JP3754292B2 - 結晶シート製造装置および結晶シート製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属もしくは半導体の融液から板状の結晶シートを製造する結晶シート製造装置および製造方法に関するものである。特に低コスト太陽電池用シート状Ｓｉ（シリコン）基板の製造装置および製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
太陽電池に用いられている多結晶Ｓｉを作製する代表的な方法として、不活性雰囲気中でリンあるいはボロン等のドーパントを添加した高純度Ｓｉ材料を坩堝中で加熱溶融させ、この融液を鋳型に流込んで冷却し、多結晶インゴットを得る鋳造方法がある。さらにスライシング工程を経て太陽電池に使用されるＳｉウエハが得られる。
【０００３】
従来方法では、Ｓｉ鋳造工程に加え、高いコストを要するスライス工程が必要なこと、またこのスライス工程でワイヤや内周刃の厚み分以上の材料ロスを生じること等、低コスト化を図るうえで大きな障害になっていた。
【０００４】
一方、これにかわり、溶融Ｓｉから直接Ｓｉシートを作製する方法、具体的には、回転機構を利用した移動手段によって基体をＳｉ融液中に一定時間浸漬させ、基体表面にＳｉを付着、成長させるＳｉシート製造方法が本件出願人によって提案され、試みられつつある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図１０および図１１は、本件出願人が提案した従来のＳｉシート製造装置１００の一例を示す断面図であり、図１０は結晶シート生成前の装置の状態を示す。本出願人が提案する従来のＳｉシート製造方法では、Ｓｉ融液中に浸漬する基体３を回転体１の外周部に配置している。従来のシート製造装置１００は、回転体１外周部全周を覆うように複数（図では１２個）の基体３が配置され、これらの複数の基体３が、回転体１に取り付けられた回転軸２と一体に回転する。図１０に示すように、結晶シート生成前の状態では、回転体１の外周部に配置した基体３は坩堝９内融液８面の上方にある。
【０００６】
図１１は、坩堝９が上昇して基体３表面が融液８内に浸漬した状態を示す。まず坩堝９が上昇し、基体３が融液８に浸漬する。浸漬を確認した後、すぐに回転体１が回転する。回転体外周部に配置された複数の基体３は、融液８に順次浸漬し、各基体表面に結晶シートが形成される。回転体１が一回転し、初期位置に達する、すなわち最初に浸漬した基体３−１５が再び浸漬すると回転が停止し、すぐに坩堝９が下方に移動し、基体３が融液面から離脱する。
【０００７】
回転体１が一回転し初期位置に達したとき、図１１に示すように、最初に浸漬した基体３−１５の表面全て、および該基体３−１５に隣接する基体３−１４，３−１６のコーナ部３−１４ｃ，３−１６ｃは、回転停止した状態で浸漬状態にあり、その他の、回転中に浸漬する基体に比べ、浸漬時間が長く、かつ結晶シートの厚さが厚く、またうねりがちであり、加工された結晶シートの品質も安定しなかった。
【０００８】
以上のように回転開始状態で基体３ー１５が浸漬し、また回転停止状態で再び基体３−１５が浸漬し、浸漬を２回行う「重ね塗り加工」をしていることから、開始時および停止時の基体３−１５に凝固成長する結晶シートは、それ以外の基体に凝固成長する結晶シートに比べ、厚みが大きく、また肉厚ムラも顕著であり、品質的バラツキが大きかった。
【０００９】
また従来方式では、加工を開始すると、加工終了まで回転は止められなかったため、回転中に並行して行う、浸漬後の基体に凝固成長した結晶シートの剥離、回収作業も回収ミスによる結晶シートの融液中への落下等歩留まりが大きくなる要因になっていた。さらに、基体表面の異物除去、ブラッシングによるクリーニング等によりゴミが下方の坩堝に混入し、品質低下の一因になっていた。
【００１０】
したがって本発明の目的は、各基体に形成される結晶シートを均一に形成し、結晶シートの品質を安定かつ向上することができる結晶シート製造装置および製造方法を提供することである。また本発明の他の目的は、結晶シート剥離時および基体表面クリーニング時に、融液中に異物が混入することを防止し、結晶シート製造における品質を向上することができる結晶シート製造装置および製造方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、金属もしくは半導体材料の融液に基体を浸漬し、該基体に融液を凝固成長させて、結晶シートを基体に形成させる結晶シート製造装置において、
