TW202344721A - 用於清潔拉錠器設備之提拉纜線之清潔工具及方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭示用於清潔一拉錠器設備之提拉纜線之清潔工具及用於清潔該提拉纜線之方法。該清潔工具包含用於接納該提拉纜線之一腔室。加壓流體透過一或多個噴嘴排出，以使碎屑與該提拉纜線分離。該流體及碎屑被收集在該清潔工具之一排氣空間中，且透過一排氣管排出。該清潔工具包含一或多個引導件，該一或多個引導件在該拉錠器設備之一上區段中導引該清潔工具。

Description

用於清潔拉錠器設備之提拉纜線之清潔工具及方法

本發明之領域係關於用於清潔一拉錠器設備之提拉纜線之清潔工具，且係關於用於清潔一拉錠器設備之提拉纜線的方法。

單晶矽錠可藉由所謂的丘克拉斯基單晶成長直拉法(Czochralski process)生長，其中一矽種晶與一矽熔體接觸。矽種晶自熔體取出，引起由種晶懸浮之一單晶矽錠形成。矽種晶被固定至連接至一提拉纜線之一晶種卡盤。提拉纜線支撐卡盤及種晶(及晶體生長期間之錠)。提拉纜線連接至一提拉機構，提拉機構在拉錠器設備內降低及升高提拉纜線。

在錠生長期間，熔體中可形成氧化矽。氧化矽自熔體攜載且沈積在拉錠器設備內，包含在拉錠器設備之提拉纜線上。諸如碳之其他沈積物可自熔體攜載，且可粘附至提拉纜線。在提拉纜線上形成之沈積物可在錠生長期間自提拉纜線掉落，此可導致單晶矽錠之零位錯生長損失或引起錠中形成缺陷(例如，斷層(slip)或孿晶(twin lamella))。氧化矽可週期性地自提拉纜線移除，以防止氧化物落入熔體。接觸提拉纜線之清潔操作可引起纜線損壞。損壞之纜線可在錠生長期間斷裂，引起錠落入熔體。

需要清潔提拉纜線之工具及方法，該等工具及方法能夠自提拉纜線移除沈積物，且在清潔期間不會導致提拉纜線受損。

本段落旨在向讀者介紹可與下文描述及/或主張之本發明各種態樣相關之技術的各種態樣。此討論被認為有助於向讀者提供背景資訊，以便於更好地暸解本發明之各種態樣。因此，應暸解，此等陳述係自此角度來閱讀，而非作為對先前技術之承認。

本發明之一個態樣係關於一種清潔工具，用於清潔一拉錠器設備之一提拉纜線。該清潔工具包含一框架及延伸穿過該框架用於接納該提拉纜線之一腔室。一或多個噴嘴將一加壓流體導向該提拉纜線。一排氣煙道攜載出自該一或多個噴嘴排出之流體。

本發明之另一態樣係關於一種清潔工具，用於清潔一拉錠器設備之一提拉纜線。該清潔工具包含一框架及延伸穿過該框架用於接納該提拉纜線之一腔室。一或多個噴嘴將一加壓流體導向該提拉纜線。該工具包含用於將該一或多個噴嘴升高及降低至該拉錠器設備之一上腔室中之一可延伸把手。

本發明之一進一步態樣係關於一種用於清潔一拉錠器設備之一提拉纜線的方法。該拉錠器設備包含一拉晶器外殼，該拉晶器外殼界定用於自一矽熔體提拉一矽錠之一生長腔室。該拉晶器外殼包含一下圓頂形區段及可移除地連接至該下圓頂形區段之一上圓柱形區段。該提拉纜線定位在一清潔工具之一腔室內。加壓流體導向該提拉纜線。經導向該提拉纜線之該加壓流體透過用於處理該加壓流體之該清潔工具之一排氣空間被移除。

存在與本發明之上述態樣相關之所述特徵的各種改進。進一步特徵亦可併入本發明之上述態樣中。此等改進及額外特徵可單獨或以任何組合存在。舉例而言，下文討論之與本發明之任何所繪示實施例相關之各種特徵可單獨或以任何組合併入本發明之任何上述態樣中。

