ５が担持されている。また、メル
トレシーブ１４には前記電極２０およびテーパ軸２１、
カーボンシャフト１３ｂをそれぞれ遊嵌する穴と、排気
穴とが設けられ、外縁部下面には図３に示すようにフォ
ークリフトトラックのフォークを当接させる切り欠き部
１４ａが対向する２箇所に設けられている。そして、前
記黒鉛ヒータ５を取り巻く保温筒６は、前記メルトレシ
ーブ１４によって担持されている。
可能なホットゾーンパーツの断面図である。るつぼを昇
降ならびに回転させる下軸１３ａの上端にカーボンシャ
フト１３ｂが挿嵌され、カーボンシャフト１３ｂ上端の
スプライン軸部にペディスタル１８が挿嵌されている。
このペディスタル１８は、るつぼ受１９を介して黒鉛る
つぼ４と、黒鉛るつぼ４に収容された石英るつぼ３とを
担持している。電極２０の先端にはテーパ軸２１が螺着
され、テーパ軸２１に挿嵌されたヒータ固定ブロック２
２によって黒鉛ヒータ５が担持されている。また、メル
トレシーブ１４には前記電極２０およびテーパ軸２１、
カーボンシャフト１３ｂをそれぞれ遊嵌する穴と、排気
穴とが設けられ、外縁部下面には図３に示すようにフォ
ークリフトトラックのフォークを当接させる切り欠き部
１４ａが対向する２箇所に設けられている。そして、前
記黒鉛ヒータ５を取り巻く保温筒６は、前記メルトレシ
ーブ１４によって担持されている。
【００１１】次に、使用済みホットゾーンパーツの一括
搬出方法について説明する。単結晶をプルチャンバに引
き上げた後、プルチャンバ、上下チャンバをそれぞれ上
昇、旋回させて使用済みホットゾーンパーツを露出させ
る。フォークリフトトラックを用いてメルトレシーブ１
４下面の切り欠き部１４ａを担持し、徐々に上昇させ
る。フォークリフトトラックのフォーク表面、特にメル
トレシーブ１４に接触する部分は黒鉛によって被覆さ
れ、メルトレシーブ１４の金属汚染を防止している。前
記操作により、メルトレシーブ１４と保温筒６とが上昇
する。メルトレシーブ１４の上昇に伴って、電極２０お
よびテーパ軸２１を遊嵌する穴の周囲に設けられたボス
部１４ｂの上端面がヒータ固定ブロック２２の下面に当
接し、テーパ軸２１からヒータ固定ブロック２２を抜き
取りつつヒータ固定ブロック２２を押し上げる。従っ
て、黒鉛ヒータ５も上昇する。フォークリフトトラック
がメルトレシーブ１４を更に上昇させると、カーボンシ
ャフト１３ｂを遊嵌する穴の周囲に設けられたボス部１
４ｃの上端面がペディスタル１８の下面に当接し、ペデ
ィスタル１８とともにるつぼ受１９、黒鉛るつぼ４、石
英るつぼ３を押し上げる。このようにして使用済みホッ
トゾーンパーツは、カーボンシャフト１３ｂおよびテー
パ軸２１を残して単結晶引き上げ装置から一括して取り
外すことができ、フォークリフトトラックに載せたま
ま、あるいはフォークリフトトラックから床上に敷設さ
れたローラコンベア等に移して作業室に搬入する。カー
ボンシャフト１３ｂは下軸１３ａから抜き取り、単結晶
引き上げ装置の近傍に備えられた真空掃除システムを用
いて下部チャンバ、上部チャンバとともに清掃され、点
検される。また、作業室から単結晶引き上げ装置に搬送
された整備済みホットゾーンパーツは、前記使用済みホ
ットゾーンパーツの取り外し時と逆の手順で一括装着す
ることができる。
搬出方法について説明する。単結晶をプルチャンバに引
き上げた後、プルチャンバ、上下チャンバをそれぞれ上
昇、旋回させて使用済みホットゾーンパーツを露出させ
る。フォークリフトトラックを用いてメルトレシーブ１
４下面の切り欠き部１４ａを担持し、徐々に上昇させ
る。フォークリフトトラックのフォーク表面、特にメル
トレシーブ１４に接触する部分は黒鉛によって被覆さ
れ、メルトレシーブ１４の金属汚染を防止している。前
記操作により、メルトレシーブ１４と保温筒６とが上昇
する。メルトレシーブ１４の上昇に伴って、電極２０お
よびテーパ軸２１を遊嵌する穴の周囲に設けられたボス
部１４ｂの上端面がヒータ固定ブロック２２の下面に当
接し、テーパ軸２１からヒータ固定ブロック２２を抜き
取りつつヒータ固定ブロック２２を押し上げる。従っ
て、黒鉛ヒータ５も上昇する。フォークリフトトラック
がメルトレシーブ１４を更に上昇させると、カーボンシ
ャフト１３ｂを遊嵌する穴の周囲に設けられたボス部１
４ｃの上端面がペディスタル１８の下面に当接し、ペデ
ィスタル１８とともにるつぼ受１９、黒鉛るつぼ４、石
英るつぼ３を押し上げる。このようにして使用済みホッ