外周に複数の基体が配設されるとともに、一個分以上の基体が配設されない欠落領域が設けられる回転体を有することを特徴とする結晶シート製造装置である。
【００１２】
本発明に従えば、回転体外周に形成される欠落領域が融液面に対向する位置に配置されるとき、回転体外周に配置される基体が、融液面に浸漬することを防止することができる。したがって、欠落領域が融液面に対向する位置に配置した状態から、回転体を一回転させることによって、基体が２度浸漬することなく、基体表面に品質のばらつきの少ない均一な結晶シートを形成することができる。
【００１３】
また本発明は、前記欠落領域に、前記基体を保持するための保持基板が設けられることを特徴とする。
【００１４】
本発明に従えば、保持基板によって基体が回転体外周に保持される。したがって、基体を取り外すことによって、任意の領域に欠落領域を形成することができる。また損傷した基体を容易に取り替えることができ、メンテナンス性を向上することができる。
【００１５】
また本発明は、坩堝内に貯留される金属もしくは半導体材料の融液に、基体を浸漬し、該基体に融液を凝固成長させて、結晶シートを基体に形成させる結晶シート製造方法において、
外周に複数の基体が配設されるとともに、一個分以上の基体が配設されない欠落領域が設けられる回転体の前記欠落領域を坩堝内の融液面上に対向させ、
前記回転体を回転させたときに、基体が融液に浸漬する位置まで、坩堝を上昇させ、
前記回転体を回転させて各基体を融液内に順次浸漬させ、
前記回転体の欠落領域が融液面と再度対向する回転位置まで回転させ、
当該回転動作を停止し、坩堝を下降させることを特徴とする結晶シート製造方法である。
【００１６】
本発明に従えば、回転体の欠落領域を融液面上に対向させて、次に回転体を回転させたときに、基体が融液に浸漬する位置まで、坩堝を上昇させることによって、各基体を融液に浸漬することなく、回転体を融液上に配置することができる。
【００１７】
また、次に回転体を回転させて各基体を融液に順次浸漬させることによって、各基体に均等な結晶シートを生成することができる。次に回転体の欠落領域が融液面と再度対向する回転位置まで回転させ、次に回転動作を停止し、坩堝を下降させることによって、各基体が２度浸漬することなく、さらに基体表面に品質のばらつきの少ない結晶シートを形成することができる。
【００１８】
また本発明は、坩堝内に貯留される金属もしくは半導体材料の融液に、基体を浸漬し、該基体に融液を凝固成長させて、結晶シートを基体に形成させる結晶シート製造方法において、
外周に複数の基体が配設されるとともに、一個分以上の基体が配設されない欠落領域が設けられる回転体の前記欠落領域を坩堝内の融液面上に対向させ、
前記回転体を回転させたときに、基体が融液に浸漬する位置まで、回転体を下降させ、
前記回転体を回転させて各基体を融液内に順次浸漬させ、
前記欠落領域が融液面上に再度対向する回転位置まで回転させ、
当該回転動作を停止し、回転体を上昇させることを特徴とする結晶シート製造方法である。
【００１９】
本発明に従えば、回転体の欠落領域を融液面上に対向させて、次に回転体を回転させたときに、基体が融液に浸漬する位置まで、回転体を下降させることによって、各基体を融液に浸漬することなく、回転体を融液上に配置することができる。
【００２０】
また、次に回転体を回転させて各基体を融液に順次浸漬させることによって、各基体に均等な結晶シートを生成することができる。次に回転体の欠落領域が融液面と再度対向する回転位置まで回転させ、次に回転動作を停止し、回転体を上昇させることによって、各基体が２度浸漬することなく、さらに基体表面に品質のばらつきの少ない結晶シートを形成することができる。
【００２１】
また本発明は、前記基体の融液への浸漬を終了させ、回転体を融液面から離間させた状態で、回転体と融液面との間に坩堝遮蔽板を挿入し、融液面を覆うことを特徴とする。
【００２２】
本発明に従えば、回転体と融液面との間に坩堝遮蔽板を挿入することによって、融液面を覆うことができる。したがって、融液中に不純物が混入する恐れを減らすことができる。これによって、形成される結晶シートの品質を向上することができる。