本申請案主張2022年4月27日申請之美國臨時專利申請案第63/335,447號之優先權利，該案之全文以引用之方式併入本文中。

本發明之條款係關於用於清潔一拉錠器設備之一提拉纜線的清潔工具及用於清潔一拉錠器設備之一提拉纜線的方法。在圖1中，具有一提拉纜線之一實例拉錠器設備(或更簡單地稱作「拉錠器」)概括指示為「100」。拉錠器設備100包含用於保持半導體或太陽能級材料矽之一熔體104之一坩堝總成102。坩堝總成102由一承座106支撐。

拉錠器設備100包含一拉晶器外殼108，拉晶器外殼108界定用於沿一提拉軸A自矽熔體104提拉一矽錠之一生長腔室152。現參考圖2，生長腔室152包含兩個部分：一下生長腔室155(或簡稱為「下腔室」)及安置在下生長腔室155上方之一上生長腔室165(或簡稱為「上腔室」)。拉錠器設備100之熱區(例如，坩堝、反射器、承座、加熱器及類似物)安置在下腔室155內。在錠生長期間，錠113被提拉穿過下腔室155，且隨著錠被拉長，繼續被提拉穿過上腔室165。

拉晶器外殼108包含界定下腔室155之一圓頂下區段119及界定上腔室165之一上區段140。下圓頂區段119包含一圓頂形部分169，該圓頂形部分之尺寸逐漸減小至上區段140之直徑。上區段140大體為圓柱形，且包含一下端159及一上端163。拉晶器外殼108之上區段140可移除地連接至下區段119(例如，藉由扣件、墊片或類似物)。舉例而言，下區段119可遠離上區段140下降，以容許下文描述之清潔工具200插入至上區段140中，以清潔提拉纜線118。

坩堝總成102(圖1)安置在下腔室155中。坩堝總成102具有一側壁131及底板129，且置於一承座106上。承座106由一軸件105支撐。承座106、坩堝總成102、軸件105及錠113具有一共同的縱軸或「提拉軸」A。

拉錠器設備100內設置有一提拉機構114，用於自熔體104生長及提拉一錠113。提拉機構114包含一提拉纜線118、耦合至提拉纜線118之一個端之一晶種保持器或卡盤120、及耦合至卡盤120用於啟動晶體生長之一種晶122。提拉纜線118之一個端連接至提拉機構114之一滑輪(未展示)或一滾筒(未展示)，且另一端連接至固持種晶122之卡盤120。提拉機構114包含使滑輪或滾筒旋轉之一馬達。

在操作中，降低種晶122以接觸熔體104之表面111。操作提拉機構114以引起種晶122上升。此引起自熔體104提拉一單晶錠113。

在加熱及拉晶期間，一坩堝驅動單元107(例如，一馬達)旋轉坩堝總成102及承座106。在生長程序期間，一提升機構112沿提拉軸A升高及降低坩堝總成102。舉例而言，坩堝總成102可處於一最低位置(靠近底部加熱器126)，在該最低位置中，先前添加至坩堝總成102之固相矽133之一裝料被熔化。晶體生長藉由使熔體104與種晶122接觸且藉由提拉機構114提升種晶122開始。

一晶體驅動單元(未展示)亦可沿與坩堝驅動單元107旋轉坩堝總成102之方向相反之一方向旋轉提拉纜線118及錠113(例如，反向旋轉)。在使用同向旋轉之實施例中，晶體驅動單元可在與坩堝驅動單元旋轉坩堝總成102相同之方向上旋轉提拉纜線118。

拉錠器設備100包含底部絕緣層110及側面絕緣層124，以保持提拉設備100中之熱量。在所繪示之實施例中，拉錠器設備100包含安置在坩堝底板129下方之一底部加熱器126。坩堝總成102可移動至相對緊靠底部加熱器126，以熔化裝入坩堝總成102之固體矽。

根據Czochralski直拉法單晶生長程序，首先將諸如多晶矽或「多晶矽」之一定量固相矽裝入坩堝總成102。被引入坩堝總成102之半導體或太陽能級固體矽係藉由一或多個加熱元件提供的熱量熔化。一旦熔體104完全形成，種晶122下降且與熔體104之表面111接觸。提拉機構114經操作以自熔體104提拉種晶122。所得錠113包含一冠部142，在冠部142中錠自種晶122向外過渡且逐漸變粗，以達到一目標直徑。錠113包含晶體之一恆定直徑部分145或圓柱形「主體」，其係藉由增加提拉速率來生長。錠113之主體145具有一相對恆定的直徑。錠113包含一尾部或端錐(未展示)，其中錠在主體145之後直徑逐漸變小。當直徑變得足夠小時，錠113即與熔體104分離。