トゾーンパーツは、カーボンシャフト１３ｂおよびテー
パ軸２１を残して単結晶引き上げ装置から一括して取り
外すことができ、フォークリフトトラックに載せたま
ま、あるいはフォークリフトトラックから床上に敷設さ
れたローラコンベア等に移して作業室に搬入する。カー
ボンシャフト１３ｂは下軸１３ａから抜き取り、単結晶
引き上げ装置の近傍に備えられた真空掃除システムを用
いて下部チャンバ、上部チャンバとともに清掃され、点
検される。また、作業室から単結晶引き上げ装置に搬送
された整備済みホットゾーンパーツは、前記使用済みホ
ットゾーンパーツの取り外し時と逆の手順で一括装着す
ることができる。
【００１２】図４は、本システムにおいて単結晶引き上
げ装置から上部チャンバ、下部チャンバおよびホットゾ
ーンパーツを一括して取り外し、これを作業室に搬入し
て整備する場合の概略構成を示す説明図である。図４に
おいて、図１と同一の構成要素については同一の符号を
付してその説明を省略する。ホットゾーンパーツ２の構
造は請求項３の通りで、下部チャンバ７の下端内周に沿
って設けられたフランジ部にメルトレシーブ１４が取着
され、下部チャンバ７の外周には２個のブラケット７ａ
が固着されている。また、上部チャンバ８、下部チャン
バ７に接続される各配線、配管はワンタッチで着脱可能
となっている。プルチャンバ１０に単結晶１５を引き上
げた後、プルチャンバ１０と上部チャンバ８とを切り離
し、前記各配線、配管を上部チャンバ８、下部チャンバ
７から切り離す。そして、前記ブラケット７ａをフォー
クリフトトラック１６で担持することにより、上部チャ
ンバ８、下部チャンバ７および使用済みホットゾーンパ
ーツ２ａを単結晶引き上げ装置１から一括して取り外す
ことができ、これをフォークリフトトラック１６に載せ
たまま、あるいはフォークリフトトラック１６から床上
に敷設されたローラコンベア等に移して作業室１７に搬
入する。作業室１７で分解・清掃・点検・石英るつぼ交
換・再組立・原料多結晶充填等が行われた上部チャン
バ、下部チャンバおよびホットゾーンパーツは作業室１
７に保管される。既に作業室１７に保管されていた整備
済みの上部チャンバ、下部チャンバおよびホットゾーン
パーツは、フォークリフトトラック１６などによって単
結晶引き上げ装置１に搬送され、前記使用済みの上部チ
ャンバ、下部チャンバおよびホットゾーンパーツの代わ
りに単結晶引き上げ装置１に装着される。
げ装置から上部チャンバ、下部チャンバおよびホットゾ
ーンパーツを一括して取り外し、これを作業室に搬入し
て整備する場合の概略構成を示す説明図である。図４に
おいて、図１と同一の構成要素については同一の符号を
付してその説明を省略する。ホットゾーンパーツ２の構
造は請求項３の通りで、下部チャンバ７の下端内周に沿
って設けられたフランジ部にメルトレシーブ１４が取着
され、下部チャンバ７の外周には２個のブラケット７ａ
が固着されている。また、上部チャンバ８、下部チャン
バ７に接続される各配線、配管はワンタッチで着脱可能
となっている。プルチャンバ１０に単結晶１５を引き上
げた後、プルチャンバ１０と上部チャンバ８とを切り離
し、前記各配線、配管を上部チャンバ８、下部チャンバ
７から切り離す。そして、前記ブラケット７ａをフォー
クリフトトラック１６で担持することにより、上部チャ
ンバ８、下部チャンバ７および使用済みホットゾーンパ
ーツ２ａを単結晶引き上げ装置１から一括して取り外す
ことができ、これをフォークリフトトラック１６に載せ
たまま、あるいはフォークリフトトラック１６から床上
に敷設されたローラコンベア等に移して作業室１７に搬
入する。作業室１７で分解・清掃・点検・石英るつぼ交
換・再組立・原料多結晶充填等が行われた上部チャン
バ、下部チャンバおよびホットゾーンパーツは作業室１
７に保管される。既に作業室１７に保管されていた整備
済みの上部チャンバ、下部チャンバおよびホットゾーン
パーツは、フォークリフトトラック１６などによって単
結晶引き上げ装置１に搬送され、前記使用済みの上部チ
ャンバ、下部チャンバおよびホットゾーンパーツの代わ
りに単結晶引き上げ装置１に装着される。
【００１３】図５は、大量生産型単結晶引き上げシステ
ムにおける作業室のレイアウトの一例を示す説明図であ
る。同図において、Ａは制御装置を含むシリコン単結晶
引き上げ装置を設置した主作業室、Ｂは前記単結晶引き