【００２３】
また本発明は、坩堝遮蔽板によって融液面を覆った状態で、基体に形成される結晶シートを剥離することを特徴とする。
【００２４】
本発明に従えば、坩堝遮蔽板によって融液面を覆った状態で、基体に形成される結晶シートを剥離する。したがって、結晶シート剥離作業中に、発生する脱落粉などのゴミが融液中に落下することを防止することができる。これによって、融液の乱れおよび不純物の混入をさらに減少することができ、形成される結晶シートの品質をさらに向上することができる。
【００２５】
また本発明は、坩堝遮蔽板によって融液面を覆った状態で、基体に形成される付着物の除去および清掃を行うことを特徴とする。
【００２６】
本発明に従えば、坩堝遮蔽板によって融液面を覆った状態で、基体に形成される付着物の除去および清掃を行う。したがって、基体表面の付着物の除去および清掃時に、融液中に異物が混入することを防止し、形成される結晶シートの品質をさらに向上することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
図１および図２は、本発明の実施の一形態の結晶シート製造装置３０を示す概略断面図であり、図１は結晶シート形成前の状態を、図２は結晶シート形成後の状態をそれぞれ示す。結晶シート製造装置３０は、基体３を坩堝内のＳｉ融液に浸漬し、基体３に融液８を凝固成長させて、結晶シートを基体３に形成することができる装置である。
【００２８】
図１に示すように、本発明の結晶シート製造装置３０は、回転体１、基体３、保持基板４、坩堝９および坩堝保持板１０を有している。主要構造部である回転体１は、水平方向に延びる回転軸２が一体に固定され、装置本体外部からの駆動力によって制御回転が行われる。この回転体１の外周部を囲むように、複数の保持基板４が各ピン６によって、回転体１に固定されている。また保持基板４には耐熱ねじ５によって、基体３が配設される。したがって、回転体１が回転すると、基体３が回転体１の外周を回転軸２まわりに回転する。
【００２９】
また基体３は回転体１の全周にわたって形成されておらず、回転体１の外周には、複数の基体３が配設される領域とともに、一個分以上の基体３が配設されない欠落領域Ｓが設けられる。本実施の形態では図１に示すように、回転体１の外周部には１２個の保持基板４が結合されており、基体３が回転体１の周方向に連続して１０個配置される。また欠落領域Ｓには、ダミー基体７が保持基板４に結合されており、回転体１の周方向に連続して２個配置される。このダミー基体７は、略矩形板状に形成され、厚みが基体３に比べて薄く形成される。前記基体３およびその表面の熱は、回転軸２内に設けられる冷却管からの冷却水または冷却ガスによって回転体１を通じ抜熱することができる。
【００３０】
回転体１の下方には、坩堝９が上下駆動機構を有する坩堝保持板１０上に配設されている。坩堝９の外周には誘導加熱装置２１が配設され、この誘導加熱装置２１によって坩堝９を加熱し、坩堝９の内のＳｉを溶解することができる。
【００３１】
回転体１が回転軸回りに一方向Ｋに回転することによって、各基体３が、連続的に融液８中に順次浸漬され、図２に示すように、基体３の表面に結晶シート２０を生成することができる。このとき欠落領域Ｓに形成されるダミー基体７は、前述のように基体３よりも薄く形成されるので融液８に浸漬せず、ダミー基体７の表面には結晶シート２が生成されない。
【００３２】
図３は基体３および保持基板４を示す正面図であり、図４は、図３の側面図をである。基体３および保持基板４は、略矩形状に形成されており、耐熱ねじ５が取り付けられることによって、厚み方向に重なるように連結される。基体３の厚み方向の一方の面は保持基板４に当接し、他方の面に結晶シートが形成される。また保持基板４は、厚み方向に突出する突出部４ａを有し、突出部４ａにはピン６が挿通する一対のピン孔６ｈが設けられる。
【００３３】
回転体１の外周に基体３の欠落領域Ｓを設けたことについて、図５（１）〜図５（８）を用いて説明する。図５は結晶シート製造装置３０のシート形成動作工程を示す該略図である。
【００３４】
まず図５（１）はシート形成工程の初期状態であり、回転体１および基体３が坩堝９内の融液８の上方にある。そして、ダミー基体７が融液面上に対向する（回転体１の最下限）位置に配置される。