晶體生長程序可為一批次程序，其中固體矽首先被添加至坩堝總成102以形成一矽熔體，而在晶體生長期間，沒有額外的固體矽被添加至坩堝總成102。在其他實施例中，晶體生長程序為一連續Czochralski直拉法，其中在錠生長期間，向坩堝總成添加一定量的矽。

拉錠器設備100包含一側加熱器135及一承座106，其環繞坩堝總成102以在晶體生長期間維持熔體104之溫度。當坩堝總成102沿提拉軸A上下移動時，側加熱器135被安置到坩堝側壁131之徑向外側。側加熱器135及底部加熱器126可為容許側加熱器135與底部加熱器126如本文描述操作之任何類型的加熱器。在一些實施例中，加熱器135、126係電阻加熱器。側加熱器135及底部加熱器126可由一控制系統(未展示)控制，使得熔體104之溫度在整個提拉程序受到控制。

拉錠器設備100可包含一隔熱罩151。隔熱罩151可覆蓋錠113，且可在晶體生長期間安置在坩堝總成102內。拉錠器設備100可包含一惰性氣體系統，以自生長腔室152引入及排出一惰性氣體，諸如氬氣。

所繪示之拉錠器設備100為一實例，且下文描述之清潔工具200一般可用於清潔包含此一提拉纜線118之任何拉錠器設備之提拉纜線118。提拉纜線118可包含組合以形成一纜線之一金屬線或一系列金屬線(例如，絞合金屬線)。提拉纜線118可由鎢製成，諸如絞合之鎢絲。

現參考圖3，用於清潔一拉錠器設備之一提拉纜線之一清潔工具概括用「200」指示。清潔工具200包含一框架210及一腔室214，腔室214延伸穿過框架210用於接納提拉纜線118。框架210一般可為形成接納提拉纜線118之一腔室214之任何結構。舉例而言，框架210可為提拉纜線118延伸穿過之一系列金屬線、纜、桿、板或其他框架部件。在所繪示之實施例中，框架210包含一主體220。主體220具有一頂部223及一底部225。一或多個側壁229部分周向包圍主體220。腔室214自頂部223延伸至底部225。一槽233延伸穿過一或多個側壁229且穿過頂部223及底部225。槽233提供一開口，提拉纜線118可穿過該開口以將提拉纜線118接納在腔室214中。

清潔工具200包含一或多個外部引導件240、242、244，在清潔提拉纜線118期間，外部引導件在拉錠器設備100之一上腔室165(圖2)內導引清潔工具200。在所繪示實施例中，一或多個外部引導件包含三個引導件：一第一引導件240、一第二引導件242及一第三引導件244。引導件240、242、244接觸上腔室165之內表面，且指引腔室214，使得腔室214與提拉纜線118對準。外部引導件240、242、244安置在主體220之徑向外側。

在所繪示實施例中，外部引導件240、242、244各為自主體220徑向向外延伸之一臂。外部引導件240、242、244可具有其他形狀，諸如環繞框架210(即，主體220)之一或多個環。在所繪示實施例中，一或多個引導件包括三個引導件240、242、244。一般而言，除非另有說明，否則可使用容許清潔工具如本文描述起作用之任何數目之引導件。

各引導件240、242、244包含在引導件240、242、244遠端處之一滾輪(或簡稱為「滾輪」)258、260、262(圖7)。各滾輪258、260、262界定一旋轉弧，該旋轉弧在各自滾輪258、260、262接觸上腔室165之內表面之點處垂直於上腔室140之內表面(圖2)。滾輪258、260、262有助於使清潔工具200在上腔室165上下移動，以清潔提拉纜線118，同時減少或消除與提拉纜線118之接觸。

現參考圖5至圖6，清潔工具200包含一或多個噴嘴252、254，用於將一加壓流體導向提拉纜線118 (圖3)。一般而言，可使用將加壓流體導向提拉纜線118之任何噴嘴(例如，增加流體速度之噴嘴)。雖然在所繪示實施例中展示一第一噴嘴252及第二噴嘴254，但在其他實施例中，可使用一單個噴嘴或超過兩個噴嘴。