上げ装置から一括して取り外した使用済みのホットゾー
ンパーツまたは使用済みの上部チャンバ、下部チャンバ
およびホットゾーンパーツを構成部品別に分解する作業
室、Ｃは上部チャンバ、下部チャンバ、黒鉛るつぼ、黒
鉛ヒータ等を清掃する作業室、Ｄは清掃後の各部品の点
検と、新品の石英るつぼを含む各部品を再組立し、原料
多結晶を充填する作業室、Ｅは整備済みのホットゾーン
パーツまたは整備済みの上部チャンバ、下部チャンバお
よびホットゾーンパーツの保管室である。前記各室はフ
ォークリフト、ローラコンベア等の搬送手段によって搬
送自在であり、Ｂ，Ｃ室は他の室に粉塵が流入しないよ
うに扉またはエアカーテンによって隔離されている。
ムにおける作業室のレイアウトの一例を示す説明図であ
る。同図において、Ａは制御装置を含むシリコン単結晶
引き上げ装置を設置した主作業室、Ｂは前記単結晶引き
上げ装置から一括して取り外した使用済みのホットゾー
ンパーツまたは使用済みの上部チャンバ、下部チャンバ
およびホットゾーンパーツを構成部品別に分解する作業
室、Ｃは上部チャンバ、下部チャンバ、黒鉛るつぼ、黒
鉛ヒータ等を清掃する作業室、Ｄは清掃後の各部品の点
検と、新品の石英るつぼを含む各部品を再組立し、原料
多結晶を充填する作業室、Ｅは整備済みのホットゾーン
パーツまたは整備済みの上部チャンバ、下部チャンバお
よびホットゾーンパーツの保管室である。前記各室はフ
ォークリフト、ローラコンベア等の搬送手段によって搬
送自在であり、Ｂ，Ｃ室は他の室に粉塵が流入しないよ
うに扉またはエアカーテンによって隔離されている。
【００１４】図６に、大量生産型単結晶引き上げシステ
ムにおける作業室レイアウトの他の例を示す。たとえば
３基の単結晶引き上げ装置ａ1 ，ａ2 ，ａ3 に対して共
用の作業室Ｂ・ＣおよびＤ・Ｅが設置され、使用済みの
ホットゾーンパーツまたは使用済みの上部チャンバ、下
部チャンバおよびホットゾーンパーツは搬送手段により
前記作業室Ｂ・Ｃに搬入される。ここで分解、清掃され
た各部品は作業室Ｄ・Ｅで点検、石英るつぼ等の交換、
再組立、原料多結晶充填を行った上保管され、逐次各単
結晶引き上げ装置ａ1 ，ａ2 ，ａ3 に供給される。な
お、符号Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの定義は図５と同一である。
ムにおける作業室レイアウトの他の例を示す。たとえば
３基の単結晶引き上げ装置ａ1 ，ａ2 ，ａ3 に対して共
用の作業室Ｂ・ＣおよびＤ・Ｅが設置され、使用済みの
ホットゾーンパーツまたは使用済みの上部チャンバ、下
部チャンバおよびホットゾーンパーツは搬送手段により
前記作業室Ｂ・Ｃに搬入される。ここで分解、清掃され
た各部品は作業室Ｄ・Ｅで点検、石英るつぼ等の交換、
再組立、原料多結晶充填を行った上保管され、逐次各単
結晶引き上げ装置ａ1 ，ａ2 ，ａ3 に供給される。な
お、符号Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの定義は図５と同一である。
【００１５】本実施例では、使用済みのホットゾーンパ
ーツまたは使用済みの上部チャンバ、下部チャンバおよ
びホットゾーンパーツを単結晶引き上げ装置から一括し
て取り外し、交換するシステムについて説明したが、こ
れに限るものではなく、たとえば下部チャンバとホット
ゾーンパーツとを一括して交換するシステムとしてもよ
い。また、取り外した各部品を搬送する手段として、フ
ォークリフトトラックやベルトコンベア等の他にレール
上を移動する台車を用いてもよい。又、各単結晶引き上
げ装置毎に専用のクレーン、ロボット等の着脱装置を設
けてコンベア、台車等に積載するようにしても良い。
ーツまたは使用済みの上部チャンバ、下部チャンバおよ
びホットゾーンパーツを単結晶引き上げ装置から一括し
て取り外し、交換するシステムについて説明したが、こ
れに限るものではなく、たとえば下部チャンバとホット
ゾーンパーツとを一括して交換するシステムとしてもよ
い。また、取り外した各部品を搬送する手段として、フ
ォークリフトトラックやベルトコンベア等の他にレール
上を移動する台車を用いてもよい。又、各単結晶引き上
げ装置毎に専用のクレーン、ロボット等の着脱装置を設
けてコンベア、台車等に積載するようにしても良い。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、１