【００３５】
次に図５（２）に示すように、坩堝９の融液８がダミー基体７と近接する位置まで、坩堝保持板１０が上方Ｕ１に上昇する。次に図５（３）に示すように回転体１は一方の回転方向Ｋ（図５では反時計まわり）に回転する。これによって回転体１の外周に配設される複数の基体３は、融液８内に順次浸漬し、そして引上げられ、浸漬した後の基体３の表面には結晶シート２０が生成される。
【００３６】
基体３は、ダミー基体７が形成される欠落領域以外では、回転体外周部に連続的に設けられているので、全ての基体３の表面の結晶シート２０の生成は、図５（４）に示すように、回転体１が一回転して、再びダミー基板７が融液面上に対向する位置まで回転することで完了する。回転体１の回転停止位置が停止予定位置より手前にずれると、回転停止状態での凝固成長、あるいは場合によっては未浸漬による加工不良が発生する。また回転停止位置が停止予定位置を過ぎた位置で停止すると、一回転目に生成した結晶シート上面に重ね加工を行うことになる。回転体１が回転停止した後、図５（５）に示すように、坩堝９は下方Ｕ２に下降し、回転体１と坩堝内の融液面とが離間する。
【００３７】
基体３を外周面全面に配置するのではなく、一部の基体３に替えてこのダミー基体７、およびダミー基体７と保持基板４との欠落領域を設けたことによって、回転体１に設けられる全ての基体３の融液中への浸漬時間は一定になり、厚さが安定した品質の結晶シートが得られ、成長する結晶シートの品質の向上が図れる。
【００３８】
なお、図５（２）および図５（５）で坩堝９が上下する構造になっているが、基体３を配設している回転体１が、図５（２）では下降して融液面と近接し、図５（５）では上昇して融液面から離間するという構成を採用してもよい。図２が基体３表面へ結晶シート２０が生成された直後の拡大断面図であり、結晶シート２０が生成される基体３の浸漬条件を一定にすることができる。
【００３９】
次に融液面と回転体１が離間したあと図５（６）に示すように、坩堝遮蔽板２２が水平方向にスライドし、坩堝遮蔽板２２によって坩堝９の融液面が覆われる。坩堝遮蔽板２２は、この後の工程である結晶シート剥離作業時に生じるシート破片、基体表面からの脱落粉等のゴミが融液８中へ落下混入することを防ぎ、作製されるシート材料品質低下を防止することができる。
【００４０】
図６は、回転体１を側面から見た結晶シート製造装置３０の断面図を示す。本図は、坩堝９が下降し、坩堝遮蔽板２２が回転体１と坩堝９との間にスライド移動する前の状態である。結晶シート製造装置３０の炉壁３１にガイド板２４が敷設され、このガイド板２４に案内支持されて、坩堝遮蔽板２２が坩堝９上に水平移動する。なお坩堝遮蔽板２２には遮蔽板移動棒２３が連結され、炉壁３１の外部からの作用により坩堝遮蔽板２２がスライドする。
【００４１】
図６に示すように、坩堝９の周囲に設けられる誘導加熱装置２１で、坩堝内のＳｉを加熱溶解し、融液温度を一定にコントロールする。この融液面からの輻射熱を遮断する機能も坩堝遮蔽板２２は有しており、結晶シートの剥離作業および剥離後の基体表面の異物除去等のクリーニング作業において、輻射熱が遮断され、安定して前記の作業を行うことができる。なお坩堝遮蔽板２２は、融液８の輻射熱に直接さらされるため、カーボンおよびタンタル等の耐熱性材料を使うことが必要である。
【００４２】
図７は、装置本体とシート剥離機構５１の概略断面図を示す。図５（６）に示すように、坩堝遮蔽板２２の坩堝上への挿入移動が完了すると、結晶シート２０の剥離作業が行われる。結晶シート製造装置３０には、シート剥離機構５１が装置本体の側部つまり、炉壁３１の外側に設けられる。
【００４３】
図７に示すようにシート剥離作業として、ダミー基体７−１の表面がシート剥離機構５１に対向する位置でかつ鉛直な位置に、回転体１が回転位置決めされる。次に、スライド扉５０−１が開き、剥離爪５２が炉壁内のダミー基体７−１に向かって前進移動する。剥離爪５２はスライド板５４に固定される。スライド板５４はスライドガイド５５上を水平にスライドし、モータ５６に直結したボールねじ５７によって、スライド板に取り付けられたナット５８を移動させ精度よくスライドすることができる。
【００４４】