各噴嘴252、254藉由導管265(圖8)連接至一加壓流體源(例如，加壓空氣或其他氣體，諸如氬氣或氮氣)。清潔工具200可包含埠270、272(圖6)以連接至加壓流體源。加壓流體透過噴嘴252、254被導向提拉纜線118。加壓流體可由整合至加壓流體源中之一或多個供應導管中的閥控制。在與提拉纜線118接觸之後，流體進入一排氣煙道276(圖5)，排氣煙道276攜載流體離開。排氣煙道276包含在工具200之主體220內之一排氣空間279，且亦包含與排氣空間279流體連通之一排氣管281。排氣空間279由主體220之頂部223、底部225及一或多個側壁229界定。排氣管281與排氣空間279流體連通，且自主體220向下延伸。

排氣管281亦可用作一把手，用於在拉錠器設備100之上腔室165(圖2)內升高及降低主體220(即，用於相對於提拉纜線118升高及降低一或多個噴嘴252、254)。把手281可為可延伸的。舉例而言，把手281可包含一伸縮部分284(圖4)，該伸縮部分284在一外部286內滑動以縮回或延伸把手281。清潔工具200可包含一鎖288以相對於外部286固定伸縮部分284(例如，當將工具200定位在上腔室165下方且將提拉纜線118穿過槽233(圖3)插入腔室214中時)。

排氣管281可流體連接至一或多個過濾器及/或一真空源，諸如藉由連接至排氣管埠291。排氣管281界定自其入口293(圖4)延伸至排氣管埠291之一流體通道。

清潔工具200用於清潔拉錠器設備100。清潔工具200及設備100可一起形成一拉錠器系統50之部分，用於製造一單晶矽錠且用於在使用後清潔該系統。

為清潔提拉纜線118，將拉晶器外殼108之下圓頂區段119與上區段140分離。排氣管281流體連接至真空源(例如，產生一真空之鼓風機或泵)。流體埠270、272(圖6)連接至加壓流體源(例如，加壓空氣)。提拉纜線118移動至一降低的位置，以容許接入提拉纜線118。清潔工具200被移動以將提拉纜線118定位成穿過槽233且在清潔工具200之腔室214內。清潔工具200相對於提拉纜線118向上及/或向下移動，同時加壓流體穿過噴嘴252、254(即，自上圓柱形區段140之下端159朝向上端166)被導向提拉纜線118。清潔工具200可藉由解鎖鎖288且延伸把手/排氣管281而透過拉錠器設備100之上區段140升起。引導件240、242、244接觸上區段140之內表面，且有助於將工具200之腔室214與提拉纜線118對準。當工具200上下移動時，引導件240、242、244旋轉，且使工具200易於移動通過圓柱形上區段140。

當加壓流體自第一噴嘴252及第二噴嘴254排出時，流體衝擊提拉纜線118，引起碎屑及沈積物與提拉纜線118分離。排出之流體及碎屑材料進入工具200之主體220內的排氣空間279。排出之流體及碎屑在排氣管281內被提拉，且透過埠291排出，用於進一步處理(例如，過濾)。

在一錠已自拉錠器設備100移除，且拉錠器設備100已冷卻至環境溫度之後，可清潔提拉纜線118。在其他實施例中，提拉纜線在一系列錠操作之後被清潔。

與習知清潔工具及方法比較，本發明用於清潔提拉纜線之清潔工具及方法具有數個優點。清潔工具自提拉纜線移除碎屑，而碎屑不落入安置於上區段及提拉纜線下方之提拉器之下區段內。替代地，碎屑材料被拉過排氣空間及排氣管，用於進一步處理。清潔工具之引導件容許在清潔工具不接觸提拉纜線及不損壞纜線之情況下清潔提拉纜線。安置在引導件上之滾輪容許清潔工具更容易地在拉錠器之上區段內升起。可延伸把手容許清潔工具在拉錠器之上區段內向上移動，且鎖容許上區段之長度固定(例如，當清潔工具移動至上腔室下方或在清潔完成後自上腔室下方移除工具時)。在清潔工具中使用兩個或更多個噴嘴容許同時清潔纜線之兩個或更多個側面，此提高工具之清潔效率。 實例