基の単結晶引き上げ装置に対して着脱容易な構造を有す
る複数組のホットゾーンパーツまたは複数組の上部チャ
ンバ、下部チャンバおよびホットゾーンパーツを用意
し、これらの部品を１回の単結晶引き上げごとに交換し
て交互に使用することによって前記部品の清掃、点検整
備および原料多結晶充填作業の外段取り化を実現したの
で、従来、前記清掃、点検整備および原料充填等のため
に設定されていた単結晶引き上げ装置の休止時間を著し
く短縮することができ、引き上げ装置稼働率の大幅な向
上が可能となる。また、単結晶引き上げ時にホットゾー
ンパーツ等に付着、堆積したＳｉＯ等の粉塵を、単結晶
引き上げ装置から隔離された作業室で除去することにし
たので、引き上げ装置に前記粉塵が再付着する可能性は
著しく低減する。従って、高純度の単結晶を得ることが
できるようになり、単結晶取得率を向上させることがで
きる。
基の単結晶引き上げ装置に対して着脱容易な構造を有す
る複数組のホットゾーンパーツまたは複数組の上部チャ
ンバ、下部チャンバおよびホットゾーンパーツを用意
し、これらの部品を１回の単結晶引き上げごとに交換し
て交互に使用することによって前記部品の清掃、点検整
備および原料多結晶充填作業の外段取り化を実現したの
で、従来、前記清掃、点検整備および原料充填等のため
に設定されていた単結晶引き上げ装置の休止時間を著し
く短縮することができ、引き上げ装置稼働率の大幅な向
上が可能となる。また、単結晶引き上げ時にホットゾー
ンパーツ等に付着、堆積したＳｉＯ等の粉塵を、単結晶
引き上げ装置から隔離された作業室で除去することにし
たので、引き上げ装置に前記粉塵が再付着する可能性は
著しく低減する。従って、高純度の単結晶を得ることが
できるようになり、単結晶取得率を向上させることがで
きる。
【図１】大量生産型単結晶引き上げシステムの一例を示
す説明図である。
す説明図である。
【図２】一括着脱可能なホットゾーンパーツの断面図で
ある。
ある。
【図３】図２のホットゾーンパーツに使用するメルトレ
シーブの下面の斜視図である。
シーブの下面の斜視図である。
【図４】大量生産型単結晶引き上げシステムの他の例を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図５】大量生産型単結晶引き上げシステムにおける作
業室のレイアウトの一例を示す説明図である。
業室のレイアウトの一例を示す説明図である。
【図６】大量生産型単結晶引き上げシステムにおける作
業室のレイアウトの他の例を示す説明図である。
業室のレイアウトの他の例を示す説明図である。
１ 単結晶引き上げ装置 ２ ホットゾーンパーツ ２ａ 使用済みホットゾーンパーツ ２ｂ 整備済みホットゾーンパーツ ３ 石英るつぼ ４ 黒鉛るつぼ ５ 黒鉛ヒータ ６ 保温筒 ７ 下部チャンバ ７ａ ブラケット ８ 上部チャンバ １３ るつぼ軸 １４ メルトレシーブ １４ａ 切り欠き部 １５ 単結晶 １６ フォークリフトトラック １７ 作業室 １８ ペディスタル ２０ 電極 ２１ テーパ軸 ２２ ヒータ固定ブロック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石井 道夫 神奈川県平塚市四之宮2612 コマツ電子金 属株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 １基の単結晶引き上げ装置に対して複数
組のホットゾーンパーツまたは複数組の上部チャンバ、
下部チャンバおよび前記チャンバ内に収容したホットゾ
ーンパーツと、使用済みホットゾーンパーツまたは使用
済み上部チャンバ、下部チャンバおよびホットゾーンパ
ーツの清掃ならびに点検、交換、多結晶の充填を行う作
業室と、前記単結晶引き上げ装置と作業室とを往復また
は循環する前記ホットゾーンパーツまたは上部チャン
バ、下部チャンバおよび前記チャンバ内に収容したホッ
トゾーンパーツの搬送手段とを備えたことを特徴とする
大量生産型単結晶引き上げシステム。 - 【請求項２】 単結晶の引き上げ完了後、使用済みのホ
ットゾーンパーツまたは使用済みの上部チャンバ、下部
チャンバおよびホットゾーンパーツを単結晶引き上げ装
置から一括して取り外し、入れ代わりに清掃ならびに点
検整備済みのホットゾーンパーツまたは上部チャンバ、
下部チャンバおよび前記チャンバ内に収容したホットゾ
ーンパーツを単結晶引き上げ装置に一括して取り付け、