剥離爪５２とダミー基体７−１の面とは導電性材料で構成され、剥離爪５２先端部５３がダミー基体７−１の面に接触すると導通状態になり、これをセンシングしてモータ５６は停止する。次に回転体１の中心からダミー基体７−１の表面までの半径距離ｒ１と、結晶シート２０が形成された基体３の表面までの半径距離ｒ２との差（ｒ２−ｒ１）の寸法分だけ剥離爪５２がモータ５６によって後退移動し、剥離作業が行われる位置にセットされる。剥離爪５２の後部には振動装置６１が固定され、前記セット後、振動装置６１が働き、剥離爪５２が加振状態で回転体１が回転方向一方Ｋ（図７では反時計方向）に回転する。
【００４５】
この回転体１の回転によって、基体３に形成される結晶シート２０の端面が剥離爪先端部５３に接触し、剥離爪５２の振動と回転体１の回転とによる剥離効果によって、基体３から結晶シート２０を剥離することができる。剥離した結晶シート２０は、剥離爪５２の上面に形成される爪スライド面６２上を移動し、さらに下部のシートストック板５９上に一時的に保管された後、まとめて回収される。本シート剥離作業中は結晶シート２０の脱落粉および基体面上に付着したゴミ等が発生し、下方の坩堝９方向に落下する恐れがあるが、回転体１下方に設けられた坩堝遮蔽板２２は、このシート剥離作業による坩堝９内への異物混入を防ぎ、コンタミ混入による品質低下を防止することができる。
【００４６】
全ての基体面上のシート剥離作業を終えると、回転体１は回転停止し、剥離爪５２はモータ５６の駆動によって本体装置外に後退し、スライド扉５０−１が閉まる。剥離後の回転体１は、引続きシート作製工程に移ることができる。
【００４７】
繰返し本シート作製工程を繰返すうちに基体表面のあれ、異物の付着等の汚れにより結晶シートの品質低下、結晶シートの凝固成長厚さバラツキ等の不良発生要因になるため、一定間隔毎に基体表面のクリーニング作業を行う。図８は、クリーニング作業機構６０を示す断面図である。
【００４８】
本体装置上方したがって、炉壁外上方にクリーニング機構６０が設けられる。基体表面のクリーニング作業では、まずダミー基体７−１に隣接する１つの基体３が上方でかつ基体表面が水平になる位置で、回転体１が位置決め固定される。次にスライド扉５０−２が開いてクリーニング用モータ６３のモータ軸６２に直結されたブラシ６１が、上下モータ６５によって下降し、基体表面に接触した位置で位置決めされ停止する。
【００４９】
図８に示すように、回転モータ６３を固定しているモータ固定アングル７７の側面上にスライド軸受６６を固定する。上下モータ６５の駆動によって前記クリーニング用モータ６３およびブラシ６１を上下移動させ、クリーニング用モータ６３によって、基体表面上でブラシ６１を回転させる。なお上下モータ６５および上下モータ軸６６は平行基板７３に固定されており、基体表面全体をクリーニングするために平行基板７３が、シリンダ６９の駆動によって摺動軸７１に沿って、すなわち回転体１の軸線方向（図８で紙面に垂直な方向）に沿って摺動する。さらに、クリーニングが行われる基体３の近傍に吸塵ダクト７６を設け、クリーニング作業において生じる加工微粉を吸引し、加工微粉が飛散することを防止することができる。
【００５０】
なお本クリーニング作業中は、坩堝遮蔽板２２は坩堝９を覆う位置に移動し、前記加工微粉の坩堝９内への混入を阻止するため、坩堝９内溶融物の異物混入による劣化を防止することができる。１つの基体のクリーニングが完了すると、実施例では３０°反時計方向に回転位置決めし、前記と同様にクリーニング作業を行う。全ての基体３の作業が終了すると、ブラシ６１およびモータ６３は本体外上方向に退避し、スライド扉５０−２が閉められる。
【００５１】
以上の実施の形態は本発明の例示に過ぎず、発明の範囲内で構成を変更することができる。たとえば坩堝内に貯留される融液は、Ｓｉ融液だけでなく、金属もしくは半導体材料を用いることができ、各種結晶シートを形成することができる。また図９は欠落領域Ｓのダミー基体７とそれを固定している保持基板４を取り外した状態を示す断面図である。欠落領域Ｓに配置されるダミー基板７および保持基板４を取り外した場合でも、上述のような効果を得ることができ、安定した結晶シートを形成することができる。
【００５２】
【発明の効果】