藉由以下實例進一步說明本發明之方法。此等實例不應視為限制性的。 實例 1 ：使用及不使用清潔工具之錠的缺陷率

圖3中展示之清潔工具用於清潔六個拉錠器設備之提拉纜線，該等設備類似於圖1之示意性設備。清潔工具在各錠生長之前使用六個月。與未清潔提拉纜線之錠比較，在錠生長之前清潔提拉纜線的錠中觀察到孿晶/斷層的比率自1.0%降低至0.3%。此外，晶體全底比(即，在形成之主體中沒有位錯之一整個晶體)自77.7%提高至84.55%。

如本文使用，當與尺寸、濃度、溫度或其他物理或化學性質或特徵的範圍結合使用時，術語「大約」、「大體上」、「基本上」及「近似」意謂涵蓋可存在於性質或特徵範圍之上限及/或下限中的變動，舉例而言，包含由捨入、量測方法或其他統計變動所導致的變動。

當引入本發明或其實施例之元件時，冠詞「一」、「一個」、「該」及「該等」旨在意謂有一或多個元件。術語「包括」、「包含」、「含有」及「具有」旨在具有包容性，且意謂除所列元件之外可有額外元件。使用指示一特定方向的術語(例如，「頂部」、「底部」、「側面」等) 係為了便於描述，且不需要所描述物件的任何特定方向。

在不脫離本發明之範疇的情況下，可對上文結構及方法做各種改變，因此上文描述中含有的及隨附圖式中展示之全部內容應被解釋為說明性的，而非限制性的。

50:拉錠器系統 100:拉錠器設備 102:坩堝總成 104:熔體 105:軸件 106:承座 107:坩堝驅動單元 108:拉晶器外殼 110:底部絕緣層 111:熔體之表面 112:提升機構 113:錠 114:提拉機構 118:提拉纜線 119:下圓頂區段 120:卡盤 122:種晶 124:側面絕緣層 126:底部加熱器 129:底板 131:側壁 135:側加熱器 140:上區段 142:冠部 145:主體 151:隔熱罩 152:生長腔室 155:下生長腔室 159:下端 163:上端 165:上生長腔室 169:圓頂形部分 200:清潔工具 210:框架 214:腔室 220:主體 223:頂部 225:底部 229:一或多個側壁 233:槽 240、242、244:引導件 252、254:噴嘴 258、260、262:滾輪 265:導管 270、272:埠 276:排氣煙道 279:排氣空間 281:排氣管/把手 284:伸縮部分 286:外部 288:鎖 291:排氣管埠 293:入口 A:提拉軸

圖1為錠生長期間一拉錠器設備之一截面圖；

圖2為具有一上區段及可移除地連接至該上區段之下區段之一拉錠器設備的一示意圖；

圖3為用於清潔一拉錠器設備之提拉纜線之一清潔工具的一透視圖；

圖4為清潔工具之另一透視圖，未展示引導件；

圖5為清潔工具主體之一俯視圖；

圖6為清潔工具之一前視圖；

圖7為清潔工具之一俯視圖；及

圖8為清潔工具之一側視圖。

貫穿圖式，對應參考字元指示對應部分。

50:拉錠器系統

118:提拉纜線

200:清潔工具

210:框架

214:腔室

220:主體

223:頂部

225:底部

229:一或多個側壁

233:槽

240、242、244:引導件

281:排氣管/把手

291:排氣管埠

Claims (24)