前記取り外した使用済み部品を作業室に搬入して清掃な
らびに点検整備を行うことを特徴とする請求項１の大量
生産型単結晶引き上げシステム。 - 【請求項３】 メルトレシーブの外縁部下面にフォーク
リフトトラックのフォークを当接させる切り欠き部を設
け、黒鉛ヒータを担持するヒータ固定ブロックをヒータ
電極上端に螺着されたテーパ軸に着脱自在に挿嵌すると
ともに、るつぼを担持するペディスタルをるつぼ軸に着
脱自在に挿嵌し、前記メルトレシーブ下面を担持してメ
ルトレシーブおよび保温筒を持ち上げ、次にメルトレシ
ーブの上面がヒータ固定ブロックに当接してヒータ固定
ブロックをテーパ軸から抜き取り、更にメルトレシーブ
の上面が前記ペディスタルに当接してペディスタルをる
つぼ軸から抜き取ることにより、一括取り外し可能なホ
ットゾーンパーツとしたことを特徴とする請求項２の大
量生産型単結晶引き上げシステム。 - 【請求項４】 フォークリフトトラックによって担持さ
れるブラケットを下部チャンバの外周に取着するととも
に、メルトレシーブの外縁部下面に前記下部チャンバの
下端を取着し、各配線、配管を上部チャンバ、下部チャ
ンバに着脱容易に接続することにより、前記上部チャン
バ、下部チャンバおよび前記チャンバ内に収容したホッ
トゾーンパーツを単結晶引き上げ装置から一括取り外し
可能としたことを特徴とする請求項２の大量生産型単結
晶引き上げシステム。 - 【請求項５】 単結晶引き上げ装置から取り外したホッ
トゾーンパーツまたは上部チャンバ、下部チャンバおよ
びホットゾーンパーツの清掃作業室が、扉もしくは制御
された空気流により隔離され、前記取り外し部品の清掃
時に飛散する粉塵が他の場所に侵入しない構造になって
いることを特徴とする請求項１の大量生産型単結晶引き
上げシステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06056739A JP3129908B2 (ja) | 1993-04-07 | 1994-03-02 | 大量生産型単結晶引き上げシステム |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-105174 | 1993-04-07 | ||
| JP10517493 | 1993-04-07 | ||
| JP06056739A JP3129908B2 (ja) | 1993-04-07 | 1994-03-02 | 大量生産型単結晶引き上げシステム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06340491A true JPH06340491A (ja) | 1994-12-13 |
| JP3129908B2 JP3129908B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=26397718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06056739A Expired - Fee Related JP3129908B2 (ja) | 1993-04-07 | 1994-03-02 | 大量生産型単結晶引き上げシステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3129908B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997029224A1 (fr) * | 1996-02-08 | 1997-08-14 | Sumitomo Sitix Corporation | Appareil de pousse de monocristal et procede correspondant |
| WO2005073439A1 (ja) | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | シリコン単結晶及びシリコンウェーハ及びそれらの製造装置並びに製造方法 |
| WO2010027833A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Bp Corporation North America Inc. | System and method for liquid silicon containment |