本発明によれば、欠落領域を設けることによって、回転体の外周部に配置する基体のＳｉ等半導体材料の融液中への浸漬時間が一定になり、安定した結晶シートの凝固成長を行うことができる。また坩堝遮蔽板を設けることによって、シート剥離作業時に生じるシート破片、基体表面からの脱落粉等のゴミが融液中へ落下混入するのを防ぎ、作製される結晶シートの品質をより安定化することができる。またシートの剥離作業、剥離後の基体表面の異物除去等のクリーニングも輻射熱が遮断され、安定して行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態の結晶シート製造装置３０を示す断面図である。
【図２】結晶シートが形成された状態の結晶シート製造装置３０を示す断面図である。
【図３】基体３および保持基板４を示す正面図である。
【図４】基体３および保持基板４を示す側面図である。
【図５】結晶シート製造装置３０のシート形成動作工程を示す該略図である。
【図６】結晶シート製造装置３０を示す断面図である。
【図７】剥離機構５１を示す断面図である。
【図８】クリーニング機構６０を示す断面図である。
【図９】欠落領域Ｓのダミー基体７と保持基板と４を取り外した結晶シート製造装置３０を示す断面図である。
【図１０】従来の結晶シート製造装置１００を示す断面図である。
【図１１】従来の結晶シート製造装置１００を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 回転体
２ 回転軸
３ 基体
４ 保持基板
５ 耐熱ねじ
６ ピン
７ ダミー基体
５１ 融液
５２ 坩堝
５３ 坩堝保持板
２０ シート
２１ 誘導加熱装置
２２ 坩堝遮蔽板
２３ 遮蔽板移動棒
２４ ガイド板
３０ 結晶シート製造装置
３１ 炉壁
５０−１，５０−２ スライド扉
５２ 剥離爪
５４ シート剥離機構
６１ ブラシ
６３ クリーニング用モータ
６６ スライド軸受
６９ シリンダ
７３ 平行基板
７６ 吸塵ダクト
７７ モータ固定アングル
Ｋ 回転体回転方向
Ｓ 欠落領域

Claims (7)

1. 金属もしくは半導体材料の融液に基体を浸漬し、該基体に融液を凝固成長させて、結晶シートを基体に形成させる結晶シート製造装置において、
   外周に複数の基体が配設されるとともに、一個分以上の基体が配設されない欠落領域が設けられる回転体を有することを特徴とする結晶シート製造装置。
2. 前記欠落領域に、前記基体を保持するための保持基板が設けられることを特徴とする請求項１記載の結晶シート製造装置。
3. 坩堝内に貯留される金属もしくは半導体材料の融液に、基体を浸漬し、該基体に融液を凝固成長させて、結晶シートを基体に形成させる結晶シート製造方法において、
   外周に複数の基体が配設されるとともに、一個分以上の基体が配設されない欠落領域が設けられる回転体の前記欠落領域を坩堝内の融液面上に対向させ、
   前記回転体を回転させたときに、基体が融液に浸漬する位置まで、坩堝を上昇させ、
   前記回転体を回転させて各基体を融液内に順次浸漬させ、
   前記回転体の欠落領域が融液面と再度対向する回転位置まで回転させ、
   当該回転動作を停止し、坩堝を下降させることを特徴とする結晶シート製造方法。
4. 坩堝内に貯留される金属もしくは半導体材料の融液に、基体を浸漬し、該基体に融液を凝固成長させて、結晶シートを基体に形成させる結晶シート製造方法において、
   外周に複数の基体が配設されるとともに、一個分以上の基体が配設されない欠落領域が設けられる回転体の前記欠落領域を坩堝内の融液面上に対向させ、
   前記回転体を回転させたときに、基体が融液に浸漬する位置まで、回転体を下降させ、
   前記回転体を回転させて各基体を融液内に順次浸漬させ、
   前記欠落領域が融液面上に再度対向する回転位置まで回転させ、
   当該回転動作を停止し、回転体を上昇させることを特徴とする結晶シート製造方法。
5. 前記基体の融液への浸漬を終了させ、回転体を融液面から離間させた状態で、回転体と融液面との間に坩堝遮蔽板を挿入し、融液面を覆うことを特徴とする請求項３または４記載の結晶シート製造方法。
6. 坩堝遮蔽板によって融液面を覆った状態で、基体に形成される結晶シートを剥離することを特徴とする請求項５記載の結晶シート製造方法。
7. 坩堝遮蔽板によって融液面を覆った状態で、基体に形成される付着物の除去および清掃を行うことを特徴とする請求項６記載の結晶シート製造方法。

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