1. 一種用於清潔一拉錠器設備之一提拉纜線之清潔工具，該清潔工具包括： 一框架； 一腔室，其延伸穿過該框架用於接納該提拉纜線； 一或多個噴嘴，用於在該提拉纜線處引導一加壓流體；及 一排氣煙道，用於攜載自該一或多個噴嘴排出之流體。
2. 如請求項1之清潔工具，其中該框架包括一主體，該主體包括一底板及一頂部，該腔室延伸穿過該底板及該頂部。
3. 如請求項2之清潔工具，其中該排氣煙道包括： 在該主體內之一排氣空間；及 自該主體延伸之一排氣管，該排氣管係與該排氣空間流體連通。
4. 如請求項1之清潔工具，其包括一或多個外部引導件，該一或多個外部引導件在清潔該提拉纜線期間於該拉錠器設備之一上部腔室內導引該清潔工具。
5. 如請求項4之清潔工具，其中，該框架包括一主體，該腔室延伸穿過該主體，該一或多個外部引導件係自該主體徑向地向外安置。
6. 如請求項5之清潔工具，其中，該一或多個外部引導件之各者包括用於接觸該拉錠器設備之一上腔室之一內表面的一滾輪。
7. 如請求項1之清潔工具，其中該清潔工具具有一可延伸把手，用於將該一或多個噴嘴升高及降低至該拉錠器設備之一上腔室中。
8. 如請求項7之清潔工具，其中該可延伸把手包括一排出管，該排出管攜載自該一或多個噴嘴排出之流體。
9. 如請求項1之清潔工具，其中該一或多個噴嘴包括一第一噴嘴及一第二噴嘴。
10. 一種用於製造一單晶矽錠且用於在使用後清潔該系統之拉錠器系統，該拉錠器系統包括： 一拉錠器設備，其包括： 一坩堝總成，用於保持一矽熔體； 一拉晶器外殼，其界定用於自該矽熔體提拉一矽錠之一生長腔室，該坩堝總成係安置在該生長腔室內，該拉晶器外殼包括： 一下圓頂形區段；及 一上圓柱形區段，其經可移除地連接至該下圓頂形區段；及 一提拉機構，其包括一提拉纜線；及 如請求項1之清潔工具。
11. 一種用於清潔一拉錠器設備之一提拉纜線之清潔工具，該清潔工具包括： 一框架； 一腔室，其延伸穿過該框架用於接納該提拉纜線； 一或多個噴嘴，用於將一加壓流體引導向該提拉纜線；及 一可延伸把手，用於將該一或多個噴嘴升高及降低至該拉錠器設備之一上腔室中。
12. 如請求項11之清潔工具，其中，該可延伸把手包括一排氣管，該排氣管具有一流體通道，自該一或多個噴嘴排出之流體穿過該流體通道。
13. 如請求項11之清潔工具，其中該可延伸把手包括一伸縮部分，該伸縮部分使該可延伸把手能夠延伸及縮回。
14. 如請求項11之清潔工具，其包括一或多個外部引導件，該一或多個外部引導件在清潔該提拉纜線期間於該拉錠器設備之一上腔室內導引該清潔工具。
15. 如請求項14之清潔工具，其中，該框架包括一主體，該腔室延伸穿過該主體，該一或多個外部引導件係自該主體徑向地向外安置。
16. 如請求項15之清潔工具，其中，該一或多個外部引導件之各者包括用於接觸該拉錠器設備之一上腔室之一內表面的一滾輪。
17. 一種用於製造一單晶矽錠且用於在使用後清潔該系統之拉錠器系統，該拉錠器系統包括： 一拉錠器設備，其包括： 一坩堝總成，用於保持一矽熔體； 一拉晶器外殼，其界定用於自該矽熔體提拉一矽錠之一生長腔室，該坩堝總成係安置在該生長腔室內，該拉晶器外殼包括： 一下圓頂形區段；及 一上圓柱形區段，其經可移除地連接至該下圓頂形區段；及 一提拉機構，其包括一提拉纜線；及 如請求項11之清潔工具。
18. 一種用於清潔一拉錠器設備之一提拉纜線之方法，該拉錠器設備包括一拉晶器外殼，該拉晶器外殼界定用於自一矽熔體提拉一矽錠之一生長腔室，該拉晶器外殼包括一下圓頂形區段及經可移除地連接至該下圓頂形區段之一上圓柱形區段，該方法包括： 將該提拉纜線定位在一清潔工具之一腔室內； 將加壓流體導向該提拉纜線；及 透過用於處理該加壓流體之該清潔工具之一排氣空間來移除被導向該提拉纜線之該加壓流體。
19. 如請求項18之方法，其包括使該清潔工具相對於該提拉纜線移動，同時將加壓流體導向該提拉纜線，且同時透過用於處理該加壓流體之該排氣空間來移除該加壓流體。
20. 如請求項19之方法，其包括使該清潔工具移動穿過該拉錠器設備之該上圓柱形區段。
21. 如請求項20之方法，其包括將該上圓柱形區段與該下圓頂形區段分離，且將該清潔工具自該上圓柱形區段之一下端向一上端移動。
22. 如請求項20之方法，其中該清潔工具包括一或多個外部引導件，該一或多個外部引導件在該上圓柱形區段內導引該清潔刀具。
23. 如請求項18之方法，其中該加壓流體是空氣。
24. 如請求項18之方法，其中該提拉纜線包括複數根鎢絲。