| DE10041502B4 (de) * | 1999-08-26 | 2010-04-29 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Abzweigfilter |
| KR101499056B1 (ko) * | 2014-11-17 | 2015-03-06 | (주)알파플러스 | 내부 오염 방지형 진공 증발원 |
| KR101499054B1 (ko) * | 2013-07-23 | 2015-03-06 | (주)알파플러스 | 내부 오염 방지형 진공 증발원 |
-
1994
- 1994-03-02 JP JP06056739A patent/JP3129908B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997029224A1 (fr) * | 1996-02-08 | 1997-08-14 | Sumitomo Sitix Corporation | Appareil de pousse de monocristal et procede correspondant |
| DE10041502B4 (de) * | 1999-08-26 | 2010-04-29 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Abzweigfilter |
| WO2005073439A1 (ja) | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | シリコン単結晶及びシリコンウェーハ及びそれらの製造装置並びに製造方法 |
| EP1717355A1 (en) * | 2004-02-02 | 2006-11-02 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Silicon single crystal, silicon wafer, production apparatus therefor and process for producing the same |
| JP2008247737A (ja) * | 2004-02-02 | 2008-10-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造装置及び製造方法並びにシリコンウェーハ |
| EP1717355A4 (en) * | 2004-02-02 | 2010-01-27 | Shinetsu Handotai Kk | SILICON INGREDIENT, SILICON WAFER, MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| JP4650520B2 (ja) * | 2004-02-02 | 2011-03-16 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 |
| WO2010027833A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Bp Corporation North America Inc. | System and method for liquid silicon containment |
| US8449674B2 (en) | 2008-08-27 | 2013-05-28 | Amg Idealcast Solar Corporation | System and method for liquid silicon containment |
| KR101499054B1 (ko) * | 2013-07-23 | 2015-03-06 | (주)알파플러스 | 내부 오염 방지형 진공 증발원 |
| KR101499056B1 (ko) * | 2014-11-17 | 2015-03-06 | (주)알파플러스 | 내부 오염 방지형 진공 증발원 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3129908B2 (ja) | 2001-01-31 |
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